JPH03211904A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPH03211904A JPH03211904A JP2006738A JP673890A JPH03211904A JP H03211904 A JPH03211904 A JP H03211904A JP 2006738 A JP2006738 A JP 2006738A JP 673890 A JP673890 A JP 673890A JP H03211904 A JPH03211904 A JP H03211904A
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 27
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
-
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- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
無線装置、携帯電話装置等に用いられ、高周波トランジ
スタを用いた高周波増幅器に関し、高周波信号の安定し
た増幅を行なうことができる高周波増幅器を提供するこ
とを目的とし、入力端から入力される入力高周波信号の
うち特定高周波信号を増幅する高周波増幅手段と、該高
周波増幅手段と入力及び出力端側とのインピーダンスの
整合をとる入力及び出力整合手段とを備える高周波増幅
器において、上記高周波増幅手段の入力側に接続される
直列共振回路で形成され、該直列共振回路の選択動作に
基づいて入力された入力高周波信号から特定高周波信号
を選択する選択手段と、上記高周波増幅手段の入力側に
接続されると共に、選択手段に並列接続され、特定高周
波信号以外の入力された入力高周波信号を減衰する減衰
手段とを有するバイアス供給回路を備える構成である。
スタを用いた高周波増幅器に関し、高周波信号の安定し
た増幅を行なうことができる高周波増幅器を提供するこ
とを目的とし、入力端から入力される入力高周波信号の
うち特定高周波信号を増幅する高周波増幅手段と、該高
周波増幅手段と入力及び出力端側とのインピーダンスの
整合をとる入力及び出力整合手段とを備える高周波増幅
器において、上記高周波増幅手段の入力側に接続される
直列共振回路で形成され、該直列共振回路の選択動作に
基づいて入力された入力高周波信号から特定高周波信号
を選択する選択手段と、上記高周波増幅手段の入力側に
接続されると共に、選択手段に並列接続され、特定高周
波信号以外の入力された入力高周波信号を減衰する減衰
手段とを有するバイアス供給回路を備える構成である。
本発明は、無線装置、携帯電話装置等に用いられ、高周
波トランジスタを用いた高周波増幅器に関する。
波トランジスタを用いた高周波増幅器に関する。
近年、通信機器の高性能化、小型化の要求に伴い増幅素
子としてはＳ トランジスタ、Ｇａ ＡｔＦＥＴ等の高
周波トランジスタが用いられる。これらの増幅素子を用
いた高周波増幅器は、入力整合及び出力整合手段を備え
た単体増幅器を形成し、それらを複数接続することによ
り多段増幅して必要な増幅度を得ることが一般に行なわ
れる。
子としてはＳ トランジスタ、Ｇａ ＡｔＦＥＴ等の高
周波トランジスタが用いられる。これらの増幅素子を用
いた高周波増幅器は、入力整合及び出力整合手段を備え
た単体増幅器を形成し、それらを複数接続することによ
り多段増幅して必要な増幅度を得ることが一般に行なわ
れる。
上記高周波トランンスタ単体増幅器は入力整合回路、出
力整合回路及びバイアス供給回路より構成される。これ
らの回路は、増幅器の所要周波数帯域では十分に整合（
一般には５０Ω）されるが、帯域外では、その限りでは
なく、一般に５０Ω系に対してはその整合性は悪い。従
って、高周波トランンスタ単体増幅器を従続接続する場
合、帯域外の不整合性に基づいて、トランジスタの物理
的性質に起因する不安定周波数領域に入力あるいは出力
インダンスが入り増幅動作の安定性が害される時は、発
振を起こしたりする場合が発生した。
力整合回路及びバイアス供給回路より構成される。これ
らの回路は、増幅器の所要周波数帯域では十分に整合（
一般には５０Ω）されるが、帯域外では、その限りでは
なく、一般に５０Ω系に対してはその整合性は悪い。従
って、高周波トランンスタ単体増幅器を従続接続する場
