JP3191119B2 - ラジオ受信機 - Google Patents

ラジオ受信機

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JP3191119B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本願は、大きな減衰効果が得られ
る主として車載用に有効なラジオ受信機に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、アンテナ信号に応じて同調周波数
を可変する可変容量ダイオードを備えたアンテナ同調回
路の前段に減衰回路を接続し、かつ、減衰回路と高周波
増幅回路のFET(電界効果トランジスタ)の第2ゲー
トとに、受信電界強度に応じて発生する利得制御信号を
印加して、アンテナ入力信号の電界強度が第1レベルを
越えたときに、減衰回路によりアンテナ入力信号を減衰
して同調回路の可変容量ダイオードの非直線性による相
互変調妨害を除去し、さらに電界強度が前記第1レベル
よりも高い第2レベルを越えたとき、前記減衰回路に加
えて高周波増幅回路の増幅利得を制御するように構成し
た受信機の受信入力レベルの制御装置は、例えは実公平
1−17855号公報において公知である
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記した公知
の構成によれば、アンテナ同調回路の前段に減衰回路を
接続して成るので、同調用の可変容量ダイオードの飽和
を強い受信電界強度から保護することができるが、減衰
回路の減衰量を大きく求めようとするときは、アンテナ
同調回路のインピーダンス変化による同調ズレが大きく
なるため、減衰回路における減衰率に自ら制限を受け
る。そのため、強い受信電界強度に対し、前記した減衰
回路における減衰量の不足分を補うために、電界強度が
第1レベルよりも高い第2レベルを越えたとき、高周波
増幅回路の増幅度を抑制しているが、電界強度が極めて
高い場合には、高周波増幅回路が飽和して混変調歪を誘
発する惧れがある。
【0004】
【課題を解決するための手段】そこで本願は、高周波増
幅素子に信号が入力する以前に、その信号入力を大幅に
減衰することができるように、アンテナ入力端とアンテ
ナ同調回路との間に、コンデンサと減衰素子とをL字型
接続とした減衰回路を複数段接続し、かつ、前記減衰回
路の減衰素子をAGC出力端に対し直列接続すると共
に、後段の減衰回路に、その減衰量が前段の減衰回路の
減衰量より少なくなるように制限手段を設け、またはア
ンテナ入力端とアンテナ同調回路との間に、コンデンサ
と減衰素子とをL字型接続とした減衰回路を複数段接続
し、かつ、前記減衰回路の減衰素子をAGC出力端に対
し並列接続すると共に、後段の減衰回路に、その減衰量
が前段の減衰回路の減衰量より少なくなるように制限手
段を設けたことを特徴とするものである。
【0005】
【作用】しかして、アンテナ入力信号の電界強度が弱い
場合にはAGC電圧も低いので、アンテナ入力信号は殆
ど減衰されることなく、アンテナ同調回路に入力して共
振されたのち、次段の高周波増幅素子に入力する。そし
てアンテナ入力信号の電界強度が強くなると、AGC電
圧も高くなるので、第1及び第2減衰回路が同時に駆動
するので、アンテナ入力信号は、各減衰回路により減衰
されてアンテナ同調回路の可変容量ダイオードは強入力
電界から保護され、アンテナ同調回路と共振されたアン
テナ入力信号は、次段の高周波増幅素子に入力する。上
記において、第1及び第2減衰回路は同時に減衰動作す
るが、第2減衰回路には制限手段が接続されているの
で、該回路の動作立ち上がりが第1減衰回路に比し遅
れ、AGC電圧が比較的低い時は、第1減衰回路が支配
的に作用し、次いで電界強度が強くなってAGC電圧が
高くなると、第1減衰回路の減衰作用が第2減衰回路よ
り先に飽和し、第1減衰回路の減衰に加え第2減衰回路
による減衰作用が行われる。即ち第1,第2減衰回路に
より、アンテナ同調回路における可変容量ダイオード
