JP2000124759A

JP2000124759A - 可変減衰器及び移動体通信機器

Info

Publication number: JP2000124759A
Application number: JP10298897A
Authority: JP
Inventors: Koji Tanaka; 浩二田中; Toshifumi Oida; 敏文笈田; Norio Nakajima; 規巨中島
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-20
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2000-04-28
Anticipated expiration: 2018-10-20
Also published as: JP3446631B2; US6414565B1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】連続的に減衰量を可変制御することができる
小型の可変減衰器及び移動体通信機器を提供する。【解決手段】可変減衰器１０は、結合度Ｍで電磁結合
した線路１１，１２からなるコムライン１３と、コムラ
イン１３をなす線路１１，１２に接続されるダイオード
Ｄ１，Ｄ２とを備える。導体１１の一端は、コンデンサ
Ｃ１を介して接地されるとともに、コンデンサＣ２を介
して入力端子Ｐｉに接続される。また、導体１１の他端
とグランドとの間にダイオードＤ１が接続され、抵抗Ｒ
１を介して制御端子Ｖｃ１に接続される。導体１２の一
端は、コンデンサＣ３を介して接地されるとともに、コ
ンデンサＣ４を介して出力端子Ｐｏに接続される。ま
た、導体１２の他端とグランドとの間に、ダイオードＤ
２が接続され、また抵抗Ｒ２を介して制御端子Ｖｃ２に
接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、可変減衰器及び移
動体通信機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、携帯電話器等の移動体通信機器
では、高周波信号を可変減衰させるために、異なった減
衰量を有する複数の減衰器を切換器により切り換える可
変減衰器が使用される。

【０００３】図８は、マイクロ波帯において使用される
従来の可変減衰器である。可変減衰器７０は、入力端子
７１、出力端子７２、入出力間の導通あるいは遮断を切
り換える電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴとす
る。）７３１〜７３３，７４１〜７４３、及びそれぞれ
の減衰量がＡ（ｄＢ），Ｂ（ｄＢ），Ｃ（ｄＢ）である
Ｔ型抵抗減衰器７５１〜７５３を含む。そして、その構
成は、入力側の切換器であるＦＥＴ７３１〜７３３のド
レイン電極ＤがそれぞれコンデンサＣ７１を介して入力
端子７１に接続され、出力側の切換器であるＦＥＴ７４
１〜７４３のドレイン電極ＤがそれぞれコンデンサＣ７
２を介して出力端子７２に接続される。また、ＦＥＴ７
３１〜７３３のソース電極ＳがコンデンサＣ７３〜Ｃ７
５３を介してＴ型抵抗減衰器７５１〜７５３の抵抗Ｒ７
１〜Ｒ７３の一端に、ＦＥＴ７４１〜７４３のソース電
極ＳがコンデンサＣ７６〜Ｃ７８を介してＴ型抵抗減衰
器７５１〜７５３の抵抗Ｒ７４〜Ｒ７６の一端に接続さ
れる。さらに、Ｔ型抵抗減衰器７５１〜７５３のＲ７１
〜Ｒ７３の他端とＲ７４〜Ｒ７６の他端とがそれぞれ接
続され、それらの接続点が抵抗Ｒ７７〜Ｒ７９を介して
接地される。さらに、ＦＥＴ７３１〜７３３，７４１〜
７４３のゲート電極ＧがコンデンサＣ７９〜Ｃ８４を介
して接地されるとともに、高周波阻止用のインダクタＬ
７１〜Ｌ７６を介して制御端子Ｖｃ７１〜Ｖｃ７６に接
続される。

【０００４】制御端子Ｖｃ７１〜Ｖｃ７６からは、例え
ば、制御すべきＦＥＴのピンチオフ電圧と同程度の負電
圧あるいは０Ｖ電圧を選択的に印加する。すなわち、第
１経路に含まれる制御端子Ｖｃ７１，Ｖｃ７４に０Ｖ、
第２及び第３経路に含まれるを制御端子Ｖｃ７２，Ｖｃ
７５，Ｖｃ７３，Ｖｃ７６にそれぞれ制御すべきＦＥＴ
７３２，７４２，７３３，７４３のピンチオフ電圧と同
程度の負電圧を印加すると、ＦＥＴ７４１，７５１のド
レイン−ソース間のチャネル抵抗は、Ｔ型抵抗減衰器７
５１の特性インピーダンスよりも十分に小さくなる。一
方、ＦＥＴ７３２，７４２，７３３，７４３のドレイン
−ソース間のチャネル抵抗は、チャネル内に空乏層が拡
がるため、極めて大きくなる。その結果、入力端子７１
から入力するマイクロ波は、Ｔ型抵抗減衰器７５１を含
む第１経路のみを通過し、Ｔ型抵抗減衰器７５２，７５
３を含む第２及び第３経路は遮断状態となる。したがっ
て、入力端子７１と出力端子７２との間の減衰量はＡ
（ｄＢ）となる。

【０００５】この入力端子７１と出力端子７２との間の
減衰量をＢ（ｄＢ）に切り換える場合には、第２経路に
含まれる制御端子Ｖｃ７２，Ｖｃ７５に０Ｖ、第１及び
第３経路に含まれる制御端子Ｖｃ７１，Ｖｃ７４，Ｖｃ
７３，Ｖｃ７６にそれぞれ制御すべきＦＥＴ７３１，７
４１，７３３，７４３のピンチオフ電圧と同程度の負電
圧を印加してＴ型抵抗減衰器７５２を含む第２経路のみ
を通過状態にする。減衰量をＣ（ｄＢ）に切り換える場
合にも同様の操作によって実現できる。以上の動作によ
り、複数の減衰量を不連続的に可変制御することができ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の可変減衰器においては、異なった減衰量を有する複数
の減衰器を切換器により切り換える構成のため、減衰量
を連続的に可変制御することができないという問題があ
った。

