KR100354166B1 - 저잡음 증폭 장치 - Google Patents

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KR100354166B1
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Abstract

본 발명은 스위치를 이용한 바이패스(Bypass)회로 구성 시 스위치(Switch)의 삽입손실을 최소로 하여 잡음지수를 최소로 구현할 수 있는 저잡음 증폭 장치에 관한 것이다. 이와 같은 저잡음 증폭 장치는 입력단자에 베이스가 직렬 연결되고, 출력단자에 콜렉터가 직렬 연결된 저잡음 증폭기용 트랜지스터와, 상기 입력단자와 상기 트랜지스터의 상기 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 잡음정합용 제 1 인덕터의 일측에 연결된 제 1 스위치와, 상기 출력단자와 상기 트랜지스터의 상기 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 출력정합용 제 2 인덕터의 일측에 연결된 제 2 스위치와, 상기 트랜지스터의 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 3 인덕터와, 상기 트랜지스터의 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 상기 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 4 인덕터와, 상기 입력단자에 일측이 연결되고, 타측이 출력단자에 연결된 바이패스 선로와, 상기 바이패스 선로의 타측과 상기 출력단자에 직렬 연결된 제 3 스위치로 구성된다.

Description

저잡음 증폭 장치{Low Noise Amplifier}
본 발명은 저잡음 증폭 장치에 관한 것으로 특히, 높은 IIP3(3rdorderInput Intercept Point)와 넓은 동작 범위(Dynamic Range)를 요구하는 단말기 리시버(Receiver)의 전단(front-end)에서 스위치를 이용한 바이패스(Bypass)회로 구성 시 스위치의 삽입손실을 최소로 하여 잡음지수(Noise Figure)를 최소로 하기에 적당하도록 한 저잡음 증폭 장치에 관한 것이다.
코드분할다중접속(CDMA) 시스템은 넓은 동작 범위(Dynamic Range)를 요구한다.
따라서 수신기의 구성은 이득을 조절할 수 있도록 구현되어 수신기의 입력신호 레벨이 낮은 경우에는 잡음지수 및 이득(Gain) 특성이 수신기의 성능을 지배하고 IIP3(Input 3rdOrder Intercept Point) 특성은 단일 톤 둔감도(desensitization)를 유지하면 된다.
그러나 입력신호 레벨이 높을 때는 수신기가 비선형 특성을 나타내므로 인해 신호가 왜곡되고 원하는 정보를 잃게 되므로 IIP3특성이 수신기의 성능을 지배하게 된다. 따라서 입력 신호의 레벨에 따라 저잡음 증폭기(LNA)의 동작을 조절하는데 낮은 입력 신호가 인가될 경우에는 제어(Control)신호를 이용하여 저잡음 및 높은 이득 상태에서 저잡음 증폭기(LNA)를 동작시키고, 높은 입력신호가 인가될 경우에는 낮은 이득 및 높은 IIP3특성을 갖도록 저잡음 증폭기(LNA)를 동작시킨다. 이러한 수신기의 요구 특성을 만족시키는 방법으로는 바이어스 전류를 변화시키는 방법, 가변 감쇄기(Variable attenuator)를 이용하는 방법 및 스위치를 이용한 방법이 있다.
여기서, 잡음지수(Noise Figure)란 증폭회로에서 입력측의 신호 대잡음비(S/N)에 대한 출력측의 신호 대 잡음비의 비율을 말한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 저잡음 증폭기를 설명하기로 한다.
도 1은 종래 일 예에 따른 저잡음 증폭기의 회로도이다.
종래 일 예에 따른 저잡음 증폭기(LNA)의 회로 구성은 바이어스 전류를 변화 시키는 방법을 이용하기 위한 것으로 바이어스 전류를 변화시키는 방법은 전류 변화 시 저잡음 증폭기(LNA)의 동작점이 바뀌게 되고 이에 따라 이득과 IIP3특성이 달라지는 특성을 이용하는 방법이다. 이 경우 정합회로가 넓은 대역폭을 가져야 한다.
종래 일 예에 따른 저잡음 증폭기(10)에서는 트랜지스터(Q1)의 베이스측과 컬렉터측의 전압(동작점)을 바꾸기 위하여 제 1, 제 2 가변 저항기(R1,R2)를 이용한다. 이때, 트랜지스터(Q1)의 베이스측의 전압이 바뀌면 컬렉터로 인가되는 전류량이 달라지고 주파수 특성과 전력특성도 달라진다.