合、帯域外の不整合性に基づいて、トランジスタの物理
的性質に起因する不安定周波数領域に入力あるいは出力
インダンスが入り増幅動作の安定性が害される時は、発
振を起こしたりする場合が発生した。
〔従来の技術〕
従来、この種の高周波増幅器として第７図ないし第１０
図に示す各種のものがあった。
図に示す各種のものがあった。
この第７図に示す従来の高周波増幅器は、入力端Ｄ か
ら入力される高周波信号を増幅して出力口 端Ｄ に出力する電界効果トランジスタ（以下ｕｔ ＦＥＴ）１と、入力端Ｄ にバスコンデンサＣ５ｎ を介して接続され、入力端Ｄ 側とＦＥＴＩとのインピ
ーダンスの整合をとる入力整合回路２と、出力端Ｄ
にバスコンデンサＣ６を介して接続ｕｔ され、上記ＦＥＴＩと出力端Ｄ 側とのインピｕｔ −ダンスの整合をとる出力整合回路３と、コンデンサ０
１Ｃで高周波接地すると共に高周波コ４ イルＬ ＳＬ を介して上記ＦＥＴＩにバイアス４ 電圧を印加するバイアス回路４とを備える構成である。
ら入力される高周波信号を増幅して出力口 端Ｄ に出力する電界効果トランジスタ（以下ｕｔ ＦＥＴ）１と、入力端Ｄ にバスコンデンサＣ５ｎ を介して接続され、入力端Ｄ 側とＦＥＴＩとのインピ
ーダンスの整合をとる入力整合回路２と、出力端Ｄ
にバスコンデンサＣ６を介して接続ｕｔ され、上記ＦＥＴＩと出力端Ｄ 側とのインピｕｔ −ダンスの整合をとる出力整合回路３と、コンデンサ０
１Ｃで高周波接地すると共に高周波コ４ イルＬ ＳＬ を介して上記ＦＥＴＩにバイアス４ 電圧を印加するバイアス回路４とを備える構成である。
この構成に基づきユニット増幅器を形成し、多段増幅器
を構成する場合には、増幅器の所用帯域において入出力
のインピーダンス整合をとり、所要帯域内の安定性を確
保している。
を構成する場合には、増幅器の所用帯域において入出力
のインピーダンス整合をとり、所要帯域内の安定性を確
保している。
上記第８図ないし第１０図に各々記載の従来の高周波増
幅器は、第７図記載の高周波増幅器と同様にＦＥＴＩ及
び入力・出力の各整合回路２．３を備え、バイアス回路
４の回路構成を異にする。
幅器は、第７図記載の高周波増幅器と同様にＦＥＴＩ及
び入力・出力の各整合回路２．３を備え、バイアス回路
４の回路構成を異にする。
第８図記載の従来の高周波増幅器におけるバイアス回路
４は、上記コンデンサＣ２に対して並列接続されるコン
デンサＣ７と、上記コンデンサＣに対して並列接続され
るコンデンサＣ８とを有し、該コンデンサＣ１Ｃにより
各々抵抗８ Ｒ３又は抵抗Ｒ４を介して高周波接地する構成である。
４は、上記コンデンサＣ２に対して並列接続されるコン
デンサＣ７と、上記コンデンサＣに対して並列接続され
るコンデンサＣ８とを有し、該コンデンサＣ１Ｃにより
各々抵抗８ Ｒ３又は抵抗Ｒ４を介して高周波接地する構成である。
この構成に基づき高周波増幅器の所要周波数帯域外で、
十分低い周波数領域におけるＦＥＴ１から入力端Ｄ 又
は出力端Ｄ をみたｎ
ｏｕｔインピーダンスは入力・出力端側のインピーダ
ンス値５０ 〔Ω〕に近くなる。
十分低い周波数領域におけるＦＥＴ１から入力端Ｄ 又
は出力端Ｄ をみたｎ
ｏｕｔインピーダンスは入力・出力端側のインピーダ
ンス値５０ 〔Ω〕に近くなる。
第９図記載の従来の高周波増幅器におけるバイアス回路
４は、上記第７図記載のバイアス回路４の高周波コイル
Ｌ２に替えて抵抗Ｒ５で形成し、該抵抗Ｒに対して並列
に抵抗Ｒ６を接続する構成である。この構成方法では、
入力側におけるバイアス回路４が直接高周波線路上に高
抵抗値（例えば、６００Ω以上）の抵抗Ｒ、Ｒを接続し
６ ていることから、広帯域のゲートあるいはバイアス供給
回路を構成できるが増幅器帯域外におけるインピーダン
ス不整合性の改善は行なわれない。
４は、上記第７図記載のバイアス回路４の高周波コイル
Ｌ２に替えて抵抗Ｒ５で形成し、該抵抗Ｒに対して並列
に抵抗Ｒ６を接続する構成である。この構成方法では、
入力側におけるバイアス回路４が直接高周波線路上に高
抵抗値（例えば、６００Ω以上）の抵抗Ｒ、Ｒを接続し
６ ていることから、広帯域のゲートあるいはバイアス供給
回路を構成できるが増幅器帯域外におけるインピーダン
ス不整合性の改善は行なわれない。
第１０図記載の従来の高周波増幅器におけるバイアス回
路４は、第８図記載のバイアス回路４の高周波コイルし
に替えて抵抗Ｒ５で形成し、該抵抗Ｒに対して並列に
抵抗Ｒ６を接続すると共に、コンデンサＣ７を削除した
