JPH0145768B2 - - Google Patents
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- JPH0145768B2 JPH0145768B2 JP57131598A JP13159882A JPH0145768B2 JP H0145768 B2 JPH0145768 B2 JP H0145768B2 JP 57131598 A JP57131598 A JP 57131598A JP 13159882 A JP13159882 A JP 13159882A JP H0145768 B2 JPH0145768 B2 JP H0145768B2
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- JP
- Japan
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- resonant circuit
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ラジオ受信機特に大入力に対する特
性をよくした電子同調、車載用、AMラジオの高
周波増幅回路に関する。
性をよくした電子同調、車載用、AMラジオの高
周波増幅回路に関する。
電子同調ラジオ受信機では選局用素子として可
変容量ダイオードを使用するが、この素子は加わ
る電圧によつて容量が変るので非線形歪を生じ
る、車載用ラジオではアンテナは容量性であるの
で該素子とアンテナとで直接同調回路を組むこと
はできない、等の理由から第１図または第２図に
示す入力回路が採用される。第１図では端子１０
にアンテナを接続して電界効界トランジスタ１２
によりアンテナ出力を増幅し、同調はLC共振回
路１４でとる。１６は高周波増幅器、１８はその
負荷である共振回路で、この出力が次段のミクサ
MIX段で導かれる。AGCは増幅器１６へ、また
抵抗２０を介してトランジスタ１２へ加えられ
る。この回路は非同調入力型であつて不要波も希
望波と同様にトランジスタ１２に入力し増幅され
てしまうので、大入力に対する特性、中でも混変
調特性がよくない。
変容量ダイオードを使用するが、この素子は加わ
る電圧によつて容量が変るので非線形歪を生じ
る、車載用ラジオではアンテナは容量性であるの
で該素子とアンテナとで直接同調回路を組むこと
はできない、等の理由から第１図または第２図に
示す入力回路が採用される。第１図では端子１０
にアンテナを接続して電界効界トランジスタ１２
によりアンテナ出力を増幅し、同調はLC共振回
路１４でとる。１６は高周波増幅器、１８はその
負荷である共振回路で、この出力が次段のミクサ
MIX段で導かれる。AGCは増幅器１６へ、また
抵抗２０を介してトランジスタ１２へ加えられ
る。この回路は非同調入力型であつて不要波も希
望波と同様にトランジスタ１２に入力し増幅され
てしまうので、大入力に対する特性、中でも混変
調特性がよくない。
第２図はトランジスタ１２のソースに共振回路
２２と負帰還用抵抗３０を接続し、希望波では回
路２２が共振してインピーダンス零従つて負帰還
がかからず、不要波では負帰還がかかつて該不要
波は余り増幅されないようにしたものである。こ
の結果妨害波（不要波）に対してやゝ強くなる
が、次のような問題がある。即ち希望波では負帰
還はかからずトランジスタ１２のgmによる増幅
が行なわれるのが、gmは非線形かつ有限で、共
振回路１４，２２のＱ及び利得はgmに依存する
ため混変調特性がよくない。特に共振回路１４は
希望波で共振するとき、共振回路２２は零インピ
ーダンスになるので高い電圧を受け、その容量素
子として使用する可変容量ダイオードが大きな非
線形歪を生じる。またこの回路ではトランジスタ
１２の入力側への負帰還をかけにくいので、出力
側にトランジスタ２４をアツテネータとして接続
するという構成をとるが、このトランジスタ２４
は共振回路１４のＱを下げ、また自らの非線形が
回路に導入されてしまうという問題がある。
２２と負帰還用抵抗３０を接続し、希望波では回
路２２が共振してインピーダンス零従つて負帰還
がかからず、不要波では負帰還がかかつて該不要
波は余り増幅されないようにしたものである。こ
の結果妨害波（不要波）に対してやゝ強くなる
が、次のような問題がある。即ち希望波では負帰
還はかからずトランジスタ１２のgmによる増幅
が行なわれるのが、gmは非線形かつ有限で、共
振回路１４，２２のＱ及び利得はgmに依存する
ため混変調特性がよくない。特に共振回路１４は
希望波で共振するとき、共振回路２２は零インピ
ーダンスになるので高い電圧を受け、その容量素
子として使用する可変容量ダイオードが大きな非
線形歪を生じる。またこの回路ではトランジスタ
１２の入力側への負帰還をかけにくいので、出力
側にトランジスタ２４をアツテネータとして接続
するという構成をとるが、このトランジスタ２４
は共振回路１４のＱを下げ、また自らの非線形が
回路に導入されてしまうという問題がある。
本発明はかゝる点を改善し、優れた混変調特性
を示すアンテナ入力回路を提供しようとするもの
である。本発明の高周波増幅回路はゲートに入力
信号が加えられソースに希望周波数で共振する直
列共振回路が接続された第１のトランジスタと、
