JP2009130808A - アッテネータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】直列接続された第1および第2回路と、これら第1および第2回路との間にシャント状に接続された第3回とを含むT型の二端子対網回路と、からなるアッテネータに対し、第1および第2回路の間に第3回路とは別にシャント容量を接続する。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態の一であるアッテネータ100を示す。アッテネータ100は端子101および103からなるポートと、端子102および104からなるポートとの間に回路素子を有する二端子対網回路(2ポート回路)である。アッテネータ100では、電界効果トランジスタの一種であるMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタ105および106が、第1の回路および第2の回路の一例として端子101と端子103との間に直列に接続されている。さらにアッテネータ100は、このMOSトランジスタ105および106との間にシャント状に接続されたMOSトランジスタ107を有する。ここで、MOSトランジスタ105ないし107によって構成される回路109は、MOSトランジスタで構成された一般的なT型アッテネータである。そして係るT型アッテネータに対し、MOSトランジスタ105および106との間にさらにシャント状に容量素子108が接続されている。MOSトランジスタ107および容量素子108は二端子対網回路のシャント成分なので、端子103と端子104とを結ぶ配線にも接続されている。容量素子108の値は、一例として、20[fF]とすることができる。また、これらのMOSトランジスタは一般的にはn型のMOSトランジスタであるが、p型のMOSトランジスタであってもよい。また、MOSトランジスタ105ないし107のそれぞれは、ゲート端子を有している。
図4は、図1に係るアッテネータ100の容量素子を可変容量素子408としたアッテネータ400である。アッテネータ400の回路素子の内、容量素子408以外の他の構成はアッテネータ100と同様である。
図6は、図4に示したアッテネータ400に対してさらに二つの容量素子を加えた構成を有するアッテネータ600を示す。具体的には、アッテネータ600は、図4のアッテネータ400と同様の回路素子であるMOSトランジスタ605、606、607、および可変容量素子608を有するとともに、新たな容量素子609と610をさらに有する。アッテネータ600は、容量素子608に加えて容量素子609および610を有するため、これらの容量素子の容量値がアッテネータ600の製造時にばらついた場合に減衰特性に与える影響を低減することができる。上述したように、アッテネータの減衰特性は散乱行列の対角成分であるS12とS21の周波数特性を解析することで得ることができるが、このS12とS21の値に大きな影響を与えるパラメータのひとつが容量素子の容量値である。そこでアッテネータ600では容量素子を回路中に複数設け、散乱行列の対角成分S12あるいはS21の容量素子のばらつきによる変動を低減している。S12とS21は分数形式のパラメータであり、容量素子を回路中に複数設けることで容量値によって変動する項がS12またはS21の分母と分子の両方に散りばめられる。したがって、容量素子608、609、610のそれぞれが容量値の製造によりばらついたとしても、S12またはS21の変動は分母の変動と分子の変動により相殺される。したがってS12またはS21から求めることができる減衰特性も容量素子608、609、610の容量値の製造時のばらつきによっては大きく変動しない。
図7は図6に示したアッテネータ600に対して、ゲート配線とグランドとの間に寄生容量711が生じたアッテネータ700を示している。アッテネータには、実際にはゲート配線とグランドとの間に寄生容量が生じる。寄生容量711以外の回路素子は、図6に示したアッテネータ600と同様である。寄生容量711はアッテネータ700の減衰特性に影響を与える。まず端子701が受けた入力信号の一部がMOSトランジスタ705のゲート電極とソース電極との間に生じる寄生容量を介して(図3参照)MOSトランジスタ705のゲート配線に流れる。そして係るMOSトランジスタ705のゲート配線に流れたリーク電流は寄生容量素子711を介してグランドに向かって流れる。端子701が受けた入力信号の分流成分が増加するため、入力信号の周波数が高い場合には、入力信号に係る利得の減衰量が増加することが考えられる。しかし、寄生容量による減衰特性の変動はできるだけ回避すべきである。そこで、第4の実施例として、MOSトランジスタのゲート配線を介したリーク電流成分を低減することができるアッテネータを図8に示す。図8に示したアッテネータ800では、アッテネータ800を構成するMOSトランジスタ805、806、807のそれぞれのゲート電極に抵抗811、812、813がそれぞれ接続されている。抵抗811、812、813の抵抗値は、一例として、それぞれ1[kΩ]である。MOSトランジスタ805、806、807のそれぞれのゲート電極に抵抗を接続することで、端子801が受けた入力信号がMOSトランジスタ805、806、807のゲート配線のそれぞれを介してリークすることを防止できる。なお、図8に示されたアッテネータ800は容量素子809、810を含むがこれらは図6に係るアッテネータ600が含む容量素子609、610と同様の効果を発揮しているのであって、端子801が受けた入力信号がMOSトランジスタ805、806、807のゲート配線のそれぞれを介してリークすることを防止するための必須の構成要素ではない。すなわち、例えば図12に示されているように、容量素子を含まない構成とすることもできる。
図9は、図8に係るアッテネータ800の可変容量素子808をMOSトランジスタで実現した例を示している。図9に示されたアッテネータ900はMOSトランジスタ907、910、913と、これらのMOSトランジスタ907、910、913のそれぞれに直列接続された容量素子908、911、914を有する。MOSトランジスタ907、910、913のそれぞれのゲート電極に印加する電圧を制御して、ソースとドレインが導通するMOSトランジスタの数を変更し、可変容量素子を実現する。MOSトランジスタ907、910、913の内、ソースとドレインが導通するMOSトランジスタの数が多ければ、分流する入力信号成分が大きくなる。これは等価的に、図8の可変容量素子808の容量値が増加したことを意味する。MOSトランジスタ907、910、913の内、ソースとドレインが導通するMOSトランジスタの数が少なければ、分流する入力信号成分が小さくなる。これは等価的に、図8の可変容量素子808の容量値が減少したことを意味する。なお、図9では等価的な可変容量素子の実現に寄与しているMOSトランジスタは907、910、913の三つであり、等価的な可変容量素子の実現に寄与している容量素子は908、911、914の三つであるが、MOSトランジスタおよび容量素子の数は三つに限られるものではない。例えば変化させたい容量値の範囲に応じて、回路設計者が任意にMOSトランジスタおよび容量素子の数を選択することができる。また、容量素子916、917は、図6に係るアッテネータ600が含む容量素子609、610と同様の効果を発揮しているのであって、等価的な可変容量を実現するための必須の構成要素ではない。加えて、抵抗918および919も、図8に係るアッテネータ800が含む抵抗811ないし813と同様の効果を発揮しているのであって、等価的な可変容量を実現するための必須の構成要素ではない。
これまで、アッテネータの減衰特性を可変容量素子により調整することを説明してきたが、アッテネータの減衰特性を調整する別の方法として、MOSトランジスタのゲート電圧を調整することでMOSトランジスタのON抵抗の値を調整し、アッテネータの減衰特性を調整する方法もある。図10は、T型アッテネータを構成するMOSトランジスタの内、シャント状に接続されたMOSトランジスタのゲート電圧を変化させた際に、係るT型アッテネータの減衰特性がどのように変化するかを示したものである。図10に示されているように、MOSトランジスタのオン抵抗を調整することによっても、アッテネータの減衰特性を調整することができる。
