JPH0738404A - 出力切替増幅装置 - Google Patents

出力切替増幅装置

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JPH0738404A
JPH0738404A JP5200997A JP20099793A JPH0738404A JP H0738404 A JPH0738404 A JP H0738404A JP 5200997 A JP5200997 A JP 5200997A JP 20099793 A JP20099793 A JP 20099793A JP H0738404 A JPH0738404 A JP H0738404A
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Masahiro Muraguchi
正弘 村口
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低消費電力化と同時に小型化・低コスト化を
可能にした出力切替増幅装置を提供する。 【構成】 ソース接地FET5のドレイン端子に、複数
のゲート接地FET61 〜6n のソース端子の各々を接
続し、該各ゲート接地FETのドレイン端子の各々を個
々の出力端子41 〜4n に接続し、各ゲート接地FET
のゲート端子に印加する電圧を変化させて、ソース接地
FETのゲート端子に入力した信号を通過させるゲート
接地FETを選択すると共に該信号のレベル制御を行な
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波通信装置に利用
して好適な出力切替増幅装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】通信機器、例えば移動通信用端末機器に
おいては、局部発振器の出力を送信側と受信側に時分割
で供給する必要がある。このようなときの出力切替で
は、多端子スイッチと、局部発振器の安定化および出力
レベル調整のための緩衝増幅器とを組合せる必要があ
る。
【0003】図6に緩衝増幅器1の出力側に多端子スイ
ッチ2を接続した従来の出力切替増幅装置のブロック図
を示す。3は入力端子、41 〜45 は出力端子である。
しかしこの構成では、緩衝増幅器1が1個で済み簡単な
構成となるものの、スイッチ2での損失を考慮して緩衝
増幅器1の出力を増大させる必要があり、緩衝増幅器1
の消費電力が増大する。
【0004】一方、図7は多端子スイッチ2の各出力側
に緩衝増幅器11 〜15 を接続した別の従来の出力切替
増幅装置のブロック図である。この図7の従来例では、
多端子スイッチ1が電力損失の小さい入力側に入るため
に、緩衝増幅器11 〜15 の消費電力は低くなるが、必
要とする緩衝増幅器の数が多いうえ、それらをオン・オ
フする機能が必要となり、構成が複雑で小型化が難しい
ばかりか、コスト的にも不利となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、移動通
信用端末機器に用いる出力切替増幅装置には極限の低消
費電力化と小型化および低コスト化が要求されている
が、前述の従来例ではこれらの要求を満足できなかっ
た。
【0006】本発明の目的は、低消費電力化と同時に小
型化・低コスト化を可能にした出力切替増幅装置を提供
することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ゲート
端子に入力信号が印加するソース接地FETのドレイン
端子に対し、複数のゲート接地FETのソース端子の各
々を接続すると共に、該各ゲート接地FETのドレイン
端子の各々を個々の出力端子に接続し、上記各ゲート接
地FETのゲート端子に印加する電圧を変化させること
によって、上記複数のゲート接地FETのうちから、上
記ソース接地FETのゲート端子に入力した信号を通過
させるゲート接地FETを選択すると共に、該信号のレ
ベル制御を行なうこと特徴とする出力切替増幅装置によ
って達成される。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1はその一実施例の出力切替増幅装置の回路図である。
1つのソース接地FET(CSF)5のドレイン端子に
n個のゲート接地FET(CGF)61 〜6n のソース
端子を接続している。7は入力端子3に接続される回路
と整合をとるための入力整合回路、81 〜8n 出力端子
1 〜45 に接続される回路と整合をとるための出力整
合回路、91 〜9nはゲート接地用の容量、101 〜1
n は各ゲート接地FET61 〜6n のドレインに電源
電圧Vdd1 〜Vddn を与えるためのコイルである。
【0009】この実施例の出力切替増幅装置において
は、各ゲート接地FET61 〜6n のゲート端子に異な
った制御電圧(Vc1 〜Vcn)を印加することによっ
て、出力端子41 〜45 のうちの出力が現れる端子の選
択と、その時の信号増幅を同時に行うことができる。
【0010】図2にゲート接地FET6(61 〜6n
の等価回路図を示す。Cdsはドレイン・ソース間容
量、Rdsはドレイン・ソース間抵抗、Rsはソース抵
抗、Rdはドレイン抵抗、Cgsはゲート・ソース間容
量、Cgdはゲート・ドレイン間容量、Rgはゲート抵
抗、Rsはソース抵抗、Rdはドレイン抵抗、Coは容
量9(91 〜9n )である。
【0011】ゲート端子6gに印加する制御電圧Vcを
変化させると、ドレイン・ソース間抵抗Rdsが大きく
変化する。図3はその制御電圧によりソース・ドレイン
間電流を大きく制限したときの等価回路図である。この
場合、ゲート接地FET6は、増幅機能を持たず減衰器
となる。すなわち、このときは、 1/ωCgs >> 1/ωCo,Rg,Rs 1/ωCgd >> 1/ωCo,Rg,Rd Rds >> Rg,Rd となり、図3に示すような等価回路となるのである。ω
は扱う信号の周波数で決る角周波数である。
【0012】更に制御電圧Vcを変化させてソース・ド
レイン間電流を遮断すると、ドレイン・ソース間抵抗R
dsは十分大きな値となって、ソース端子6sとドレイ
ン端子6dは電気的に切り離されたのとほぼ等価とな
り、図4に示す等価回路となる。すなわち、このとき
