JP2004166205A - 可変減衰器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器20と、該第1減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってRF信号を減衰する第2減衰器40と、該第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部30と、を包含して可変減衰器を構成する。これにより、各減衰モードで常に入出力インピーダンスを維持し得る。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、可変減衰器に係るもので、詳しくは、減衰モードで入出力インピーダンス整合(Impedance matching)を維持し得る可変減衰器に関するものである。
【従来の技術】
一般の移動通信システムで基地局(Base Station)は受信機を具備し、該受信機は可変減衰器を利用して、移動通信端末機から受信された無線周波数信号を減衰させ、受信機の信号対雑音比(S/N)を調節することで全体の受信経路の受信感度を調節する。
【0002】
且つ、前記可変減衰器は、制御電圧により減衰値が制御され、受信信号を減衰する場合には制御電圧に比例して線形的な減衰特性を有し、受信信号を減衰しない場合には小さな挿入損失を有する。
【0003】
従って、前記可変減衰器は、線形的な減衰特性を維持するために高周波回路で減衰調整範囲(高減衰モード)を大きくするとしても、入出力端のインピーダンス整合が維持し得るように設計されるべきである。
【0004】
図2は従来可変減衰器の回路図で、図示されたように、従来可変減衰器においては、入力及び出力端子(RFin、RFout)間に直列接続された各キャパシター(capacitor)(C1、C2)と、前記入力及び出力端子(RFin、RFout)にそれぞれ並列接続されてインピーダンス整合部を形成する各抵抗(R1、R2)と、各キャパシター(C1、C2)間に並列接続されたインダクター(Inductor)(L1)と、制御電圧が印加されるインダクター(L2)と、それらインダクター(L1、L2)間に直列接続されたPINダイオード(D1)と、該PINダイオード(D1)のアノード(anode)に並列接続されたキャパシター(C3)とから構成されている。
【0005】
この時、前記各キャパシター(C1、C2)はRF信号からDC成分を除去し、各インダクター(L1、L2)は制御電圧からRF成分を除去する。
【0006】
以下、このように構成された従来可変減衰器の動作に対して説明する。
【0007】
一般に、PINダイオードは、DCバイアス(制御電圧)によってダイオードの抵抗成分が変化する特性を有している。従って、このような特性を利用する場合にはPINダイオードの減衰量を調節し得るが、例えば、RF信号の減衰量を大きくする場合にはDCバイアスを増加させ、RF信号の減衰量を小さくする場合にはDCバイアスを減少させる。また、RF信号を減衰させない場合にはDCバイアスを印加しない。
【0008】
まず、0VのDCバイアス、即ち、0Vの制御電圧が印加されると、可変減衰器は低減衰モードで動作され、該低減衰モードでPINダイオード(D1)は0Vの制御電圧によってターンオフされて内部抵抗が∞になる。
【0009】
従って、入力端子(RFin)を通して印加されたRF信号は、減衰なしに各キャパシター(C1、C2)を通して出力端子(RFout)に伝えられ、この時、入出力インピーダンスは抵抗(R1、R2)によって50Ωを維持する。
【0010】
次いで、制御電圧が増加してPINダイオード(D1)のターンオン電圧(0.6〜0.7V)に到達すると、PINダイオード(D1)はターンオンされて抵抗が減少される。よって、キャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号はPINダイオード(D1)及びキャパシター(C3)を通してグラウンドに抜け出されるため、RF信号は急激に減衰されるようになる。この時、キャパシター(C3)は減衰される周波数範囲をセッティングする役割を遂行する。
【0011】
次いで、可変減衰器は、制御電圧が一層増加して1.3V以上になると高減衰モードで動作されるが、高減衰モードでPINダイオード(D1)の抵抗は0Ωになるため、キャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号はPINダイオード(D1)及びキャパシター(C3)を通してグラウンドにすべて抜け出される。従って、出力端子(RFout)には如何なるRF信号も伝えられず、この時、入出力インピーダンスは0Ωになる。
【0012】
このように、従来減衰器は、制御電圧が0Vの低減衰モードでは入出力インピーダンスが50Ωを維持するが、制御電圧が1.3V以上の高減衰モードでは入出力インピーダンスは0Ωになる。
