JPH02170602A - マイクロ波集積回路 - Google Patents

マイクロ波集積回路

Info

Publication number
JPH02170602A
JPH02170602A JP63324357A JP32435788A JPH02170602A JP H02170602 A JPH02170602 A JP H02170602A JP 63324357 A JP63324357 A JP 63324357A JP 32435788 A JP32435788 A JP 32435788A JP H02170602 A JPH02170602 A JP H02170602A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input
external terminal
source
microstrip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63324357A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Shiga
信夫 志賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP63324357A priority Critical patent/JPH02170602A/ja
Priority to US07/447,062 priority patent/US5010305A/en
Priority to CA002005182A priority patent/CA2005182A1/en
Priority to DE68922594T priority patent/DE68922594T2/de
Priority to EP89123197A priority patent/EP0374744B1/en
Priority to KR1019890019147A priority patent/KR930011384B1/ko
Publication of JPH02170602A publication Critical patent/JPH02170602A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/28—Impedance matching networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は衛星放送の受信コンバータやマイクロ波通信な
どに用いられる低雑音増幅用のマイクロ波集積回路（以
下ＭＩＣ）に関し、特にこの入力整合特性の改善に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来この種の低雑音増幅用ＭＩＣとしては、ＧａＡｓ　
　ＦＥＴ等の電界効果トランジスタを用いたモノリシッ
クＭＩＣ（以下ＭＭＩＣ）が有る。
このＭＭ　Ｉ　Ｃの一般的な回路構成は第３図に示され
、同図に示されるように、ＦＥＴ２１のソースは接地さ
れ、入力側に入力整合回路２２．出力側に出力整合回路
２３が設けられている。
そして、この種のＭＭ　Ｉ　Ｃの多段構成の回路におけ
る初段回路の入力整合特性は、その回路の使用目的によ
り、低雑音性が要求される雑音整合特性が重視されるも
のと、高利得特性が要求される利得整合特性が重視され
るものとがあり、各特性に応じて入力整合回路２２の各
素子の定数が設定される。
〔発明が解決しようとする課題〕
このように従来のＭＭＩＣにおける初段回路の整合特性
は、その使用目的により、雑音整合特性または利得整合
特性のいずれか一方の特性のみを重視した回路しか構成
することが出来無い。・つまリ、雑音整合特性を重視し
たものは、最少の雑音指数（以下ＮＦ）を得ることが出
来るが、初段回路の利得が小さく、入力ＶＳＷＲ（電圧
定在波比）が高くなるという課題を有していた。
また、利得整合特性を重視したものは、初段回路の利得
は高く入力ＶＳＷＲは低いが、ＮＦは大きくなるという
課題を有していた。
〔課題を解決するための手段〕
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、初段回路の電界効果トランジスタのソースと接地と
の間に誘導素子と可変容量素子との直列回路を介挿し、
この可変容量素子の容量値は外部端子からの入力信号に
より制御されるようにしたものである。
〔作用〕
初段回路の人力インピーダンスは、外部端子からの入力
信号により適宜変化される。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して以下に詳述する。第
１図は本発明の一実施例を表すブロック図である。
同図において、１は外部からの信号が入力される信号入
力端子、２は入力信号の直流分を遮断するコンデンサ、
３はこのコンデンサ２に直列に接続されたマイクロスト
リップ、４はコンデンサ２およびマイクロストリップ３
の接続点に一端が接続され他端が接地されたマイクロス
トリップであり、マイクロストリップ３，４は入力整合
回路を構成している。
また、５はマイクロストリップ３にゲートが接続された
ＧａＡｓ　　ＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴ等の電界効果トラ
ンジスタ（以下ＦＥＴ）　　６はＦＥＴ５のソースに一
端が接続されたマイクロストリップにより形成されたイ
ンダクタンス、７はアノードがインダクタンス６の一端
に接続されカソードが接地された可変容量ダイオード、
８はインダクタンス６および可変容量ダイオード７の接
続点に一端が接続されたマイクロストリップ、９はマイ
クロストリップ８の他端に一端が接続された抵抗、１０
は抵抗９の他端に接続された外部端子である。
また、１１．１２はＦＥＴ５のドレインに直列に接続さ
れたマイクロストリップ、１３はマイクロストリップ１
１．１２の接続点に一端が接続され他端が接地されたマ
イクロストリップであり、これらマイクロストリップ１
１，１２゜１３は多段構成の回路における段間整合回路
を構成している。そして、１４はマイクロストリップ１
２に接続された直流分遮断用のコンデンサ、１５は次段
