JPH07240665A - 高周波用可変減衰器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、所定の入力／出力インピーダンス
を維持し、かつ必要な可変範囲の広い超高周波の減衰器
を実現することを目的とする。 【構成】 入力端の入力インピーダンスの整合をとる第
１マッチング・パッド１２を設け、第１マッチング・パ
ッド１２からの信号を受けて増幅するトランジスタ１４
を設け、トランジスタ１４の出力側に負荷用抵抗Ｒ１５
を設けて接続し、外部のコントロール信号１３ａにより
出力電流値あるいは出力電圧値を制御できるコントロー
ル回路１３を設け、コントロール回路１３の出力端子を
負荷用抵抗Ｒ１５の他端に接続し、トランジスタ１４の
出力側に直流成分をカットするコンデンサＣ２１を設
け、コンデンサＣ２１からの出力信号を受けて、出力イ
ンピーダンスの整合をとる第２マッチング・パッド１６
を設ける構成手段。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、超高周波に使用され
る可変減衰器において、可変範囲が広く、かつ入力イン
ピーダンス、及び出力インピーダンスの安定した可変減
衰器を実現する回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術の例について、図５（ａ）、
（ｂ）を参照して、ピン・ダイオードを使用した場合の
超高周波の減衰器について以下に説明する。ここでいう
超高周波とは１０ＧＨｚ以上に及ぶ周波数を対象として
いる。回路構成は、図５（ａ）に示すように、ピン・ダ
イオードＤ６１、Ｄ６２、Ｄ６３、Ｄ６４と、コンデン
サＣ８１、Ｃ８５と、抵抗Ｒ８２、Ｒ８３、Ｒ８４と、
コントロール回路５５で構成している。コントロール回
路５５は、第１定電流源５６と、第２定電流源５７とで
構成している。

【０００３】ピン・ダイオードＤ６１〜Ｄ６４は、印加
される直流電流によって内部高周波波抵抗が広範囲に直
線性が良く変化するダイオードである。これをπ型回路
に構成して入力／出力インピーダンスの整合を維持する
ようにしながら、かつ減衰器の減衰量を可変にするもの
である。ここに使用されるピン・ダイオードは、マイク
ロ波帯用に使用されるもので接合容量Ｃｊが小さく、高
調波歪みの少ないデバイスが使用される。そして、コン
トロール回路５５では、これらピン・ダイオードに印加
する電流を制御して、図５（ｂ）に示すピン・ダイオー
ドの等価抵抗Ｒｄを変えることにより所定の減衰量に減
衰し、かつ、入力／出力インピーダンスの整合をとるよ
うに制御している。コンデンサＣ８０、Ｃ８５は、上記
コントロール回路５５からの直流成分をカットする為の
コンデンサである。抵抗Ｒ８２〜Ｒ８４は、上記コント
ロール回路５５からの直流電流をピン・ダイオードに印
加するためのものであり、かつ、減衰機能の影響を与え
ない程度に高抵抗で電流を印加する為のものである。

【０００４】ここで、Ｄ６１とＤ６４は、回路アース間
に接続されていて、主に入力／出力インピーダンスの整
合を所定の値、即ち５０Ωとなるように与える為のもの
である。そして、第１定電流源５６の出力電流が、この
Ｄ６１とＤ６４の等価抵抗Ｒｄ値を決める電流源として
使用される。一方、Ｄ６２とＤ６３は、入力信号８０と
出力信号９０間に直列に接続されていて、主に減衰量を
決めるものである。そして、第２定電流源５７の出力電
流が、このＤ６２とＤ６３の等価抵抗Ｒｄ値を決める電
流源として使用される。

