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Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung
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Die Erfindung betrifft eine verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung
mit je einem Dämpfungspol unter- und oberhalb des Durchlaßbereiches, bei der als
verstärkendes Element ein in Emitterschaltung betriebener Transistor und als Selektionsmittel
aus Kondensatoren und Spulen bestehende Resonanzkreise vorgesehen sind.
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Bandfilter sind Resonanzschaltungen, bei denen wenigstens zwei Resonanzkreise
miteinander gekoppelt sind. Zweikreisige Bandfilter bestehen aus zwei Schwingkreisen,
die entweder induktiv oder kapazitiv miteinander gekoppelt sind. Derartige Kopplungsmöglichkeiten
zweikreisiger Bandfilter sind aus dem 1. Band des im Verlag für Radio-Foto-Kinotechnik
GmbH, Berlin-Borsigwalde, erschienen Buches ~Elektrische Nachrichtentechnik von
Dr. H. Schröder, insbesondere Seite 590, Bild 365 bekannt. Zur Erzielung einer möglichst
großen Wirkleistungsverstärkung bei einer vorgeschriebenen Selektionskurve, beispielsweise
bei Zwischenfrequenzverstärkern von Rundfunkeinrichtungen, sind selektive Verstärker
erforderlich, die beispielsweise aus einem vorstehend angegebenen zweikreisigen
Bandfilter und einer nachgeschalteten, in Emitterschaltung betriebenen Transistorstufe
bestehen.
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Für höhere Ansprüche hinsichtlich des Dämpfungsverlaufes, beispielsweise
zur Erzielung eines steileren Dämpfungsabfalles an den Bandgrenzen ist es ferner
bekannt, durch zusätzliche Reaktanzelemente einen Dämpfungspol unter-und/oder oberhalb
des Durchlaßbereiches zu erzeugen.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Bandfilteranordnung
der eingangs erwähnten Art, derart weiterzubilden, daß bei geringem schaltungstechnischem
Aufwand eine hohe und vom Abschlußwiderstand weitgehen unabhängige Betriebsgüte
der Resonanzkreise gewährleistet ist.
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Ausgehend von einer verstärkenden Zweikreis-Bandfilteranordnung mit
Je einem Dämpfungspol unter- und oberhalb des Durchlaßbereiches, bei der als verstärkendes
Element ein in Emitterschaltung betriebener Transistor und als Selektionsmittel
aus Kondensatoren und Spulen bestehende Resonanzkreise vorgesehen sind, wird diese
Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Basisanschluß des Transistors
mit einer ersten Gleichstromquelle hohen Innenwiderstandes verbunden ist, daß einem
mit der Betriebsspannung verbundenen Basiswiderstand ein aus einem Kondensator und
einer Spule bestehender Parallelresonanzkreis parallel geschaltet ist, daß der Spule
des Parallelresonanzkreises ein weiterer Kondensator zur Erzeugung eines Dämpfungspoles
unterhalb des Durchlaßbereiches vorgeschaltet ist, daß der Emitteranschluß des Transistors
mit einer weiteren Gleichstromquelle hohen Innenwiderstandes zur Einprägung des
Emitterstromes verbunden ist, daß der weiteren Gleichstromquelle ein aus einem Kondensator
und einer Spule bestehender Serienresonanzkreis parallelgeschaltet ist, daß zur
Erzeugung eines Dämpfungspoles oberhalb des Durchlaßbereiches der Spule des Serienresonanzkreises
ein mit Masse verbundener Kondensator parallelgeschaltet ist, und daß der Kollektoranschluß
des Transistors über einen Widerstand mit der Betriebsspannung verbunden ist und
den Ausgang der Anordnung darstellt.
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Von besonderem Vorteil der Erfindung ist die weitgehend rUckwirkungsfreie
Entkopplung beider Resonanzkreise durch einen Transistor, die eine voneinander unabhängige
Abstimmung beider Resonanzkreise gestattet, sowie die geger.über einem einfachen
Zweikreisfilter bessere Selektionswirkung, da auf ein verlustbehaftetes Koppelelement,
das eine Verschlechterung der Selektion zur Folge hat, verzichtet werden kann. Vorteilhaft
ist auch die gleichzeitige Ve###rkerfunktion der erfindungsgemäßen Bandfilt eranordnung.
