JPH077356A - 電子回路装置および集積回路 - Google Patents

電子回路装置および集積回路

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JPH077356A
JPH077356A JP6417494A JP6417494A JPH077356A JP H077356 A JPH077356 A JP H077356A JP 6417494 A JP6417494 A JP 6417494A JP 6417494 A JP6417494 A JP 6417494A JP H077356 A JPH077356 A JP H077356A
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electronic circuit
impedance
circuit
circuit device
electronic
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JP6417494A
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Kunifumi Komiya
邦文 小宮
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Toshiba Lighting and Technology Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】複数の電子回路相互のインピーダンスを整合さ
せ、あるいはこれら電子回路のインピーダンスを伝送線
路の特性インピーダンスに簡単に整合することができる
小型で安価なワンモジュール化した電子回路装置および
集積回路を提供する。 【構成】所要の可変減衰器2A3 の入力側と出力側に、
インピーダンス値が入,出力側でそれぞれ個々に制御自
在の入,出力側インピーダンス整合回路3d,4dを電
気的かつ一体に接続してワンモジュール化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路等に実装す
る場合に好適な電子回路装置に係り、特に、所要のアッ
テネータ(減衰器)等の電子回路にインピーダンス整合
回路を一体に設けてワンモジュール化した電子回路装置
および集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、携帯電話等の移動体通信機器や
その他の高周波、マイクロ波帯電子機器では能動素子を
用いた回路や受動素子のみの回路等の多数の電子回路を
基板上に実装した混成集積回路等の集積回路を複数組み
込んでいる。
【0003】そして、これら集積回路のうち、マイクロ
波帯域までの高周波回路では、伝送信号の歪みや不要輻
射の発生を防止するために、各電子回路ブロックの例え
ば入,出力側のインピーダンスを伝送線路等の特定のイ
ンピーダンスに整合させるインピーダンス整合回路をそ
れぞれ設けている。なお、通信機器等の信号伝送線路で
は通常のインピーダンスは50オームか75オームであ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各ブロ
ックの電子回路の例えば出力側のインピーダンスは、整
合をとらなければ各々一定ではなく、様々な値を示すも
のである。従来、インピーダンス整合回路の考え方は、
インピーダンス値を可変ではなく固定にすることで進め
られてきた。このために、各インピーダンス整合回路
は、それらを繋ぐ伝送線路の特性インピーダンス値に、
各ブロックの電子回路の入出力側インピーダンスを整合
させるべく、種々の手動調整手段をもって予め設計する
という方法を採る。各ブロック毎の入出力インピーダン
スは各々違うのが常で、それらを繋ぐとなるとインピー
ダンス値をそれぞれ異にした複数のインピーダンス整合
回路を種々実装しなければならず、集積回路構成上非常
に煩雑である上に、実装コストが嵩むという課題があ
る。また、特に近年増えてきた0.8GHz以上のマイ
クロ波帯域での回路設計では、それ以下の周波数帯域で
問題とならなかったインピーダンスアンマッチが問題と
なっている。そして、これらマイクロ波帯域での回路設
計は30GHzにまで拡がっている。
【0005】さらにまた、各ブロックの電子回路は、そ
の入出力インピーダンスを伝送線路の特性インピーダン
スに整合させ易いように設計するように要請されるの
で、これが電子回路の設計上の制約となっている。
【0006】そこで本発明はこのような事情を考慮して
なされたもので、その目的は複数の電子回路の各段のイ
ンピーダンスを簡単かつ低コストで整合することができ
る上に、電子回路の設計上の自由度を拡げることができ
る電子回路装置および集積回路を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために次のように構成される。