【０００５】上記において、減衰量を連続的に変えると
き、どの減衰量のレベルにおいても、入力／出力インピ
ーダンスを一定の約５０Ω程度にする必要がある。この
為に、Ｄ６１〜Ｄ６４によってπ型回路を構成して減衰
するようにし、かつ入力／出力インピーダンスの整合が
得られるように各ピン・ダイオードに印加する電流を制
御している。しかし、上記説明のように電流を制御して
も、超高周波になってくると、減衰量と入出力インピー
ダンスの両方の条件を連続的に満足するように制御する
ことが困難になってくる。すなわち、図５（ｂ）のピン
・ダイオードの等価回路に示すように、等価抵抗Ｒｄを
変えても、周波数が高くなってくると、抵抗成分Ｒｄと
並列に接合容量Ｃｊが存在する為、接合容量Ｃｊ（０．
３ｐＦ程度）によるインピーダンスが支配的要因となっ
てくる。この為、第１の問題点として、超高周波と低い
周波数とでは両方を満足するインピーダンスとすること
が難しくなってくる点である。また、第２の問題点とし
て、超高周波では、並列の接合容量Ｃｊによるインピー
ダンスが低下してくる為に、結果として有効な可変範囲
が狭い範囲に制限されてしまうという問題点である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、低
い周波数から超高周波に渡って安定した減衰器を形成出
来なくなってくる。即ち、周波数に依存する接合容量Ｃ
ｊの影響で減衰量の可変範囲が狭い範囲に制限されてし
まったり、また、減衰量と入力／出力インピーダンスの
両方の条件を満足するように上記コントロール回路５５
で連続的に制御することが困難になってくる。この結
果、所定の入力／出力インピーダンスを維持出来なくな
る難点となって好ましくない。

【０００７】そこで、本発明が解決しようとする課題
は、所定の入力／出力インピーダンスを維持し、かつ必
要な可変範囲を容易に実現できる減衰器を実現すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】

（請求項１の解決手段）第１図は、本発明による解決手
段を示している参考図である。上記課題を解決するため
に、本発明の構成では、入力端の入力インピーダンスの
整合をとる第１マッチング・パッド１２を設け、第１マ
ッチング・パッド１２からの信号を受けて増幅するトラ
ンジスタ１４を設け、トランジスタ１４の出力側に負荷
用抵抗Ｒ１５を設けて接続し、外部のコントロール信号
１３ａにより出力電流値あるいは出力電圧値を制御でき
るコントロール回路１３を設け、コントロール回路１３
の出力端子を負荷用抵抗Ｒ１５の他端に接続し、トラン
ジスタ１４の出力側に直流成分をカットするコンデンサ
Ｃ２１を設け、コンデンサＣ２１からの出力信号を受け
て、出力インピーダンスの整合をとる第２マッチング・
パッド１６を設ける構成手段にしている。これにより、
入力／出力インピーダンスの整合を維持しながら任意の
減衰量を制御する減衰器を実現できる。

【０００９】上記の中で、各マッチング・パッドは、抵
抗Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３でπ型回路を構成して入出力
のインピーダンス整合を形成する手段にしている。

【００１０】接続としては、入力信号８０を第１マッチ
ング・パッド１２の入力に接続し、第１マッチング・パ
ッド１２の出力をトランジスタ１４の入力に接続し、ト
ランジスタ１４のソース端子あるいはエミッタ端子を回
路アースに接続し、トランジスタ１４の出力を抵抗Ｒ１
５の一端とコンデンサＣ２１の一端に接続し、コントロ
ール回路１３の出力を抵抗Ｒ１５の他端に接続し、コン
デンサＣ２１の他端を第２マッチング・パッド１６の入
力に接続する。

【００１１】（請求項２の解決手段）第２図は、本発明
による解決手段を示している参考図である。上記課題を
解決するために、本発明の構成では、入力端の入力イン
ピーダンスの整合をとる第１マッチング・パッド１２を
設け、第１マッチング・パッド１２の出力側に直流成分
をカットするコンデンサＣ２４を設け、コンデンサＣ２
４からの信号を受けて増幅するトランジスタ１４を設
け、トランジスタ１４の入力端子に接続して、直流バイ
アス電圧を印加する抵抗Ｒ１９を設け、外部のコントロ
ール信号１８ａにより出力電圧値を制御できるコントロ
ール回路１８を設け、コントロール回路１８の出力端子
を抵抗Ｒ１９の他端に接続し、トランジスタ１４の出力
側に負荷用抵抗Ｒ１５を設けて接続し、トランジスタ１
４の出力側に直流成分をカットするコンデンサＣ２１を
設け、コンデンサＣ２１からの出力信号を受けて、出力
インピーダンスの整合をとる第２マッチング・パッド１
６を設け構成手段にしている。