構成である。
路４は、第８図記載のバイアス回路４の高周波コイルし
に替えて抵抗Ｒ５で形成し、該抵抗Ｒに対して並列に
抵抗Ｒ６を接続すると共に、コンデンサＣ７を削除した
構成である。
従来の高周波増幅器は以上のように構成されていたこと
から、第７図記載の従来技術においてはＦＥＴＩの所要
帯域での安定性は確保されるものの、インピーダンス整
合がとられていない上記所要帯域以外の帯域、特に低域
で発振を生じる場合があり、安定性を害されるという課
題を有していた。
から、第７図記載の従来技術においてはＦＥＴＩの所要
帯域での安定性は確保されるものの、インピーダンス整
合がとられていない上記所要帯域以外の帯域、特に低域
で発振を生じる場合があり、安定性を害されるという課
題を有していた。
また、第８図記載の従来技術においては、ＦＥＴＩの所
要帯域以外の低域での安定性の改善を図ることができる
が、低Ｑ値の素子構成となる回路であることから、ＦＥ
ＴＩの利得が大きくアイソレーション（δ）が十分でな
いような場合には低い周波数領域のインピーダンス改善
が十分に図れず発振を生じて安定性が害される課題を有
していた。
要帯域以外の低域での安定性の改善を図ることができる
が、低Ｑ値の素子構成となる回路であることから、ＦＥ
ＴＩの利得が大きくアイソレーション（δ）が十分でな
いような場合には低い周波数領域のインピーダンス改善
が十分に図れず発振を生じて安定性が害される課題を有
していた。
さらに、第９図及び第１０図記載の従来技術においては
、入力側帯域外のインピーダンスを良くするために抵抗
ＲＳＲ６の抵抗値を例えば、１００〔Ω〕程度にしてい
るが、この場合は、高周波信号の損失が大きくなるとい
う課題を有していた。
、入力側帯域外のインピーダンスを良くするために抵抗
ＲＳＲ６の抵抗値を例えば、１００〔Ω〕程度にしてい
るが、この場合は、高周波信号の損失が大きくなるとい
う課題を有していた。
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、高
周波信号の安定した増幅を行なうことができる高周波増
幅器を提供することを目的とする。
周波信号の安定した増幅を行なうことができる高周波増
幅器を提供することを目的とする。
本発明に係る高周波増幅器は、入力端から入力される入
力高周波信号のうち特定高周波信号を増幅する高周波増
幅手段と、該高周波増幅手段と入力及び出力端側とのイ
ンピーダンスの整合をとる入力及び出力整合手段とを備
える高周波増幅器において、上記高周波増幅手段の入力
側に接続される直列共振回路で形成され、該直列共振回
路の選択動作に基づいて入力された入力高周波信号から
特定高周波信号を選択する選択手段と、上記高周波増幅
手段の入力側に接続されると共に、選択手段に並列接続
され、特定高周波信号以外の入力された入力高周波信号
を減衰する減衰手段とを有するバイアス供給回路を備え
るものである。
力高周波信号のうち特定高周波信号を増幅する高周波増
幅手段と、該高周波増幅手段と入力及び出力端側とのイ
ンピーダンスの整合をとる入力及び出力整合手段とを備
える高周波増幅器において、上記高周波増幅手段の入力
側に接続される直列共振回路で形成され、該直列共振回
路の選択動作に基づいて入力された入力高周波信号から
特定高周波信号を選択する選択手段と、上記高周波増幅
手段の入力側に接続されると共に、選択手段に並列接続
され、特定高周波信号以外の入力された入力高周波信号
を減衰する減衰手段とを有するバイアス供給回路を備え
るものである。
本発明においては、入力高周波信号を伝搬する伝送ライ
ン上に設けられ、高周波増幅手段の入力側に接続される
選択手段が通過帯域の特定高周波信号についてスルーラ
インとして作用すると共に、高周波増幅手段の入力側に
接続される減衰手段が選択手段の通過帯域外の入力高周
波信号を吸収、して減衰させることにより、高周波増幅
手段から入力側をみた通過帯域外の入力高周波信号に対
するインピーダンスを入力端側のインピーダンス値に近
づけることができることとなり、高周波増幅手段の物理
的特性に起因する不安定領域に入るのを防止すると共に
、所要高周波信号の損失を極力抑制して安定した増幅を
行なう。
ン上に設けられ、高周波増幅手段の入力側に接続される
選択手段が通過帯域の特定高周波信号についてスルーラ
インとして作用すると共に、高周波増幅手段の入力側に
接続される減衰手段が選択手段の通過帯域外の入力高周
