JPH07336177A

JPH07336177A - π型ダイオード可変減衰器

Info

Publication number: JPH07336177A
Application number: JP12394094A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kajikawa; 博梶川; Takayuki Tamura; 高之田村
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-06-06
Filing date: 1994-06-06
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、６個のＰＩＮダイオードからな
るπ型ダイオード可変減衰器において、伝送路間に直列
に接続したＰＩＮダイオードの順抵抗値を大きくし、か
つ伝送路と接地間に接続したＰＩＮダイオードの順抵抗
値を小さくし、最大減衰量を大きくしダイナミックレン
ジを大きくできるようにするとともに、雑音電圧による
減衰量の変動を抑えることを目的とする。【構成】６個のＰＩＮダイオードから構成されるπ型
ダイオード可変減衰器について、高周波伝送路間に直列
に２個ＰＩＮダイオードを接続し、前記ダイオードの入
力側と接地間に並列に２個ＰＩＮダイオードを接続し、
同様に出力側と接地間に並列に２個ＰＩＮダイオードを
接続するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、衛星通信装置及びそ
の他の無線機器において、安定した出力を得るための利
得調整用π型ダイオード可変減衰器に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】可変減衰器は、衛星通信装置及びその他
の無線機器において安定した送信出力レベルを得るため
の自動レベル制御回路（ＡＬＣ回路）に用いられる。図
９は従来のπ型ダイオード可変減衰器の回路図である。
３３〜３５はＰＩＮダイオード、１４，１６，１７，１
９，２０はバイパスコンデンサ、７，９，３６は抵抗、
１２，１３はチョークコイルである。３個のＰＩＮダイ
オード３３〜３５は、π型に接続されている。高周波伝
送路３７と直列に接続したＰＩＮダイオード３５のアノ
ード端には、バイパスコンデンサ１６を介して、ＰＩＮ
ダイオード３３のアノード端が接続され、ＰＩＮダイオ
ード３５のカソード端には、ＰＩＮダイオード３４のカ
ソード端が接続されている。ＰＩＮダイオード３３のカ
ソード端には、抵抗３６を介してＰＩＮダイオード３４
のアノード端が接続され、またバイパスコンデンサ１９
を介して高周波接地されている。ＰＩＮダイオード３４
のアノード端には、バイパスコンデンサ２０を介して高
周波接地されている。ＰＩＮダイオード３５のアノード
端とバイパスコンデンサ１６との間には、電圧制御回路
２２との間でチョークコイル１３が介されている。高周
波入力端には、バイパスコンデンサ１４を介して、定電
圧回路２１が接続されている。定電圧回路２１と高周波
伝送路３７間には抵抗７が接続されている。高周波出力
端には、バイパスコンデンサ１７を介して、接地との間
でチョークコイル１２と抵抗９が直列に接続されてい
る。

【０００３】次に動作について説明する。図９におい
て、３個のＰＩＮダイオード３３〜３５から成るπ型ダ
イオード可変減衰器の減衰量は、一つの電圧制御回路に
より制御される。電圧制御回路２２の出力電圧を可変す
ることにより、チョークコイル１３、ＰＩＮダイオード
３５、チョークコイル１２、抵抗９から接地に至る電流
経路における電流値が制御され、ＰＩＮダイオード３５
の順抵抗値は決定される。また、定電圧回路２１からの
出力電流は、抵抗７、ＰＩＮダイオード３３、抵抗３
６、ＰＩＮダイオード３４、チョークコイル１２、抵抗
９から接地に至る経路を流れる。前記電流値は、電圧制
御回路２２から供給される電流による抵抗９の電圧降下
と定電圧回路２１の出力電圧により決定され、これによ
りＰＩＮダイオード３３，３４の順抵抗値が決まる。

【０００４】ここで減衰量を大きくするためには、ＰＩ
Ｎダイオード３５の順抵抗値を大きくし、ＰＩＮダイオ
ード３３，３４の順抵抗値を小さくする必要がある。Ｐ
ＩＮダイオード３５の順抵抗値を大きくするためには、
電圧制御回路２２の出力電圧を小さくし、順電流を小さ
くしなければならない。このとき、抵抗９の電圧降下量
が小さくなるため、ＰＩＮダイオード３３，３４の順電
流が増加し順抵抗値が減少する。これにより減衰量が大
きくなる。