【００１２】接続としては、入力信号８０を第１マッチ
ング・パッド１２の入力に接続し、第１マッチング・パ
ッド１２の出力をコンデンサＣ２４の一端に接続し、コ
ンデンサＣ２４の出力をトランジスタ１４の入力と抵抗
Ｒ１９の一端に接続し、コントロール回路１８の出力を
抵抗Ｒ１９の他端に接続し、トランジスタ１４のソース
端子あるいはエミッタ端子を回路アースに接続し、トラ
ンジスタ１４の出力を抵抗Ｒ１５の一端とコンデンサＣ
２１の一端に接続し、抵抗Ｒ１５の他端を電源供給端子
に接続し、コンデンサＣ２１の他端を第２マッチング・
パッド１６の入力に接続する。

【００１３】（請求項３の解決手段）第３図は、本発明
による解決手段を示している参考図である。上記課題を
解決するために、本発明の構成では、入力端の入力イン
ピーダンスの整合をとる終端抵抗Ｒ３１を設け、外部の
入力信号を受けて増幅するトランジスタ１４を設け、ト
ランジスタ１４の出力側に負荷用抵抗Ｒ１５を設けて接
続し、外部のコントロール信号１３ａにより出力電流値
あるいは出力電圧値を制御できるコントロール回路１３
を設け、コントロール回路１３の出力端子を負荷用抵抗
Ｒ１５の他端に接続し、トランジスタ１４の出力側に直
流成分をカットするコンデンサＣ２１を設け、コンデン
サＣ２１からの出力信号を受けて、出力インピーダンス
の整合をとる抵抗Ｒ３２を設け構成手段にしている。

【００１４】接続としては、入力信号８０をトランジス
タ１４の入力と抵抗Ｒ３１の一端に接続し、トランジス
タ１４のソース端子あるいはエミッタ端子を回路アース
に接続し、トランジスタ１４の出力を抵抗Ｒ１５の一端
とコンデンサＣ２１の一端に接続し、コントロール回路
１３の出力を抵抗Ｒ１５の他端に接続し、コンデンサＣ
２１の他端を抵抗Ｒ３２の一端に接続する。

【００１５】（請求項４の解決手段）第４図は、本発明
による解決手段を示している参考図である。上記課題を
解決するために、本発明の構成では、入力端の入力イン
ピーダンスの整合をとる第１アイソレータ３３を設け、
第１アイソレータ３３からの信号を受けて増幅するトラ
ンジスタ１４を設け、トランジスタ１４の出力側に負荷
用抵抗Ｒ１５を設けて接続し、外部のコントロール信号
１３ａにより出力電流値あるいは出力電圧値を制御でき
るコントロール回路１３を設け、コントロール回路１３
の出力端子を負荷用抵抗Ｒ１５の他端に接続し、トラン
ジスタ１４の出力側に直流成分をカットするコンデンサ
Ｃ２１を設け、コンデンサＣ２１からの出力信号を受け
て、出力インピーダンスの整合をとる第２アイソレータ
３４を設け構成手段にしている。

【００１６】接続としては、入力信号８０を第１アイソ
レータ３３の入力に接続し、第１アイソレータ３３の出
力をトランジスタ１４の入力に接続し、トランジスタ１
４のソース端子あるいはエミッタ端子を回路アースに接
続し、トランジスタ１４の出力を抵抗Ｒ１５の一端とコ
ンデンサＣ２１の一端に接続し、コントロール回路１３
の出力を抵抗Ｒ１５の他端に接続し、コンデンサＣ２１
の他端を第２アイソレータ３４の入力に接続する。

