DE2734112C2 - Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung mit je einem Dämpfungspol unter- und obeihalb des Durchlaßbereiches, bei der als verstärkendes Element ein in Emitterschaltung betriebener Transistor und als Selektionsmittel aus Kondensatoren und Spulen bestehende Resonanzkreise vorgesehen sind.

Bandfilter sind Resonanzschal'yngen. bei denen wenigstens zwei Resonanzkreise miteinander gekoppelt sind, /weikreisige Bandfilter bestehen aus zwei Schwingkreisen, die entweder induktiv oder kapazitiv miteinander gekoppelt sind. Derarnge Kopplungsmoglichkeiten zweikreisiger Bandfilter sind aus dem 1. Band des im Verlag für Radio-Foto-Kinotechnik GmbH, Berlin-Borsigwalde, erschienenen Buches »Elektrische Nachrichieniechnik« 1971 von Dr. H Schröder, insbesondere Seile 540. Bild 365 bekannt. Zur Erzielung einer möglichst großen Wirkleistungsversiärkung bei einer vorgeschriebenen Selekiionskurve. beispielsweise bei Zwischenfrequenzverslärkern von Rundfunkeinrichtungen, sind selekiive Verstärker erforderlich, die beispielsweise aus einem vorstehend angegebenen zweikreisigen Bandfilter und einer naehgeschalteten. in Emitterschaltung betriebenen Transistorstiife bestehen

Für höhere Ansprüche hinsichtlich des Dämpfungsverlaufes, beispielsweise zur Erzielung eines sieileren Dämpfungsabfalles an den Bandgren/en ist es ferner bekannt, durch zusätzliche Reaktanzelemente einen Dämpfungspol unter- und/oder oberhalb des Durchlaßbereiches zu erzeugen.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es. eine Bandfilteranordnung der eingangs erwähnten Art, derart weiterzubilden, daß bei geringem schaltungstechnischem Aufwand eine hohe und vom Abschlußwiderstand weitgehend unabhängige Betriebsgüte der Resonanzkreise gewährleistet ist.

Ausgehend von einer verstärkenden Zweikreis-Bandfilteranordnung mit je einem Dämpfungspol unter-und oberhalb des Durchlaßbereiches, bei der als verstärkendes Element ein in Emitterschaltung betriebener Transistor und als Selektionsmittel aus Kondensatoren und Spulen bestehende Resonanzkreise vorgesehen sind, wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Basisanschluü des Transistors mit einer ersten Gleichstromquelle hohen Innenwiderstandes verbunden ist, daß einem mit der Betriebsspannung verbundenen Basiswiderstand ein aus einem Kondensator und einer Spule bestehender Parallelresonanzkreis parallelgeschaltet ist, daß der Spule des Parallelresonanzkreises ein weiterer Kondensator zur Erzeugung eines Dämpfungspoles unterhalb des Durchlaßbereiches vorgeschaltet ist, daß der Emitteranschluß des Transistors mit einer weiteren Gleichstromquelle hohen Innenwidei'standes zur Einprägung des Emitterstromes verbunden ist, daß der weiteren Gleichstromquelle ein aus einem Kondensator und einer Spule bestehender Serienresonanzkreis parallelgeschaltei ist. daß zur Erzeugung eines Dämpfungspoles oberhalb der Durchlaßbereiches der Spule des Serienresonanzkreises ein mit Masse verbundener Kondensator parallelgeschaltet ist. und daß der Kollektoranschluß des Transistors über einen Widerstand mit der Betriebsspannung verbunden ist und den Ausgang der Anordnung darstellt.

Von besonderem Vorteil der Erfindung ist die weitgehend riickwirkungsfreie Entkopplung beider Resonanzkreise durch einen Transistor, die eine voneinander unabhängige Abstimmung beider Resonanzkreise gestattet, sowie die gegenüber einem einfachen Zweikreisfilter bessere Selektionswirkung, da auf ein verlustbehaftrtes Koppelelement, das eine Verschlechterung der Selektion zur Folge hat. verzichtet werden kann. Vorteilhaft ist auch die gleichzeitige Verstärkerfunktion der erfindungsgemäßen Bandfilteranordnung.

Vorteilhaft ist weiterhin, daß der Wert eines Ausgangswidf--Standes in einem weiten Bereich frei wählbar und dabei ohne Einfluß auf die Filtercharakteristik ist.