이때, 전류가 많이 흐르면 IIP3특성이 좋아지고(IIP3점이 커짐) 입력 정합부(11)를 구성하는 회로가 넓은 주파수 대역을 가지면 이득도 유지된다. 그러나 전류량이 작아지면 IIP3특성은 나빠지지만 잡음지수 특성은 오히려 개선되는 특징이 있다.
도 2는 종래 다른 예에 따른 저잡음 증폭기의 회로도이다.
종래 다른 예에 따른 저잡음 증폭기는 가변 감쇄기를 이용하는 방법에 관한 것으로 입력신호 레벨이 높을 때 저잡음 증폭기 앞단에 가변감쇄기를 직렬로 추가하여 저잡음 증폭기 입력측에서 미리 신호의 레벨을 감쇄시켜서 IIP3특성이 개선되도록 구현하는 방법이다.
종래 다른 예에 따른 저잡음 증폭기(20)에서는 저잡음 증폭기(20)의 입력측에 가변 감쇄기(23)를 추가하는 경우다. 여기서, 입력 신호 레벨이 높은 경우 감쇄기(23)에 제어 전압(Control Voltage)을 인가하여 신호의 크기를 감쇄시킨 후 저잡음 증폭기(20)의 입력 정합부(21)로 인가되므로 저잡음 증폭기(20)에서의 비선형성 특성을 제거할 수 있다.
그리고, 저잡음 증폭기(20)의 입력(in) 측에 낮은 신호 레벨이 인가되면 감쇄기(23)는 입력 신호를 바이패스(Bypass)한다. 하지만 2GHz이상의 신호에 대해서는 1~2dB의 삽입손실이 발생하고, 수신기의 잡음지수 성능을 악화시킨다.
도 3은 종래 또 다른 예에 따른 저잡음 증폭기의 회로도이다.
종래 또 다른 예에 따른 저잡음 증폭기는 스위치를 이용하는 것으로 두개의 SPDT(Single Pole Double Thru) 스위치를 이용하여 입력 신호레벨이 높을 때는 능동소자인 저잡음 증폭기측으로 신호의 흐름을 막고 스위치를 이용해 출력 측으로 바이패스시켜 IIP3특성을 개선시키므로 입력신호 레벨이 커지더라도 신호가 왜곡되지 않게 해준다. 그리고, 낮은 입력 신호 레벨에 대해서는 저잡음 증폭기(LNA)의 원래 기능인 저잡음 특성, 이득특성을 가지게 되고 수신기 특성을 유지시켜 주는 것이다.
종래 또 다른 예에서는 제 1, 제 2 SPDT(Single Pole Double Thru) 스위치(31)(32)를 이용하는데, 입력 신호 레벨이 높은 경우에 제 1 SPDT 스위치(31)는 바이패스(Bypass)측(34)으로 온(ON) 되고, 제 2 SPDT 스위치(32) 역시 마찬가지로 바이패스(Bypass)측으로 온되어 입력 신호는 저잡음 증폭기(33)를 거치지 않고 출력된다.
그러나, 2GHz이상의 대역에서는 제 1, 제 2 SPDT 스위치(31,32)로 인한 삽입손실이 커지게 되고(0.7~1dB), 수신기의 잡음지수는 두개의 스위치(31,32)의 삽입손실을 합한 양만큼 증가한다. 그러나 신호의 크기가 크기 때문에 수신기 성능에는 크게 영향을 주지 않는다.
그리고 저잡음 증폭기(33)에서의 비선형 특성이 없기 때문에 IIP3특성이 좋아지고 수신기의 성능은 개선된다.
여기서, 입력신호 레벨이 낮은 경우에는 제 1, 제 2 SPDT 스위치(31,32)는 저잡음 증폭기(33) 측으로 온된다.
따라서, 입력 신호는 제 1 SPDT 스위치(31)를 통해 저잡음 증폭기(33)로 인가되고 다시 제 2 SPDT 스위치(32)를 통해 출력측으로 흘러나온다. 이 경우는 스위치의 삽입손실로 인하여 잡음지수가 커지고 수신기의 성능이 나빠진다.
이와 같은 종래 저잡음 증폭기에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 종래 일 예에 있어서는 바이어스 전류를 증가시킴으로써 전류소모가 커지고, 배터리 소모량이 많았다.