【０００５】逆に減衰量を小さくするためには、ＰＩＮ
ダイオード３５の順抵抗値を小さくし、ＰＩＮダイオー
ド３３，３４の順抵抗値を大きくする必要がある。ＰＩ
Ｎダイオード３５の順抵抗値を小さくするためには、電
圧制御回路２２の出力電圧を大きくし、順電流を大きく
しなければならない。このとき、抵抗９の電圧降下量が
大きくなるため、ＰＩＮダイオード３３，３４の順電流
が減少し順抵抗値が増加する。これにより減衰量が小さ
くなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来のπ型ダイオード
可変減衰器は、以上のように構成されているので一つの
ＰＩＮダイオードの順抵抗値の最小値を小さくするか、
あるいは最大値を大きくしなければダイナミックレンジ
を大きくすることは困難であった。また、減衰量の可変
が電圧制御であるため、雑音電圧及びリップル電圧の影
響を受けやすいという問題があった。また、図９におい
てバイアス電流の制御端子が一つであるため、固定端子
から供給されるバイアス電流によるＰＩＮダイオードの
順抵抗値を高精度で制御することは困難である。したが
って良好なインピーダンス特性を得るが困難であるとう
問題があった。

【０００７】この発明は前記のような問題点を解消する
ためになされたもので、広範囲なダイナミックレンジを
得ることができるとともに、雑音電圧の影響が小さく、
インピーダンス特性が良好である可変減衰器を得ること
を目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係るπ型ダイ
オード可変減衰器は、ＰＩＮダイオードをπ型に接続し
てなるπ型ダイオード可変減衰器において、高周波伝送
路間の入出力間に直列に接続した第１の複数のＰＩＮダ
イオードと、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの入力
側と接地間に並列に接続した第２の複数のＰＩＮダイオ
ードと、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの出力側と
接地間に並列に接続した第３の複数のＰＩＮダイオード
とを配設したものである。

【０００９】また、π型に接続されたＰＩＮダイオード
と、前記ＰＩＮダイオードにバイアス電流を供給するバ
イアス回路を備えたπ型ダイオード可変減衰器におい
て、高周波伝送路間の入出力間に極性を同方向にして直
列に接続した第１の複数のＰＩＮダイオードと、前記第
１の複数のＰＩＮダイオードの入力側と接地間に極性を
逆方向にして並列に接続した第２の複数のＰＩＮダイオ
ードと、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの出力側と
接地間に極性を逆方向にして並列に接続した第３の複数
のＰＩＮダイオードとを配設し、前記第１の複数のＰＩ
Ｎダイオードの入力側に第１のバイアス電流を前記第１
の複数のＰＩＮダイオードに供給する電圧制御回路を接
続し、出力側を抵抗を介して接地に接続して第１のバイ
アス回路とし、前記第２の複数のＰＩＮダイオードの入
力側に第２のバイアス電流を前記第２及び第３の複数の
ＰＩＮダイオードに供給する定電圧回路を接続し、出力
側に前記第３の複数のＰＩＮダイオードの入力側を接続
し、前記第３の複数のＰＩＮダイオードの出力側を前記
抵抗を介して接地に接続して第２のバイアス回路とし、
前記第１のバイアス回路と第２のバイアス回路以外に前
記バイアス電流が流れないように直流阻止用のコンデン
サを要所に配設したものである。

【００１０】また、π型に接続されたＰＩＮダイオード
と、前記ＰＩＮダイオードにバイアス電流を供給するバ
イアス回路を備えたπ型ダイオード可変減衰器におい
て、高周波伝送路間の入出力間に極性を同方向にして直
列に接続した第１の複数のＰＩＮダイオードと、前記第
１の複数のＰＩＮダイオードの入力側と接地間に極性を
逆方向にして並列に接続した第２の複数のＰＩＮダイオ
ードと、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの出力側と
接地間に極性を逆方向にして並列に接続した第３の複数
のＰＩＮダイオードとを配設し、前記第２の複数のＰＩ
Ｎダイオードの入力側に第１のバイアス電流を前記第２
及び第３の複数のＰＩＮダイオードに供給する電圧制御
回路を接続し、出力側に前記第３の複数のＰＩＮダイオ
ードの入力側を接続し、前記第３の複数のＰＩＮダイオ
ードの出力側を抵抗を介して接地に接続して第１のバイ
アス回路とし、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの入
力側に第２のバイアス電流を前記第１の複数のＰＩＮダ
イオードに供給する定電圧回路を接続し、出力側を前記
抵抗を介して接地に接続して第２のバイアス回路とし、
前記第１のバイアス回路と第２のバイアス回路以外に前
記バイアス電流が流れないように直流阻止用のコンデン
サを要所に配設したものである。