【0008】本願の請求項1に記載の発明(以下、第1
の発明という)は、入力信号を、制御自在に減衰せしめ
る減衰手段に、入力側と出力側とでそれぞれ個別にイン
ピーダンス整合するインピーダンス整合手段をそれぞれ
一体に設けてワンモジュール化したことを特徴とする。
【0009】また、本願の請求項2に記載の発明(以
下、第2の発明という)は、入出力側でそれぞれ個別に
インピーダンス整合可能であるとともに、少なくとも0
ないし30dBの範囲で減衰量を変化させることのでき
る制御端子を有し、動作周波数が0.8GHz以上のワ
ンモジュール化されたことを特徴とする。
【0010】さらに、本願の請求項3に記載の発明(以
下、第3の発明という)は、少なくとも0ないし30d
Bの範囲で減衰量を変化させることのできる制御端子を
有し、動作周波数が0.8GHz以上の可変減衰器と、
この減衰器の入出力側にそれぞれ接続されたインピーダ
ンス整合回路とを有し、前記可変減衰器とインピーダン
ス整合回路とをワンモジュール化したことを特徴とす
る。
【0011】さらにまた、本願の請求項4に記載の発明
(以下、第4の発明という)は、前記動作周波数は10
GHz未満であることを特徴とする。
【0012】また、本願の請求項5に記載の発明(以
下、第5の発明という)は、インピーダンス整合は1な
いし1KΩの範囲で行なえることを特徴とする。
【0013】さらにまた、本願の請求項6に記載の発明
(以下、第6の発明という)は、前記ワンモジュール化
した減衰手段または減衰器はモノリシックICであるこ
とを特徴とする。
【0014】また、本願の請求項7に記載の発明(以
下、第7の発明という)は、前記ワンモジュール化した
減衰手段または減衰器はハイブリッドICであることを
特徴とする。
【0015】さらに、本願の請求項8に記載の発明(以
下、第8の発明という)は、請求項1ないし7のいずれ
か1項に記載の複数の電子回路装置を、1つの基板上に
実装したことを特徴とする。
【0016】さらにまた、本願の請求項9に記載の発明
(以下、第9の発明という)は、能動素子を有する2つ
の電子回路と、前記2つの電子回路の間に接続された請
求項1ないし8のいずれか1項に記載の電子回路装置を
具備することを特徴とする。
【0017】さらに、本願の請求項10に記載の発明
(以下、第10の発明という)は、前記電子回路は減衰
器であることを特徴とする。
【0018】また、本願の請求項11に記載の発明(以
下、第11の発明という)は、能動素子を有するn個
(nは3以上)の電子回路と、請求項1ないし9のいず
れか1項に記載の電子回路装置を(n−1)個、前記n
個の電子回路の間に接続したことを特徴とする。
【0019】
【作用】本願第1ないし第11の発明の電子回路装置は
減衰器等減衰手段の所要の電子回路と、その入,出力側
に電気的に接続されたインピーダンス整合回路とを一体
化してワンモジュール化し、しかも、これらインピーダ
ンス整合回路はそのインピーダンス値を個別に適宜制御
できるので、他のインピーダンス整合回路を介さずに他
の電子回路に直接接続して、そのインピーダンスを特定
の伝送線路の特性インピーダンスまた、入出力側に接続
される電子回路の固有のインピーダンス等に容易かつ迅
速に整合させることができる。
【0020】また、インピーダンス整合回路のインピー
ダンス値が制御自在であるので、複数の電子回路の各段
をつなぐ伝送路の特性インピーダンスに整合させずに、
当該電子回路の前後の電子回路装置の特性インピーダン
スに直接整合させることができる。この場合は各電子回
路を設計する際に、その入,出力側のインピーダンスを
伝送路の特性インピーダンスに整合させ、あるいは整合
させ易いように設計する必要性も低減するので、電子回
路の設計上の自由度を拡げることができ、主に、その電
子回路の機能を高める設計を行なうことができる。
【0021】つまり、電子回路間のインピーダンス整合
が特に重要とされる0.8(GHz)以上の高周波回路
においては、電子回路間のインピーダンス整合を行なう
にあたって、従来は、その都度固定のインピーダンス整
合回路を挿入していた。しかし、本発明によれば通常高
周波の電子回路間に接続されることが多い減衰器を、入
出力インピーダンスの整合を行なう整合回路を付加して
ワンモジュール化することにより、これを組み込む電子
機器の回路設計および回路調整(インピーダンス整合)
を非常に容易にすることができる。
【0022】さらに、第4の発明では、インピーダンス
整合回路のインピーダンス値を、その印加電圧を制御す
ることにより調整することができるので、そのインピー
ダンス値の調整ないし設定を容易に行なうことができ
る。
【0023】さらに第8の発明は、前記第1〜第7の発
明に係る電子回路装置を1つの基板上に実装して、1モ
ジュール化したものであり、これを例えば混成集積回路
の基板上にも容易に実装することができ、その汎用性を
拡げることができる。
【0024】また、第11の発明は、複数個の減衰器を