波信号を吸収、して減衰させることにより、高周波増幅
手段から入力側をみた通過帯域外の入力高周波信号に対
するインピーダンスを入力端側のインピーダンス値に近
づけることができることとなり、高周波増幅手段の物理
的特性に起因する不安定領域に入るのを防止すると共に
、所要高周波信号の損失を極力抑制して安定した増幅を
行なう。
以下、本発明の一実施例に係る高周波増幅器を第２図及
び第３図に基づいて説明する。この第２図は本実施例回
路構成図、第３図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本実施例の
入力側に接続されるバイアス供給回路の高周波信号の伝
搬特性図及び入力インピーダンス（実線）と出力インピ
ーダンス（破線）例を示す。
び第３図に基づいて説明する。この第２図は本実施例回
路構成図、第３図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本実施例の
入力側に接続されるバイアス供給回路の高周波信号の伝
搬特性図及び入力インピーダンス（実線）と出力インピ
ーダンス（破線）例を示す。
上記各図において本実施例に係る高周波増幅器は、前記
従来技術と同様にＦＥＴＩ及び入力・出力の各整合回路
２．３を備えて構成し、該構成に加えＦＥＴＩと入力整
合回路２との間に選択手段及び減衰手段を有するバイア
ス供給回路を接続する構成である。
従来技術と同様にＦＥＴＩ及び入力・出力の各整合回路
２．３を備えて構成し、該構成に加えＦＥＴＩと入力整
合回路２との間に選択手段及び減衰手段を有するバイア
ス供給回路を接続する構成である。
上記選択手段は、ＦＥＴＩのゲート端子と入力整合回路
２の出力側との間に直列接続される高周波コイルし 及
びコンデンサＣＩの直列共振回路で構成され、上記ＦＥ
ＴＩが増幅する特定高周波信号を選択して伝搬する。
２の出力側との間に直列接続される高周波コイルし 及
びコンデンサＣＩの直列共振回路で構成され、上記ＦＥ
ＴＩが増幅する特定高周波信号を選択して伝搬する。
上記減衰手段は、上記直列共振回路の高周波コイルＬ１
及びコンデンサＣ１に加え、該直列共振回路の入力端と
グランドとの間に抵抗Ｒ１高周波コイルし 及びコンデ
ンサＣ２の直列回路を接続し、上記直列共振回路の出力
端とグランドとの間に抵抗Ｒ及びコンデンサＣ３の直列
回路を接続すると共に、上記抵抗Ｒ１Ｒ２の各グランド
側端を短絡接続する構成とし、上記特定周波数信号以外
の高周波信号を吸収して減衰するものである。
及びコンデンサＣ１に加え、該直列共振回路の入力端と
グランドとの間に抵抗Ｒ１高周波コイルし 及びコンデ
ンサＣ２の直列回路を接続し、上記直列共振回路の出力
端とグランドとの間に抵抗Ｒ及びコンデンサＣ３の直列
回路を接続すると共に、上記抵抗Ｒ１Ｒ２の各グランド
側端を短絡接続する構成とし、上記特定周波数信号以外
の高周波信号を吸収して減衰するものである。
上記ＦＥＴＩのバイアス回路４は、バイアス高電位端−
高周波コイルＬ −抵抗Ｒ−高周波コ３２ イルＬ −バイアス低電位端で形成され、上記バイアス
高電位端に正の電圧を印加すると共にバイアス低電位端
に負の電圧を印加してＦＥＴＩのドレイン−ソース間及
びゲート−ソース間に直流ノバイアス電圧を印加する。
高周波コイルＬ −抵抗Ｒ−高周波コ３２ イルＬ −バイアス低電位端で形成され、上記バイアス
高電位端に正の電圧を印加すると共にバイアス低電位端
に負の電圧を印加してＦＥＴＩのドレイン−ソース間及
びゲート−ソース間に直流ノバイアス電圧を印加する。
次に、上記構成に基づく本実施例高周波増幅器の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、送信する入力高周波信号が入力端Ｄ に入力され
た場合に、バスコンデンサＣ５を介して入力整合回路２
に入力される。この入力整合回路２は入力端側のインピ
ーダンスＺ （例えば、Ｚ 二５０〔Ω〕）とＦＥＴＩ
のインピーダンスＺｌ、（例えば、ＺＴ、＝２００ 〔
Ω〕）とのインピーダンス整合をとり、上記入力高周波
信号を出力する。
た場合に、バスコンデンサＣ５を介して入力整合回路２
に入力される。この入力整合回路２は入力端側のインピ
ーダンスＺ （例えば、Ｚ 二５０〔Ω〕）とＦＥＴＩ
のインピーダンスＺｌ、（例えば、ＺＴ、＝２００ 〔
Ω〕）とのインピーダンス整合をとり、上記入力高周波
信号を出力する。
上記入力高周波信号が高周波コイルＬ１及びコンデンサ