エミツタを共通の第２のトランジスタへ接続した
第３、第４のトランジスタを備え、該第２のトラ
ンジスタのベースへは第１のトランジスタの出力
を加え、第３のトランジスタのコレクタは直接そ
して第４のトランジスタのコレクタは前記希望周
波数で共振する並列共振回路を介して第１のトラ
ンジスタのソースへ接続して負帰還を加えるよう
にし、更に第３、第４のトランジスタのベースへ
はこれらのトランジスタのコレクタ電流比を変え
るようにAGC電圧を加え、前記並列共振回路よ
り出力を得るようにしてなることを特徴とする
が、次に第３図に示す実施例を参照しながらこれ
を説明する。
を示すアンテナ入力回路を提供しようとするもの
である。本発明の高周波増幅回路はゲートに入力
信号が加えられソースに希望周波数で共振する直
列共振回路が接続された第１のトランジスタと、
エミツタを共通の第２のトランジスタへ接続した
第３、第４のトランジスタを備え、該第２のトラ
ンジスタのベースへは第１のトランジスタの出力
を加え、第３のトランジスタのコレクタは直接そ
して第４のトランジスタのコレクタは前記希望周
波数で共振する並列共振回路を介して第１のトラ
ンジスタのソースへ接続して負帰還を加えるよう
にし、更に第３、第４のトランジスタのベースへ
はこれらのトランジスタのコレクタ電流比を変え
るようにAGC電圧を加え、前記並列共振回路よ
り出力を得るようにしてなることを特徴とする
が、次に第３図に示す実施例を参照しながらこれ
を説明する。
第３図で１２および１４，２２は前述の電界効
果トランジスタおよび共振回路である。３４，３
６はエミツタ同志を接続した差動対トランジスタ
で、その共通エミツタ回路にトランジスタ３８が
接続され、トランジスタ１２の出力が該トランジ
スタ３８のベースに印加される。トランジスタ３
４のコレクタは直接そしてトランジスタ３６のコ
レクタは並列共振回路１４を介してトランジスタ
１２のソースへ接続され、これにより負帰還がか
けられる。４０，４２，４４，４６はコンデン
サ、４８，５０，５２，５４，５６，５８，６
０，６２，６４は抵抗である。Vddは電源電圧を
示し、この電圧による電流は５２，１２，３４ま
たは１４の１次コイルと３６，３８，６０の経
路、４８と５０の経路、５と３４のベースまたは
５８と６２及び３６のベースの経路等を流れる。
この回路の等価回路を第４図に示す。この図に示
すようにトランジスタ１２のゲート・ソース間電
圧をVgsとするとドレインに流れる電流はgm・
Vgs、トランジスタ３８の電流増幅率をβとする
と該トランジスタのエミツタに流れる電流gm・
Vgs・β、直列共振回路２２へはこれらの電流が
流れるので該共振回路のインピーダンスをZs、
入力電圧をE1として次式が成立する。
果トランジスタおよび共振回路である。３４，３
６はエミツタ同志を接続した差動対トランジスタ
で、その共通エミツタ回路にトランジスタ３８が
接続され、トランジスタ１２の出力が該トランジ
スタ３８のベースに印加される。トランジスタ３
４のコレクタは直接そしてトランジスタ３６のコ
レクタは並列共振回路１４を介してトランジスタ
１２のソースへ接続され、これにより負帰還がか
けられる。４０，４２，４４，４６はコンデン
サ、４８，５０，５２，５４，５６，５８，６
０，６２，６４は抵抗である。Vddは電源電圧を
示し、この電圧による電流は５２，１２，３４ま
たは１４の１次コイルと３６，３８，６０の経
路、４８と５０の経路、５と３４のベースまたは
５８と６２及び３６のベースの経路等を流れる。
この回路の等価回路を第４図に示す。この図に示
すようにトランジスタ１２のゲート・ソース間電
圧をVgsとするとドレインに流れる電流はgm・
Vgs、トランジスタ３８の電流増幅率をβとする
と該トランジスタのエミツタに流れる電流gm・
Vgs・β、直列共振回路２２へはこれらの電流が
流れるので該共振回路のインピーダンスをZs、
入力電圧をE1として次式が成立する。
E1＝Vgs＋gm・Vgs（１＋β）Zs ……(1)
また並列共振回路１４のインピーダンスをZL、
出力電圧をE2とするると次式が成立する。
出力電圧をE2とするると次式が成立する。
E2＝gm・Vgs・β・KZL ……(2)
こゝでＫは分流比で１／Ｋはほゝ１＋ｅgVB／KT
で表わされ、バイアス電圧VBにより変る。これ
らの(1)、(2)式より次式が得られる。
らの(1)、(2)式より次式が得られる。
E2＝
E1・gm・β・ZL・Ｋ／（１＋gm（１＋β）Zs
……(3) βは100程度と１より遥かに大きいので E2≒E1・ZL・Ｋ／Zs ……(4) となる。これより、分流比Ｋを一定とすれば利得
はインピーダンスZsとZLの比で決定され、トラ
ンジスタのgm、βなどのパラメータを含まない
から利得の値は極めて安定でかつ殆んど非線形性
を伴なわず、混変調特性は優れていることが分
る。また共振周波数での回路１４，２２のインピ
ーダンスZs、ZLはＱで表わされるから(4)式は E2≒E1Q1、Q2・Ｋ ……(5) となり、これより利得は相当に大きいことが分
る。利得が大きいとAGCが要となるが、これは
分流比Ｋを変えることに行なえる。第３図で抵抗
６４を介してトランジスタ３６のベースへ加わる
電圧AGCがこの制御電圧である。Ｋは値は前記