繋げる場合、従来は1つの減衰器のインピーダンス整合
をその前後にある電子回路の出力側に整合しようと調整
を行なうと、次段の入力側のインピーダンスに対しては
整合がずれて、調整不可能である。しかし、本発明によ
れば、かかる調整が可能かつ容易となる。
【0025】したがって、本発明は、複数のアンプ等の
電子回路を多重接続する場合に適しており、設計容易で
ある。
【0026】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【0027】図1(a)は本願第1〜第11の発明を含
む一実施例のブロック図であり、図において、電子回路
装置1aは、可変減衰器2Aの入力側に、入力側インピ
ーダンス整合回路3を、その出力側に出力側インピーダ
ンス整合回路4をそれぞれ電気的にかつ一体に接続して
ワンモジュール化することにより一単位の電子回路を構
成すると共に、この電子回路装置1aを図示しない1つ
の回路基板上に実装してワンチップの集積回路、例えば
MMIC(モノリシックマイクロ集積回路)に構成して
いる。
【0028】この電子回路装置1aの電子回路例は種々
考えられるが、次に、その回路例をPINダイオードを
用いた(ハイブリッドICの)場合の回路例を示す。図
2で示す電子回路装置1a1 は可変減衰回路2A1 の
入,出力側in,out に、入力側のインピーダンス整合回
路3aと出力側のインピーダンス整合回路4aをそれぞ
れ電気的に接続している。この電子回路装置は4つのP
INダイオードD1〜D4をπ形に配置して接続し、制
御端子CONTA1 に印加される電圧を制御することによ
り、PINダイオードD1とD2を通過する高周波(マ
イクロ波)信号に対するインピーダンス(抵抗成分)を
変化させて、信号の減衰量を少なくとも0〜30dBの
範囲で可変するものである。
【0029】そして、制御端子B1 の印加電圧を制御す
ることにより入力側インピーダンス整合回路3aのイン
ピーダンスを適宜制御して、入力側のインピーダンスに
整合させる一方、制御端子C1 の印加電圧を制御するこ
とにより出力側インピーダンス整合回路3aのインピー
ダンスを適宜制御して出力側のインピーダンスに整合さ
せるようになっている。つまり、可変減衰回路2A1 の
入,出力側in,out で個別にそれぞれインピーダンスマ
ッチングを行なうことができる。
【0030】なお、図2中、符号を付さない素子は、省
略または他の素子への変換も考えられる。
【0031】図3に示すワンモジュール化した電子回路
装置1a2 の一回路例は、入力側インピーダンス整合回
路3bの抵抗R1 と出力側インピーダンス整合回路4b
の抵抗R2 の各抵抗値をトリミングにより相互に相違さ
せ、各制御端子B2,C2の印加電圧を個別に適宜制御
することにより、入,出力側インピーダンス整合回路3
b,4bのインピーダンスを入,出力側インピーダンス
に個別にそれぞれマッチングするようにした点に特徴が
ある。また、図3中、第1,第2のPINダイオードD
1,D2との間に結合用コンデンサC1を介在し、この
結合用コンデンサC1の両端部にインダクスタンスL1
,L2 を接続してコントロール端子CONTA2 に接続
し、このコントロール端子CONTA2 に印加される電圧を
適宜制御することにより減衰量を制御するようになって
いる。なお、図3中、符号を付さない素子は、省略また
は他の素子への変換も考えられる。また、図3中、可変
減衰回路2A2 のコントロール端子CONTA2 は図4
(a)に示すように1つのインダクタンスL3 を介し
て、第1,第2PINダイオードD1,D2との間に接
続してもよい。また、図3で示す2つの制御端子B2,
C2は図4(b)に示すように1つの制御端子BCに一
本化してもよい。
【0032】図5は本発明の他の実施例の電子回路装置
1a3 の一回路例を示しており、これは直流的に各機能
回路を分割したものである。この回路はコントロール端
子CONTA3 の印加直流電圧を適宜制御することより減衰
量を適宜値に制御するものであって、入,出力側インピ
ーダンス整合回路3c,4cの各制御端子B3,C3へ
印加される直流電圧を個別にそれぞれ制御することによ
り、第5,第6のPINダイオードD3,D4の各抵抗
値をそれぞれ個別に適宜値に制御して入,出力側インピ
ーダンス整合回路3c,4cのインピーダンスをそれぞ
れ個別に制御するようになっている。
【0033】ここで符号を付さないインダクタンスや抵
抗は、他の素子への変換も考えられる。
【0034】図6はさらに他の実施例の電子回路装置1
a4 の一回路例を示しており、これは入,出力側インピ
ーダンス整合回路3d,4dの例えばその制御端子B
3,C3の印加電圧の制御によりL,C成分等を適宜値
に調整し得る可変コンデンサや可変インダクタンス素子
等の可変素子Ca,Cbにより全体のインピーダンス値
をそれぞれ個別に制御し得るようになっている。
【0035】つまり、この種の可変コンデンサの一例と
しては、一対の電極間に、電圧印加により変形する圧電