【００１１】また、前記請求項２の第１のバイアス回路
において、電圧制御回路に替えて電流制御回路とし、第
１のバイアス電流を前記電流制御回路により供給するも
のである。

【００１２】また、前記請求項３の第１のバイアス回路
において、電圧制御回路に替えて電流制御回路とし、第
１のバイアス電流を前記電流制御回路により供給するも
のである。

【００１３】また、前記請求項２の第２のバイアス回路
において、定電圧回路に替えて電圧制御回路とし、前記
第１のバイアス回路と第２のバイアス回路を接地させる
共有の抵抗を前記第１のバイアス回路と第２のバイアス
回路に各々独立して配置し、各々の抵抗のバイアス電流
の流入側であって前記高周波伝送路間でコンデンサを介
して接続したものである。

【００１４】また、前記請求項６の第１のバイアス回路
と第２のバイアス回路の各々の電圧制御回路に替えて電
流制御回路としたものである。

【００１５】また、前記請求項１の第１の複数のＰＩＮ
ダイオード、第２の複数のＰＩＮダイオード及び第３の
複数のＰＩＮダイオードを各々パッケージにしたもので
ある。

【００１６】

【作用】この発明におけるπ型ダイオード可変減衰器
は、高周波伝送路間に直列に接続した複数のＰＩＮダイ
オードにより前記ＰＩＮダイオードの順抵抗値を大きく
し、かつ高周波伝送路と接地間に並列に複数接続したＰ
ＩＮダイオードにより、ＰＩＮダイオードの順抵抗値を
小さくするにより、π型ダイオード可変減衰器の最大減
衰量を大きくしダイナミックレンジを大きくすることが
できる。また、バイアス電流の供給を電流制御により行
うことにより雑音電圧等による減衰量変動を抑えること
ができる。さらに、高周波伝送路と直列に接続したＰＩ
Ｎダイオードの順抵抗値と、高周波伝送路と接地間に接
続したＰＩＮダイオードの順抵抗値を別の二つの制御回
路で制御することにより良好なインピーダンス特性を有
することができる。

【００１７】

【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照にして説
明する。実施例１．図１はこの発明の実施例１によるπ型ダイオ
ード可変減衰器の電気回路図である。図１において、１
〜６はＰＩＮダイオードである。５，６は高周波伝送路
３７間に直列に接続し、１，２は高周波伝送路３７の入
力側と接地間に並列に接続し、３，４は高周波伝送路３
７の出力側と接地間に並列に接続したものである。前記
のＰＩＮダイオード１〜６は各々２つのＰＩＮダイオー
ドにより直列又は並列に組合せているが、条件により２
つ以上のＰＩＮダイオードの組合せによる場合もあり、
従ってＰＩＮダイオード５，６に対応する組合せを第１
の複数のＰＩＮダイオードとし、ＰＩＮダイオード１，
２に対応する組合せを第２の複数のＰＩＮダイオードと
し、また、ＰＩＮダイオード３，４に対応する組合せを
第３の複数のＰＩＮダイオードとする。実施例２以後も
同様である。

【００１８】次に動作について説明する。図１におい
て、高周波伝送路３７間に直列に２個ＰＩＮダイオード
５，６を接続することにより、π型ダイオード可変減衰
器の高周波伝送路間順抵抗値を大きくすることができ
る。また、前記ＰＩＮダイオード５，６の入力側と接地
間に並列に２個ＰＩＮダイオード１，２、及び出力側と
接地間に２個ＰＩＮダイオード３，４を接続することに
より、π型ダイオード可変減衰器の高周波伝送路３７と
接地間の順抵抗値を小さくすることができる。これによ
り、π型ダイオード可変減衰器の最大減衰量を大きくす
ることが可能である。