Von Bedeutung ist ferner, daß wegen der Festlegung der Betriebsgüten beider Resonanzkreise durch den Basiswiderstand, der Wert der Resonanzkreis-Spulen in einem für c"ie Spulengüte jeweils optimalen Bereich gewählt werden kann.

In Weiterbildung der Erfindung ist der Transistor als Teil einer integrierten Schaltung eines Doppelgegentaktmodulators vorgeseht ι. derart, daß der Transistor und die weitere Gleichstromquelle durch freie Transistorfunktion°n der integrieren Schaltung realisiert sind. Bei dieser Weiterbildung der Erfindung kann nach einer Modulation die Nutzfrequenz, bzw. das Nutzfrequenzband ausgefiliert ui<d mit einem vorgegebenen Pegel und Innenwiderstand einem Verbraucher zugefühn werden.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den weiteren Unteransprüchen angegeben.

Nachstehend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen noch näher erläutert. Es zeigt in der Zeichnung

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel,

Fig.2 eine bekannte integrierbare Modulatoranordnung,

Fig.3 eine erfindungsgemäße äußere Beschallung der Anordnung nach Fig 2.

Fig. t zeigt eine verstärkende Zweikreis-Bandfilleranordnung mit je einem Dämpfungspol unter- und oberhalb des Durchlaßbereiches, bei der als verstärkendes Element ein in Emitter-Grundschaltung betriebener Transistor T an seinem Basisanschluß mit dem einen Anschluß einer ersten Gleichstromquelle SQ 1 hohen Innenwiderstandes verbunden ist, deren anderer Anschluß an Masse anliegt. Ein mit dem Basisanschluß des Transistors Tverbundener Basiswiderstand R 1 und ein mit dem Kollektoranschluß des Transistor Tverbundener Ausgangswiderstand R_A sind gemeinsam mit der Betriebsspannung Ub verbunden. Der Kollektoranschluß des Transistors ist weiterhin mit einer die Ausgangsspannung Va führenden Ausgangsklemme verbunden, und zwischen dem Emitteranschluß und der

ig Masse ist eine weitere Gleichstromquelle SQ2 hohen Innenwiderstandes zur Einprägung des Emitterstromes geschaltet. Parallel zu dem Basiswiderstand R 1 ist ein aus einem Kondensator Cl und einer Spule Li bestehender Parallelresonanzkreis angeordnet, in dessen Spulenziveig ein weiterer Kondensator Cl zur Erzeugung eines Dämpfungspoles unt halb des Durchlaßbereiches zur Spule L i in Serie gescnaret ist.

Als zweiter Resonanzkreis ist ein parallel zur weiteren Gleichstromquelle SQ2 angeordneter, aus einem Kondensator C3 und einer Spule L 2 bestehender Seri.nresonanzkreis vorgesehen. Zur Erzeugung eines Dämpfungspoles oberhalb des Durchlaßbereiches ist der Spule L2 des Serienresonanzkreises, die hierbei an einem Anschluß mit Masse verbunden ist. ein Kondensator C4 parallelgeschaltet.

Der Gleichstromquelle SQ 1 ist bei der Schaltung gemäß Fig. 1 der Signalstrom überlagert, und es wird durch diese Gleichstromquelle über den Basiswiderstand R1 das Basispotential des Transistors T festgelegt. Damit wird die Betriebsgüte des Parallel- und des Serienresonanzkreises durch den Basiswiderstand R1 gleichzeitig festgelegt. Durch die mit dem Emitteranschluß des Transistors Γ verbundene weitere Gleichstromquelle SQ2 wird ein Emitterstiom enge· prägt und damit gleichzeitig über den Kolleklorwiderstand R.\ das Ausgangsruhepotential festgelegt. Besonders vorteilhaft ist es. daß durch die Stromquelle SQ2 ein eigener Emitterwiderstand nicht mehr erforderlich ist. durch den die Güte des emitterseitigen Serienresonanzkreises verringert würde.

Bei einer in der Zeichnung nicht eigens dargestellten Weiterbildung der Erfindung ist die Güte der Parallel-und Serienresonanzkreise dadurch einstellbar, daß der Basis'viderstand R1 durch die Serienschaltung zweier Widerstände ersetzt ist. von denen beispielsweise der an der Betriebsspannung Du anliegende Widerstand durch einen weiteren Kondensator überbrückt ist.