【0013】
一般に、減衰器はPINダイオードの減衰量とは関係なしにインピーダンス整合を維持しなければならない。即ち、低減衰モード及び高減衰モードで入出力端のインピーダンスが持続的に50Ωを維持し得る場合のみに他の素子と安定したマッチングをなすことができる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、従来可変減衰器においては、低減衰モードではインピーダンス整合をなすが、高減衰モードではインピーダンス整合を維持し得ないため、システムの安全性(Stability)を確保し得ないという不都合な点があった。
【0015】
従って、従来減衰器が受信端の低雑音増幅器(Low Noise Amplifier:LNA)で使用される場合、デュプレックサー(duplexer)及び高周波フィルターの通過帯域(Pass Band)特性を変更しなければならず、特に、アンテナとのインピーダンスミスマッチングによりRF信号の受信レベルを低下させる問題点が誘発される。
【0016】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、全ての減衰モードでインピーダンス整合を維持し得る可変減衰器を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明に係る可変減衰器は、固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器と、該第1減衰器に並列接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってRF信号を減衰する第2減衰器と、該第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部とから構成されている。
【0018】
且つ、本発明に係る可変減衰器は、固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器と、低減衰モードで第1減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部と、第1減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によって前記RF信号を減衰する第2減衰器と、高減衰モードで第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第2インピーダンス整合部とから構成されている。
【0019】
又、前記RF信号は、低減衰モードでは第1減衰器のみに流れ、高減衰モードでは第2減衰器のみに流れ、中間減衰モードでは第1、第2減衰器すべてに流れることを特徴とする。
【0020】
前記第2減衰器は、第1減衰器の入力端子に並列接続された第3キャパシターと、該第3キャパシターに直列接続された第1ショットキーダイオードと、第1減衰器の出力端子に並列接続された第2ショットキーダイオードと、第1、第2ショットキーダイオードの各アノード間に接続された第1、第2抵抗と、該第1、第2抵抗間に形成された制御信号入力端子とから構成されている。
【0021】
前記第1、第2インピーダンス整合部は同様な抵抗に構成されて、各抵抗は50Ωであることを特徴とする。
【0022】
且つ、本発明に係る可変減衰器は、固定電圧によってRF信号を減衰する第1ショットキーダイオードと、該第1ショットキーダイオードのアノードに並列接続されて、制御電圧によってRF信号を減衰する第2ショットキーダイオードと、第1ショットキーダイオードのカソードに並列接続されて、制御電圧によって前記RF信号を減衰する第3ショットキーダイオードと、第2ショットキーダイオードのカソードと接地間に接続された第1抵抗と、第3ショットキーダイオードのカソードと接地間に接続された第2抵抗とから構成されている。
【0023】
前記第1、第2抵抗は50Ωであることを特徴とする。
【0024】
本発明の可変減衰器は、固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器と、該第1減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってRF信号を減衰する第2減衰器と、該第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする。
【0025】
上記本発明の可変減衰器において、前記第1減衰器のインピーダンス整合のために接続された第2インピーダンス整合部を更に含むことが好ましい。
【0026】
上記本発明の可変減衰器において、入力RF信号から直流成分を除去して第1減衰器に出力する第1キャパシターと、第1、第2減衰器の出力信号から直流成分を除去する第2キャパシターを更に含むことが好ましい。