【００１９】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よるπ型ダイオード可変減衰器の電気回路図である。図
２において、π型ダイオード可変減衰器は、前述の実施
例１の高周波伝送路３７間に直列接続した２個のＰＩＮ
ダイオード５，６の極性を同方向にし、電圧制御回路２
２からチョークコイル１３、前記２個のＰＩＮダイオー
ド５，６、高周波伝送路２７と接地間に直列接続したチ
ョークコイル１２、及び抵抗９を介して接地に第１のバ
イアス電流を流す第１のバイアス回路、前記ダイオード
５のアノード端と接地間に並列接続した２個のＰＩＮダ
イオード１，２の極性を接地に対し互いに逆方向にし、
同様にＰＩＮダイオード６のカソード端と接地間に並列
接続した２個のＰＩＮダイオード３，４の極性を接地に
対し互いに逆方向にし、定電圧回路２１から抵抗７、高
周波伝送路３７間に直列接続したＰＩＮダイオード５の
アノード端と接地間に接続したＰＩＮダイオード１及び
ＰＩＮダイオード２、高周波伝送路３７間に直列接続し
た２個のＰＩＮダイオード５，６のアノードとカソード
間に並列接続した線路間に直列に接続したチョークコイ
ル１０，１１及び抵抗８、高周波伝送路３７間に直列接
続したＰＩＮダイオード６のカソード端と接地間に接続
したＰＩＮダイオード３及びＰＩＮダイオード４、高周
波伝送路３７と接地間に直列接続したチョークコイル１
２、抵抗９を介して接地に第２のバイアス電流を流す第
２のバイアス回路、及び前記の第１及び第２のバイアス
回路の電流経路以外に電流を流さないためのバイパスコ
ンデンサ１４〜２０を各素子間及び各素子と接地間に配
置する構成にしたものである。ここで記載しているチョ
ークコイルは、高周波信号の直流回路へのリークを阻止
するために一般に用いられている。本実施例において
は、図２において前記チョークコイルを記載したが、必
ずしも本実施例及び他の実施例による本発明に必要なも
のではない。

【００２０】図２の構成において、電圧制御回路２２か
ら供給された第１のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード５，６の順抵抗値が決定される。同時に前記第１の
バイアス電流による抵抗９の電圧降下量と定電圧回路２
１の出力電圧からＰＩＮダイオード１〜４に流れる第２
のバイアス電流が決まり、ＰＩＮダイオード１〜４の順
抵抗値が決定される。これらＰＩＮダイオード５，６及
びＰＩＮダイオード１〜４の各々の順抵抗値によりπ型
ダイオード可変減衰器の減衰量が制御される。従って、
電圧制御回路２２により印加される電圧の制御により、
バイアス電流を変化させることにより各回路のＰＩＮダ
イオードで可変することが可能となり減衰量のダイナミ
ックレンジを拡大することができる。

【００２１】以上により、一つの制御電圧により高周波
伝送路間に直列接続したＰＩＮダイオード５，６の順抵
抗値と高周波伝送路と接地間に接続したＰＩＮダイオー
ド１〜４の順抵抗値を制御することが可能であり、かつ
実施例１同様、ダイナミックレンジが大きくとれる。

【００２２】実施例３．図３は本発明の実施例３による
π型ダイオード可変減衰器の電気回路図である。図３に
おいて、前述の実施例２の電気回路のうち、高周波伝送
路３７間に直列接続したＰＩＮダイオード５，６の第２
のバイアス電流を定電圧回路２４により供給し、高周波
伝送路３７と接地間に接続したＰＩＮダイオード１〜４
の第１のバイアス電流を電圧制御回路２３より供給した
ものである。

【００２３】図３の構成において、電圧制御回路２３か
ら供給された第１のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード１〜４の順抵抗値が決定される。同時に前記電流に
よる抵抗９の電圧降下量と定電圧回路２４の出力電圧か
らＰＩＮダイオード５，６に流れる第２のバイアス電流
が決まり、ＰＩＮダイオード５、６の順抵抗値が決定さ
れる。実施例２同様、前記順抵抗値によりπ型ダイオー
ド可変減衰器の可変減衰量が制御される。