のように電圧VBに対しては非線形であるが、入
力信号には無関係であるため、混変調の原因には
ならない。またこの回路では共振周波数つまり希
望周波数では直列共振回路２２のインピーダンス
は著減しまた並列共振回路１４ではインピーダン
スが著増していずれも負帰還がかゝりにくくな
り、希望周波数を外れると大きく負帰還がかゝつ
て利得が落ちるので、選択度は良好である。
……(3) βは100程度と１より遥かに大きいので E2≒E1・ZL・Ｋ／Zs ……(4) となる。これより、分流比Ｋを一定とすれば利得
はインピーダンスZsとZLの比で決定され、トラ
ンジスタのgm、βなどのパラメータを含まない
から利得の値は極めて安定でかつ殆んど非線形性
を伴なわず、混変調特性は優れていることが分
る。また共振周波数での回路１４，２２のインピ
ーダンスZs、ZLはＱで表わされるから(4)式は E2≒E1Q1、Q2・Ｋ ……(5) となり、これより利得は相当に大きいことが分
る。利得が大きいとAGCが要となるが、これは
分流比Ｋを変えることに行なえる。第３図で抵抗
６４を介してトランジスタ３６のベースへ加わる
電圧AGCがこの制御電圧である。Ｋは値は前記
のように電圧VBに対しては非線形であるが、入
力信号には無関係であるため、混変調の原因には
ならない。またこの回路では共振周波数つまり希
望周波数では直列共振回路２２のインピーダンス
は著減しまた並列共振回路１４ではインピーダン
スが著増していずれも負帰還がかゝりにくくな
り、希望周波数を外れると大きく負帰還がかゝつ
て利得が落ちるので、選択度は良好である。
同調回路１４，２２の可変容量には通常の機械
式可変コンデンサの他に、可変容量ダイオードな
どを用いてもよい。第５図は可変容量ダイオード
を用いた場合の要部回路例を示し、１４ａ，２２
ａは該可変容量ダイオード、TBはバイアス電
源、１４ｂ，２２ｂは電流制限用抵抗である。
式可変コンデンサの他に、可変容量ダイオードな
どを用いてもよい。第５図は可変容量ダイオード
を用いた場合の要部回路例を示し、１４ａ，２２
ａは該可変容量ダイオード、TBはバイアス電
源、１４ｂ，２２ｂは電流制限用抵抗である。
以上説明したように本発明によれば非同調入力
型の構成をとりながら混変調が少なく、非線形歪
みなどを導入することなくAGCをかけることが
でき、かつ利得は高いので、車輛用ラジオ受信機
に実施して甚だ有効である。
型の構成をとりながら混変調が少なく、非線形歪
みなどを導入することなくAGCをかけることが
でき、かつ利得は高いので、車輛用ラジオ受信機
に実施して甚だ有効である。
第１図および第２図は従来例を示す回路図、第
３図は本発明の実施例を示す回路図、第４図は第
３図の等価回路図、第５図は一部の変形例を示す
回路図である。 図面で、１２，３８，３４，３６は第１、第
２、第３、第４のトランジスタ、２２は直列共振
回路、１４は並列共振回路である。
３図は本発明の実施例を示す回路図、第４図は第
３図の等価回路図、第５図は一部の変形例を示す
回路図である。 図面で、１２，３８，３４，３６は第１、第
２、第３、第４のトランジスタ、２２は直列共振
回路、１４は並列共振回路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ゲートに入力信号が加えられソースに希望周
波数で共振する直列共振回路が接続された第１の
トランジスタと、 エミツタを共通の第２のトランジスタへ接続し
た第３、第４のトランジスタを備え、 該第２のトランジスタのベースへは第１のトラ
ンジスタの出力を加え、第３のトランジスタのコ
レクタは直接そして第４のトランジスタのコレク
タは前記希望周波数で共振する並列共振回路を介
して第１のトランジスタのソースへ接続して負帰
還を加えるようにし、更に第３、第４のトランジ
スタのベースへはこれらのトランジスタのコレク
タ電流比を変えるようにAGC電圧を加え、前記
並列共振回路より出力を得るようにしてなること
を特徴とする高周波増幅回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131598A JPS5922416A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 高周波増幅回路 |
| US06/515,171 US4535301A (en) | 1982-07-28 | 1983-07-19 | High frequency amplifier circuit |
| CA000432906A CA1195390A (en) | 1982-07-28 | 1983-07-21 | High frequency amplifier circuit |
| AU17286/83A AU552839B2 (en) | 1982-07-28 | 1983-07-26 | R f amplifier |