部材を介在させ、この圧電部材の印加電圧を制御するこ
とにより、一対の電極間の容量を制御するものである
(例えば平成4年特許願第286637号,出願人 東
芝ライテック株式会社)。
【0036】また、可変インダクタンス素子の一例とし
ては、コイル内に挿入されるコアを、電圧印加により変
形する圧電部材により構成し、このコアに印加される電
圧を制御することによりインダクタンスを適宜制御する
ものである(例えば平成4年特許願第286637号,
出願人 東芝ライテック株式会社)。
【0037】また、FETを用いたモノリシックICの
場合は、図7に示される回路で構成できる。この回路に
おいて、Q1〜Q4はFETであり、この回路は、コン
トロール端子CONTA5 の印加直流電圧を適宜制御するこ
とにより減衰量を制御し、各制御端子B4.B5に印加
する直流電圧を個別に制御することによって入,出力側
のインピーダンス整合を行なうものである。
【0038】したがって、このように構成された電子回
路1a1 〜1a4 を有する電子回路装置1aを複数個用
意し、これらを図1(b)に示すように、B電子回路2
B、C電子回路2C、D電子回路2D、E電子回路2E
の間に1つずつ他のインピーダンス整合回路(図示せ
ず)を介在させずに、それぞれ直接電気的に接続するこ
とができる。B電子回路、C電子回路、D電子回路、E
電子回路は例えばアンプ等である。アンプ等を複数接続
することはよく行なわれる。またこの場合は可変減衰器
2Aの入,出力インピーダンスを、入,出力側インピー
ダンス整合回路3,4のインピーダンス値の制御により
伝送線路の特性インピーダンスに整合させることがで
き、伝送信号の歪みや電力の不要輻射を低減ないし防止
することができる。
【0039】また、この電子回路装置1aを介挿するだ
けでB,C,D,E電子回路2B,2C,2D,2Eを
電気的に接続することができるので、これらB,C,
D,E電子回路2B,2C,2D,2Eに別のインピー
ダンス整合回路をそれぞれ設ける必要がなく、その分、
回路設計が簡単となる。
【0040】さらに、複数の電子回路装置1aの入,出
力側インピーダンス回路3,4はそのインピーダンス値
をそれぞれ個々に適宜制御できるので、入力側インピー
ダンス回路3のインピーダンス値を、伝送線路の特性イ
ンピーダンスではなく、B,C,D,E電子回路2B,
2C,2D,2Eの特性上最も好ましいインピーダンス
に設定することが可能である。この場合はB,C電子回
路2B,2C,2D,2Eの設計上の自由度が広くなる
上に、これら電子回路2B,2C,2D,2Eの機能ア
ップを図ることができる。また、種々の特性インピーダ
ンスの伝送線路に容易に対応させることができる。
【0041】さらにまた、入,出力側インピーダンス整
合回路3,4は、その印加電圧の制御により容易にイン
ピーダンス値を制御でき、機械的にインピーダンス値を
制御するのではないので、集積回路の基板上に実装する
ことが極めて容易である。
【0042】そして、この電子回路装置1a全体を単な
るインピーダンス整合回路に構成することもできる。つ
まり、可変減衰器2Aを、アッテネーションを適宜制御
できる可変アッテネーターに構成すると共に、そのアッ
テネーションをゼロに設定することにより、この電子回
路装置1aの入,出力側に入,出力側インピーダンス整
合回路3,4をそれぞれ電気的に接続し、これら入,出
力側インピーダンス整合回路3,4のインピーダンス値
をB,C電子回路2B,2Cの入,出力インピーダンス
に適合させることにより、この電子回路装置1aの全体
をインピーダンス整合回路として使用することが可能で
ある。したがって、この可変減衰器2A、つまり可変ア
ッテネータは、種々の出力インピーダンスを持っている
回路素子にも接続してインピーダンスを整合させること
ができるという効果があり、その用途を拡大することが
できる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように本願第1〜第11の
発明は、可変減衰器等所要の電子回路の入,出力側の少
なくとも一方に、インピーダンス値を個々に制御できる
インピーダンス整合回路を一体に組み付けて一単位の電
子回路に構成したので、この電子回路装置に、他のイン
ピーダンス整合回路を介さずに直接他の電子回路を接続
しても、これらのインピーダンスを整合できる上に、種
々の特性インピーダンスの伝送路に容易に対応させるこ
とができる。
【0044】さらに入,出力インピーダンス整合回路の
インピーダンス値が制御自在であるので、この電子回路
装置を種々の特性インピーダンスを持つ電子回路にも直
接接続してインピーダンスを整合させることができる。
このために、電子回路の設計上の自由度を高めると共
に、その機能のアップを図ることができる。
【0045】さらにまた、本願第8の発明は、この電子
回路装置を1つの回路基板上に実装して1チップ化する
ので、これをMMIC(モノリシックマイクロ集積回
路)に構成して他の回路基板上に容易に実装することが