Ｃ１の直列共振回路に入力され、該直列共振回路は入力
高周波信号から共振周波数ｆ。に対応する特定高周波信
号に対してスルーラインとなり、該特定高周波信号をＦ
ＥＴＩのゲート端子に出力する。
Ｃ１の直列共振回路に入力され、該直列共振回路は入力
高周波信号から共振周波数ｆ。に対応する特定高周波信
号に対してスルーラインとなり、該特定高周波信号をＦ
ＥＴＩのゲート端子に出力する。
上記通過帯域の特定高周波信号以外の高周波信号は、抵
抗Ｒ１Ｒ２、高周波コイルＬ １コン２ デンサＣ１Ｃ３等で形成される減衰手段で吸収され減衰
すると共に、バイアス低電位端はコンデンサＣ２を介し
てグランド側に高周波接地されることとなる。
抗Ｒ１Ｒ２、高周波コイルＬ １コン２ デンサＣ１Ｃ３等で形成される減衰手段で吸収され減衰
すると共に、バイアス低電位端はコンデンサＣ２を介し
てグランド側に高周波接地されることとなる。
上記Ｌ ＳＬ２、Ｃ、Ｃ２、Ｃ、Ｒ。
１ １ ３ １
Ｒ２からなるゲートバイアス供給回路の信号伝達特性例
を第３図（Ａ）に示す。同図において通過帯域きして出
力される特定高周波信号は０，８〜０．９ ［：ＧＨ２
］であり、約０．３〜０．５ｄＢの損失のみで伝達され
る。また第３図（Ｂ）に示すように、入力インピーダン
ス特性例が実線で示すリターン損失特性であり、また出
力インピーダンス特性例が鎖線で示すリターン損失特性
例である。
を第３図（Ａ）に示す。同図において通過帯域きして出
力される特定高周波信号は０，８〜０．９ ［：ＧＨ２
］であり、約０．３〜０．５ｄＢの損失のみで伝達され
る。また第３図（Ｂ）に示すように、入力インピーダン
ス特性例が実線で示すリターン損失特性であり、また出
力インピーダンス特性例が鎖線で示すリターン損失特性
例である。
上記直列共振回路の高周波コイルＬ１及びコンデンサＣ
Ｉから通過帯域として出力された特定高周波信号は、Ｆ
ＥＴＩのゲート端子に入力され、該ＦＥＴＩの増幅作用
により所定の増幅度で増幅されて出力されることとなる
。上記ＦＥＴＩはバイアス回路４に印加されるバイアス
電圧により駆動制御される。このバイアス回路４は、バ
イアス高電位端及びバイアス低電位端への各々高周波信
号の流入がコンデンサＣＳＣの高周波接地に４ より防止される。
Ｉから通過帯域として出力された特定高周波信号は、Ｆ
ＥＴＩのゲート端子に入力され、該ＦＥＴＩの増幅作用
により所定の増幅度で増幅されて出力されることとなる
。上記ＦＥＴＩはバイアス回路４に印加されるバイアス
電圧により駆動制御される。このバイアス回路４は、バ
イアス高電位端及びバイアス低電位端への各々高周波信
号の流入がコンデンサＣＳＣの高周波接地に４ より防止される。
なお、上記各実施例においては高周波増幅手段をＦＥＴ
Ｉを用いる構成としたが、バイポーラトランジスタ１１
を用いる構成とすることもできる。
Ｉを用いる構成としたが、バイポーラトランジスタ１１
を用いる構成とすることもできる。
第５図に記載の高周波増幅器は、前記第２図記載の実施
例回路にバイポーラトランジスタを用いた場合の構成で
ある。また、第６図に記載の高周波増幅器は、前記第４
図記載の実施例回路にバイポーラトランジスタを用いた
場合の構成である。
例回路にバイポーラトランジスタを用いた場合の構成で
ある。また、第６図に記載の高周波増幅器は、前記第４
図記載の実施例回路にバイポーラトランジスタを用いた
場合の構成である。
以上説明したように本発明において、入力高周波信号を
伝搬する伝送ライン上に設けられ、高周波増幅手段の入
力側に接続される選択手段が通過帯域の特定高周波信号
についてスルーラインとして作用すると共に、高周波増
幅手段の入力側に接続される減衰手段が選択手段の通過
帯域外の入力高周波信号を吸収して減衰させることによ
り、高周波増幅手段から入力側をみた通過帯域外の入力
高周波信号に対するインピーダンスを入力端側のインピ
ーダンス値に近づけることができることとなり、高周波
増幅手段の物理的特性に起因する不安定領域に入るのを
防止し、かつ高周波信号の損失を極力抑制して安定した
増幅を行なう効果を奏する。
伝搬する伝送ライン上に設けられ、高周波増幅手段の入
力側に接続される選択手段が通過帯域の特定高周波信号
についてスルーラインとして作用すると共に、高周波増
幅手段の入力側に接続される減衰手段が選択手段の通過
帯域外の入力高周波信号を吸収して減衰させることによ
り、高周波増幅手段から入力側をみた通過帯域外の入力