| DE3327107A DE3327107C2 (de) | 1982-07-28 | 1983-07-27 | Hochfrequenzverstärkerschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131598A JPS5922416A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 高周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922416A JPS5922416A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0145768B2 true JPH0145768B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=15061801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131598A Granted JPS5922416A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 高周波増幅回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4535301A (ja) |
| JP (1) | JPS5922416A (ja) |
| AU (1) | AU552839B2 (ja) |
| CA (1) | CA1195390A (ja) |
| DE (1) | DE3327107C2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3423769A1 (de) * | 1984-06-28 | 1986-01-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schaltendstufe, insbesondere eines schaltreglers fuer ventilmagnete |
| JPH02170602A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ波集積回路 |
| US5252820A (en) * | 1991-03-11 | 1993-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion circuit having a tuning circuit and changeover switcher |
| WO2007108103A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | アナログ回路 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2734112C2 (de) * | 1977-07-28 | 1982-11-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung |
| GB2002608B (en) * | 1977-08-01 | 1982-03-24 | Pioneer Electronic Corp | Automatic gain control circuit |
| DE2833056C3 (de) * | 1978-07-27 | 1984-02-16 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | HF-Verstärker |
| US4353036A (en) * | 1980-08-29 | 1982-10-05 | Rca Corporation | Field effect transistor amplifier with variable gain control |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57131598A patent/JPS5922416A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-19 US US06/515,171 patent/US4535301A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-21 CA CA000432906A patent/CA1195390A/en not_active Expired
- 1983-07-26 AU AU17286/83A patent/AU552839B2/en not_active Expired
- 1983-07-27 DE DE3327107A patent/DE3327107C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU552839B2 (en) | 1986-06-19 |
| JPS5922416A (ja) | 1984-02-04 |
| AU1728683A (en) | 1984-02-02 |
| US4535301A (en) | 1985-08-13 |
| DE3327107C2 (de) | 1985-12-12 |
| CA1195390A (en) | 1985-10-15 |
| DE3327107A1 (de) | 1984-02-09 |
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