の回路に接続される出力端子である。
このような構成において、インダクタンス６の誘導骨を
Ｌ１可変容量ダイオード７の容量をＣとするとこれらの
合成インピーダンスＺは次の０式％式％ ここで、使用する周波数帯ωにて、 Ｌ〉１／ω２Ｃ となるように各定数を選択し、外部端子１０に入力する
信号により可変容量ダイオード７の容量Ｃを変化させる
ことにより、合成インピーダンスＺは変化する。
そして、合成インピーダンスＺを変化させることにより
、つまり、インダクタンス６および可変容量ダイオード
７による合成インダクタンスＬｓ本 なる信号源インピーダンス）とＳ　　（入力反射係数の
複素共役数）とは次のように制御され、第ることになる
。これは次のように理解される。
すなわち、ＦＥＴ５のゲート抵抗をＲＧ、チャネル抵抗
をＲｌｎ、　　ソース抵抗をＲｓ、ゲート・ソース間容
量をＣｇｓ、伝達コンダクタンスをＧ１１とすると、Ｆ
ＥＴ５の人力インピーダンスＺｌｎ（スミス図における
Ｓｌ、に相当する）は次の０式のように示される。
ＺＩｎ＝ＲＧ　＋Ｒ１ｎ＋Ｒｓ　＋Ｇｇｔ　　ａＬｓ　
／Ｃｇｓ＋ｉ／（ｊ　・ω・Ｃｇｓ）・・・■ また、ＦＥＴ５単体でＮＦが最少となる信号源インピー
ダンスの実部をＲ、虚部をＸ　　とｏｐｔ　　　　　　
ｏｐｔ すると、Ｚ　　は次の■式のように示される。
ｏｐｔ Ｚ　　　−Ｒ＋ｊ（Ｘ　　　−ω幸Ｌｓ）・・・■ｏｐ
ｔ　　　　　　ｏｐｔ　　　　　　　　　　ｏｐｔ■式
から分かるように、入力インピーダンスＺｉｎはその実
部が合成インピーダンスＬｓの値によって変化し、この
合成インピーダンスＬｓが外部端子１０に人力される信
号によって増加すると、＊ Ｓ　の腹素共投数Ｓ　　は第２図のスミス図において矢
示のように移動する。つまり、定リアクタンス線上を抵
抗値が増大する方向に移動する。また、■式から分かる
ように、信号源インピーダンスＺ　　はその虚部が合成
インピーダンスＬｓのｏｐｔ 値によって変化し、この合成インピーダンスＬｓが上記
の場合と同様にして増加すると、Ｚ　　はｏｐｔ スミス図において矢示のように移動する。つまり、定抵
抗円上をリアクタンスが減少する方向に移動する。
従って、外部端子１０からの入力信号によって合成イン
ピーダンスＬｓ　　（Ｚ）の値を適宜選択す本 ることにより、Ｓ　　と２　　とはスミス図上に１１　
　　　ｏｐｔ おいて近づいたものとなり、雑音整合特性と利得整合特
性とのトレードオフを適宜最適化することが可能となる
。
なお、上記実施例はＭＭ　Ｉ　Ｃを用いて説明したが、
本発明はハイブリッドＭＩＣや個別部品回路にも適用す
ることが可能であり、上記実施例と同様な効果を奏する
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、初段回路の電界効果トラ
ンジスタのソースと接地との間に誘導素子と可変容量素
子との直列回路を介挿し、この可変容量素子の容量値は
外部端子からの入力信号により制御されるようにしたこ
とにより、初段回路の人力インピーダンスは外部端子か
らの入力信号により適宜変化される。
このため、システム仕様に合った雑音整合特性および利
得整合特性を有する入力整合特性にシステムを容易に設
定することが可能になるという効果を有し、従来の課題
は解消される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を表すブロック図、第２図
は、この実施例における信号源インピーダ図、第３図は
、従来の回路構成を示すブロック図である。 １・・・信号入力端子、２．１４・・・直流分遮断用コ
ンデンサ、３，４，８，１１．１２．１３・・・マイク
ロストリップ、５・・・トランジスタ、６・・・インダ
クタンス、７・・・可変容量ダイオード、９・・・抵抗
、〕０・・・外部端子、１５・・・出力端子。 特許出願人　　住友電気工業株式会社 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹間　　　　　　
　　　塩　　　１）　　辰　　　也−実１１によるブロ
ック図 ￥１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の回路素子が一体化されたマイクロ波集積回路にお
    いて、初段回路の電界効果トランジスタのソースと接地
    との間に誘導素子と可変容量素子との直列回路を介挿し
    、この可変容量素子の容量値は外部端子からの入力信号
    により制御されることを特徴とするマイクロ波集積回路
    。
JP63324357A 1988-12-22 1988-12-22 マイクロ波集積回路 Pending JPH02170602A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63324357A JPH02170602A (ja) 1988-12-22 1988-12-22 マイクロ波集積回路
US07/447,062 US5010305A (en) 1988-12-22 1989-12-07 Microwave integrated circuit
CA002005182A CA2005182A1 (en) 1988-12-22 1989-12-11 Microwave integrated circuit
DE68922594T DE68922594T2 (de) 1988-12-22 1989-12-15 Integrierte Mikrowellenschaltung.
EP89123197A EP0374744B1 (en) 1988-12-22 1989-12-15 Microwave integrated circuit
KR1019890019147A KR930011384B1 (ko) 1988-12-22 1989-12-21 마이크로파 집적회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63324357A JPH02170602A (ja) 1988-12-22 1988-12-22 マイクロ波集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02170602A true JPH02170602A (ja) 1990-07-02