Hei ..iner weiteren Schaltungsvariante ist der parallel zur Spule L 2 des Senenresonanzkreises liegende Kondensator C4 durch die F.igenkapaziläi i'er Spule L 2 des Serienschwingkreises realisiert. Eine weitere Möglichkeit zur Realisierung eines Dämpfungspoles oberhalb des Durchlaßbereiches besteht darin, den Kondensator C 4 nicht parallel zur Spule 1.2. sondern zum gesamten Senenschwingkreis zu schalten,

Eine vorteilhafte Weiterbildung dsr Erfindung ergibt sich im Zusammenhang mit einer in Fi g. 2 dargestellten bekannten Modulatoranordnung.

b5 Bei dem in Fi g. 2 pezeigten, aus der DE-PS 23 64 156 bekannten Doppelgegentaklmodulator sind die Koilektoren der vier Transistoren 1 bis 4, die den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen, paarweise miteinander

verbunden, wobei die Kollektoren der Transistoren 1 und 3 an den Anschluß a und die Kollektoren der Transistoren 2 und 4 an den Anschluß f des Modulatorausgangs geführt sind.

Die Transistoren 1 bis 4 werden jeweils an der Basis mit einer rechteckförmigen Trägerspannung beaufschlagt, die Trägereingangsklemmen k und / sind über die Widerstände 53 und 54 an die Basisanschlüsse der Transistoren 14 und 15 geführt, die als Differenzverstärker geschaltet sind und an den Kollektoren einander gegenphasig rechteckförmige Trägerspannungen abgeben. Mit Hilfe des Transistors 16, dessen Emitter über den Widerstand 57 an die Spannung — I Ib und dessen Basis an eine mit Hilfe der beiden als Dioden geschalteten Transistoren 27 und 28 stabilisierte Gleichspannung geführt ist, wird in die Emitterverbindung der Transistoren 14 und 15 ein Gleichstrom eingeprägt. Die Kollektoren der Transistoren 14 und 15 sind über je einen Widerstand 51 bzw. 52 und die gemeinsam nachgeschaltete Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 13 an die Spannung + Un geführt, wobei die Basis des Transistors 13 mit einer Gleichspannung beaufschlagt wird, die an dem aus den Widerständen 63, 64, 66 und den Transistoren 27 und 28 bestehenden Spannungsteiler, und zwar am Verbindungspunkt der Widerslände 63 und 64. abgegriffen wird.

Die Basisanschlüsse der Transistoren 1 und 4 sind gemeinsam an den Kollektor des Transistors 14. die Basisanschlüsse der Transistoren 2 und 3 gemeinsam an den Kollektor des Transistors 15 angeschlossen.

Dlie Emitterverbindung der Transistoren 1 und 2 ist an den Kollektor des in der signalgesteuerten Schaltung 401 enthaltenen Transistors 10 angeschlossen. Die Emitterverbindung der Transistoren 3 und 4 liegt am Kollektor des in der weiteren signalgesteuerten Schaltung 402 enthaltenen Transistors fO.

Die signalgesteuerten Schaltungen 401 und 402 sind in gleicher Weise aufgebaut. Einander entsprechende Schaltmittel sind daher mit gleichen Bezugszeichen versehen.

Die Transistoren 21 und 25. deren Basisanschlüsse miteinander verbunden und an den Anschluß η bzw. über den als Diode geschalteten Transistor 17 und den Widerstand 58 an die Spannung - U_n geführt sind, sind mit ihrem Emitter jeweils über einen Widerstand 60 bzw. an die Spannung — Ub geführt und liefern an ihrem Kollektor jeweils einen eingeprägten Gleichstrom, der jeweils dem Emitter eines der beiden Transistoren 10 zugeführt wird.

Die Transistoren 26 und 29 sind jeweils mit ihrer Basis an die mit Hilfe der Transistoren 27 und 28 stabilisierte Gleichspannung geführt, mit ihrem Emitter über je einen Widersland 59 bzw. 62 an die Spannung - Ub gelegt und mit ihrem Kollektor jeweils an die Emitterverbindung der Transistoren 11 und 12 der zugehörigen signalgesteuerten Schaltung 401 bzw. 402 gelegt.

Die Schaltungen 401 und 402 sind jeweils über einen der Widerstände 55 und 65 an einen der Anschlüsse m und /geführt, an die eine symmetrische Eingangssignalspannung gelegt werden kann.