【００１７】

【作用】第１マッチング・パッド１２により入力回路の
入力インピーダンスの整合をとる作用がある。また、同
様に、第２マッチング・パッド１６により出力インピー
ダンスの整合をとる作用がある。コントロール回路１
３、１８によりＦＥＴ１４の電流を制御することで、Ｆ
ＥＴ１４の増幅度を１以上にして増幅作用を与えること
も、また、増幅度を１以下にして減衰作用を与えること
も、両方の作用を与えることができる働きをもつ。ま
た、ＦＥＴ１４の増幅作用によりマッチング・パッドの
挿入によるロスを軽減する作用を与えることもできる。

【００１８】

【実施例】

（実施例１）本発明の実施例について、図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）を参照して、電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）を使用した場合の超高周波の可変減衰器について
の実施例を以下に説明する。減衰器１０の回路構成は、
図１（ａ）に示すように、第１マッチング・パッド１２
と、ＦＥＴ１４と、抵抗Ｒ１５と、コンデンサＣ２１
と、第２マッチング・パッド１６と、ＬＰＦ１７（ロー
パス・フィルタ）と、コントロール回路１３とで構成し
ている。各マッチング・パッドは、図１（ｃ）に示すよ
うに、抵抗Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３で構成している。

【００１９】第１マッチング・パッド１２は、π型回路
に構成して例えば６ｄＢアッテネータ（減衰器）になっ
ていて、５０Ωの入力インピーダンスの整合をとる為の
もので、ＦＥＴ１４の入力インピーダンスの変化の影響
を殆ど無くするようにしている。同様にして、第２マッ
チング・パッド１６も、π型回路に構成して６ｄＢアッ
テネータになっていて、出力インピーダンスの整合をと
る為のもので、ＦＥＴ１４の出力インピーダンスの変化
の影響を殆ど無くするようにしている。

【００２０】入力信号８０は、第１マッチング・パッド
１２により入力インピーダンスを整合させて６ｄＢ減衰
した後ＦＥＴ１４に供給する。ＦＥＴ１４は、第１マッ
チング・パッド１２からの信号を受けて増幅する。抵抗
Ｒ１５は、このＦＥＴ１４の負荷抵抗である。コンデン
サＣ２２は、高周波のバイパス・コンデンサである。こ
こで、ＦＥＴ１４は、入出力間の容量の小さい能動素
子、例えばＨＥＭＴ（Hi Electron Mobility Transisto
r）を使用して入出力間のアイソレーション特性の良い
ものを使用する。

【００２１】一方、抵抗Ｒ１５の電源側端子には、コン
トロール回路１３の出力が接続されていて、コントロー
ル信号１３ａにより、ＦＥＴ１４のドレイン電流を制御
するようにしている。つまり、ＦＥＴ１４の増幅度は、
ＦＥＴのＶｄｓ（ドレインとソース間電位）対Ｉｄ（ド
レイン電流）特性により変化する。この特性を利用し
て、コントロール回路１３の出力電流を制御することに
よってＦＥＴ１４の増幅度を任意に変えている。ここ
で、入力／出力インピーダンスの整合は、各マッチング
・パッドにより形成している為、このコントロール回路
１３では、減衰量を制御するのみで良く容易に制御でき
る。ここの実施例では、コントロール回路１３を定電流
源で説明しているが、定電圧源でもどちらでも、同様に
減衰量を任意に変えることができる。

【００２２】次に、ＦＥＴ１４で増幅された出力信号
は、コンデンサＣ２１で直流成分をカットした後、第２
マッチング・パッド１６に供給されて、出力インピーダ
ンスを整合させて６ｄＢ減衰した後、次段のＬＰＦ１７
に供給する。ＬＰＦ１７は、第２マッチング・パッド１
６からの出力信号を受けて、ＦＥＴ１４の増幅歪みによ
るｎ次高調波を除去する為に設けているローパス・フィ
ルタである。これによってフィルタした後、出力信号９
０として外部に出力する。