Family

ID=18164882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63324357A Pending JPH02170602A (ja) 1988-12-22 1988-12-22 マイクロ波集積回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5010305A (ja)
EP (1) EP0374744B1 (ja)
JP (1) JPH02170602A (ja)
KR (1) KR930011384B1 (ja)
CA (1) CA2005182A1 (ja)
DE (1) DE68922594T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575357A (ja) * 1991-09-10 1993-03-26 Mitsubishi Electric Corp 低雑音増幅器
WO2007108103A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujitsu Limited アナログ回路
KR100851702B1 (ko) * 2001-03-27 2008-08-11 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고주파 가변이득 증폭장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296311A (ja) * 1990-04-13 1991-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 低雑音アンプ
US5602501A (en) * 1992-09-03 1997-02-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Mixer circuit using a dual gate field effect transistor
US5410745A (en) * 1993-05-20 1995-04-25 Motorola, Inc. Detector and video amplifier
JPH0746064A (ja) * 1993-07-29 1995-02-14 Nec Corp 負荷整合回路可変型高効率マイクロ波増幅器
US5789799A (en) * 1996-09-27 1998-08-04 Northern Telecom Limited High frequency noise and impedance matched integrated circuits
US6121840A (en) * 1996-12-24 2000-09-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency amplifier
US8803599B2 (en) * 2010-05-26 2014-08-12 Stmicroelectronics, Inc. Dendrite resistant input bias network for metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) devices
KR101503146B1 (ko) 2013-08-05 2015-03-16 삼성전기주식회사 저잡음 증폭기 및 그를 이용한 이득 조절 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4670722A (en) * 1981-03-09 1987-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy FET oscillator having controllable reactance element-controlled two port feedback network
US4458215A (en) * 1981-08-17 1984-07-03 Rca Corporation Monolithic voltage controlled oscillator
JPS5922416A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Fujitsu Ten Ltd 高周波増幅回路
US4658220A (en) * 1985-09-06 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Dual-gate, field-effect transistor low noise amplifier
US4683443A (en) * 1986-01-27 1987-07-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Monolithic low noise amplifier with limiting

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575357A (ja) * 1991-09-10 1993-03-26 Mitsubishi Electric Corp 低雑音増幅器
KR100851702B1 (ko) * 2001-03-27 2008-08-11 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고주파 가변이득 증폭장치
WO2007108103A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujitsu Limited アナログ回路
US7782140B2 (en) 2006-03-20 2010-08-24 Fujitsu Limited Analog circuit

Also Published As

Publication number Publication date
DE68922594T2 (de) 1996-02-01
KR930011384B1 (ko) 1993-12-04
DE68922594D1 (de) 1995-06-14
CA2005182A1 (en) 1990-06-22
EP0374744B1 (en) 1995-05-10
KR910013544A (ko) 1991-08-08
US5010305A (en) 1991-04-23
EP0374744A2 (en) 1990-06-27
EP0374744A3 (en) 1991-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6049250A (en) Dittributed feed back distributed amplifier
US7265619B2 (en) Two stage microwave Class E power amplifier
US4540954A (en) Singly terminated distributed amplifier
US4717884A (en) High efficiency RF power amplifier
KR101088240B1 (ko) 고주파 증폭기
EP0622894B1 (en) Semiconductor power amplifier integrated circuit
US4947062A (en) Double balanced mixing
US6472941B2 (en) Distributed amplifier with terminating circuit capable of improving gain flatness at low frequencies
US5986518A (en) Distributed MMIC active quadrature hybrid and method for providing in-phase and quadrature-phase signals
US4446445A (en) Singly terminated push-pull distributed amplifier
US7129804B2 (en) Reflection loss suppression circuit
JPH02170602A (ja) マイクロ波集積回路
JPH08162859A (ja) 多段増幅器
KR0129843B1 (ko) 초고주파 모노리식 저잡음 증폭기
US6104247A (en) Power amplifier for mobile communication system
JPH06232657A (ja) 高周波増幅器
CN209844918U (zh) 一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路
JP3373435B2 (ja) 抵抗帰還トランジスタ
JPH0575357A (ja) 低雑音増幅器
JPH08321726A (ja) 増幅回路
JP3886642B2 (ja) 高周波利得可変増幅回路
JPS6327104A (ja) 並列帰還型増幅器
JP2537518B2 (ja) 移相器
Kamioka et al. 2.5 to 10.0 GHz Band-Pass Non-Uniform Distributed GaN MMIC HPA
KR100375678B1 (ko) 높은 이득-대역폭-곱을 갖는 행렬분산 증폭기