JPH0510843B2 - - Google Patents
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- JPH0510843B2 JPH0510843B2 JP58220187A JP22018783A JPH0510843B2 JP H0510843 B2 JPH0510843 B2 JP H0510843B2 JP 58220187 A JP58220187 A JP 58220187A JP 22018783 A JP22018783 A JP 22018783A JP H0510843 B2 JPH0510843 B2 JP H0510843B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin diode
- pin
- attenuation
- attenuator
- circuit
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明はPINダイオードを用いた電子式減衰
器、特にUHF及びSHF帯高周波信号の減衰制御
に好適する電子減衰器に関する。
器、特にUHF及びSHF帯高周波信号の減衰制御
に好適する電子減衰器に関する。
背景技術
一般のテレビジヨンチユーナではそのRF増幅
段でAGCがかけられ、入力端子への高周波信号
の変動を制御している。例えば、RF増幅素子の
動作点を変えてフオワード方式又はリバース方式
でAGC駆動されたり、PIN（ピン）ダイオードの
IF−RS特性を利用して１個又はπ型接続の３個の
ダイオードから成るAGC回路を付設したりして
いた。しかし、これらのAGC回路では高周波信
号が高くなりUHF帯以上になると十分な減衰量
が得られなくなる欠点があつた。特に、高周波に
有利な３個のPINダイオードを用いたπ型減衰回
路の場合でもその減衰量はUHF帯域の1GHzで
25dB、2GHzで16dB程度であり、衛星放送受信シ
ステムに使用するBSチユーナに所要の2GHzで
30dBの減衰を得ることができなかつた。加えて、
π型ダイオードでの駆動バイアス回路が複雑であ
り、満足な制御が行ない難いなどの欠点があり、
これを解消するような簡素化された広帯域で減衰
量の大きいAGC回路の提案が望まれていた。
段でAGCがかけられ、入力端子への高周波信号
の変動を制御している。例えば、RF増幅素子の
動作点を変えてフオワード方式又はリバース方式
でAGC駆動されたり、PIN（ピン）ダイオードの
IF−RS特性を利用して１個又はπ型接続の３個の
ダイオードから成るAGC回路を付設したりして
いた。しかし、これらのAGC回路では高周波信
号が高くなりUHF帯以上になると十分な減衰量
が得られなくなる欠点があつた。特に、高周波に
有利な３個のPINダイオードを用いたπ型減衰回
路の場合でもその減衰量はUHF帯域の1GHzで
25dB、2GHzで16dB程度であり、衛星放送受信シ
ステムに使用するBSチユーナに所要の2GHzで
30dBの減衰を得ることができなかつた。加えて、
π型ダイオードでの駆動バイアス回路が複雑であ
り、満足な制御が行ない難いなどの欠点があり、
これを解消するような簡素化された広帯域で減衰
量の大きいAGC回路の提案が望まれていた。
発明の開示
従つて本発明は上記に鑑み提案されたものであ
り、入出力端子間に２個以上のPINダイオードを
使用する新規且つ改良された電子減衰器の提供を
目的とするものである。
り、入出力端子間に２個以上のPINダイオードを
使用する新規且つ改良された電子減衰器の提供を
目的とするものである。
本発明によれば、高周波信号の入力端子と出力
端子間に２個以上のPINダイオードを高周波的に
直列接続した直列腕及び各端子側でそれぞれ高周
波的に接地したPINダイオードの並列腕を具備
し、ドライブ回路からの直流バイアスを並列腕を
介して供給する電子式減衰器が開示される。好ま
しくは、入力端子と出力端子間に直列接続した第
１及び第２のPINダイオード、入力側の第１の
PINダイオードと接地間に挿入した第３のPINダ
イオード、出力側の第２のPINダイオードと接地
間に挿入した第４のPINダイオード、第１及び第
３のPINダイオードにバイアス付与する第１のド
ライブ回路、及び第２及び第４のPINダイオード
にバイアス付与する第２のドライブ回路を具備し
て構成され、各ドライブ回路の生成する直流信号
により入出力端子間を通過する高周波信号を減衰
制御する電子減衰器が提供される。ここで４個の
PINダイオードは基本的にπ型抵抗減衰器と同様
に機能するもので、３個の抵抗からπ型減衰器と
等価であり、それぞれの抵抗値に応じて減衰量が
決められる。特に、４個のPINダイオードは直流
的に２個のＬ字形回路構成としてそれぞれにドラ
イブ回路を設け、所定の制御信号に応じた直流バ
イヤスを生成し作動させる。
端子間に２個以上のPINダイオードを高周波的に
直列接続した直列腕及び各端子側でそれぞれ高周
波的に接地したPINダイオードの並列腕を具備
し、ドライブ回路からの直流バイアスを並列腕を
介して供給する電子式減衰器が開示される。好ま
しくは、入力端子と出力端子間に直列接続した第
１及び第２のPINダイオード、入力側の第１の
PINダイオードと接地間に挿入した第３のPINダ
イオード、出力側の第２のPINダイオードと接地
間に挿入した第４のPINダイオード、第１及び第
３のPINダイオードにバイアス付与する第１のド
ライブ回路、及び第２及び第４のPINダイオード
にバイアス付与する第２のドライブ回路を具備し
て構成され、各ドライブ回路の生成する直流信号
により入出力端子間を通過する高周波信号を減衰
制御する電子減衰器が提供される。ここで４個の