【0027】
上記本発明の可変減衰器において、前記第1減衰器は、PINダイオード及びショットキーダイオードから構成されていて、前記固定電圧は、所定レベルに分配された電源電圧であることが好ましい。
【0028】
上記本発明の可変減衰器において、前記RF信号は、低減衰モードでは第1減衰器のみに流れ、高減衰モードでは第2減衰器のみに流れることが好ましい。
【0029】
上記本発明の可変減衰器において、前記RF信号は、中間減衰モードから第1、第2減衰器のすべてに流れることが好ましい。
【0030】
上記本発明の可変減衰器において、前記第2減衰器は、第1減衰器の入力端子に並列接続された第3キャパシターと、第3キャパシターに直列接続された第1ショットキーダイオードと、第1減衰器の出力端子に並列接続された第2ショットキーダイオードと、第1、第2ショットキーダイオードの各アノード間に接続された第1、第2抵抗と、第1、第2抵抗間に形成された制御信号入力端子と、を含んで構成されることが好ましい。
【0031】
また、本発明の可変減衰器は、固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器と、低減衰モードで該第1減衰器のインピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部と、該第1減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によって該RF信号を減衰する第2減衰器と、高減衰モードで該第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第2インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする。
【0032】
上記本発明の可変減衰器において、前記第1および第2インピーダンス整合部は、同一の抵抗を有することが好ましい。
【0033】
上記本発明の可変減衰器において、前記第2インピーダンス整合部は、前記第2減衰器と接地との間に接続された2つの抵抗からなり、各抵抗は50Ωであることが好ましい。
【0034】
上記本発明の可変減衰器において、前記RF信号は、低減衰モードでは前記第1減衰器のみに流れ、高減衰モードでは前記第2減衰器のみに流れることが好ましい。
【0035】
上記本発明の可変減衰器において、前記RF信号は、中間減衰モードでは第1、第2減衰器のすべてに流れることが好ましい。
【0036】
上記本発明の可変減衰器において、前記第2減衰器は、第1減衰器の入力端子に並列接続され、制御電圧が第1減衰器側に印加されることを遮断する第3キャパシターと、該第3キャパシターを通して伝えられたRF信号を減衰する第1ショットキーダイオードと、第1減衰器の出力端子に並列接続された第2ショットキーダイオードと、制御電圧をそれぞれ印加するために第1、第2ショットキーダイオードの各アノードに接続された第1、第2抵抗と、を含んで構成されることが好ましい。
【0037】
また、本発明の可変減衰器は、固定電圧によってRF信号を減衰する第1ショットキーダイオードと、第1ショットキーダイオードのアノードに並列接続されて、制御電圧によってRF信号を減衰する第2ショットキーダイオードと、第1ショットキーダイオードのカソードに並列接続されて、制御電圧によってRF信号を減衰する第3ショットキーダイオードと、ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第1抵抗と、第3ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第2抵抗と、を含んで構成されることを特徴とする。
【0038】
上記本発明の可変減衰器において、前記第1ショットキーダイオードのアノードに接続されて、制御電圧が第1ショットキーダイオードに印加されることを遮断するキャパシターを更に含むことが好ましい。
【0039】
上記本発明の可変減衰器において、第2および第3ショットキーダイオードの各アノードに前記制御電圧を印加する第3および第4抵抗を更に含むことが好ましい。
【0040】
上記本発明の可変減衰器において、前記第1および第2抵抗は、50Ωであることが好ましい。
【0041】
上記本発明の可変減衰器において、前記RF信号は、低減衰モードでは第1ショットキーダイオードに流れ、高減衰モードでは第2および第3ショットキーダイオードに流れることが好ましい。
【0042】
上記本発明の可変減衰器において、前記RF信号は、中間減衰モードでは第1、第2、第3のショットキーダイオードのすべてに流れることが好ましい。
【0043】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図面を用いて説明する。