は、強入力の電界強度から保護されると共に、第2減衰
回路の減衰作用が第1減衰回路より遅れることでインピ
ーダンスの変化による同調ズレが生じない限度で減衰が
行われ、かつ、前記第1減衰回路による減衰量の不足分
は、後段の第2減衰回路による減衰作用によって補足さ
れる。
【0006】
【実施例】以下図面にもとづいて本願の実施例を詳述す
ると、アンテナ端子1に、第1減衰回路2と第2減衰回
路3とを夫々構成するコンデンサ4と5及びアンテナ同
調ダンピング用のコンデンサ6が夫々直列接続され、こ
のコンデンサ6に同調コイル8aと一対の可変容量ダイ
オード8b,8bとから成るアンテナ同調回路8が接続
され、該アンテナ同調回路8の可変容量ダイオード8
b,8bの接続点に選局電圧VTが印加される。前記第
1減衰回路2は、前記コンデンサ4と、該コンデンサ4
にL型接続された一対のPINダイオード9a,9bと
から成り、また第2減衰回路3は、前記コンデンサ5
と、該コンデンサ5にL型接続された一対のPINダイ
オード10a,10bとから成り、前記PINダイオー
ド9a,9bと10a,10bとが直列接続されて、後
述するFMフロントエンドIC22のAGC電圧を出力
する第6端子に接続してあり、後段の第2減衰回路3を
構成する一対のPINダイオード10a,10b間に減
衰量を制限するための制限抵抗11が接続してある。
【0007】前記アンテナ同調回路8の出力端には、結
合コンデンサ12を介してMOSFETから成る高周波
増幅素子13の第1ゲートGが接続され、この高周波
増幅素子13のドレーンDは、結合コンデンサ14を介
して同調コイル16と一対の可変容量ダイオード16
b,16bとから成る高周波同調回路16aに接続さ
れ、この高周波同調回路16の出力が結合コンデンサ1
8を介して、周波数変換回路19、中間周波増幅回路2
0及び利得制御回路21から成るFMフロントエンドI
C22(例えば三洋電機製LA1175)の周波数変換
回路19の入力端子である第5端子に接続されている。
【0008】しかして、アンテナ端子1に入力した信号
は、コンデンサ4,5及び6を介してアンテナ同調回路
8に入力して選択されたのち、高周波増幅素子13の第
1ゲートGに入力して増幅され、そのドレンDより結
合コンデンサ14を介して高周波同調回路16に入力し
て再度選択されたのち、結合コンデンサ18を介してF
MフロントエンドIC22の第5端子に入力する。第5
端子に入力した入力信号は、中間周波信号に変換された
のち、第8端子及び第9端子より夫々出力し、その出力
は中間周波トランスTを経てコンデンサC及び抵抗R
とセラミックフィルタFとの直列回路を介して第12端
子より中間周波増幅回路20に入力して増幅され、その
増幅出力は第15端子から検波段に出力される。
【0009】また中間周波トランスTを経た広帯域の中
間周波信号の一部は、コンデンサCと抵抗Rとの直列
回路を介して第10端子より利得制御回路21に入力
し、該回路21から第1,第2減衰回路2,3のPIN
ダイオード駆動用のAGC電圧と、高周波増幅素子13
の制御用のAGC電圧とが生じ、これらのAGC電圧
は、第6端子及び第13端子より夫々出力する。
【0010】上記において、アンテナ入力信号の電界強
度が強くなると、FMフロントエンドIC22の利得制
御回路21より出力するPINダイオード駆動用のAG
C電圧も高くなるので、第1及び第2減衰回路2及び3
のPINダイオード9a,9b及び10a,10bが駆
動し、該回路のインピーダンスが低下するので、アンテ
ナ入力端に入力した信号は第1及び第2減衰回路2,3
によって減衰する。そしてFMフロントエンドIC22
の第6端子から出力するAGC電圧が比較的低いとき
は、第2減衰回路3の一対のPINダイオード10a,
10b間に接続した制限抵抗11により、PINダイオ
ード10a,10bに流れる電流は制限されるので、減
衰作用は主として第1減衰回路2によって支配される。
【0011】上記において、アンテナ入力信号の電界強
度がさらに強くなると、FMフロントエンドIC22の
第5端子から出力するAGC電圧もさらに高くなるの