둘째, 종래 다른 예에 있어서는 가변 감쇄기로 인한 삽입손실의 발생 및 전류소모가 커졌다.
셋째, 종래 또 다른 예에 있어서는 입력신호를 바이패스 시킴으로써 전류소모 작았지만 스위치가 직렬 연결되어 있어 삽입손실이 발생하였다. 특히 수신기의주요 성능 중 하나인 잡음 지수 특성이 삽입손실 만큼 나빠지므로 고주파화(특히 2GHz 이상) 될수록 삽입손실에 의한 잡음지수 특성의 악화를 방지할 수 없었다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 스위치를 이용한 바이패스(Bypass)회로 구성 시 스위치(Switch)의 삽입손실을 최소로 하여 잡음지수를 최소로 구현할 수 있는 저잡음 증폭기를 제공하기 위한 것이다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 따르면, 입력단자에 베이스가 직렬 연결되고, 출력단자에 콜렉터가 직렬 연결된 저전압 증폭기용 트랜지스터와, 상기 입력단자와 상기 트랜지스터의 상기 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 잡음정합용 제 1 인덕터의 일측에 연결된 제 1 스위치와, 상기 출력단자와 상기 트랜지스터의 상기 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 출력정합용 제 2 인덕터의 일측에 연결된 제 2 스위치와, 상기 트랜지스터의 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 3 인덕터와, 상기 트랜지스터의 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 상기 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 4 인덕터와, 상기 입력단자에 일측이 연결되고, 타측이 출력단자에 연결된 바이패스 선로와, 상기 바이패스 선로의 타측과 상기 출력단자에 직렬 연결된 제 3 스위치로 구성된다.
바람직하게, 상기 제 1 스위치의 일측과 상기 고주파 초크용 제 3 인덕터의 일측 사이에는 제 1 커패시터가 연결되고, 상기 제 2 스위치의 일측과 상기 고주파초크용 제 4 인덕터의 일측 사이에는 제 2 커패시터가 연결되며, 상기 고주파 초크용 제 3 인덕터의 타측과 상기 제어전압단자사이에는 바이어스용 제 1 저항이 직렬 연결되고, 상기 고주파 초크용 제 4 인덕터의 타측과 상기 제어전압단자사이에는 바이어스용 제 2 저항이 직렬연결된다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 스위치는 상기 제 3 스위치와 상기 제어전압단자의 출력레벨에 대하여 서로 반대로 온/오프 동작된다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 사용 주파수 대역이 높아(2GHz이상)지는 경우에 스위치의 삽입손실도 커지는 것에 따른 저잡음 증폭기의 잡음지수특성과 이득특성이 나빠지는 것을 방지하여 낮은 잡음지수가 요구되는 수신기의 저잡음 증폭기로 사용할 경우 수신기 성능이 개선되는 장점이 있다.
도 1은 종래 일 예에 따른 저잡음 증폭기의 회로도
도 2는 종래 다른 예에 따른 저잡음 증폭기의 회로도
도 3은 종래 또 다른 예에 따른 저잡음 증폭기의 회로도
도 4는 본 발명에 따른 저잡음 증폭기의 회로도
도 5는 도 4에 나타낸 저잡음 증폭기의 입력신호 레벨이 낮은 경우의 동작을 설명하기 위한 회로도
도 6은 도 4에 나타낸 저잡음 증폭기의 입력신호 레벨이 높은 경우의 동작을 설명하기 위한 회로도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
40 : 저잡음 증폭기 41 : 제 1 스위치
42 : 제 2 스위치 43 : 제 3 스위치
44 : 인버터 45 : 마이크로 스크립라인
이하 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 저잡음 증폭기의 회로도이다.