【００２４】以上により、実施例２同様、一つの制御電
圧により高周波伝送路３７と接地間に接続したＰＩＮダ
イオード１〜４の順抵抗値と高周波伝送路間に直列接続
したＰＩＮダイオード５，６の順抵抗値を制御すること
が可能であり、かつ実施例１同様、ダイナミックレンジ
が大きくとることができる。

【００２５】実施例４．図４は本発明の実施例４による
π型可変減衰器の電気回路図である。図４において、前
述の実施例２の電気回路のうち、高周波伝送路３７間に
直列接続したＰＩＮダイオード５，６の第１のバイアス
電流を電流制御回路２６より供給したものである。

【００２６】図４の構成において、電圧制御回路２５か
ら供給された第１のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード５，６の順抵抗値が決定される。同時に前記第１の
バイアス電流による抵抗９の電圧降下量と定電圧回路２
１の出力電圧からＰＩＮダイオード１〜４に流れる第２
のバイアス電流が決まり、ＰＩＮダイオード１〜４の順
抵抗値が決定される。実施例２同様、前記順抵抗値によ
りπ型ダイオード可変減衰器の可変減衰量が制御され
る。

【００２７】以上により、一つの制御電圧により高周波
伝送路間に直列接続したＰＩＮダイオード５，６の順抵
抗値と高周波伝送路３７と接地間に接続したＰＩＮダイ
オード１〜４の順抵抗値を制御することが可能であり、
電流制御であるため雑音電圧及びリップル電圧の影響を
受けにくく、及び実施例１同様、ダイナミックレンジが
大きくとることができる。

【００２８】実施例５．図５は、この発明の実施例５に
よるπ型ダイオード可変減衰器の電気回路図である。図
５において、前述の実施例３の電気回路のうち、高周波
伝送路３７と接地間に接続したＰＩＮダイオード１〜４
の第１のバイアス電流を電流制御回路２６より供給した
ものである。

【００２９】図５の構成において、電圧制御回路２６か
ら供給された第１のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード１〜４の順抵抗値が決定される。同時に前記第１の
バイアス電流による抵抗９の電圧降下量と定電圧回路２
４の出力電圧からＰＩＮダイオード５，６に流れる第２
のバイアス電流が決まり、ＰＩＮダイオード５，６の順
抵抗値が決定される。実施例２同様、前記順抵抗値によ
りπ型ダイオード可変減衰器の可変減衰量が制御され
る。

【００３０】以上により、一つの制御電流により高周波
伝送路と接地間に接続したＰＩＮダイオード１〜４の順
抵抗値と高周波伝送路間に直列接続したＰＩＮダイオー
ド５，６の順抵抗値を制御することが可能であり、電流
制御であるため雑音電圧及びリップル電圧の影響を受け
にくく、及び実施例１同様、ダイナミックレンジが大き
くとることができる。

【００３１】実施例６．図６はこの発明の実施例６によ
るπ型ダイオード可変減衰器の電気回路図である。図６
において、前述の実施例２の電気回路のうち、高周波伝
送路３７と接地間に接続したＰＩＮダイオード１〜４の
第２のバイアス電流を電圧制御回路２３より供給し、高
周波伝送路間に直列接続した２個のＰＩＮダイオード
５，６のカソード端と接地間に直列にチョークコイル２
７及び抵抗２８を接続した。電圧制御回路２２によって
高周波伝送路間に直列接続した２個のＰＩＮダイオード
５，６に供給する第１のバイアス電流と、電圧制御回路
２３によって高周波伝送路と接地間に接続した４個のＰ
ＩＮダイオード１〜４に供給する第２のバイアス電流を
同一経路に流さないためバイパスコンデンサ２９を配設
した。

【００３２】図６の構成において、電圧制御回路２２か
ら供給された第１のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード５，６の順抵抗値が決定される。また、電圧制御回
路２３から供給された第２のバイアス電流によってＰＩ
Ｎダイオード１〜４の順抵抗値が決定される。実施例２
同様、前記順抵抗値によりπ型ダイオード可変減衰器の
可変減衰量が決定される。ここで、両電圧制御回路２
２，２３によるバイアス電流はバイパスコンデンサ１４
〜２０，２９により切り離されているため、ＰＩＮダイ
オード１〜４とＰＩＮダイオード５，６は互いに独立し
て制御される。例えば図２においては、ＰＩＮダイオー
ド１〜４の抵抗値は抵抗９による電圧降下による順方向
電流によって決定されるためインピーダンス特性を満す
ように微調整が困難である。