で、第2減衰回路3の制限抵抗11のバイアス電圧も高
くなって、第1減衰回路2のPINダイオード9a,9
bが飽和状態となるのに対し、第2減衰回路3のPIN
ダイオード10a,10bは遅れて飽和状態に近づき、
第1減衰回路による減衰作用に加え第2減衰回路による
減衰作用が行われる。即ち第1,第2減衰回路2,3の
減衰作用により、アンテナ同調回路8における可変容量
ダイオード8b,8bは、強入力の電界強度から保護さ
れると共に、同調ズレを生じることなく、また前記第1
減衰回路2による高周波増幅素子13の入力前段での不
充分な減衰量は、制限抵抗11に設けた第2減衰回路3
による減衰作用によって補足される。
【0012】次いでさらに強い強電界の信号が入力した
時は、第1,第2減衰回路2,3の減衰作用に加え、ア
ンテナ同調回路8がコンデンサ6により選局度が低下し
て信号を減衰すると共に、可変容量ダイオード8b,8
bを保護し、さらにFMフロントエンドIC22の第1
3端子から高周波増幅素子13の第2ゲートGに加わ
る制御電圧により増幅度が制限されることになるので、
高周波増幅素子13は殆ど飽和することはない。なお高
周波増幅素子13の第2ゲートGには、L/DX端
子が接続してあり、例えば選局操作に連動して受信感度
を低下させるものである。
【0013】図2は、減衰回路を3段に設けると共に、
アンテナ入力信号の電界強度に伴うAGC電圧の上昇に
伴ってアンテナ入力端に近い減衰回路から順次減衰効果
を作用させるように構成した場合の他の実施例を示して
おり、図1と相違するところは、第2減衰回路2と、ア
ンテナ同調ダンピング用のコンデンサ6との間に、コン
デンサ30と一対のPINダイオード31a,31bと
をL字型接続した第3減衰回路32を接続して、前記P
INダイオード31a,31bをFMフロントエンドI
C22の第6端子に直列に接続すると共に、PINダイ
オード31a,31bとの間に、第2減衰回路3におけ
る制限抵抗11よりも高い値の制限抵抗33を接続して
成る点にある。
【0014】しかして、この構成によれば、アンテナ入
力信号の電界強度が強くなり、AGC電圧が上昇して第
2減衰回路3の減衰作用が飽和した状態で、さらにAG
C電圧が高くなったとき、第1及び第2減衰回路2,3
に加え、第3減衰回路32の減衰が作用して大きな減衰
効果を得ることができると共に、図1の構成において、
第2減衰回路3が飽和したとき、該減衰回路3とアンテ
ナ同調ダンピング用のコンデンサ6とのインピーダンス
比により選択度が低下するが、図2の構成においては、
第3減衰回路32によって選択度の低下をさらに高い入
力レベルまで遅らせることができるという利点を有す
る。
【0015】図3は、図2において、一対のPINダイ
オード10a,10b及び31a,31bに流れる駆動
電流を制限する制限抵抗11及び33に代えて、第2減
衰回路3においては、コンデンサ5と一対のPINダイ
オード10a,10bとの間に制限手段としてコンデン
サ35を、また第3減衰回路32においては、コンデン
サ30と一対のPINダイオード31a,31bとの間
にコンデンサ36を夫々接続した場合の他の実施例を示
しており、この構成によれば、第2減衰回路3は、制限
用コンデンサ35のインピーダンスにより一対のPIN
ダイオード10a,10bによる減衰量が制限され、第
3減衰回路32は、前記制限用コンデンサ35よりも容
量の小さい制限用コンデンサ36のインピーダンスによ
り一対のPINダイオード31a,31bによる減衰量
が制限される。
【0016】上記実施例は、いづれも、複数の減衰回路
を夫々構成するPINダイオードを、AGC電圧に対し
直列に接続した場合について例示したが、図4は図2に
おいて、第1減衰回路2を構成する一対のPINダイオ
ード9a,9bと、第2減衰回路3を構成する一対のP
INダイオード10a,10bと、第3減衰回路32を
構成する一対のPINダイオード31a,31bとを夫
々FMフロントエンドIC22の第6端子に対し並列接
続すると共に、制限抵抗11と33とに代えて第2減衰