Die Schaltungen 401 und 402 gewährleisten, daß die mit Hilfe der Transistoren 10 in die vier Transistoren 1 bis 4 eingeprägten Arbeitsströme besonders klein gewählt werden können. Die gezeigten Schaltungen 401 bzw. 402 können für den Fall, daß an den Doppeigegentaktmodulator nicht ganz so große Forderungen gestellt werden, in vereinfachter Form so abgewandelt werden.

daß bei dem Differenzverstärker, bei dem von zwei emitterseilig miteinander und über einen, insbesondere durch einen Widersland gebildeten Stromzweig an einen Anschluß der Vefsorgungsspannungsquelle geführten Transistoren der eine mit seinem Kollektor unmittelbar und der andere über einen Widerstand an Versorgungsspannung liegt der kollektorseilig unmittelbar an Versorgungsspannung liegende Transistor basisseitig mil dem Modulatoreingahg verbunden isl und der kollektorseitig mit dem Widerstand beschaltete Transistor der zusätzlich vorgesehene Transistor ist.

Die in F i g. 2 gezeigten Schaltungen 401 und 402 sind dagegen so ausgebildet, daß bei dem Differenzverstärker in die F.mitterverbindung der beiden Transistoren 11 und 12 mit Hilfe des im gemeinsamen Stromzweig liegenden Transistors 29 ein Gleichstrom eingeprägt wird und daß die Kollektoren der Transistoren 11 und 12 des Differenzverstärkers an eine Schaltung zur Aufteilung des eingeprägten Gleichstromes in zwei gleich große Teilströme angeschlossen sind.

Die Schaltung zur Aufteilung des in dem Differenzverstärker eingeprägten Gleichstromes enthält die drei Transistoren 7, 8 und 9. Die Transistoren 7 und 8 sind jeweils mit ihrem Emitter über einen von zwei gleich große bemessenen Widerständen 45 und 46 mit Versorgungsspannung + Ub verbunden und basisseitig unmittelbar und kollektorseitig über die Emitter-Basis-Strecke 'les Transistors 9 verbunden. Der Transistor 9 liegt mil seiner Basis am Kollektor des Transistors 11 und mit seinem Kollektor am Kollektor des Transistors 12.

Die Schaltung aus den Transistoren 7, 8, 9 und 10 und den gleich groß bemessenen Widerständen 45 und 46 gewährleistet, daß der Strom, der dem Kollektor des Transistors 8 zufließt, insbesondere auch dann einen Kollektorstrom in gleicher Höhe im Transistor 9 zur Folge hat. wenn sich die Eingangsspannung und/oder die Versorgungsspannung ändert. Damit ergibt sich eine Aufteilung des Quellengleichstromes zu gleichen Teilen in die beiden Transistoren 11 und 12 und somit eine besonders weitgehende Kompensation der Verzerrungen gerader Ordnung und von ungeraden Harmonischen.

Die Basisanschlüsse der Transistoren 12 liegen an den Anschlüssen p. q. Zwischen diesen Anschlüssen kann ein Widerstand angelegt werden, der die Modulationsverstärkung bestimmt. Mit Hilfe eines in Serie zu diesem Widerstand geschalteten Kondensators läßt sich eine gleichstrommäßige Entkopplung des äußeren Strornzweiges von der Modulatorschaltung erreichen.

Dem Transistor 10 ist ein die Transistoren Hl d 12 enthaltender Differenzverstärker vorgeschaltet. Dabei sind die Basis des Transistors 10 unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors 12 und der Emitter des Transistors 10 unmittelbar mit der Basis des Transistors 12 verbunden.

Zwischen dem Emitter des Transistors 12 und dem am Anschluß r anliegenden negativen Pol — Ub der Versorgungsspannungsquelle liegt eine Stromquelle eingeprägten Gleichstromes. Der weitere Transistor 11 des Differenzverstärkers ist mit seinem Emitter unmittelbar an den Emitter des Transistors 12 geführt und wird an seiner Basis mit dem modulierenden Signal beaufschlagt

Bei dem Differenzverstärker ist zwischen die Emitterverbindung der beiden Transistoren 11 und 12 und dem negativen Anschluß — Ub der Versorgungsspannungsquelle eine Gleichspannungsquelle eingefügt.

die einen Gleichstrom in die Emitterverbindung einprägt. Die Kollektoren der Transistoren 11 und 12 sind an dine Schaltung zur Aufteilung des eingeprägten Gleichstromes in ζΦ/ei gleich große Gleichströme angeschlossen.