でき、その汎用性を拡げることができる。
【0046】また、第11の発明は、複数個の減衰器を
繋げる場合、従来は1つの減衰器のインピーダンス整合
をとろうと調整を行なうと、他の減衰器のインピーダン
ス整合がずれて、何度も再調整必要となり、調整不可能
である。しかし、本発明によれば、かかる調整が可能か
つ容易となる。
【0047】したがって、本発明は、複数のアンプ等の
電子回路を多重接続する場合に適したり、設計容易であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は第1〜第11の発明を含む一実施例の
ブロック図、(b)は同(a)で示す電子回路装置の応
用例を示すブロック図。
【図2】図1で示す電子回路装置の回路図。
【図3】図1で示す電子回路装置の回路図。
【図4】(a)は図3中のA部の変形例の回路図、
(b)は図3中のB部の変形例の回路図。
【図5】図1で示す電子回路装置の一実施例の回路図。
【図6】図1で示す電子回路装置の他の実施例の回路
図。
【図7】図1で示す電子回路装置のさらに他の実施例の
回路図。
【符号の説明】
1a(1a1 〜1a4 ),1b,1c 電子回路装置 2A 可変減衰器 2B B電子回路 2C C電子回路 2D D電子回路 2E E電子回路 3,3a,3b,3c,3d 入力側インピーダンス整
合回路 4,4a,4b,4c,4d 出力側インピーダンス整
合回路

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号を、制御自在に減衰せしめる減
    衰手段に、入力側と出力側とでそれぞれ個別にインピー
    ダンス整合するインピーダンス整合手段をそれぞれ一体
    に設けてワンモジュール化したことを特徴とする電子回
    路装置。
  2. 【請求項2】 入出力側でそれぞれ個別にインピーダン
    ス整合可能であるとともに、少なくとも0ないし30d
    Bの範囲で減衰量を変化させることのできる制御端子を
    有し、動作周波数が0.8GHz以上のワンモジュール
    化されたことを特徴とする電子回路装置。
  3. 【請求項3】 少なくとも0ないし30dBの範囲で減
    衰量を変化させることのできる制御端子を有し、動作周
    波数が0.8GHz以上の可変減衰器と、この減衰器の
    入出力側にそれぞれ接続されたインピーダンス整合回路
    とを有し、前記可変減衰器とインピーダンス整合回路と
    をワンモジュール化したことを特徴とする請求項1また
    は2記載の電子回路装置。
  4. 【請求項4】 前記動作周波数は10GHz未満である
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の
    電子回路装置。
  5. 【請求項5】 インピーダンス整合は1ないし1KΩの
    範囲で行なえることを特徴とする請求項1ないし4のい
    ずれか1項に記載の電子回路装置。
  6. 【請求項6】 前記ワンモジュール化した減衰手段また
    は減衰器はモノリシックICであることを特徴とする請
    求項1ないし5のいずれか1項に記載の電子回路装置。
  7. 【請求項7】 前記ワンモジュール化した減衰手段また
    は減衰器はハイブリッドICであることを特徴とする請
    求項1ないし6のいずれか1項に記載の電子回路装置。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれか1項に記載
    の複数の電子回路装置を、1つの基板上に実装したこと
    を特徴とする集積回路。
  9. 【請求項9】 能動素子を有する2つの電子回路と、前
    記2つの電子回路の間に接続された請求項1ないし8の
    いずれか1項に記載の電子回路装置を具備することを特
    徴とする複合電子回路装置。
  10. 【請求項10】 前記電子回路は減衰器であることを特
    徴とする請求項9記載の電子回路装置。
  11. 【請求項11】 能動素子を有するn個(nは3以上)
    の電子回路と、請求項1ないし10のいずれか1項に記
    載の電子回路装置を(n−1)個、前記n個の電子回路
    の間に接続したことを特徴とする複合電子回路装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480071B1 (ko) * 2002-11-12 2005-03-31 엘지전자 주식회사 가변 감쇠기
WO2014027991A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Trans-impedance amplifiers (tia) thermally isolated from optical modules

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