【００２３】上記構成による、第１マッチング・パッド
１２、ＦＥＴ１４、第２マッチング・パッド１６、ＬＰ
Ｆ１７の実装レイアウトの例を図１（ｂ）に示す。

【００２４】（実施例２）本発明の実施例について、図
２を参照して、ＦＥＴ１４のゲート端子のバイアス電圧
を制御することでＦＥＴの増幅度を制御する場合の超高
周波の可変減衰器についての実施例を以下に説明する。
減衰器１０の回路構成は、図２に示すように、第１マッ
チング・パッド１２と、ＦＥＴ１４と、抵抗Ｒ１５、Ｒ
１９と、コンデンサＣ２１、Ｃ２４と、第２マッチング
・パッド１６と、ＬＰＦ１７と、コントロール回路１８
とで構成している。各マッチング・パッドは、前記説明
と同様である。

【００２５】入力信号８０は、第１マッチング・パッド
１２により入力インピーダンスを整合させて６ｄＢ減衰
した後、コンデンサＣ２４で直流成分をカットした後、
ＦＥＴ１４に供給する。一方、ＦＥＴ１４の入力端子に
は、抵抗Ｒ１９を接続してコントロール回路１８の出力
電圧が接続されていて、コントロール信号１８ａによ
り、ＦＥＴ１４のゲート電位を制御している。ここで、
抵抗Ｒ１９は、第１マッチング・パッド１２からの信号
に影響を与えない高抵抗値であり、コントロール回路１
８の直流電圧をＦＥＴ１４のゲートにバイアス電位を与
える為に印加するするものである。この制御によって、
前記コントロール回路１３の場合と同様にＦＥＴ１４の
ドレイン電流を制御されて、減衰量を任意に変えてい
る。以後の動作は、前記実施例１と同様である。

【００２６】（実施例３）本発明の実施例について、図
３を参照して、マッチング・パッドの代わりに終端抵抗
を使用した場合の超高周波の可変減衰器についての実施
例を以下に説明する。減衰器１０の回路構成は、図３に
示すように、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ１５と、ＦＥＴ１
４と、コンデンサＣ２１と、ＬＰＦ１７と、コントロー
ル回路１３とで構成している。

【００２７】この構成の場合は、ある程度の入出力イン
ピーダンスのずれが許容できる場合に適用できるもの
で、上記実施例１のマッチング・パッドから終端抵抗Ｒ
３１、Ｒ３２に置き換えた構成となっている。この場合
では、上記説明のようなマッチング・パッドによる減衰
を極力なくしたい場合の構成に有効である。

【００２８】動作については、上記実施例１の場合と同
様である。また、前記実施例２の図２に示すように、Ｆ
ＥＴ１４の入力端子を、抵抗Ｒ１９を接続してコントロ
ール回路１８を接続して、ＦＥＴ１４のゲート電位を制
御する構成としても同様に実施できることは明らかであ
る。

【００２９】（実施例４）本発明の実施例について、図
４を参照して、マッチング・パッドの代わりに第１アイ
ソレータ３３、第２アイソレータ３４に置き換えた場合
の超高周波の可変減衰器についての実施例を以下に説明
する。上記実施例１の説明では、各マッチング・パッド
で入出力インピーダンスの整合をとる手段について説明
したが、このマッチング・パッドの代わりに図４に示す
ように第１アイソレータ３３、第２アイソレータ３４に
置き換えた構成がある。この場合では、アイソレータの
利用可能周波数範囲に制限されるが、このような制限の
ある周波数範囲でも支障のない場合には、この構成にし
ても同様にして可変減衰器を実現できる。

【００３０】（応用例）上記説明では、ＬＰＦ１７をロ
ーパス・フィルタとして説明したが、必要によりバンド
パス・フィルタで構成しても良い。また、このＬＰＦ１
７は、ｎ次高調波成分があっても支障のない場合には、
必要により設けても良いし、設けなくても良い。

【００３１】上記説明では、ＦＥＴ１４を電界効果トラ
ンジスタで説明していたが、入出力間の容量の小さいト
ランジスタで構成しても良く、トランジスタのベース端
子にバイアス電流を印加する必要はあるが、ほぼ同様に
して実施実現することができる。