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Vorteilhaft ist weiterhin, daß der Wert eines Ausgangswiderstandes
in einem weiten Bereich frei wählbar und dabei ohne Einfluß auf die Filtercharakteristik
ist.
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Von Bedeutung ist ferner, daß wegen der Festlegung der Betriebsguten
beider Resonanzkreise durch den Basiswiderstand, der Wert der Resonanzkreis-Spulen
in einem für die Spulengüte jeweils optimalen Bereich gewählt werden kann.
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In Weiterbildung der Erfindung ist der Transistor als Teil einer integrierten
Schaltung eines Doppelgegentaktmodulators vorgesehen, derart, daß der Transistor
und die weitere Gleichstromquelle durch freie Transistorfunktionen der integrierten
Schaltung realisiert sind. Bei dieser Weiterbildung der Erfindung kann nach einer
Modulation die Nutzfrequenz, bzw. das Nutzfrequenzband ausgefiltert und mit einem
vorgegebenen Pegel und Innenwiderstand einem Verbraucher zugeführt werden.
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Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den weiteren
Unteransprüchen angegeben.
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Nachstehend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen noch
näher erläutert.
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Es zeigen in der Zeichnung: Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel Fig. 2
eine bekannte integrierbare Modulatoranordnung Fig. 3 eine erfindungsgemäße äußere
Beschaltung der Anordnung nach Fig. 2 Fig. 1 zeigt eine verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung
mit je einem Dämpfungspol unter- und oberhalb des Durchlaßbereiches, bei der als
verstärkendes Element ein in Emitter-Grundschaltung betriebener Transistor T an
seinem Basisanschluß mit dem einen Anschluß einer ersten Gleichstromquelle SQ1 hohen
Innenwiderstandes verbunden ist, deren anderer Anschluß an Masse anliegt. Ein mit
dem Basisanschluß des Transistors T verbundener Basiswiderstand R1 und ein mit dem
Kollektoranschluß des Transistors T verbundener Ausgangswiderstand RA sind gemeinsam
mit der Betriebsspannung UB verbunden. Der Kollektoranschluß des Transistors ist
weiterhin mit einer die Ausgangsspannung UA führenden Ausgangsklemme verbunden,
und zwischen dem Emitteranschluß und der Masse ist eine weitere Gleichstromquelle
SQ2 hohen Innenwiderstandes zur Einprägung des Emitterstromes geschaltet. Parallel
zu dem Basiswiderstand R1 ist ein aus einem Kondensator C1 und einer Spule L1 bestehender
Parallelresonanzkreis angeordnet, in dessen Spulenzweig ein weiterer Kondensator
C2 zur Erzeugung eines Dämpfungspoles unterhalb des Durchlaßbereiches zur Spule
L1 in Serie geschaltet ist.
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Als zweiter Resonanzkreis ist ein parallel zur weiteren Gleichstromquelle
SQ2 angeordneter, aus einem Kondensator C3 und einer Spule L2 bestehender Serienresonanzkreis
vorgesehen. Zur Erzeugung eines Dämpfungspoles oberhalb des Durchlaßbereiches ist
der Spule L2 des Serienresonanzkreises, die hierbei an
einem Anschluß
mit Masse verbunden ist, ein Kondensator C4 parallelgeschaltet.
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Der Gleichstromquelle SQ1 ist bei der Schaltung gemäß Fig. 1 der Signalstrom
überlagert, und es wird durch diese Gleichstromquelle über den Basiswiderstand R7
das Basispotential des Transistors T festgelegt. Damit wird die Betriebsgüte des
Parallel-und des Serienresonanzkreises durch den Basiswiderstand R1 gleichzeitig
festgelegt. Durch die mit dem Emitteranschluß des Transistors T verbundene weitere
Gleichstromquelle SQ2 wird ein Emitterstrom eingeprägt und damit gleichzeitig über
den Kollektorwiderstand RA das Ausgangsruhepotential festgelegt.
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Besonders vorteilhaft ist es, daß durch die Stromquelle SQ2 ein eigener
Emitterwiderstand nicht mehr erforderlich ist, durch den die Güte des emitterseitigen
Serienresonanzkreises verringert würde.
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Bei einer in der Zeichnung nicht eigens dargestellten Weiterbildung
der Erfindung ist die Gute der Parallel- und Serienresonanzkreise dadurch einstellbar,
daß der Basiswiderstand R1 durch die Serienschaltung zweier Widerstände ersetzt
ist, von denen beispielsweise der an der Betriebsspannung U3 anliegende Widerstand
durch einen weiteren Kondensator überbrückt ist.
