KR910015107A - 증폭동작이 안정한 고주파 증폭기 - Google Patents
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내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 고주파 증폭기의 원리를 설명하는 개통도, 제6도는 본 발명에 의한 고주파 증폭기의 제1실시예를 나타내는 회로도, 제11도는 본 발명에 의한 고주파 증폭기의 제4실시예를 나타내는 회로도.
Claims (18)
- 입력단(DIN); 출력단(DOUT); 상기 입력단(DIN)으로부터 입력된 고주파 신호들의 특정 고주파대를 증폭하기 위한 고주파 증폭수단(1); 상기 고주파 증폭수단(1)에 접속되어 이 고주파 증폭수단(1)에 바이어스전압을 걸어주는 바이어스 공급수단(41,42,43,44); 상기 입력단(DIN)과 상기 고주파 증폭 수단(1)사이에 접속되어 , 상기 입력된 고주파 신호들로부터, 상기 고주파 증폭 수단(1)에 의해 증폭되는 특정 고주파 대를 선택하기 위한 선택수단(5); 및, 상기 고주파 증폭수단(1)의 입력단과 접지(GND)간에 접속되어, 상기 특정 고주파대 이외의 입력된 고주파 신호들을 감쇠시키기 위한 감쇠수단(6)을 구비한 것일 특징인 고주파 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 고주파 증폭수단(1)이, 게이트, 소오스 및 드레인을 갖는 전계효과 트랜지스터(FET)를 구비하며, 이 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트는, 상기 선택수단(5)의 출력단에 접속되고, 상기 소오스는 접지 (GND)에 접속되고, 그리고 상기 드레인은 상기 출력단(DOUT)에 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 고주파 증폭수단(1)이, 베이스, 에미터 및 콜렉터를 갖는 바이폴라 트랜지스터(11)를 구비하며, 이 바이폴라 트랜지스터(11)의 베이스는 상기 선택수단(5)의 출력단에 접속되고, 상기 에미터는 접지(GND)에 접속되고, 상기 콜랙터는 상기 출력단(DOUT)에 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 선택수단(5)이 직렬 공진회로를 구비하여, 이 회로의 공진 주파수(fO)에 따라서, 상기 특정 고주파 대를 선택하는 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제4항에 있어서, 상기 직렬 공진회로는, 제1고주파 코일(L1)과 제1콘덴서(C1)를 구비하며, 이 제1고주파 코일(L1)과 제1콘덴서(C1)는 직렬 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 바이어스 공급수단(41,42,43,44)이 제2저항(R2), 제2 및 제3 고주파 코일(L2,L3)과, 제2및 제4콘덴서 (C2,C4)를 구비하며; 상기 제2저항(R2)의 일단은 상기 고주파 증폭수단(1)의 입력단에 접속되고, 상기 제2저항(R2)의 타단은, 상기 감쇠수단(6)의 제3콘덴서(C3)를 통하여 상기 제2고주파 코일(C2)의 일단과접지(GND)에 접속되고, 상기 제2고주파 코일(L2)의 일단은, 상기 감쇠수단(6)의 제1저항(R2)을 통하여 상기 입력단(DIN)에 접속되고, 상기 제2 고주파코일(L2)의 타단은 상기 제2콘덴서(C2)를 통하여 저전위 바이어스단자 (BTL)와 접지(GND)에 접속되고, 상기 제3고주파수 코일(L3)의 일단은, 상기 고주파 증폭수단(1)의 출력단에 접속되고, 이 제3고주파 코일(L3)의 타단은, 상기 제4콘덴서를 통해서 고전위 바이어스 단자(BTH)및 접지(GND)에 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제6항에 있어서, 상기 바이어스 공급수단(42,44)이 제4저항(R4)및 제5콘덴서(C6)를 더 구비하며, 이 제4저항(R4) 및 제5콘덴서(C6)는 직렬 접속되어, 상기 고전위 바이어스 단자(BTH)와 접지(GND)사이에 설치된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 감쇠수단(6)이 제1 및 제2저항(R1,R2), 제2고주파 코일(L2)및 제3콘덴서(C3)를 구비하고, 상기 제1저항(R1)과 제2고주파 코일(L2)은 직렬로 접속되어, 상기 입력단(DIN)과, 상기 바이어스 공급수단(41,42,43,44)의 저전위 바이어스 단자(BTH) 사이에 설치되고 상기 제2저항(R2)과 제3콘덴서(C3)는 직렬 접속되어, 상기 고주파 증폭수단(1)의 입력단과 접지(GND)간에 설치된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 제2고주파 코일(L2)과 제2저항(R4)이 상기 바이어스 공급수단(41,42,43,44)및 상기 감쇠수단(6) 양자 모두가 구비된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 입력단(DIN);출력단(DOUT);상기 입력단(DIN)으로부터 입력된 고주파 신호들의 특정 고주파대를 증폭시키기 위한 고주파 증폭수단(1); 상기 입력단(DIN)과 상기 고주파 증폭수단(1)간의 임피던스를 정합시키기 위한 입력 정합수단(2); 상기 고주파 증폭수단(1)과 상기 출력단(DOUT)간의 임피던스를 정합시키기 위한 출력 정합수단(3); 상기 고주파 증폭수단(1)에 접속되어 이 고주파 증폭수단(1)에 바이어스 전압을 걸어 주는 바이어스 공급수단(41,42,43,44); 상기 입력정합 수단(2)과 상기 고주파수단(1) 