【0044】
図1は本発明に係る可変減衰器の回路図で、図示されたように、本発明に係る可変減衰器においては、RF信号から直流成分を除去するキャパシター(C1)と、所定レベルの固定電圧を出力する電源部10と、該電源部10の固定電圧によってキャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号を減衰する減衰器20と、低減衰モードで減衰器20のインピーダンス整合を維持するインピーダンス整合部30と、前記減衰器20に並列接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってキャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号を減衰する減衰器40と、高減衰モードで減衰器40の入出力インピーダンス整合を維持するインピーダンス整合部50とから構成されている。
【0045】
又、前記各インピーダンス整合部30、50はそれぞれ50Ωの抵抗(R−R4)から構成されている。
【0046】
且つ、前記電源部10は、電源電圧(Vcc)を分配して約1.3Vの固定電圧を出力し、前記減衰器20は少なくとも一つ以上のPINダイオード及びショットキーダイオードから構成されるが、本発明の実施形態では一つのショットキーダイオード(D1)のみを使用した場合を例示して説明する。
【0047】
即ち、前記減衰器40は、前記減衰器20の入力端子に並列接続されたキャパシター(C3)と、該キャパシター(C3)を通して伝えられたRF信号を減衰するショットキーダイオード(D2)と、前記減衰器20の出力端子に並列接続されたショットキーダイオード(D3)と、それらショットキーダイオード(D2、D3)の各アノード間に接続された各抵抗(R5、R6)とから構成されている。
【0048】
このとき、該各抵抗(R5、R6)は、制御電圧入力端子を通して入力された制御電圧をショットキーダイオード(D2、D3)に印加する役割をし、前記キャパシター(C3)は制御電圧が減衰器20の方に伝えられることを遮断する。
【0049】
以下、このように構成された本発明に係る可変減衰器の動作に対して詳細に説明する。
【0050】
本発明で、可変減衰器の減衰モードは制御電圧のレベルによって決定される。例えば、制御電圧が0V−0.6V以下の場合は可変減衰器が低減衰モードで動作され、制御電圧が0.6V−1.3V以下の場合は中間減衰モードで動作され、制御電圧が1.3V以上の場合は高減衰モードで動作される。この時、減衰モードを決定する電圧範囲は固定されたものではなく、電源部10から出力される固定電圧の範囲によって変更することができる。
【0051】
このような減衰モードで、キャパシター(C1)を通過したRF信号はそれぞれ異なる経路を通して減衰される。即ち、低減衰モードでキャパシター(C1)を通過したRF信号は減衰器20のみに流れ、中間減衰モードでRF信号は減衰器20、40すべてを通して流れ、高減衰モードでRF信号は減衰器40のみに流れる。
【0052】
まず、可変減衰器は、0Vの制御電圧が印加されると低減衰モードで動作される。前記0Vの制御電圧により減衰器40の各ショットキーダイオード(D2、D3)の内部抵抗は∞になり、キャパシター(C1、C3)を通して伝えられたRF信号は減衰器40に流れなくなる。
【0053】
この時、電源部10は電源電圧(Vcc)を分配して、約1.3Vの固定電圧を減衰器20に印加し、該固定電圧によりショットキーダイオード(D1)のアノードにはターンオン−電圧より高い1.3Vの電圧が印加される。
【0054】
従って、ショットキーダイオード(D1)の内部抵抗は0Ωになるため、入力端子(RFin)及びキャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号は、減衰なしにそのまま減衰器20及びキャパシター(C2)を通して出力端子(RFout)に伝えられる。この場合、減衰器20の入出力インピーダンスはインピーダンス整合部30により50Ωを維持する。
【0055】
次いで、制御電圧が増加すると、各ショットキーダイオード(D2、D3)のアノードに順方向バイアス(Forward Bias)がかかり、各ショットキーダイオード(D2、D3)はターンオンされるようになる。即ち、制御電圧が0.6Vになると、ショットキーダイオード(D1)はターンオン状態を維持するが、制御電圧が0Vの時より内部抵抗がやや増加した状態になり、各ショットキーダイオード(D2、D3)はターンオンされるための過渡的状態になって、それらショットキーダイオード(D2、D3)には∞より少し減少された内部抵抗が設定される。
【0056】