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Bei einer weiteren Schaltungsvariante ist der parallel zur Spule L2
des Serienresonanzkreises liegende Kondensator C4 durch die Eigenkapazität der Spule
L2 des Serienschwingkreises realisiert. Eine weitere Moglichkeit zur Realisierung
eines Dämpfungspoles oberhalb des Durchlaßbereiches besteht darin, den Kondensator
C4 nicht parallel zur Spule L2, sondern zum gesamten Serienschwingkreis zu schalten.
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Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ergibt sich im Zusammenhang
mit einer in Fig. 2 dargestellten bekannten Modulatoranordnung.
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Bei dem in Fig. 2 gezeigten, aus der DPS 23 64 156 bekannten Doppelgegentaktmodulator
sind die Kollektoren der vier Transistoren 1 bis 4, die den gleichen Leitfähigkeitstyp
aufweisen, paarweise miteinander verbunden, wobei die Kollektoren der Transistoren
1 und 3 an den Anschluß a und die Kollektoren der Transistoren 2 und 4 an den Anschluß
f des Modulatorausgangs geftihrt sind.
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Die Transistoren 1 bis 4 werden Jeweils an der Basis mit einer rechteckförmigen
Trägerspannung beaufschlagt. Die Trägereingangsklemmen k und 1 sind über die Widerstände
53 und 54 an die Basisanschlüsse der Transistoren 14 und 15 geführt, die als Differenzverstärker
geschaltet sind und an den Kollektoren einander gegenphasig rechteckförmige Trägerspannungen
abgeben.
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Mit Hilfe des Transistors 16, dessen Emitter über den Widerstand 57
an die Spannung UB und dessen Basis an eine mit Hilfe der beiden als Dioden geschalteten
Transistoren 27 und 28 stabilisierte Gleichspannung geführt ist, wird in die Emitterverbindung
der Tranistoren 14 und 15 ein Gleichstrom eingeprägt. Die Kollektoren der Transistoren
14 und 15 sind über Je einen Widerstand 51 bzw. 52 und die gemeinsam nachgeschaltete
Emitter-Kollektor-Strecke des Tranistors 13 an die Spannung +UB geführt, wobei die
Basis des Transistors 13 mit einer Gleichspannung beaufschlagt wird, die an dem
aus den Widerständen 63, 64, 66 und den Transistoren 27 und 28 bestehenden Spannungsteiler,
und zwar am Verbindungspunkt der Widerstände 63 und 64, abgegriffen wird.
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Die Basisanschlüsse der Transistoren 1 und 4 sind gemeinsam an den
Kollektor des Transistors 14, die Basisanschlüsse der Transistoren 2 und 3 gemeinsam
an den Kollektor des Transistors 15 angeschlossen.
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Die Emitterverbindung der Transistoren 1 und 2 ist an den Kollektor
des in der signalgesteuerten Schaltung 401 enthaltenen
Transistors
10 angeschlossen. Die Emitterverbindung der' Transistoren 3 und 4 liegt am Kollektor
des in der weiteren signalgesteuerten Schaltung 402 enthaltenen Transistors 10.
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Die signalgesteuerten Schaltungen 401 und 402 sind in gleicher Weise
aufgebaut. Einander entsprechende Schaltmittel sind daher mit gleichen Bezugszeichen
versehen.
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Die Transistoren 21 und 25, deren Basisanschlüsse miteinander verbunden
und an den Anschluß n bzw. über den als Diode geschalteten Tranistor 17 und den
Widerstand 58 an die Spannung -UB geführt sind, sind mit ihrem Emitter Jeweils über
einen Widerstand 60 bzw. an die Spannung -UB geführt und liefern an ihrem Kollektor
Jeweils einen eingeprägten Gleichstrom, der Jeweils dem Emitter eines der beiden
Transistoren 10 zugeführt wird.
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Die Transistoren 26 und 29 sind Jeweils mit ihrer Basis an die mit
Hilfe der Transistoren 27 und 28 stabilisierte Gleichspannung geführt, mit ihrem
Emitter über Je einen Widerstand 59 bzw.
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62 an die Spannung -UB gelegt und mit ihrem Kollektor Jeweils an die
Emitterverbindung der Transistoren 11 und 12 der zugehörigen signalgesteuerten Schaltung
401 bzw. 402 gelegt.