【００３３】以上により、高周波伝送路３７と接地間に
並列接続されたＰＩＮダイオード１〜４の順抵抗値と、
高周波伝送路間に直列接続されたＰＩＮダイオード５，
６の順抵抗値を独立して制御できるため、インピーダン
ス特性が良好なπ型ダイオード可変減衰器を実現できる
とともに、実施例１同様、ダイナミックレンジが大きく
とることができる。

【００３４】実施例７．図７はこの発明の実施例７によ
るπ型ダイオード可変減衰器の電気回路図である。図７
において、前述の実施例６の電気回路のうち、高周波伝
送間に直列接続した２個のＰＩＮダイオード５，６の第
１のバイアス電流を電流制御回路２５より供給し、伝送
路と接地間に接続したＰＩＮダイオード１〜４の第２の
バイパス電流を電流制御回路２６より供給したものであ
る。

【００３５】図７の構成において、電流制御回路２５か
ら供給された第１のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード５，６の順抵抗値が決定され、電流制御回路２６か
ら供給された第２のバイアス電流によってＰＩＮダイオ
ード１〜４の順抵抗値が決定される。実施例２同様、前
記順抵抗値によりπ型ダイオード可変減衰器の可変減衰
量が決定される。ここで、両電流制御回路によるバイア
ス電流はバイパスコンデンサ１４〜２０，２９により切
り離されているため、ＰＩＮダイオード１〜４とＰＩＮ
ダイオード５，６は互いに独立して制御される。

【００３６】以上により、高周波伝送路と接地間に並列
接続されたＰＩＮダイオード１〜４の順抵抗値と、高周
波伝送路間に直列接続されたＰＩＮダイオード５，６の
順抵抗値を独立して制御できるため、インピーダンス特
性が良好なπ型ダイオード可変減衰器を実現できるとと
もに、電流制御であるため雑音電圧及びリップル電圧の
影響を受けにくく、実施例１同様、ダイナミックレンジ
が大きくとることができる。

【００３７】実施例８．図８はこの発明の実施例８によ
るπ型ダイオード可変減衰器の電気回路図である。図８
において、前述の実施例１の電気回路のうち、伝送路間
に直列接続した２個のＰＩＮダイオードを１パッケージ
３１に、前記ダイオードの入力側と接地間に並列接続さ
れた２個のＰＩＮダイオードを１パッケージ３０に、同
様に出力側と接地間に並列接続された２個のＰＩＮダイ
オードを１パッケージ３２にしたものである。

【００３８】実施例８の動作については、実施例１と同
じである。この実施例８における利点は、１パッケージ
に２個有するＰＩＮダイオードを使用することにより、
回路の小型化が計れ、実施例１同様、ダイナミックレン
ジが大きくとれることにある。

【００３９】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、高周波
伝送路間の入出力間に直列に接続した複数のＰＩＮダイ
オードと、前記複数のＰＩＮダイオードの入力側と接地
間及び出力側と接地間に各々並列に接続した複数のＰＩ
Ｎダイオードとを設け、高周波伝送路と接地間に接続し
たＰＩＮダイオードの抵抗値が小さく、高周波伝送路間
に直列接続したＰＩＮダイオードの抵抗値が大きくなる
構成にしたのでπ型ダイオード可変減衰器の減衰量が大
きく取れダイナミックレンジを広範囲にすることができ
る。

【００４０】また、高周波伝送路間に極性を同方向にし
て直列に接続した第１の複数のＰＩＮダイオードと、前
記複数のＰＩＮダイオードの入力側と接地間及び出力側
と接地間に極性を逆方向にして並列に接続した第２及び
第３の複数のＰＩＮダイオードとを配設し、第１のバイ
アス電流を第１の複数のＰＩＮダイオードに供給する電
圧制御回路と、第２のバイアス電流を前記第２及び第３
の複数のＰＩＮダイオードに供給する定電圧回路を設け
たことにより、一つの制御電圧により第１の複数のＰＩ
Ｎダイオード及び第２、第３の複数のＰＩＮダイオード
の順抵抗値が制御可能になるとともにπ型ダイオード可
変減衰器の減衰量が大きく取れダイナミックレンジを広
範囲にすることができる。