従って、キャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号は主に減衰器20で減衰されるが、減衰器40でも少しずつ減衰されるようになる。この時、入出力インピーダンスは依然として整合状態を維持するが、抵抗(R1−R4)によって50Ωより小さくなる。
【0057】
次いで、制御電圧が1Vになると、ショットキーダイオード(D1)の内部抵抗は増加する反面、各ショットキーダイオード(D2、D3)の内部抵抗が一層減少される。従って、キャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号は主に各ショットキーダイオード(D2、D3)を通して減衰され、この時の入出力インピーダンスは各インピーダンス整合部30、50の抵抗(R1−R4)によって50Ωより小さくなる。
【0058】
このように、各減衰器20、40がすべて動作される中間減衰モードで、RF信号は全てのショットキーダイオード(D1−D3)を通して減衰され、この時の入出力インピーダンスは前記各インピーダンス整合部30、50の各抵抗(R1−R4)によって50Ωより小さな値を有するようになる。
【0059】
そして、前記中間減衰モードは、ショットキーダイオード(D1)のアノードとカソードとの電圧差が0Vになるまで維持される。現在、ショットキーダイオード(D1)のアノードには電源部10から出力された1.3Vの固定電圧が印加されているため、該固定電圧(1.3V)に対応してカソードに1.3Vより高い制御電圧を印加すると、可変減衰器は中間減衰モードから高減衰モードに進入する。
【0060】
次いで、可変減衰器が高減衰モードで動作されると、ショットキーダイオード(D1)のカソード電圧がアノード電圧(1.3V)より大きくなる。よって、ショットキーダイオード(D1)の内部抵抗は∞になり、キャパシター(C1)を通して伝えられたRF信号はすべて各ショットキーダイオード(D2、D3)を通して流れるようになる。そして、入出力インピーダンスは、中間減衰モードの所定時点から再び増加しはじめ、高減衰モードではインピーダンス整合部50によって再び50Ωになる。これは、各抵抗(R3、R4)に入出力インピーダンスが強制的に50Ωに設定されるためである。
【0061】
このように、本発明は、減衰器40にインピーダンス整合部50を接続することで、高減衰モードでも入出力インピーダンスを50Ωに維持し得るようになる。
【0062】
本発明の可変減衰器では、低減衰モード用の第1減衰器と、高減衰モード用の第2減衰器とを別々に構成し、かつ、高減衰モードでの入出力インピーダンス整合のためにさらなるインピーダンス整合部を第2減衰器に接続することによって、各減衰モードにおいて常時50Ωとして入出力インピーダンスを維持することが可能である。
【0063】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る可変減衰器においては、低減衰モードで動作する第1減衰減衰器と高減衰モードで動作する第2減衰器とを別途に構成して、高減衰モードにおけるインピーダンスを整合するために第2減衰器に50Ωの抵抗を強制的に接続することで、各減衰モードで常に50Ωの入出力インピーダンスを維持し得るという効果がある。
【0064】
従って、本発明は、各モードで安定したインピーダンスマッチングを維持し得るため、可変減衰器の安全性を確保することができるし、受信機の低雑音増幅器(LNA)に使用する場合はデュプレックサー及び受信フィルターの通過帯域(Pass Band)特性を変更する必要がなくなる。
【0065】
また、無線で受信した場合、従来のようにアンテナとのミスマッチングによって受信レベルが低下される現象を予防し得るという効果がある。
【0066】
そして、本発明の実施形態は、ただ一つの例であって、請求範囲をはずれない限り、多様な形態に変更して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る可変減衰器の構成を示したブロック図である。
【図2】従来可変減衰器の構成を示したブロック図である。
【符号の説明】
10 電源部
20、40 減衰器
30、50 インピーダンス整合部
Claims (19)
- 固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器と、
該第1減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってRF信号を減衰する第2減衰器と、
該第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする可変減衰器。 - 前記第1減衰器のインピーダンス整合のために接続された第2インピーダンス整合部を更に含むことを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。