Der Transistor 10 ist in Emiller-Grundschaltung geschaltet. Dabei ist der Kollektor des Transistors 10 über sein;>- Kollektorkreis bzw. über die Emiüer-Kollektorstreck<Sn der Transistoren 1 und 2 bzw. 3 und 4 und eine darauffolgende, in der Figur nicht näher dargestellte Ausgangsschaltung an den positiven Pol + Ua und der Emitter über seinen F.mitterkreis an den negativen Pol — lh der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen.

Die Emitterspannung L/<■,ο des Transistors 10 folgt der Eingangsspannung Ik n auch gleichspannungsmäßig und zwar ohne Schwelle. Um eine große Emitterspannung ί/r^dei Transistors 12 bei großem Widersland R_rrl zu ermöglichen, kann als Arbeitswider- «!lanrl dp·. TmrKktnrs 12 7Wpc-kmrtßioprwpi<;p pinp Stromquelle geschaltet werden, die dynamisch hochohmig ist; in den Emitier des Transisiors 12 fließt dann nur mehr der Basiswechselstrom des Transistors 10.

Nachteilig bei der integrierten Schaltung nach F i g. 2 ist die fest vorgegebene interne Verbindung der Basisanschlüsse der Transistoren 18 und 22 mit den Kollektoren der Transistoren 1 bis 4. wodurch eine Einfügung selektiver Schaltmittel an dieser Stelle nicht möglich ist.

Eine vorteilhafte Möglichkeit zur Vermeidung dieser schaltungsmäßigen Einschränkung ist durch die in der Fig. 3 angegebene erfindungsgemäße äußere Beschaltung gegeben.

In F i g. 3 ist die Schaltung nach F i g. 2 entsprechend dem in der Fig. 1 dargestellten Prinzipschaltbilds der Erfindung ergänzt. Zur besseren Übersicht ist in der F i g. 3 die Modulatoranordnung nach F i g. 2 als mit dem Bezugszeichen M versehener Schaltungsblock dargestellt, der mit Anschlüssen versehen ist. deren Bezugszeichen mit denen der Darstellung nach Fig. 2 übereinstimmen. Mit den Schaltmitteln der Fig. 1 wirkungsgleiche Schaltmittel sind mit übereinstimmenden Bezugszeichen versehen. Innerhalb des Modulators M sind die in der Fig.2 dargestellten Transistoren 18 und 22 mit ihrer Basis an die Modulatorausgangsklemmen a und /"angeschlossen. Wie ferner aus der Fig. 2 ersichtlich ist, sind die Kollektoren und Emitter der in der Fig.3 nicht eigens dargestellten Transistoren 18 und 22 der Modulatoranordnung an die Anschlüsse b bis e geführt. In der F i g. 3 ist die erfindungsgemäße Zweikreis-Bandfilteranordnung durch eine äußere Beschallung der Modulatoranordnung M wie folgt realisiert. Die Signal-Eingangsspannung Uf wird üh-r einen Kondensator Ce unsymmetrisch der Eingangsklemme m des Modulators und damit der Basis des Transistors 11 zugeführt. In gleicher Weise wird auch die Trägerspannung Ut über einen Kondensator Ct der Eingangsklemme / des Modulators M und damit der Basis des Transistors 15 zugeführt Die Betriebsspannung — Ub liegt unmittelbar an dem Anschluß ran und es wird über einen zusätzlich an der Betriebsspannung — Ub anliegenden Widerstand R 2 und dem mit dem Widerstand R 2 verbundenen Modulatoranschluß π der durch die Transistoren 21 und 25 eingeprägte und an den Modulatoranschlüssen auftretende Arbeitsstrom Ja. eingestellt Dieser mit dem Signalstrom überlagerte und mit der Umpolfur.ktior, der Trägerspannung Ut multiplizierte Strom tritt an dem mit der Basis des Transistors 22 verbundenen Modulatoranschluß /"und an dem mit der Basis des Transistors 18 verbundenen Modulatoranschluß η auf.