【００４１】また、高周波伝送路間に極性を同方向にし
て直列に接続した第１の複数のＰＩＮダイオードと、前
記複数のＰＩＮダイオードの入力側と接地間及び出力側
と接地間に極性を逆方向にして並列に接続した第２及び
第３の複数のＰＩＮダイオードとを配設し、第１のバイ
アス電流を第２及び第３の複数のＰＩＮダイオードに供
給する電圧制御回路と、第１の複数のＰＩＮダイオード
に第２のバイアス電流を供給する定電圧回路とを設ける
ことにより、一つの制御電圧により第１の複数のＰＩＮ
ダイオード及び第２、第３の複数のＰＩＮダイオードの
順抵抗値が制御可能になるとともにπ型ダイオード可変
減衰器の減衰量が大きく取れダイナミックレンジを広範
囲にすることができる。

【００４２】また、請求項２の減衰器において、電圧制
御回路に替えて電流制御回路とし、第１のバイアス電流
を前記電流制御回路により供給することで、雑音電圧及
びリップル電圧の影響を受けないため安定した減衰動作
を実現することができる。

【００４３】また、請求項３の減衰器において、電圧制
御回路に替えて電流制御回路とし、第１のバイアス電流
を前記電流制御回路により供給することにより、同様
に、雑音電圧及びリップル電圧の影響を受けないため安
定した減衰動作を実現することができる。

【００４４】また、請求項２の減衰器において、定電圧
回路に替えて電圧制御回路とし、第１のバイアス回路と
第２のバイアス回路を接地させる共有の抵抗を前記第１
のバイアス回路と第２のバイアス回路に各々独立して配
置し、各々の抵抗のバイアス電流の流入側であって前記
高周波伝送路間でコンデンサを介して接続したことによ
り、第１の複数のＰＩＮダイオード及び第２、第３の複
数のＰＩＮダイオード順抵抗値を各々独立して制御でき
るため、インピーダンス特性が良好な減衰器を実現する
ことができる。

【００４５】また、請求項６の減衰器において、第１の
バイアス回路と第２のバイアス回路の各々の電圧制御回
路に替えて電流制御回路としたことにより、雑音電圧及
びリップル電圧の影響を受けないため安定した減衰動作
を実現することができるとともに、第１の複数のＰＩＮ
ダイオード及び第２、第３の複数のＰＩＮダイオードの
順抵抗値を各々独立して制御できるため、インピーダン
ス特性が良好な減衰器を実現することができる。

【００４６】また、第１の複数のＰＩＮダイオード、第
２の複数のＰＩＮダイオード及び第３の複数のＰＩＮダ
イオードを各々パッケージにし、１パッケージに複数の
ＰＩＮダイオードを有する構成にしたので、減衰器の小
型化を計ることができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図２】この発明の実施例２によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図３】この発明の実施例３によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図４】この発明の実施例４によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図５】この発明の実施例５によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図６】この発明の実施例６によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図７】この発明の実施例７によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図８】この発明の実施例８によるπ型ダイオード可変
減衰器を示す電気回路図である。