高周波信号に対するインピーダンスを入力端側のインピ
ーダンス値に近づけることができることとなり、高周波
増幅手段の物理的特性に起因する不安定領域に入るのを
防止し、かつ高周波信号の損失を極力抑制して安定した
増幅を行なう効果を奏する。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の一実施例回路構成図、第３図は第２図
記載の一実施例における高周波入力信号の伝搬特性図で
あり、第３図（Ａ）は第２図記載のゲートバイアス供給
回路における選択特性例、第３図（Ｂ）は第２図記載の
入力・出力の各インピーダンスに対するリターン損失特
性例、第４図ないし第６図は本発明の他の実施例に、お
ける各回路構成図、 第７図ないし第１０図は従来の高周波増幅器の回路構成
図を示す。 １・・・ＦＥＴ ２．３・・・整合回路 ４・・・バイアス回路 ｃ、、ｃ 、ｃ 、ｃ ・・・コンデンサ２ ３
４ Ｃ１Ｃ・・・バスコンデンサ ６ Ｌ、、Ｌ、Ｌ ・・・高周波コイル ３ Ｒ１、Ｒ２・・抵抗
記載の一実施例における高周波入力信号の伝搬特性図で
あり、第３図（Ａ）は第２図記載のゲートバイアス供給
回路における選択特性例、第３図（Ｂ）は第２図記載の
入力・出力の各インピーダンスに対するリターン損失特
性例、第４図ないし第６図は本発明の他の実施例に、お
ける各回路構成図、 第７図ないし第１０図は従来の高周波増幅器の回路構成
図を示す。 １・・・ＦＥＴ ２．３・・・整合回路 ４・・・バイアス回路 ｃ、、ｃ 、ｃ 、ｃ ・・・コンデンサ２ ３
４ Ｃ１Ｃ・・・バスコンデンサ ６ Ｌ、、Ｌ、Ｌ ・・・高周波コイル ３ Ｒ１、Ｒ２・・抵抗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力端から入力される入力高周波信号のうち特定高周波
信号を増幅する高周波増幅手段と、該高周波増幅手段と
入力及び出力端側とのインピーダンスの整合をとる入力
及び出力整合手段とを備える高周波増幅器において、 上記高周波増幅手段の入力側に接続される直列共振回路
で形成され、該直列共振回路の選択動作に基づいて入力
された入力高周波信号から特定高周波信号を選択する選
択手段と、 上記高周波増幅手段の入力側に接続されると共に、選択
手段に並列接続され、特定高周波信号以外の入力された
入力高周波信号を減衰する減衰手段とを有するバイアス
供給回路を備えることを特徴とする高周波増幅器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006738A JPH03211904A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 高周波増幅器 |
| EP19910300260 EP0438257A3 (en) | 1990-01-16 | 1991-01-15 | High frequency amplifier |
| KR1019910000611A KR950010478B1 (ko) | 1990-01-16 | 1991-01-16 | 증폭동작이 안정한 고주파 증폭기 |
| US07/879,109 US5229732A (en) | 1990-01-16 | 1992-05-04 | High frequency amplifier having stable amplification operation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006738A JPH03211904A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211904A true JPH03211904A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11646559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006738A Pending JPH03211904A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 高周波増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0438257A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03211904A (ja) |