Am Modiilatofanschluß ;i und damit an der Basis des Transistors 18 ist einerseits ein mit Masse verbundener ■> Basiswiderstand R I und andererseits ein parallel zu diesem Basiswidersland R1 geschalteter, aus einer Spule Ll und einem Kondensator Cl bestehender Parallelresonanzkreis angeschaltet, in dessen Spulenzweig ein weiterer Kondensator C2 zur Erzeugung eines Dämpfungspoles unterhalb des Durchlaßbereiches in Serie zur Spule L 1 geschaltet ist. An den mit dem Emitter des Transistors 18 verbundenen Modulatoranschluß c ist weiterhin ein aus einem Kondensator C3 und einer Spule /. 2 bestehender und an Masse geführter

π Serienresonan/kreis angeschaltet. Zur Erzeugung eines Dampfungspols oberhalb des Durchlaßbereiches ist der Spule 1.2 ein Kondensator C4 parallelgeschaltel. Es übernimmt also bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig 1 Her TrnnMilnr 18 riip Funktion des Transistors T des Ausführungsbeirpielesgemäß Fig. 1.

Mit dem Emitter des Transistors 18 und damit mit dem Modulatornnschluß c ist ferner der Modulatoranschluß e und damit der Kollektor des Transistors 22 verbunden, dessen Emitter über einen an den Modulatoranschluß d angeschalteten Widerstand R 4 mit Masse verbunden ist. Die Basis des Transistors 22 ist über den Modulatoranschluß F und einen weiteren Widerstand R 3. dem ein Kondensator C5 parallelgeschaltet ist. mit Masse verbunden. 13er mit dem Kollektor des

ίο Transistors 18 verbundene Modulatoranschluß b ist einerseits direkt mit dem Ausgangsanschluß U der Anordnung und andererseits über einen Widerstand R 6, dem gegebenenfalls ein Kondensator C6 parallelgeschallet ist, mit Müsse verbunden. An den Anschluß g

η des Modulators M ist über einen Widerstand /?5 die Betriebsspannung + Un angelegt. So sind ferner die Anschlüsse η und r des Modulators M über einen Widerstand R 2 miteinander verbunden, wobei an den Anschluß r die Betriebsspannung — Ub angelegt ist.

ίο Direkt miteinander verbunden sind ferner die Anschlüsse k. h, i, die wiederum über einen Widerstand R7 mit dem Anschluß m verbunden sind. Weiterhin sind die Anschlüsse ρ und q des Modulators über einen Widerstand /?8 verbunden, und es ist zwischen den

'' Anschlüssen k und /ein Widerstand /?9 geschaltet. Zur Vermeidung gegenseitiger Beeinflussung der Basisspannungen der Transistoren 11 und 14 durch die unsymmetrisch eingespeiste Signalspannung Ui und Trägerspannung Ur über die miteinander verbundenen Anschlüsse i. h und k, können diese Anschlüsse über einen in der F i g. 3 nicht eigens dargestellten Kondensator mit Masse verbunden werden. Bei der Anordnung nach Fig. 3 ist die Stromquelle SQ2 gemäß Fig. 1 durch den Transistor 22 realisiert. Durch den mit der

" Basis dieses Transistors 22 verbundenen Kondensator CS werden die in dieser Gleichstromquelle störenden Modulationsprodukte unterdrückt. Mit dem sich durch }_Λ und dem parallel zum Kondensator CS geschalteten Widerstand /?3 ergebenden Arbeitspunkt des Transistors 22 und dem an den Emitter des Transistors 22 geschalteten Widerstand R 4 wird der in den Transistor 18 fließende Strom festgelegt.

Durch den zwischen dem Modulatoranschluß g und der Betriebsspannung + Ub geschalteten Widerstand RS wird das am Modulatoranschluß g auftretende Potential gegen -Ub verkleinerl und damit der Aussteuerbereich für die Transistoren 18 und 22 vergrößert. Durch den dem Kollektor des Transistors 18