PINダイオードは基本的にπ型抵抗減衰器と同様
に機能するもので、３個の抵抗からπ型減衰器と
等価であり、それぞれの抵抗値に応じて減衰量が
決められる。特に、４個のPINダイオードは直流
的に２個のＬ字形回路構成としてそれぞれにドラ
イブ回路を設け、所定の制御信号に応じた直流バ
イヤスを生成し作動させる。
本発明に係る電子減衰器は、π型減衰器の構成
と同様にＴ型減衰器の構成にも適用されるもので
あり、BSチユーナにおけるUHF帯高域の１〜
2GHzでの大きな減衰を得るものであつてこの種
のAGC回路として極めて実用性が高い。特に、
2GHzまで30dBの減衰量をとることができた点は
本発明の注目点でもある。
と同様にＴ型減衰器の構成にも適用されるもので
あり、BSチユーナにおけるUHF帯高域の１〜
2GHzでの大きな減衰を得るものであつてこの種
のAGC回路として極めて実用性が高い。特に、
2GHzまで30dBの減衰量をとることができた点は
本発明の注目点でもある。
発明を実施するための最良の形態
以下本発明に係る実施例について従来回路と対
比して図面により詳述する。
比して図面により詳述する。
第１図は従来のPINダイオード使用の減衰器で
ある。この減衰器は入力端子１と出力端子２間に
直流阻止コンデンサ３を介して３個のPINダイオ
ード４〜６がπ型回路で挿入され、このダイオー
ドへのドライブ回路７からのバイアス付与により
減衰制御を行なつている。ドライブ回路７は＋Ｂ
端子の電圧とAGC端子からの信号で駆動制御さ
れるトランジスタ８を含み構成され、トランジス
タ８の出力電流でダイオード４〜６の抵抗を変え
て高周波信号のAGC信号に応じた自動的な減衰
制御を行なつている。しかし、このような回路構
成では1GHzの高周波信号で25dB、2GHzの高周波
信号に対して16dBの減衰量を得るのみであり、
所望される受信帯の1.4GHz〜2GHz帯において、
減衰量30dBを得ることは非常に困難であつた。
ある。この減衰器は入力端子１と出力端子２間に
直流阻止コンデンサ３を介して３個のPINダイオ
ード４〜６がπ型回路で挿入され、このダイオー
ドへのドライブ回路７からのバイアス付与により
減衰制御を行なつている。ドライブ回路７は＋Ｂ
端子の電圧とAGC端子からの信号で駆動制御さ
れるトランジスタ８を含み構成され、トランジス
タ８の出力電流でダイオード４〜６の抵抗を変え
て高周波信号のAGC信号に応じた自動的な減衰
制御を行なつている。しかし、このような回路構
成では1GHzの高周波信号で25dB、2GHzの高周波
信号に対して16dBの減衰量を得るのみであり、
所望される受信帯の1.4GHz〜2GHz帯において、
減衰量30dBを得ることは非常に困難であつた。
第２図は第１図の欠点を解消する本発明に係る
電子減衰器であり、入力端子１１と出力端子１２
間に直流阻止コンデンサ１３〜１５を介在させて
高周波的に直列接続した第１及び第２のPINダイ
オードD1，D2を含む直流腕部分、入力端子側の
第１のPINダイオードD1に一端を接続し他端を
コンデンサ１６を経て高周波的に接地した第３の
PINダイオードD3と出力端子側の第２のPINダ
イオードD2に一端を接続し他端をコンデンサ１
７を経て高周波的に接地した第４のPINダイオー
ドD4を含む並列腕部分、及び前記４個のPINダ
イオードD1〜D4をバイアスするAGC信号による
駆動手段２０を具備して構成される。駆動手段２
０は共通のAGC端子２１と駆動電源端子２２に
接続される第１及び第２のドライブ回路２３，２
４から成り、それぞれＬ字形に接続の２個のダイ
オードD1，D3あるいはD2，D4にAGC信号に応じ
たバイアスを付与する。各ドライブ回路２３，２
４はそれぞれトランジスタTr1，Tr2、抵抗及び
チヨークコイルを含む直流駆動回路であり、各
PINダイオードD1〜D4に流入するダイオードバ
イアス電流に応じて生ずるダイオードの高周波抵
抗（Id−Rd特性）を利用し高周波信号の減衰量
を制御する。
電子減衰器であり、入力端子１１と出力端子１２
間に直流阻止コンデンサ１３〜１５を介在させて
高周波的に直列接続した第１及び第２のPINダイ
オードD1，D2を含む直流腕部分、入力端子側の
第１のPINダイオードD1に一端を接続し他端を
コンデンサ１６を経て高周波的に接地した第３の
PINダイオードD3と出力端子側の第２のPINダ
イオードD2に一端を接続し他端をコンデンサ１
７を経て高周波的に接地した第４のPINダイオー
ドD4を含む並列腕部分、及び前記４個のPINダ
イオードD1〜D4をバイアスするAGC信号による
駆動手段２０を具備して構成される。駆動手段２
０は共通のAGC端子２１と駆動電源端子２２に
接続される第１及び第２のドライブ回路２３，２
４から成り、それぞれＬ字形に接続の２個のダイ
オードD1，D3あるいはD2，D4にAGC信号に応じ
たバイアスを付与する。各ドライブ回路２３，２
４はそれぞれトランジスタTr1，Tr2、抵抗及び
チヨークコイルを含む直流駆動回路であり、各
PINダイオードD1〜D4に流入するダイオードバ
イアス電流に応じて生ずるダイオードの高周波抵
抗（Id−Rd特性）を利用し高周波信号の減衰量
を制御する。
本発明の特徴は、第３図に示すπ型抵抗減衰器
における抵抗値R1〜R3を、第４図に示す本発明
の高周波等価回路における４個のPINダイオード
D1〜D4により得るものであり、抵抗値R2の成分
を直列接続の２個のダイオードD1，D2に置換す
るものとして動作説明される。ここで各PINダイ
オードD1〜D4の高周波抵抗Rdは、PINダイオー
ドD1，D3とPINダイオードD2，D4をそれぞれ互
に直流的に遮断し駆動する第２図のドライブ回路
２３，２４からのバイアス電流で決められ、各ド