105 MOSトランジスタ
106 MOSトランジスタ
107 MOSトランジスタ
108 容量素子
109 T型アッテネータ
400 アッテネータ
408 可変容量素子
609 容量素子
610 容量素子
711 寄生容量
811 抵抗
812 抵抗
907 MOSトランジスタ
908 容量素子
910 MOSトランジスタ
911 容量素子
913 MOSトランジスタ
914 容量素子
Claims (8)
- 節点を介して直列接続された第1および第2回路と、前記節点にシャント状に接続された第3回路と、を含むT型の二端子対網回路と、
前記節点に前記第3回路とは別に接続されたシャント容量と、
を有することを特徴とするアッテネータ。 - 前記シャント容量は、容量値が可変であることを特徴とする請求項1に記載のアッテネータ。
- 前記二端子対網回路が有する端子の内の入力信号を受信する第1端子と前記第1回路との間に接続された容量をさらに有することを特徴とする請求項2に記載のアッテネータ。
- 前記第1回路は第1電界効果トランジスタを含み、前記第1電界効果トランジスタのゲート端子には抵抗が接続されていることを特徴とする請求項3に記載のアッテネータ。
- 前記シャント容量と直列に接続された第2電界効果トランジスタをさらに有することを特徴とする請求項4に記載のアッテネータ。
- 前記シャント容量は第1シャント容量であって、
前記第1および第2回路の間に、前記第3回路と前記第1シャント容量および前記第2電界効果トランジスタのそれぞれとは別に接続された第2シャント容量と、
前記第2シャント容量と直列に接続された第3電界効果トランジスタと、
をさらに有することを特徴とする請求項5に記載のアッテネータ。 - 前記シャント容量は、前記節点を介して前記第3回路と並列に接続されていることを特徴とする請求項2記載のアッテネータ。
- 前記第1回路は第1電界効果トランジスタを含み、前記第1電界効果トランジスタのゲート端子には抵抗が接続されていることを特徴とする請求項1に記載のアッテネータ。
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CN102237857A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 英业达股份有限公司 | 用于抵消强化后输入信号的高频衰减电路架构 |
US9516256B2 (en) * | 2011-03-03 | 2016-12-06 | Thomson Licensing | Apparatus and method for processing a radio frequency signal |
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JP6719991B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-07-08 | アンリツ株式会社 | 分配器およびそれを用いた信号発生システム |
CN106411288A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-02-15 | 吴韵秋 | 一种低附加相移的多位数控衰减器 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59134927U (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-08 | 日本電気株式会社 | 可変減衰器 |
JPS62161420U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-14 | ||
JPH022702A (ja) * | 1987-12-11 | 1990-01-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | 可変減衰器 |
JPH11136092A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Nec Corp | ステップアテネータ |
JP2000261290A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波可変減衰器および高周波可変減衰器の制御方法 |
JP2000286659A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Toshiba Lighting & Technology Corp | アッテネータ |
JP2005159803A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Fujitsu Ltd | ゲインの可変制御可能な高周波増幅回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4222066A (en) * | 1977-12-22 | 1980-09-09 | North American Philips Corporation | CATV Subscription service control device and attenuator therefor |
US4216445A (en) * | 1978-12-22 | 1980-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Variable resistance attenuator |
KR100480071B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 가변 감쇠기 |
US20090079489A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | M/A-Com, Inc. | Constant phase digital attenuator with on-chip matching circuitry |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59134927U (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-08 | 日本電気株式会社 | 可変減衰器 |
JPS62161420U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-14 | ||
JPH022702A (ja) * | 1987-12-11 | 1990-01-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | 可変減衰器 |
JPH11136092A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Nec Corp | ステップアテネータ |
JP2000261290A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波可変減衰器および高周波可変減衰器の制御方法 |
JP2000286659A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Toshiba Lighting & Technology Corp | アッテネータ |
JP2005159803A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Fujitsu Ltd | ゲインの可変制御可能な高周波増幅回路 |
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