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Die Schaltungen 401 und 402 sind Jeweils über einen der Widerstande
55 und 65 an einen der Anschlüsse m und i geführt, an die eine symmetrische Eingangssignalspannung
gelegt werden kann.
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Die Schaltungen 401 und 402 gewährleisten, daß die mit Hilfe der Transistoren
10 in die vier Transistoren 1 bis 4 eingeprägten Arbeitsströme besonders klein gewählt
werden können. Die gezeigten Schaltungen 401 bzw. 402 können für den Fall, daß an
den Doppelgegentaktmodulator nicht ganz so große Forderungen gestellt werden, in
vereinfachter Form so abgewandelt werden, daß bei dem Differenzverstärker, bei dem
von zwei emitterseitig miteinander und über einen, insbesondere durch einen Widerstand
gebildeten Stromzweig an einen Anschluß der Versorgungsspannungsquelle
geführten
Transistoren der eine mit seinem Kollektor unmittelbar und der andere über einen
Widerstand an Versorgungsspannung liegt der kollektorseitig unmittelbar an Versorgungsspannung
liegende Transistor basisseitig mit dem Modulatoreingang verbunden ist und der kollektorseitig
mit dem Widerstand beschaltete Transistor der zusätzlich vorgesehene Transistor
ist.
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Die in Fig. 2 gezeigten Schaltungen 401 und 402 sind dagegen so ausgebildet,
daß bei dem Differenzverstärker in die Emitterverbindung der beiden Transistoren
11 und 12 mit Hilfe des im gemeinsamen Stromzweig liegenden Transistors 29 ein Gleichstrom
eingeprägt wird und daß die Kollektoren der Transistoren 11 und 12 des Differenzverstärkers
an eine Schaltung zur Aufteilung des eingeprägten Gleiehstromes in zwei gleich große
Teilströme angeschlossen sind.
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Die Schaltung zur Aufteilung des in dem Differenzverstärker eingeprägten
Gleichstromes enthält die drei Transistoren 7, 8 und 9. Die Transistoren 7 und 8
sind Jeweils mit ihrem Emitter über einen von zwei gleich groß bemessenen Widerständen
45 und 46 mit Versorgungsspannung +UB verbunden und basisseitig unmittelbar und
kollektorseitig über die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 9 verbunden. Der
Transistor 9 liegt mit seiner Basis am Kollektor des Transistors 11 und mit seinem
Kollektor am Kollektor des Transistors 12.
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Die Schaltung aus den Transistoren 7, 8, 9 und 10 und den gleich groß
bemessenen Widerständen 45 und 46 gewährleistet, daß der Strom, der dem Kollektor
des Transistors 8 zufließt, insbesondere auch dann einen Kollektorstrom in gleicher
Höhe im Transistor 9 zur Folge hat, went sich die Eingangsspannung und/oder die
Ver#orgungsspannung ändert. Damit ergibt sich eine Aufteilung des Quellengleichstromes
zu gleichen Teilen in die beiden Transistoren 11 und 12 und somit eine besonders
weitgehende Kompensation der Verzerrungen gerader Ordnung und von ungerayon Harmonischen.
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Die Basisanschlüsse der Transistoren 12 liegen an den Anschlüssen
p, q. Zwischen diesen Anschlüssen kann ein Widerstand angelegt werden, der die Modulationsverstärkung
bestimmt. Mit Hilfe eines in Serie zu diesem Widerstand geschalteten Kondensators
läßt sich eine gleichstromääßige Entkopplung des äußeren Stromzweiges von der Modulatorschaltung
erreichen.
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Dem Transistor 10 ist ein die Transistoren 11 und 12 enthaltender
Differenzverstärker vorgeschaltet. Dabei sind die Basis des Transistors 10 unmittelbar
mit dem Kollektor des Transistors 12 und der Emitter des Transistors 10 unmittelbar
mit der Basis des Transistors 12 verbunden.
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Zwischen dem Emitter des Transistors 12 und dem am Anschluß r anliegenden
negativen Pol -UB der Versorgungsspannungsquelle liegt eine Stromquelle eingeprägten
Gleichstromes. Der weitere Transistor 11 des Differenzverstärkers ist mit seinem
Emitter unmittelbar an den Emitter des Transistors 12 geführt und wird an seiner
Basis mit dem modulierenden Signal beaufschlagt.