본 발명에 따른 저잡음 증폭기(40)는 입력단자(In)에 일측이 직렬 연결되고, 타측이 트랜지스터(Q)의 베이스와 연결된 제 1 커패시터(C41)와, 상기 입력단자(In)와 상기 제 1 커패시터(C41) 사이에 일측이 연결되고, 타측이 제 1 인덕터(L41)의 일측에 연결된 제 1 스위치(41)와, 상기 제 1 스위치(41)의 타측에 일측이 연결되고, 타측이 접지 단자(Gnd)에 연결된 제 1 인덕터(L41)와, 상기 제 1 커패시터(C41)와 트랜지스터(Q)의 베이스 사이에 일측이 연결되고, 타측이 제어전압 단자(V control)와 연결된 제 2 인덕터(L43)와, 상기 트랜지스터(Q)의 콜렉터에 일측이 직렬 연결되고, 타측이 출력단자(Out)에 연결된 제 2 커패시터(C42)와, 상기 트랜지스터(Q)의 콜렉터와 제 2 커패시터(C42) 사이에 일측이 연결되고, 타측이 상기 제어전압 단자(V control)에 연결된 제 3 인덕터(L44)와, 상기 출력단자(Out)와 상기 제 2 커패시터(C42) 사이에 일측이 연결되고 타측이 제 4 인덕터(L42)의 일측에 연결된 제 2 스위치(42)와, 상기 제 2 스위치(42)의 타측에 일측이 연결되고, 타측이 접지단자(Gnd)에 연결된 제 4 인덕터(L42)와, 상기 제 2 스위치(42)와 출력단자(Out) 사이에 일측이 연결되고, 타측이 마이크로 스트립라인(45)의 일측과 연결된 제 3 스위치(43)와, 상기 제 3 스위치(43)에 타측에 일측이 연결되고, 타측이 상기 입력단자에 연결된 마이크로 스트립라인(45)으로 구성된다.
이때, 상기 제 2, 제 3 인덕터(L43,L44)와 상기 제어전압 단자(V control)사이에는 각각 제 1, 제 2 저항(R1,R2)이 연결되며, 상기 제 1, 제 2 스위치(41,42)은 상기 제어 전압에 의해 연동되어 동작하며, 상기 제 3 스위치(43)는 상기 제어 전압 단자(V control)의 입력전압에 반전동작하도록 인버터(44) 신호를 입력받는다. 따라서, 상기 제 3 스위치(43)는 제 1, 제 2 스위치(41,42)와 반대로 동작한다.
마이크로 스트립라인(45)의 길이는 1/2파장으로 구현되고, 한쪽 끝은 저잡음 증폭기(40)의 입력측인 'a'점에 연결되어 있고 다른 한쪽 끝은 제 3 스위치(43)와 연결되어 있다. 즉, 마이크로 스트립라인(45)은 개방점에서 1/4파장 떨어진 점에서 단락(short)되고 1/2 파장 떨어진 곳에서 개방(open)되는 특성을 가진다.
이때, 마이크로 스트립라인(45)은 인쇄회로기판(PCB)위에서 구현되고, 인쇄회로기판(PCB)의 종류에 따라 파장의 길이가 달라지는데, 실제 단말기(Mobile Terminal)용 인쇄회로기판의 재료로 사용하는 FR4의 경우, 두께(H)=0.18mm, 유전율(Er)=4.3, 동판두께(T)=0.043mm로 구현 시 50옴(Ω) 마이크로 스트립라인(45)의 폭은 0.315mm, 1/2파장의 길이는 2.14GHz에서 41.692mm이다. 이때, IMT-2000과 같은 차세대 이동 통신 시스템에서는 저잡음 증폭기 시스템에서는 50옴 시스템이 요구된다.
여기서, 제 1 스위치(41)는 입력잡음의 정합을 위해 사용되며, 제 2 스위치(42)는 출력정합을 위해 사용된다.
그리고, 제 3 스위치(43)는 입력신호가 저잡음 증폭기(40)가 아닌 마이크로 스트립라인(45)을 통하여 출력되는 경우의 신호의 흐름을 유지시킨다.
또한, 트랜지스터(Q)는 저잡음 증폭용 트랜지스터이고, 제어 전압(Contorl Voltage) 값이 바뀔 때 트랜지스터(Q)의 동작이 온/오프(ON/OFF)된다. 이때, 트랜지스터(Q)가 온(ON) 시에는 입력(In)측에서의 입력정합과 출력측에서의 출력정합을 통하여 신호가 원하는 잡음지수와 이득을 가질 수 있게 되지만 오프(OFF)시에는 트랜지스터(Q)의 입력과 출력 임피던스가 커져 트랜지스터(Q)의 입력측과 출력측이 개방(Open)된다. 또한 전력 전달특성도 -20dB 정도가 되어 무시할 만큼 작은 양이 되기 때문에 트랜지스터 오프(OFF) 도 6과 같이 동작한다.