vorgeschalteten Widerstand /?6 wird der geforderte Innenwiderstand der Schaltung realisiert. Durch den parallel zum Widerstand R6 geschalteten kondensator C6 kann zusätzlich die Dämpfung für hohe Frequenzen erhöht werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung mit je einem Dämpfungspol unter- und oberhalb des Durchlaßbereiches, bei der als verstärkendes Element ein in Emitterschaltung betriebener Transistor und als Selektionsmittel aus Kondensatoren und Spulen bestehende Resonanzkreise vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisanschluß des Transistors (T) mit einer ersten Gleichstromquelle (SQ 1) hohen Innenwiderstandes verbunden ist, daß einem mit der Betriebsspannung (U_n) verbundenen Basiswiderstand (R 1) ein aus einem Kondensator (C\) und einer Spule (L\) bestehender Parallelresonanzkreis parallelgeschallet ist, daß der Spule (L 1) des Parallelresonanzkreises ein weiterer Kondensator (C2) zur Erzeugung eines Dämpfungspoles unterhalb des Durchlaßbereiches vorgeschaltet ist, daß der Emitteranschluß des Transistors (T)mit einer weiteren Gleichstromquelle (SQ 2) hohe ι Innenwiderstandes zur Einprägung des Ernitterstromes verbunden ist, daß der weiteren Gleichstromquelle (SQ 2) ein aus einem Kondensator (Ci) und einer Spule (L 2) bestehender Serienresonanzkreis parallelgeschaltei ist, daß zur Erzeugung eines Dämpfungspoles oberhalb des Durchlaßbereiches der Spule (L2) des Serienresonanzkreises ein mit Masse verbundener Kondensator (C4) parallelgeschaltet ist, und daß der Kollektoranschluß des Transistors (T) über einen Widerstand (R.\) mit der Betriebsspannung (Ub) verbunden ist und den Aus/ang (U.\) der Anordnung darstellt.

2. Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der Basiswiderstand (R 1) als Serienschaltung zweier Widerstände ausgeführt ist. vo·. denen einer durch einen Kondensator überbrückt ist.

3. Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der Basiswiderstand (Ri) als Serienschaltung zweier Basiswiderslände ausgeführt ist, daß der Parallelresonanzkreis parallel /u dem ersten, unmittelbar mit dem Basisanschluß verbundenen der Basiswiderstände angeordnet ist. und daß der zur Erzeugung eines Dämpfungspoles vorgesehene Kondensator parallel /u dem zweiten der Basiswiderstände angeordnet ist.

4. Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß der /ur Erzeugung eines Dämpfungspoles vorgesehene Kondensator (( '* zwischen dem Emitteranschluß des Transistors ui Masse angeordnet ist.

5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (T) Teil einer integrierten Schaltung tines Doppelgegentaktmodulators ist. bei dem die Kollektoren von vier Transistoren (1 bis 4) des gleichen l.eitfähigkeitstyps paarweise miteinander verbunden und an einen Anschluß (a. f) des Modulatorausganges geführt sind, die Basisanschlüsse zweier, koilektorseitig an verschiedenen Anschlüssen des Modulatorausganges liegender Transistoren (2, 3,' j, 4) miteinander verbunden und miteinander gegenphasigen Trägerspannungen be* aufschlagbaf sind und bei dem jeweils zwei Transistoren (1, 2; 3, 4), deren Kollektoren an verschiedenen Anschlüssen des Modulatorausgan·

ges und deren Basisanschlüsse an verschiedenen Basisverbindungen liegen, emitterseitig miteinander verbunden sind, wobei an die Emitterverbindung jeweils der Kollektor eines von zwei weiteren Transistoren (10) angeschlossen ist, wobei die Kollektoren der beiden weiteren Transistoren einander gegenphasig SignalstrGme an die Emitter abgeben und wobei wenigstens bei einem der beiden weiteren Transistoren (10) der Emitter mit der Basis und die Basis mit dem Kollektor eines zusätzlichen Transistors (12) verbunden ist, dessen Kollektor über einen Lastzweig mit der Versorgungsspannung (+ Un, g) verbunden ist, wobei die weiteren Transistoren (!0) jeweils mit dem zusätzlichen Transistor (12) beschältet sind und der zusätzliche Transistor (12) jeweils Bestandteil eines Differenzverstärkers ist, wobei der Transistor (T) durch einen mit seiner Basis am Anschluß (α), mit seinem Kollektor an einem Anschluß (b) und nvt seinem Emitter an einem Anschluß (c) des Modulatorausganges anliegenden Transistor (18) dargestellt ist und die weitere Gleichstromquelle (SQ 2) durch einen mit seiner Basis am Anschluß (f), mit seinem Kollektor an einem Anschluß (e) und mit seinem Emitter an einem Anschluß (d) des Modulatorausganges anliegenden Transistor (22) dargestellt ist.