| KR (1) | KR950010478B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06210860A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-02 | Brother Ind Ltd | インク噴射装置の製造方法及びインク噴射装置 |
| JP2013539932A (ja) * | 2010-09-09 | 2013-10-28 | エムケーエス インスツルメンツ，インコーポレイテッド | トランジスタ入力を不整合にする電力増幅器 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722971A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 無線通信機 |
| JPH09260976A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ増幅器 |
| JP3366222B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2003-01-14 | 日本電気株式会社 | 出力回路 |
| KR100349115B1 (ko) * | 1997-12-03 | 2002-11-18 | 삼성전기주식회사 | 국부발진주파수가안정화된시분할통신방식무선송수신기 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3443239A (en) * | 1966-06-30 | 1969-05-06 | Collins Radio Co | Am amplifier circuit |
| US4028629A (en) * | 1976-04-26 | 1977-06-07 | Tandy Corporation | Band pass amplifier |
| DE2936606A1 (de) * | 1979-09-11 | 1981-03-26 | Robert Bosch Gmbh, 70469 Stuttgart | Verstaerkerschaltung |
| JPS5673911A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
| JPS56123113A (en) * | 1980-03-04 | 1981-09-28 | Alps Electric Co Ltd | High frequency amplifying circuit |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2006738A patent/JPH03211904A/ja active Pending
-
1991
- 1991-01-15 EP EP19910300260 patent/EP0438257A3/en not_active Withdrawn
- 1991-01-16 KR KR1019910000611A patent/KR950010478B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06210860A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-02 | Brother Ind Ltd | インク噴射装置の製造方法及びインク噴射装置 |
| JP2013539932A (ja) * | 2010-09-09 | 2013-10-28 | エムケーエス インスツルメンツ，インコーポレイテッド | トランジスタ入力を不整合にする電力増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910015107A (ko) | 1991-08-31 |
| KR950010478B1 (ko) | 1995-09-18 |
| EP0438257A3 (en) | 1991-12-27 |
| EP0438257A2 (en) | 1991-07-24 |
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