ライブ回路へのAGC信号で制御される。従つて、
入力端子１１に入力される高周波信号はAGC信
号で減衰制御されて出力端子１２から導出され
る。このときの減衰量は本発明の具体的回路では
2GHzまで約30dBであり、第１図の従来回路に比
べて約２倍に向上させた。尚実施例における各ド
ライブ回路は能動素子にトランジスタを用いたが
大きなAGC電流を得るにはFETの使用が好まし
い。
における抵抗値R1〜R3を、第４図に示す本発明
の高周波等価回路における４個のPINダイオード
D1〜D4により得るものであり、抵抗値R2の成分
を直列接続の２個のダイオードD1，D2に置換す
るものとして動作説明される。ここで各PINダイ
オードD1〜D4の高周波抵抗Rdは、PINダイオー
ドD1，D3とPINダイオードD2，D4をそれぞれ互
に直流的に遮断し駆動する第２図のドライブ回路
２３，２４からのバイアス電流で決められ、各ド
ライブ回路へのAGC信号で制御される。従つて、
入力端子１１に入力される高周波信号はAGC信
号で減衰制御されて出力端子１２から導出され
る。このときの減衰量は本発明の具体的回路では
2GHzまで約30dBであり、第１図の従来回路に比
べて約２倍に向上させた。尚実施例における各ド
ライブ回路は能動素子にトランジスタを用いたが
大きなAGC電流を得るにはFETの使用が好まし
い。
AGC信号はリバース方式で使用されているが
これに反転器を付加してフオワード方式にするこ
ともできる。更に別の具体例としてダイオードの
接続方式により本発明の減衰回路は、第５図乃至
第７図に示す等価回路により、Ｔ型抵抗減衰器を
基本構成として形成できる。すなわち、第５図の
Ｔ型抵抗減衰器の３個の抵抗値R4〜R6は第６図
に示すように直流阻止コンデンサC1を介在して
直流的に分離して考えられるので、これを第７図
に示す４個のPINダイオードD1〜D4と直流阻止
コンデンサC1とにより構成できることが明白で
ある。具体的には第２図のPINダイオードD1〜
D4の接続方向の変更でよく、それによりＴ型抵
抗減衰器を基本構成として動作説明されよう。特
に、本発明は入出力端子間の直列腕部分の減衰度
合を大きくするものであるから、共通のドライブ
回路のもとで、直列接続の２個またはそれ以上の
PINダイオードに直流バイアスを付与すればよ
く、種々の変形が可能である。
これに反転器を付加してフオワード方式にするこ
ともできる。更に別の具体例としてダイオードの
接続方式により本発明の減衰回路は、第５図乃至
第７図に示す等価回路により、Ｔ型抵抗減衰器を
基本構成として形成できる。すなわち、第５図の
Ｔ型抵抗減衰器の３個の抵抗値R4〜R6は第６図
に示すように直流阻止コンデンサC1を介在して
直流的に分離して考えられるので、これを第７図
に示す４個のPINダイオードD1〜D4と直流阻止
コンデンサC1とにより構成できることが明白で
ある。具体的には第２図のPINダイオードD1〜
D4の接続方向の変更でよく、それによりＴ型抵
抗減衰器を基本構成として動作説明されよう。特
に、本発明は入出力端子間の直列腕部分の減衰度
合を大きくするものであるから、共通のドライブ
回路のもとで、直列接続の２個またはそれ以上の
PINダイオードに直流バイアスを付与すればよ
く、種々の変形が可能である。
第１図は従来のπ型PINダイオード減衰器の回
路図、第２図は本発明の電子減衰器の回路図、第
３図は第２図を説明するπ型抵抗減衰器の回路
図、第４図は第２図の高周波等価回路図、第５図
は他の具体例を説明するＴ型抵抗減衰器の回路
図、第６図は第５図の変形回路図、及び第７図は
本発明の他の具体例の高周波等価回路図である。 １１……入力端子、１２……出力端子、１３，
１４，１５，１６，１７……直流阻止コンデン
サ、２３，２４……ドライブ回路、Tr1，Tr2…
…トランジスタ、D1，D2，D3，D4……PINダイ
オード。
路図、第２図は本発明の電子減衰器の回路図、第
３図は第２図を説明するπ型抵抗減衰器の回路
図、第４図は第２図の高周波等価回路図、第５図
は他の具体例を説明するＴ型抵抗減衰器の回路
図、第６図は第５図の変形回路図、及び第７図は
本発明の他の具体例の高周波等価回路図である。 １１……入力端子、１２……出力端子、１３，
１４，１５，１６，１７……直流阻止コンデン
サ、２３，２４……ドライブ回路、Tr1，Tr2…
…トランジスタ、D1，D2，D3，D4……PINダイ
オード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２個以上のPINダイオードを入力端子と出力
端子間に高周波的に直列接続した直列腕、及び前
記入力及び出力端子のそれぞれの側でPINダイオ
ードを高周波的に接地接続した並列腕を具備し、
前記並列腕のPINダイオードを介して前記直列腕
のPINダイオードに直流バイアスを付与し入力信
号を減衰制御するようにしたことを特徴とする電
子減衰器。 ２ 前記直列腕は第１のPINダイオード、直流阻
止コンデンサ及び第２のPINダイオードを含み、
前記並列腕は第１のドライブ回路に接続された第
３のPINダイオード及び第２のドライブ回路に接
続された第４のPINダイオードを含み、前記第１
及び第２のドライブ回路の生成する直流信号によ
り減衰度を制御させる特許請求の範囲第１項に記
載の電子減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22018783A JPS60112306A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 電子減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22018783A JPS60112306A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 電子減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112306A JPS60112306A (ja) | 1985-06-18 |