は、 Rds >> 1/ωCgs,1/ωCgd 1/ωCds >> 1/ωCgs,1/ωCgd となり、図4に示すような等価回路となるのである。
【0013】以上から、図1に示した実施例において、
例えばゲート接地FET62 を除く他のゲート接地FE
T61 、63 〜6n の制御電圧Vc1、Vc3〜Vcnを、そ
れぞれのソース・ドレイン間電流を遮断するように印加
すると、このときの出力切替増幅器の全体の等価回路は
図5に示すようになる。
【0014】この等価回路では、出力端子42 を除く出
力端子41 、43 〜4n は入力端子3と切り離され、そ
こに現れる出力信号を無くなる。また、各ゲート接地F
ETのドレイン端子のうち、ドレイン電流が流れ込むの
は電源Vdd2 からのみとなり、このときのドレイン電流
はゲート接地FET62 を経由してソース接地FET5
へと流れる。
【0015】このとき、入力端子3と出力端子42 と間
において、ソース接地FET5とゲート接地FET62
とにより、カスコード増幅器が構成される。このカスコ
ード増幅器では、制御電圧Vc2により出力端子42 に現
れる信号のレベルの調整ができる。
【0016】他の出力端子41 、43 〜4n に現れる信
号についても、上記と同様に、ゲート接地FET61
3 〜6n の各々のゲート端子に印加する制御電圧Vc
1、Vc3〜Vcnを変化すれば、入力端子3に入力する信
号を出力端子41 、43 〜4nの任意の端子に出力させ
ることができる。
【0017】なお、上記実施例では、FETを使用した
例で説明したが、バイポーラトランジスタを使用して同
様に構成することもできる。このときは、FETのゲー
ト端子、ソース端子、ドレイン端子を、それぞれバイポ
ーラトランジスタのベース端子、エミッタ端子、コレク
タ端子に対応させて接続すれば良い。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の出力切替
増幅装置は、従来の多端子スイッチとして機能する部分
そのものが緩衝増幅器として機能するので、スイッチに
おける損失は無く、低消費電力化が可能である。
【0019】また、スイッチと緩衝増幅器が一体化され
ているため小型化が可能で、モノリシックIC化にも適
しており、低コスト化も期待できる。
【0020】更に、この出力切替増幅装置は、電流を遮
断していないゲート接地FETとそれより前段のソース
接地FETとでカスコード増幅器を構成するので、制御
電圧により出力調整が容易にできる。
【0021】以上の性能は、移動通信用端末用機器にお
いて、局部発振器の出力を送信側と受信側に時分割で安
定に供給する場合において極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の出力切替増幅装置の回路
図である。
【図2】 ソース接地FETの等価回路図である。
【図3】 制御電圧により電流を制限したときのソース
接地FETの等価回路図である。
【図4】 制御電圧により電流を遮断したときのソース
接地FETの等価回路図である。
【図5】 制御電圧により特定のソース接地FETを機
能させ、他のソース接地FETの電流を遮断したときの
等価回路図である。
【図6】 従来の出力切替増幅器のブロック図である。
【図7】 従来の別の例の出力切替増幅器のブロック図
である。
【符号の説明】
1、11 〜14 :緩衝増幅器、2:多端子スイッチ、
3:入力端子、41 〜4n :出力端子、5:ソース接地
FET、61 〜6n :ゲート接地FET、7:入力整合
回路、81 〜8n :出力整合回路、91 〜9n :容量、
101 〜10n:コイル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ゲート端子に入力信号が印加するソース
    接地FETのドレイン端子に対し、複数のゲート接地F
    ETのソース端子の各々を接続すると共に、該各ゲート
    接地FETのドレイン端子の各々を個々の出力端子に接
    続し、 上記各ゲート接地FETのゲート端子に印加する電圧を
    変化させることによって、上記複数のゲート接地FET
    のうちから、上記ソース接地FETのゲート端子に入力
    した信号を通過させるゲート接地FETを選択すると共
    に、該信号のレベル制御を行なうこと特徴とする出力切
    替増幅装置。
  2. 【請求項2】 上記各FETをバイポーラトランジスタ
    に置換し、該FETのゲート端子、ソース端子、ドレイ
    ン端子をそれぞれ上記バイポーラトランジスタのベース
    端子、エミッタ端子、コレクタ端子に対応させて接続し
    たことを特徴とする請求項1に記載の出力切替増幅装
    置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005839A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Samsung Electronics Co Ltd 増幅器
US7412219B2 (en) * 2004-11-04 2008-08-12 Alps Electric Co., Ltd High-frequency amplifier having simple circuit structure and television tuner using high-frequency amplifier
JP2015521010A (ja) * 2012-05-25 2015-07-23 クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated キャリアアグリゲーションのためのカスコード転換スイッチを有する低雑音増幅器
JPWO2013150564A1 (ja) * 2012-04-04 2015-12-14 三菱電機株式会社 マルチモード・マルチバンド増幅器
US10177722B2 (en) 2016-01-12 2019-01-08 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter

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