【００３２】上記説明では、減衰器１０が１段での説明
であったが、必要により上記構成の減衰器１０を直列に
接続した複数段接続した構成にして、減衰量の可変範囲
を大きくとる構成にしても良い。

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、下記に記載されるような効果を奏する。第
１マッチング・パッド１２により入力回路の入力インピ
ーダンスの整合をとっている為、ＦＥＴ１４の入力イン
ピーダンスの変化の影響をほぼ無くする効果がある。ま
た、同様に、第２マッチング・パッド１６により出力イ
ンピーダンスの整合をとっている為、ＦＥＴ１４の出力
インピーダンスの変化の影響をほぼ無くする効果があ
る。入出力インピーダンスは、マッチング・パッドで整
合している。この為、コントロール回路１３、１８は、
増幅度のみを制御するのみで良く、この結果、安定した
可変減衰器を構成できる優れた利点が得られる。ＦＥＴ
１４の増幅作用によりマッチング・パッドの挿入による
減衰ロスを軽減する効果を得ることもできるし、逆に増
幅度を１以下にして減衰作用を与えることもできる。負
荷抵抗Ｒ１５を低い値とすることで、ＦＥＴ１４の微少
容量Ｃdg（ドレインとゲート間の容量）の周波数に対す
る影響を小さくできる。また、この微少容量Ｃdgを伝送
線路の一部として設計すればこの影響を軽減できる。こ
の結果、減衰器としての可変範囲を比較的広い範囲で減
衰量を容易に変化することができる効果が得られる。Ｆ
ＥＴ１４に使用するデバイスは、低価格で性能の良い１
個のＨＥＭＴデバイスの使用で良い。この為、容易に回
路コストの低減が実現できる経済的効果が得られる。

【００３３】

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の電界効果トランジスタを使用し
た場合の超高周波の可変減衰器の回路構成図である。 （ｂ）本発明の第１マッチング・パッド１２、ＦＥＴ１
４、第２マッチング・パッド１６、ＬＰＦ１７の実装レ
イアウトの例を示す図である。 （ｃ）本発明のマッチング・パッドの回路構成図であ
る。