回路3と第3減衰回路32とに、夫々制限抵抗40と4
1を接続して成る他の実施例を示しており、この構成に
おいても、AGC電圧の上昇に伴い、制限抵抗40,4
1によって制限されている第2及び第3減衰回路3及び
32に先立って先ず第1減衰回路2による減衰作用が支
配的となり、次いで第1減衰回路2が飽和して第2減衰
回路3により減衰作用が支配的となり、さらに、第1,
第2減衰回路2,3による減衰作用のほかに、第3減衰
回路32による減衰作用が加わる。
【0017】図5は、図4において、各減衰回路2,3
及び32を作動させるための必要充分な駆動電流を得る
ために、前記各減衰回路2,3及び32の並列接続端と
FMフロントエンドIC22の第6端子との間に、電流
増幅素子45を接続した場合の他の実施例を、また図6
は、図3に対応する並列接続の場合の他の実施例を示し
ており、上記したいづれの作用効果もさきに述べた実施
例と本質的に相違するところはない。
【0018】
【発明の効果】以上のように本願によれば、アンテナ端
子に入力する信号の電界強度の増加に伴い、先ず第1減
衰回路によりアンテナ入力信号を減衰して、強電界の信
号入力から、アンテナ同調回路の可変容量ダイオードを
充分に保護することかできると共に、同調ズレの生じる
惧れはなく、かつ、高周波増幅素子の前段までに大きな
減衰効果が得られるので、高周波増幅素子において増幅
度が大きく抑止されて混変調歪を発生する惧れも解消で
き、また、同調回路の選択度を高い入力レベルまで保持
することができると共に、回路構成が簡単であるなどの
利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】電気回路図
【図2】他の実施例における電気回路図
【図3】他の実施例における電気回路図
【図4】他の実施例における電気回路図
【図5】他の実施例における電気回路図
【図6】他の実施例における電気回路図
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−367110(JP,A) 特開 平3−256401(JP,A) 特開 昭47−23009(JP,A) 特開 昭52−96851(JP,A) 特開 平5−102768(JP,A) 実開 平3−120116(JP,U) 実開 昭56−43917(JP,U) 特表 平6−504663(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03G 1/00 - 3/12 H03H 7/24 - 7/27

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アンテナ入力端とアンテナ同調回路との
    間に、コンデンサと減衰素子とをL字型接続とした減衰
    回路を複数段接続し、かつ、前記減衰回路の減衰素子を
    AGC出力端に対し直列接続すると共に、後段の減衰回
    路に、その減衰量が前段の減衰回路の減衰量より少なく
    なるように制限手段を設けたことを特徴とするラジオ受
    信機。
  2. 【請求項2】 アンテナ入力端とアンテナ同調回路との
    間に、コンデンサと減衰素子とをL字型接続とした減衰
    回路を複数段接続し、かつ、前記減衰回路の減衰素子を
    AGC出力端に対し並列接続すると共に、後段の減衰回
    路に、その減衰量が前段の減衰回路の減衰量より少なく
    なるように制限手段を設けたことを特徴とするラジオ受
    信機。
  3. 【請求項3】 AGC端子と減衰回路の並列接続端との
    間に電流増幅素子を接続して成る請求項2記載のラジオ
    受信機。
  4. 【請求項4】 制限手段が抵抗から成る請求項1,2ま
    たは3記載のラジオ受信機。
  5. 【請求項5】 制限手段がコンデンサと減衰素子との間
    に接続した第2のコンデンサから成る請求項1,2また
    は3記載のラジオ受信機。
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