JPS6327104A - 並列帰還型増幅器 - Google Patents

並列帰還型増幅器

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JPS6327104A
JPS6327104A JP17118786A JP17118786A JPS6327104A JP S6327104 A JPS6327104 A JP S6327104A JP 17118786 A JP17118786 A JP 17118786A JP 17118786 A JP17118786 A JP 17118786A JP S6327104 A JPS6327104 A JP S6327104A
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JP
Japan
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resistor
capacitor
input
feedback
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP17118786A
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English (en)
Inventor
Toshihiko Yoshimasu
敏彦 吉増
Tadaaki Inoue
忠昭 井上
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、たとえば衛星通信用の電波受信部にて使用
される、入出力インピーダンス及び電力料1qの調整が
電気的に可能な高周波増幅器に関し、とくに電界効果ト
ランジスタ(以下FETと略す)を用いた並列帰還型増
幅器に関するものである。
(ロ)従来の技術 従来この種の並列帰還型増幅器は、第3図に示すように
FETをソース接地として用い、その入力端子4と出力
端子5との間に並列回路を設ける。
この回路は、出力端子5から入力端子4へ帰還を施すた
めの抵抗2と入出力端子4,5を直流的に分離するため
のコンデンサ3を直列に接続したもので、帰還回路を構
成するものである。また、第4図は低周波におけるFE
Tの等価回路を示し、第5図は高周波におけるFETの
等価回路を示した図である。第4図及び第5図において
V工はゲート・ソース端子間の電圧、v2はドレイン・
ソース端子間の電圧、gmはFETの相互コンダクタン
スであり、gmvl及びgmvは電流源である。また、
Rgはゲート電極抵抗、R1は入力抵抗、R8はソース
抵抗、Rdはドレイン抵抗、C(ISはゲート・ソース
端子間容ffi、Cgdはゲート・ドレイン端子間容量
、CdSはドレイン・ソース間容ω、Gdは出力コンダ
クタンスで、■はCQSの両端の電位差である。まず、
第3図において、低周波の場合の増幅器の入力インピー
ダンス710と出力インピーダンスzoutは、帰還抵
抗2の抵抗値をR1電源及び負荷インピーダンスをZO
とすると、である、、(ただし、Cとする直流遮断用コ
ンデンサ3の容量は、十分大きいとした。)従って、こ
の増幅器の入出力整合条件は(1)式よりR=gm7o
’         (2)となる。今、ゲート長1糟
、ゲート幅1mmのFETを仮定すると、そのgmは約
100m3であるので、(2)式より整合条件はR=2
50Ωとなる。次に第5図の高周波におけるFETの等
何回路を用いて、第3図の増幅器の利得の周波数特性を
計算すると、その値は第6図の周波数利得特性図によっ
て示される。ただし計算に用いた値はRg=5Ω、Ca
5=1pF、Ri = 5Ω、 gm=100ms、 
Cgd= 0.IDF、 Gd =2mS、 Cd5=
 0.05pF、 Rd = 3Ω。
Rs=3Ω、そして帰還抵抗2の抵抗値Rは250Ω、
直流遮断コンデンサ3の容量Cは20 pFである。同
図に示すように、利得は周波数の増加とともに徐々に低
下し、周波数利得特性の平坦部利得(iodB)から1
6[3低下した時に相当する周波数は約2000M )
−1zである。
したがって、従来の回路構成による並列帰還型増幅器で
は、周波数帯域の高域側の限界は約2000MHzだっ
た。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 上記並列帰還型増幅器では、増幅器の入力インピーダン
スと出力インピーダンスの整合を図ると、広帯域増幅器
として理想的な、広域まで平坦な利得特性を維持するこ
とがむづかしくなり、周波数の増加に伴って、高域周波
数側の利得を低下させていた。
この発明は以上の事情に鑑みてなされたもので、入出力
整合条件を実用上問題とならない範囲で緩和させること
によって、利得周波数特性を改善し、帯域を大幅に広げ
ることができる並列帰還型増幅器の提供を目的とするも
のである。
(ニ)問題点を解決するための手段 この発明は並列帰還型増幅器であって入力端子と出力端
子とを有するトランジスタの入力端子と出力端子との間
に帰還回路を接続した並列帰還型増幅器であって、帰還
回路が、入力端子に接続される帰還抵抗と、帰還抵抗に
直列接続される直流遮断コンデンサと、直流遮断コンデ
ンサまたは帰還抵抗と出力端子との間に接続され、出力
端子からの所定周波数以下の信号のみを通過させるフィ
ルタ回路とで構成されたことを特徴とするものである。
(ホ)作 用 上記の構成において、フィルタ回路が所定周波数以下の
信号のみを帰還させることにより、高周波帯域の信号の
帰還量が減少し、高周波帯域で利1qが低下するのを防
止するよう作用する。
くべ)実施例 以下図に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。な