【図９】従来のπ型ダイオード可変減衰器を示す電気回
路図である。

【符号の説明】

１，２第２の複数のＰＩＮダイオード３，４第３の複数のＰＩＮダイオード５，６第１の複数のＰＩＮダイオード３０〜３２パッケージされたＰＩＮダイオード７〜９，２８，３６抵抗１０〜１３，２７チョークコイル１４〜２０，２９バイパスコンデンサ２１，２４定電圧回路２２，２３電圧制御回路２５，２６電流制御回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＰＩＮダイオードをπ型に接続してなる
π型ダイオード可変減衰器において、高周波伝送路間の
入出力間に直列に接続した第１の複数のＰＩＮダイオー
ドと、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの入力側と接
地間に並列に接続した第２の複数のＰＩＮダイオード
と、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの出力側と接地
間に並列に接続した第３の複数のＰＩＮダイオードとを
配設したことを特徴とするπ型ダイオード可変減衰器。
【請求項２】 π型に接続されたＰＩＮダイオードと、
前記ＰＩＮダイオードにバイアス電流を供給するバイア
ス回路を備えたπ型ダイオード可変減衰器において、高
周波伝送路間の入出力間に極性を同方向にして直列に接
続した第１の複数のＰＩＮダイオードと、前記第１の複
数のＰＩＮダイオードの入力側と接地間に極性を逆方向
にして並列に接続した第２の複数のＰＩＮダイオード
と、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの出力側と接地
間に極性を逆方向にして並列に接続した第３の複数のＰ
ＩＮダイオードとを配設し、前記第１の複数のＰＩＮダ
イオードの入力側に第１のバイアス電流を前記第１の複
数のＰＩＮダイオードに供給する電圧制御回路を接続
し、出力側を抵抗を介して接地に接続して第１のバイア
ス回路とし、前記第２の複数のＰＩＮダイオードの入力
側に第２のバイアス電流を前記第２及び第３の複数のＰ
ＩＮダイオードに供給する定電圧回路を接続し、出力側
に前記第３の複数のＰＩＮダイオードの入力側を接続
し、前記第３の複数のＰＩＮダイオードの出力側を前記
抵抗を介して接地に接続して第２のバイアス回路とし、
前記第１のバイアス回路と第２のバイアス回路以外に前
記バイアス電流が流れないように直流阻止用のコンデン
サを要所に配設したことを特徴とするπ型ダイオード可
変減衰器。
【請求項３】 π型に接続されたＰＩＮダイオードと、
前記ＰＩＮダイオードにバイアス電流を供給するバイア
ス回路を備えたπ型ダイオード可変減衰器において、高
周波伝送路間の入出力間に極性を同方向にして直列に接
続した第１の複数のＰＩＮダイオードと、前記第１の複
数のＰＩＮダイオードの入力側と接地間に極性を逆方向
にして並列に接続した第２の複数のＰＩＮダイオード
と、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの出力側と接地
間に極性を逆方向にして並列に接続した第３の複数のＰ
ＩＮダイオードとを配設し、前記第２の複数のＰＩＮダ
イオードの入力側に第１のバイアス電流を前記第２及び
第３の複数のＰＩＮダイオードに供給する電圧制御回路
を接続し、出力側に前記第３の複数のＰＩＮダイオード
の入力側を接続し、前記第３の複数のＰＩＮダイオード
の出力側を抵抗を介して接地に接続して第１のバイアス
回路とし、前記第１の複数のＰＩＮダイオードの入力側
に第２のバイアス電流を前記第１の複数のＰＩＮダイオ
ードに供給する定電圧回路を接続し、出力側を前記抵抗
を介して接地に接続して第２のバイアス回路とし、前記
第１のバイアス回路と第２のバイアス回路以外に前記バ
イアス電流が流れないように直流阻止用のコンデンサを
要所に配設したことを特徴とするπ型ダイオード可変減
衰器。
【請求項４】前記第１のバイアス回路において、電圧
制御回路に替えて電流制御回路とし、第１のバイアス電
流を前記電流制御回路により供給することを特徴とする
請求項２に記載のπ型ダイオード可変減衰器。
【請求項５】前記第１のバイアス回路において、電圧
制御回路に替えて電流制御回路とし、第１のバイアス電
流を前記電流制御回路により供給することを特徴とする
請求項３に記載のπ型ダイオード可変減衰器。
【請求項６】前記第２のバイアス回路において、定電
圧回路に替えて電圧制御回路とし、前記第１のバイアス
回路と第２のバイアス回路を接地させる共有の抵抗を前
記第１のバイアス回路と第２のバイアス回路に各々独立
して配置し、各々の抵抗のバイアス電流の流入側であっ
て前記高周波伝送路間でコンデンサを介して接続したこ
とを特徴とする請求項２に記載のπ型ダイオード可変減
衰器。
【請求項７】前記第１のバイアス回路と第２のバイア
ス回路の各々の電圧制御回路に替えて電流制御回路とし
たことを特徴とする請求項６に記載のπ型ダイオード可
変減衰器。
【請求項８】前記第１の複数のＰＩＮダイオード、第
２の複数のＰＩＮダイオード及び第３の複数のＰＩＮダ
イオードを各々パッケージにしたことを特徴とする請求
項１に記載のπ型ダイオード可変減衰器。