종래 또 다른 실시 예와 본 발명에 따른 저잡음 증폭기에서 사용하는 스위치는 온(ON)일 경우 전달특성이 주파수에 따라 다른데, 주파수 대역이 높아질수록 삽입손실이 큰 특성을 보인다. 실제 일본의 NEC사의 스위치는 1GHz에서 삽입손실은 0.5dB이고, 2GHz 대역에서는 0.7dB의 특성을 가진다.
그리고, 제 2, 제 3 인덕터(L43,L44)는 RFC(RF Choke)로 사용되고 저잡음 증폭기(40) 동작 주파수에서 아주 높은 임피던스 특성을 갖도록 한 것으로, 입력신호는 RFC의 영향을 받지 않게 된다.
본 발명의 동작은 크게 두 가지로 구분된다. 저잡음 증폭기(40)의 입력측(In)에 낮은 신호 레벨이 인가된 경우의 동작(도 5 참조)과, 높은 신호 레벨이 인가된 경우의 동작(도 6참조)이다.
도 5는 도 4에 나타낸 저잡음 증폭기의 입력신호 레벨이 낮은 경우의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
본 발명에 따른 저잡음 증폭기의 입력단(In)에 낮은 레벨의 입력신호가 인가된 경우에는 제어 전압(V Control) 신호가 하이(High)로 되면서, 제 1, 제 2 스위치(41,42)는 온(ON)되고, 제 3 스위치(43)는 오프(OFF)된다. 따라서 50 옴 마이크로 스트립라인(45)의 한쪽 끝은 개방되고, 다른 한쪽 끝은 트랜지스터(Q)의 베이스 측에 연결된다. 따라서, 트랜지스터(Q)의 베이스 측('a'점)에서 마이크로 스트립라인(45)측으로 바라본 임피던스는 아주 커서 'a'점과 마이크로 스트립라인(45)사이는 개방(open)되고, 마이크로 스트립라인(45)이 없는 것과 같이 동작한다.
여기서 트랜지스터(Q)는 제어전압(V_control)이 하이(High)로 동작하므로 정해진 동작 점에서 일정한 특성을 갖는다. 여기서, 트랜지스터(Q)의 베이스와 컬렉터 측에 연결된 제 1 스위치(41)는 제 1 인덕터(L41)를 이용해 잡음정합을 위한것이고, 제 2 스위치(42) 제 4 인덕터(L42)를 이용해 출력정합을 하도록 되어있다.
그리고, 제 2, 제 3 인덕터(L43,L44)의 RFC(RF Choke)는 트랜지스터(Q)에 바이어스를 인가한다.
이와 같이 입력측에 인가된 신호는 트랜지서터(Q)가 잡음정합(L41)과 출력정합(L42)이 되었기 때문에 설계한 잡음지수와 이득을 가질 수 있게 되고, 입력신호가 출력될 때 제 1, 제 2 스위치(41,42)를 지나지 않으므로 제 1, 제 2 스위치(41,42)에 의한 삽입손실은 제거된다.
예로, 2GHz 대역에서 수신기의 듀플렉서 삽입손실시, 스위치의 삽입손실 0.7dB , 저잡음 증폭기 잡음지수 1.5dB 이득15dB일 때, 종래의 구조인 [표1]과 본 발명의 구조인 [표2]를 비교해보면 다음과 같다.
듀플렉서 스위치 저잡음 증폭기 스위치 전체
이득 -3dB -0.7dB 15dB -0.7dB 10.6dB
잡음지수 3dB 0.7dB 1.5dB 0.7dB 5.22dB
IIP3 1000dBm 20dBm 0dBm 20dBm 2.47dBm
듀플렉서 저잡음 증폭기 전체
이득 -3dB 15dB 12dB
잡음지수 3dB 1.5dB 4.5dB
IIP3 1000dBm 0dBm 3.0dBm
이와 같은 [표1]과 [표2]를 비교해보면 [표2]에서 전체이득과, 잡음지수 및 IIP3특성이 개선되었고 수신기의 성능이 향상된 것을 알 수 있다.