お、これによってこの発明は限定されるものではない。
第1図において、並列帰還型増幅器は、たとえば電界効
果型トランジスタなどのトランジスタ〈以下FETと記
す)1と、FETIの入力端子4と出力端子5との間に
、出力端子5から入力端子4へ帰還を施すための帰還抵
抗2と、帰還抵抗2に直列接続される直流遮断コンデン
サ3と、直流遮断コンデンサ3と出力端子5との間に接
続される抵抗7と、直流遮断コンデンサ3と抵抗7との
接続点と接地端子6との間に接続されるコンデンサ8と
で構成される。抵抗7とコンデンサ8とがフィルタ回路
(ローパスフィルタ)20を構成する。
この増幅器の低周波における入力インピーダンスZin
、出力インピーダンスzout及び電圧和1qAVは、
ローパスフィルタの抵抗をRf、コンデンサをCfとす
ると、 (Zin十Zo) である。ωCfが十分に小さい時、この増幅器の入出力
整合条件は R+Rr =uZo ”      (6)となる。ま
た、ωCrが無視できない時は、入出力インピーダンス
は50Ωではなくなるが、VSWR(電圧定在波比)が
帯域内で2.5以下であれば実用上大ぎな問題はない。
また、(5)式から位相ひずみの問題が予想されるが、
これは、RfとC「の値に一11約を設けることで避け
ることができる。
例エバ、R=Rr = 1250トシタFf、Cr≦1
pFでは、実用上大きな問題となる位相ひずみは生じな
い。
今、−例トシテ、R−[= 1250、(J=1pFと
し、第5図のFETの等価回路を用いて解析した場合の
第1図の増幅器の利得周波数特性を第7図の実線9に示
す。また、比較のため第3図に示した従来の回路構成に
よる利得周波数特性を同図の破Pi110に示す。第7
図の利得周波数特性において、高周波帯域の利得が手足
な部分より163低下するときの周波数が従来例による
回路構成では約2000M Hzであったのに対し、こ
の発明によれば、その周波数は約2700M )−1z
となり、この発明によると、従来の増幅器より約700
M HZもの広帯域化を図れることがわかる。
次に、入力VSWRと出力VSWRの比較をそれぞれ第
8図と第9図に示す。第8図及び第9図において、11
と13はこの発明による増幅器の入力VSWRと出力V
SWRで、12と14は従来の回路構成による増幅器の
入力VSWRと出力VSWRである。この発明によるV
SWRは、入力、出力ともに従来例より恕くなっている
が、2700M HZより低い周波数では入力V S 
W R1出力VSWRとも2.5以下となっているため
、実用上大きな問題とはならない。
さらに、他の実施例として第1図のCfを可変コンデン
サとすることにより、利得、入出力■SW R、位相ひ
ずみの制御を行うことができ、その回路図を第2図に示
す。第2図において15は可変コンデンサ、17は可変
コンデンサ制御用電圧端子、16は抵抗Rf  (第2
図7)による直流消費電力を無くすためのコンデンサで
あり、コンデンサ3と同様、十分大きな容量であるが、
このコンデンサ16は必ずしも必要ではない。可変コン
デンサ15は可変コンデンサ制御用電圧端子17に印加
された電圧によってその容量が変化し、それによって利
得が可変できるものでICチップ内に例えばショットキ
ーダイオードの逆方向キャパシタとして、FETと同様
に製造することが可能であり、また、ICチップ外に、
可変コンデンサをハイブリッドに構成することも可能で
ある。
なお、上記実施例および他実施例においては、FETの
出力端子と入力端子に帰還回路が接続されている1設地
幅器の場合を例にとって説明したが、この発明は、トラ
ンジスタの多段接続においても任意の帰還回路に適用で
きる。
また、フィルタ回路を抵抗とコンデンサとで構成したが
、抵抗のかわりにコイルなどのインダクタンスを用いて
もよい。
(ト)発明の効果 この発明によれば、増幅器の入出力端子の整合条件を若
干状めることにより、利得特性を大幅に改善することが
でき、周波数帯域を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図はこ
の発明の他の実施例を示す回路図、第3図は従来例の第
1図相当図、第4図は従来例の低周波におけるFETの
等価回路図、第5図は従来例の高周波におけるFETの
等洒回路図、第6図は従来例の周波数利得特性図、第7
図はこの発明と従来例の周波数利得特性比較図、第8図
、第9図はこの発明と従来例の周波数vS〜・VR特性
比較図である。 1・・・・・・トランジスタ、 4・・・・・・入力端子、 5・・・・・・出力端子、
2・・・・・・帰還抵抗、 3・・・・・・直流遮断コ
ンデンサ、20・・・・・・フィルタ回路。 第1 図 第2図 fEI jllk(MHz) 第7図 周渣牧(MHz)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、入力端子と出力端子とを有するトランジスタの入力
    端子と出力端子との間に帰還回路を接続した並列帰還型
    増幅器であつて、 帰還回路が、入力端子に接続される帰還抵抗と、帰還抵
    抗に直列接続される直流遮断コンデンサと、直流遮断コ
    ンデンサまたは帰還抵抗と出力端子との間に接続され、
    出力端子からの所定周波数以下の信号のみを通過させる
    フィルタ回路とで構成されたことを特徴とする並列帰還
    型増幅器。
JP17118786A 1986-07-21 1986-07-21 並列帰還型増幅器 Pending JPS6327104A (ja)

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