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Bei dem Differenzverstärker ist zwischen die Emitterverbindung der
beiden Transistoren 11 und 12 und dem negativen Anschluß der Vers orgungs spannungsquelle
eine Gleichspannungsquelle eingefügt, die einen Gleichstrom in die Emitterverbindung
einprägt-.
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Die Kollektoren der Transistoren 11 und 12 sind an eine Schaltung
zur Aufteilung des eingeprägten Gleichstromes in zwei gleich große Gleichatrame
angeschlossen.
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Der Transistor 10 ist in Emitter-Grundschaltung geschaltet. Dabei
ist der Kollektor des Transistors 10 über seinen Kollektorkreis bzw. über die Emitter-Kollektorstrecken
der Transistoren 1 und 2 bzw. 3 und 4 und eine darauffolgende, in der Figur nicht
näher dargestellte Ausgangsschaltung an den positiven Pol +UB und der Emitter über
seinen Emitterkreis an den negativen Pol -UB der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen.
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Die Emitterspannung U des Transistors 10 folgt der Eingangsspannung
Ubil auch gleichspannungsmäßig und zwar ohne Schwelle.
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Um eine große Emitterspannung Uei2 des Transistors 12 bei großem Widerstand
Rres zu ermöglichen, kann als Arbeitswiderstand des Transistors 12 zweckmäßigerweise
eine Stromquelle geschaltet werden, die dynamisch hochohmig ist; in den Emitter
des Transistors 12 fließt dann nur mehr der Basiswechselstrom des Transistors 10.
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Nachteilig bei der integrierten Schaltung nach Fig. 2 ist die fest
vorgegebene interne Verbindung der Basisanschlüsse der Transistoren 18 und 22 mit
den Kollektoren der Transistoren 1 bis 4, wodurch eine BinSUgung selektiver Schaltmittel
an dieser Stelle nicht möglich ist.
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Eine vorteilhafte Möglichkeit zur Vermeidung dieser schaltungsmäßigen
Einschränkung ist durch die in der Fig. 3 angegebene erfindungsgeaäße äußere Beschaltung
gegeben.
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In Fig. 3 ist die Schaltung nach Fig. 2 entsprechend dem in der Fig.
1 dargestellten Prinzipschaltbilds der Erfindung ergänzt.
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Zur besseren Übersicht ist in der Fig. 3 die Modulatoranordnung nach
Fig. 2 als mit dem Bezugszeichen M versehener Schaltungsblock dargestellt, der mit
Anschlüssen versehen ist, deren Bezugszeichen mit denen der Darstellung nach Fig.
2 übereinstimmen. Mit den Schaitmitteln der Fig. 1 wirkungsgleiche Schaltmittel
sind mit übereinstimmenden Bezugszeichen versehen. Innerhalb des Modulators M sind
die in der Fig. 2 dargestellten Transistoren 18 und 22 mit ihrer Basis an die Modulatorausgangsklemmen
a und f angeschlossen. Wie ferner aus der Fig. 2 ersichtlich ist, sind die Kollektoren
und Emitter der in der Fig. 3 nlcht eigens dargestellten Transistoren 18 und 22
der Modulatoranordnung an die Anschlüsse b bis e geführt. In der Fig. 3 ist die
erfindungsgemäße Zweikreis-Bandfilteranordnung durch eine äußere Beschaltung der
Modulatoranordnung M wie folgt realigiert. Die Signal-Eingangsspannung UE wird über
einen Kondensator
CE unsymmetrisch der Eingangsklemme m des Modulators
und damit der Basis des Transistors 11 zugeführt. In gleicher Weise wird auch die
Trägerspannung UT über einen Kondensator CT der Eingangsklemme 1 des Modulators
M und damit der Basis des Transistors 15 zugeführt. Die Betriebsspannung -UB liegt
unmittelbar an dem Anschluß r an und es wird über einen zusätzlich an der Betriebsspannung
UB anliegenden Widerstand R2 und dem mit dem Widerstand R2 verbundenen Modulatoranschluß
n der durch die Transistoren 21 und 25 eingeprägte und an den Modulatoranschlüssen
auftretende Arbeitsstrom JA eingestellt. Dieser mit dem Signalstrom überlagerte
und mit der Umpolfunktion der Trägerspannung UT multiplizierte Strom tritt an dem
mit der Basis des Transistors 22 verbundenen Modulatoranschluß f und an dem mit
der Basis des Transistors 18 verbundenen Modulatoranschluß a auf.