도 6은 도 4에 나타낸 저잡음 증폭기의 입력신호 레벨이 높은 경우의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
본 발명에 따른 저잡음 증폭기의 입력단(In)에 높은 레벨의 입력신호가 인가되는 경우에는 제어 전압(V_control)신호는 로우(Low)상태로 되고 제 1, 제 2 스위치(41,42)는 오프(OFF) 제 3 스위치(43)는 온(ON) 되며, 트랜지스터(Q)는 오프(OFF)된다. 따라서 트랜지스터(Q)의 베이스측과 컬렉터 측의 임피던스는 아주 커져서 베이스와 컬렉터 단자는 개방(Open)된다.
따라서 입력된 신호는 트랜지스터(Q)측으로 전달되지 않고 50옴의 마이크로 스트립라인(45)측으로 전달되며 제 3 스위치(43)를 통해 출력 단자(Out)로 흘러간다. 이 경우에는 마이크로 스트립라인(45)에 의한 삽입손실은 아주 작으며, 제 3 스위치(43)에 의한 삽입손실이 발생된다.
이때, 전체 삽입손실은 0.7dB이고, 이득은 0.7dB, 잡음지수는 0.7dB 그리고 IIP3는 20dBm이 된다. 따라서 높은 신호 레벨이 입력측으로 인가될 경우 트랜지스터(Q)로 인가되는 것을 방지하므로 트랜지스터(Q)에서 발생하는 비선형 현상을 제거해 주게 되어서 수신기의 특성을 개선시키게 된다. 종래의 경우에는 이득은 1.4dB, 잡음지수는 1.4dB, IIP3는 17.33dBm 이다.
이와 같은 본 발명 마이크로 스트립라인(45)을 채용한 저잡음 증폭기(40)는 앞에서 설명한 바와 같이 도 4의 구조는 낮은 입력 신호 레벨인가시 도 3에 나타낸 종래의 기술에 비해서 수신기 특성이 이득 1.4dB, 잡음지수 0.72dB, IIP3 0.53dB 의 개선 효과가 있고, 높은 입력 신호 레벨 인가시 이득 0.7dB, 잡음지수 0.7dB, IIP3 2.67dB가 개선된다.
이상의 설명에서와 같은 본 발명은 사용 주파수 대역이 높아(2GHz이상)지는 경우에 스위치의 삽입손실도 커지는 것에 따른 저잡음 증폭기의 잡음지수특성과 이득특성이 나빠지는 것을 방지하여 스위치의 삽입손실이 없을 뿐 아니라, IIP3특성도 개선되었고 입력 신호 레벨이 높은 경우도 스위치에 의한 삽입 손실이 반으로 줄어들기 때문에 이득 특성이 개선되며 특히 수신기의 잡음지수 특성이 개선되는 효과가 있어 낮은 잡음지수가 요구되는 수신기의 저잡음 증폭기로 사용할 경우 수신기 성능이 개선되는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 베이스가 입력단자에, 콜렉터가 출력단자에, 에미터가 접지에 각각 연결된 저잡음 증폭용 트랜지스터와;
    상기 입력단자와 상기 트랜지스터의 상기 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 잡음정합용 제 1 인덕터의 일측에 연결된 제 1 스위치와;
    상기 출력단자와 상기 트랜지스터의 상기 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 출력정합용 제 2 인덕터의 일측에 연결된 제 2 스위치와;
    상기 트랜지스터의 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 3 인덕터와;
    상기 트랜지스터의 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 상기 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 4 인덕터와;
    상기 입력단자에 일측이 연결되고, 타측이 상기 출력단자에 연결된 바이패스 선로와;
    상기 바이패스 선로의 타측과 상기 출력단자 사이에 직렬 연결된 제 3 스위치와;
    상기 제 1 스위치의 일측과 상기 제 3 인덕터의 일측 사이에 연결된 제 1 커패시터와;
    상기 제 2 스위치의 일측과 상기 제 4 인덕터의 일측 사이에 연결된 제 2 커패시터와;
    상기 제 3 인덕터의 타측과 상기 제어전압단자 사이에 연결된 바이어스용 제 1 저항과;
    상기 제 4 인덕터의 타측과 상기 제어전압단자 사이에 연결된 바이어스용 제 2 저항으로 구성됨을 특징으로 하는 저잡음 증폭 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 스위치는 상기 제 3 스위치와 상기 제어전압단자의 출력레벨에 대하여 서로 반대로 온/오프 동작됨을 특징으로 하는 저잡음 증폭 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 바이패스 선로는 반파장 길이의 마이크로 스크립라인으로 구성됨을 특징으로 하는 저잡음 증폭 장치.
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