간에 접속되어, 상기 입력된 고주파 신호들중에서 상기 고주파 증폭수단(1)에 의해 증폭되는 특정 고주파 대를 선택하기 위한 선택수단(5); 및 상기 고주파 증폭수단(1)의 입력단과 접지(GND)간에 접속되어, 상기 특정 고주파 대이외의 상기 입력 고주파 신호들을 감쇠시키기 위한 감쇠수단(6)을 구비한 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 고주파 증폭수단(1)이, 게이트, 소오스 및 드레인을 갖는 전계효과 트랜지스터(FET)를 구비하며, 이 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트는, 상기 선택수단(5)의 출력단에 접속되고, 그리고 상기 소오스는 접지(GND)에 접속되고, 상기 드레인은 상기 출력정합수단의 입력단에 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 고주파 증폭수단(1)이 베이스, 에미터 및 콜렉터를 갖는 바이폴라 트랜지스터(11)를 구비하며, 이 바이폴라 트랜지스터(11)의 베이스는 상기 선택수단(5)의 출력단에 접속되고, 상기 에미터는 접지(GND)에 접속되고, 상기 콜렉터는 상기 출력정합수단(3)의 입력단에 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 선택수단(5)이 직렬 공진회로를 구비하여, 이 회로의 공진주파수(fO)에 따라서, 상기 특정 고주파 대를 선택하는 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제13항에 있어서, 상기 직렬 공진회로는 제1고주파 코일(L1)과 제1콘덴서(C1)를 구비하며, 이 제1고주파코일(L1)과 제1콘덴서(C1)는 직렬 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 바이어스 공급 수단(41,42,43,44)이 제2저항(R2), 제2및 제3고주파 코일(L2,L3)과, 제2 및 제4콘덴서(C2,C4)를 구비하며; 상기 제2저항(R2)의 일단은 상기 고주파 증폭수단(1)의 입력단에 접속되고, 상기 제2저항(R2)의 타단은, 상기 감쇠수단(6)의 제3콘덴서(C3)를 통하여 상기 제2고주파 코일(L2)의 일단과 접지(GND)에 접속되고, 상기 제2고주파 코일(L2)의 일단은, 상기 감쇠수단(6)의 제1저항(R1)을 통하여 상기 입력 정합 수단(2)의 출력단에 접속되고 상기 제2고주파 코일(L2)의 타단은, 상기 제2콘덴서(2)를 통하여 저전위바이어스단자(BTL)와 접지(GND)에 접속되고, 상기 제3 고주파수 코일(L3)의 일단은, 상기 고주파 증폭수단(1)의 출력단에 접속되고, 이 제3 고주파수 코일(L3)의 타단은, 제4콘덴서를 통하여 고전위 바이어스단자(BTH)및 접지(GND)에 접속된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제15항에 있어서, 상기 바이어스 공급수단(42,44)이 제4저항(R4)및 제5콘덴서(C8)를 더 구비하며, 이 제4저항(R4)및 제5콘덴서(C8)는 직렬 접속되어, 상기 고전위 바이어스 단자(BTH)와 접지(GND)사이에 설치된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 감쇠수단(6)이 제1 및 제2저항(R1,R2), 제2고주파 코일(L2)및 제3콘덴서(C3)를 구비하고, 상기 제1저항(R1)과 제2고주파 코일(L2)은 직렬로 접속되어, 상기 입력정합수단(2)의 출력단과, 상기 바이어스 공급수단(41,42,43,44)의 저전위 바이어스 단자(BTL)사이에 설치되고 상기 제2저항(R2)과 제3콘덴서(C3)는 직렬 접속되어, 상기 고주파 증폭 수단(1)의 입력단과 접지(GND)간에 설치된 것이 특징인 고주파 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 제2고주파 코일(C2)과 제2저항(R2)이 상기 바이어스 공급 수단(41,42,43,44)및 상기 감쇠수단(6) 양자 모두에 구비된 것이 특징인 고주파 증폭기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
JPH06210860A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-02 | Brother Ind Ltd | インク噴射装置の製造方法及びインク噴射装置 |
JPH0722971A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 無線通信機 |
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Family Cites Families (5)
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US4028629A (en) * | 1976-04-26 | 1977-06-07 | Tandy Corporation | Band pass amplifier |
DE2936606A1 (de) * | 1979-09-11 | 1981-03-26 | Robert Bosch Gmbh, 70469 Stuttgart | Verstaerkerschaltung |
JPS5673911A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100349115B1 (ko) * | 1997-12-03 | 2002-11-18 | 삼성전기주식회사 | 국부발진주파수가안정화된시분할통신방식무선송수신기 |
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