| JPH0510843B2 true JPH0510843B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=16747241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22018783A Granted JPS60112306A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 電子減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112306A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11073325B2 (en) * | 2018-03-30 | 2021-07-27 | Daikin Industries, Ltd. | Refrigeration cycle apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63173981U (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | ||
| FI105613B (fi) * | 1998-10-07 | 2000-09-15 | Nokia Multimedia Terminals Oy | Vaimentimen säätöominaisuuksia parantava kytkentä |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577103A (en) * | 1969-04-01 | 1971-05-04 | Zenith Radio Corp | Variable attenuator for a wave signal receiver |
| US4097827A (en) * | 1977-02-04 | 1978-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Constant impedance, constant phase pin diode with attenuator |
| JPS5521654B2 (ja) * | 1974-09-06 | 1980-06-11 | ||
| JPS57157613A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Maspro Denkoh Corp | Attenuator |
| JPS5999877A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Maspro Denkoh Corp | 受信増幅器のａｇｃ方式 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918752Y2 (ja) * | 1978-07-27 | 1984-05-30 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 信号選択電子スイツチ |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP22018783A patent/JPS60112306A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577103A (en) * | 1969-04-01 | 1971-05-04 | Zenith Radio Corp | Variable attenuator for a wave signal receiver |
| JPS5521654B2 (ja) * | 1974-09-06 | 1980-06-11 | ||
| US4097827A (en) * | 1977-02-04 | 1978-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Constant impedance, constant phase pin diode with attenuator |
| JPS57157613A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Maspro Denkoh Corp | Attenuator |
| JPS5999877A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Maspro Denkoh Corp | 受信増幅器のａｇｃ方式 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11073325B2 (en) * | 2018-03-30 | 2021-07-27 | Daikin Industries, Ltd. | Refrigeration cycle apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60112306A (ja) | 1985-06-18 |
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