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Am Modulatoranschluß a und damit an der Basis des Transistors 18 ist
einerseits ein mit Masse verbundener Basiswiderstand R1 und andererseits ein parallel
zu diesem Basiswiderstand R1 geschalteter, aus einer Spule L1 und einem Kondensator
Cl bestehender Parallelresonanzkreis angeschaltet, in dessen Spulenzweig ein weiterer
Kondensator C2 zur Erzeugung eines Dämpfungspoles unterhalb des Durchlaßbereiches
in Serie zur Spule L1 geschaltet ist. An den mit dem Emitter des Transistors 18
verbundenen Modulatoranschluß c ist weiterhin ein aus einem Kondensator C3 und einer
Spule L2 bestehender und an Masse geführter Serienresonanzkreis angeschaltet. Zur
Erzeugung eines Dämpfungspols oberhalb des Durchlaßbereiches ist der Spule L2 ein
Kondensator C4 parallelgeschaltet. Es übernimmt also bei dem AusfUhrungsbeispiel
gemäß Fig. 3 der Transistor 18 die Funktion des Transistors T des Ausfübrungsbeispieles
gemäß Fig. 1.
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Mit dem Emitter des Transistors 18 und damit mit dem Modulatoranschluß
c ist ferner der Modulatoranschluß e und damit der Kollektor des Transistors 22
verbunden, dessen Emitter über
einen an den Modulatoranschluß d
angeschalteten Widerstand R4 mit Masse verbunden ist. Die Basis des Transistors
22 ist über den Nodulatoranschluß f und einen weiteren Widerstand R3, dem ein Kondensator
C5 parallelgeschaltet ist, mit Masse verbunden. Der mit dem Kollektor des Transistors
18 verbundene Nodulatoranschluß b ist einerseits direkt mit dem Ausgangsanschluß
UA der Anordnung und andererseits über einen Widerstand R6, dci gegebenenfalls ein
Kondensator C6 parallelgeschaltet ist, mit Masse verbunden. An den Anschluß g des
Modulators M ist über einen Widerstand R5 die Betriebsspannung +UB angelegt. Es
sind ferner die Anschlüsse n und r des Modulators M über einen Widerstand R2 miteinander
verbunden, wobei an den Anschluß r die Betriebsspannung -UB angelegt ist. Direkt
mit.
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einander verbunden sind ferner die Anschlüsse k, h, i, die wiederum
über einen Widerstand R7 mit dem Anschluß m verbunden sind. Weiterhin sind die Anschlüsse
p und q des Modulators über einen Widerstand R8 verbunden, und es ist zwischen den
Anschlossen k und 1 ein Widerstand R9 geschaltet. Zur Vermeidung gegenseitiger Beeinflussung
der Basisspannungen der Transistoren 11 und 14 durch die unsymmetrisch eingespeiste
Signalspannung h und Trägerspannung UT über die miteinander verbundenen Anschlüsse
i, h und k, können diese Anschlüsse über einen in der Fig. 3 nicht eigens dargestellten
Kondensator mit Masse verbunden werden. Bei der Anordnung nach Fig. 3 ist die Stromquelle
SQ2 gemäß Fig. 1 durch den Transistor 22 realisiert. Durch den mit der Basis dieses
Transistors 22 verbundenen Kondensator C5 werden die in dieser Gleichstromquelle
störenden Modulationsprodukte unterdrückt. Mit dem sich durch JA und derxparallel
zum Kondensator C5 geschalteten Widerstand R3 ergebenden Arbeitspunkt des Transistors
22 und dem an den Emitter des Transistors 22 geschalteten Widerstand R4 wird der
in den Transistor 18 fließende Strom feitgelegt.
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Durch den zwischen dem Modulatoranschluß g und der Betriebsspannung
+UB geschalteten Widerstand R5 wird das am Modulatoranschluß g auftretende Potential
gegen -UB verkleinert und damit
der Aussteuerbereich für die Transistoren
18 und 22 vergrößert. Durch den dem Kollektor des Transistors 18 vorgeschalteten
Widerstand R6 wird der geforderte Innenwiderstand der Schaltung realisiert. Durch
den parallel zum Widerstand R6 geschalteten Kondensator C6 kann zusätzlich die Dämpfung
für hohe Frequenzen erhöht werden.
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5 Datentansprüche 3 Figuren
L e e r s e i t e