- 入力RF信号から直流成分を除去して第1減衰器に出力する第1キャパシターと、
第1、第2減衰器の出力信号から直流成分を除去する第2キャパシターを更に含むことを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。 - 前記第1減衰器は、
PINダイオード及びショットキーダイオードから構成されていて、前記固定電圧は、所定レベルに分配された電源電圧であることを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。 - 前記RF信号は、
低減衰モードでは第1減衰器のみに流れ、高減衰モードでは第2減衰器のみに流れることを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。 - 前記RF信号は、中間減衰モードから第1、第2減衰器のすべてに流れることを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。
- 前記第2減衰器は、
第1減衰器の入力端子に並列接続された第3キャパシターと、
第3キャパシターに直列接続された第1ショットキーダイオードと、
第1減衰器の出力端子に並列接続された第2ショットキーダイオードと、
第1、第2ショットキーダイオードの各アノード間に接続された第1、第2抵抗と、
第1、第2抵抗間に形成された制御信号入力端子と、を含んで構成されることを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。 - 固定電圧によってRF信号を減衰する第1減衰器と、
低減衰モードで該第1減衰器のインピーダンス整合を維持する第1インピーダンス整合部と、
該第1減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によって該RF信号を減衰する第2減衰器と、
高減衰モードで該第2減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第2インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする可変減衰器。 - 前記第1および第2インピーダンス整合部は、同一の抵抗を有する、請求項8記載の可変減衰器。
- 前記第2インピーダンス整合部は、前記第2減衰器と接地との間に接続された2つの抵抗からなり、各抵抗は50Ωである、請求項8記載の可変減衰器。
- 前記RF信号は、低減衰モードでは前記第1減衰器のみに流れ、高減衰モードでは前記第2減衰器のみに流れる、請求項8記載の可変減衰器。
- 前記RF信号は、中間減衰モードでは第1、第2減衰器のすべてに流れる、請求項8記載の可変減衰器。
- 前記第2減衰器は、
第1減衰器の入力端子に並列接続され、制御電圧が第1減衰器側に印加されることを遮断する第3キャパシターと、
該第3キャパシターを通して伝えられたRF信号を減衰する第1ショットキーダイオードと、
第1減衰器の出力端子に並列接続された第2ショットキーダイオードと、
制御電圧をそれぞれ印加するために第1、第2ショットキーダイオードの各アノードに接続された第1、第2抵抗と、を含んで構成される、請求項8記載の可変減衰器。 - 固定電圧によってRF信号を減衰する第1ショットキーダイオードと、
第1ショットキーダイオードのアノードに並列接続されて、制御電圧によってRF信号を減衰する第2ショットキーダイオードと、
第1ショットキーダイオードのカソードに並列接続されて、制御電圧によってRF信号を減衰する第3ショットキーダイオードと、
ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第1抵抗と、
第3ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第2抵抗と、を含んで構成されることを特徴とする可変減衰器。 - 前記第1ショットキーダイオードのアノードに接続されて、制御電圧が第1ショットキーダイオードに印加されることを遮断するキャパシターを更に含む、請求項14記載の可変減衰器。
- 第2および第3ショットキーダイオードの各アノードに前記制御電圧を印加する第3および第4抵抗を更に含む、請求項14記載の可変減衰器。
- 前記第1および第2抵抗は、50Ωである、請求項14記載の可変減衰器。
- 前記RF信号は、低減衰モードでは第1ショットキーダイオードに流れ、高減衰モードでは第2および第3ショットキーダイオードに流れる、請求項14記載の可変減衰器。
- 前記RF信号は、中間減衰モードでは第1、第2、第3のショットキーダイオードのすべてに流れる、請求項14記載の可変減衰器。
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