【図２】本発明のＦＥＴ１４のゲート端子の電圧を制御
することでＦＥＴの増幅度を制御する場合の超高周波の
可変減衰器の回路構成図である。

【図３】本発明のマッチング・パッドの代わりに終端抵
抗を使用した場合の超高周波の減衰器の回路構成図であ
る。

【図４】本発明のマッチング・パッドの代わりに第１ア
イソレータ３３、第２アイソレータ３４に置き換えた場
合の超高周波の可変減衰器の回路構成図である。

【図５】（ａ）従来のピン・ダイオードを使用した場合
の超高周波の可変減衰器の回路構成図である。 （ｂ）ピン・ダイオードの等価回路を説明する図であ
る。

【符号の説明】

１０ 減衰器 １２ 第１マッチング・パッド １６ 第２マッチング・パッド １３、１８、５５ コントロール回路 １３ａ、１８ａ コントロール信号 １４ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ） Ｒ１５、Ｒ１９、Ｒ２１〜Ｒ２３、Ｒ３１、Ｒ３２
抵抗 １７ ＬＰＦ Ｃ２１〜Ｃ２４ コンデンサ ３３ 第１アイソレータ ３４ 第２アイソレータ ５６ 第１定電流源 ５７ 第２定電流源 Ｄ６１〜Ｄ６４ ピン・ダイオード ８０ 入力信号 Ｒ８２〜Ｒ８３ 抵抗 Ｃ８１、Ｃ８５ コンデンサ ９０ 出力信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 栄二 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力／出力インピーダンスの整合を維持
   しながら任意の減衰量を制御する可変減衰器において、 入力端の入力インピーダンスの整合をとる第１マッチン
   グ・パッド（１２）を設け、 当該第１マッチング・パッド（１２）からの信号を受け
   て増幅するトランジスタ（１４）を設け、 当該トランジスタ（１４）の出力側に負荷用抵抗（Ｒ１
   ５）を設けて接続し、 外部のコントロール信号（１３ａ）により出力電流値あ
   るいは出力電圧値を制御できるコントロール回路（１
   ３）を設け、 当該コントロール回路（１３）の出力端子を当該負荷用
   抵抗（Ｒ１５）の他端に接続し、 当該トランジスタ（１４）の出力側に直流成分をカット
   するコンデンサ（Ｃ２１）を設け、 当該コンデンサ（Ｃ２１）からの出力信号を受けて、出
   力インピーダンスの整合をとる第２マッチング・パッド
   （１６）を設け、 以上を具備していることを特徴とした高周波用可変減衰
   器。
2. 【請求項２】 入力／出力インピーダンスの整合を維持
   しながら任意の減衰量を制御する可変減衰器において、 入力端の入力インピーダンスの整合をとる第１マッチン
   グ・パッド（１２）を設け、 当該第１マッチング・パッド（１２）の出力側に直流成
   分をカットするコンデンサ（Ｃ２４）を設け、 当該コンデンサ（Ｃ２４）からの信号を受けて増幅する
   トランジスタ（１４）を設け、 当該トランジスタ（１４）の入力端子に接続して、直流
   バイアス電圧を印加する抵抗（Ｒ１９）を設け、 外部のコントロール信号（１８ａ）により出力電圧値を
   制御できるコントロール回路（１８）を設け、 当該コントロール回路（１８）の出力端子を当該抵抗
   （Ｒ１９）の他端に接続し、 当該トランジスタ（１４）の出力側に負荷用抵抗（Ｒ１
   ５）を設けて接続し、 当該トランジスタ（１４）の出力側に直流成分をカット
   するコンデンサ（Ｃ２１）を設け、 当該コンデンサ（Ｃ２１）からの出力信号を受けて、出
   力インピーダンスの整合をとる第２マッチング・パッド
   （１６）を設け、 以上を具備していることを特徴とした高周波用可変減衰
   器。
3. 【請求項３】 入力／出力インピーダンスの整合を維持
   しながら任意の減衰量を制御する可変減衰器において、 入力端の入力インピーダンスの整合をとる終端抵抗（Ｒ
   ３１）を設け、 外部の入力信号を受けて増幅するトランジスタ（１４）
   を設け、 当該トランジスタ（１４）の出力側に負荷用抵抗（Ｒ１
   ５）を設けて接続し、 外部のコントロール信号（１３ａ）により出力電流値あ
   るいは出力電圧値を制御できるコントロール回路（１
   ３）を設け、 当該コントロール回路（１３）の出力端子を当該負荷用
   抵抗（Ｒ１５）の他端に接続し、 当該トランジスタ（１４）の出力側に直流成分をカット
   するコンデンサ（Ｃ２１）を設け、 当該コンデンサ（Ｃ２１）からの出力信号を受けて、出
   力インピーダンスの整合をとる抵抗（Ｒ３２）を設け、 以上を具備していることを特徴とした高周波用可変減衰
   器。
4. 【請求項４】 入力／出力インピーダンスの整合を維持
   しながら任意の減衰量を制御する可変減衰器において、 入力端の入力インピーダンスの整合をとる第１アイソレ
   ータ（３３）を設け、 当該第１アイソレータ（３３）からの信号を受けて増幅
   するトランジスタ（１４）を設け、 当該トランジスタ（１４）の出力側に負荷用抵抗（Ｒ１
   ５）を設けて接続し、 外部のコントロール信号（１３ａ）により出力電流値あ
   るいは出力電圧値を制御できるコントロール回路（１
   ３）を設け、 当該コントロール回路（１３）の出力端子を当該負荷用
   抵抗（Ｒ１５）の他端に接続し、 当該トランジスタ（１４）の出力側に直流成分をカット
   するコンデンサ（Ｃ２１）を設け、 当該コンデンサ（Ｃ２１）からの出力信号を受けて、出
   力インピーダンスの整合をとる第２アイソレータ（３
   ４）を設け、 以上を具備していることを特徴とした高周波用可変減衰
   器。