【０００７】また、各経路に含まれる切換器を構成する
ＦＥＴが、可変する減衰量の数の倍数だけ必要となるた
め、部品点数が多くなり、切換器の構成、さらには可変
減衰器そのものの構成が複雑となり、可変減衰器が大型
化するとともに、その製造コストが増大するという問題
もあった。

【０００８】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、連続的に減衰量を可変制御す
ることができる小型の可変減衰器及び移動体通信機器を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の可変減衰器は、電磁結合した第１及び第
２の線路からなるコムラインと、該コムラインをなす前
記第１及び第２の線路に接続される複数のダイオードと
を備え、前記第１及び第２の線路の一端が接地され、前
記第１及び第２の線路の他端とグランドとの間に、アノ
ードが前記第１及び第２の線路の他端側となるように前
記ダイオードが接続されることを特徴とする。

【００１０】また、前記コムラインを複数個用い、該複
数のコムラインのうち、隣同士となるコムラインの第１
の線路の一端と第２の線路の一端とを接続することによ
り、前記複数のコムラインを縦列接続したことを特徴と
する。

【００１１】また、セラミックスからなる複数のシート
層を積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック
基板に前記コムラインをなすストリップ電極を内蔵し、
前記セラミック基板に前記ダイオードを搭載することを
特徴とする。

【００１２】本発明の移動体通信機器は、上述の可変減
衰器を用いたことを特徴とする。

【００１３】本発明の可変減衰器によれば、コムライン
をなす第１及び第２の線路の他端とグランドとの間にダ
イオードが接続されるため、それらのダイオードに印加
する印加電圧を可変制御することで、それらのダイオー
ドの抵抗を可変制御することができ、その結果、コムラ
インを構成する第１及び第２の線路の損失を可変制御す
ることができる。

【００１４】本発明の移動体通信機器によれば、小型の
可変減衰器を用いるため、受信系の受信バランスを保ち
ながら、小型の移動体通信機器を実現することができ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明に係る可変減衰器の第
１の実施例の構成を示す図である。可変減衰器１０は、
結合度Ｍで電磁結合した第１及び第２の線路１１，１２
からなるコムライン１３と、コムライン１３をなす第１
及び第２の線路１１，１２に接続されるダイオードＤ
１，Ｄ２とを備える。

【００１６】コムライン１３をなす第１の線路１１の一
端は、コンデンサＣ１を介して接地されるとともに、コ
ンデンサＣ２を介して入力端子Ｐｉに接続される。ま
た、コムライン１３をなす第２の線路１２の一端は、コ
ンデンサＣ３を介して接地されるとともに、コンデンサ
Ｃ４を介して出力端子Ｐｏに接続される。

【００１７】さらに、コムライン１３をなす第１の線路
１１の他端とグランドとの間に、アノードが第１の線路
１１の他端側になるようにダイオードＤ１が接続され、
第１の線路１１の他端とダイオードＤ１のカソードとの
接続点は、抵抗Ｒ１を介して制御端子Ｖｃ１に接続され
る。

【００１８】また、コムライン１３をなす第２の線路１
２の他端とグランドとの間に、アノードが第２の線路１
２の他端側になるようにダイオードＤ２が接続され、第
２の線路１２の他端とダイオードＤ２のカソードとの接
続点は、抵抗Ｒ２を介して制御端子Ｖｃ２に接続され
る。

【００１９】この際、コムライン２３の入力端子Ｐｉと
出力端子Ｐｏとは、コムライン２３をなす第１及び第２
の線路２１，２２を挟んで対象型になっている。

【００２０】上述の回路構成を備えた可変減衰器１０の
動作を説明する。ダイオードＤ１，Ｄ２に制御端子Ｖｃ
１，Ｖｃ２から印加電圧として正の電圧を印加すること
により、ダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗は小さくなり、コ
ムライン１３を構成する第１及び第２の線路１１，１２
の結合度が小さくなる。その結果、コムライン１３の入
力端子Ｐｉから第１及び第２の線路１１，１２を経由し
て出力端子Ｐｏに送られる高周波信号の量が少なくな
り、可変減衰器１０の減衰量は大きくなる。

【００２１】すなわち、制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２からダ
イオードＤ１，Ｄ２に印加する印加電圧としての正の電
圧を０Ｖから徐々に大きくしていくと、ダイオードＤ
１，Ｄ２の抵抗が徐々に小さくなる。その結果、コムラ
イン１３の入力端子Ｐｉから第１及び第２の線路１１，
１２を経由して出力端子Ｐｏに送られる高周波信号の量
が徐々に少なくなり、可変減衰器１０の減衰量は徐々に
大きくなる。

【００２２】したがって、制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２から
印加する印加電圧を可変制御することにより、ダイオー
ドＤ１，Ｄ２の抵抗を可変制御でき、コムライン１３を
構成する第１及び第２の線路１１，１２の結合度を可変
制御できる。その結果、コムライン１３の入力端子Ｐｉ
から第１及び第２の線路１１，１２を経由して出力端子
Ｐｏへ送られる高周波信号の量を可変制御できるため、
可変減衰器１０の減衰量を可変制御することが可能とな
る。

【００２３】図２は、図１の回路を備えた可変減衰器の
分解斜視図である。可変減衰器１０は、酸化バリウム、
酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックか
らなるシート層１４ａ〜１４ｅを積層し、１０００℃以
下の焼成温度で焼成したセラミック基板１４を備える。

【００２４】セラミック基板１４の表面には、ダイオー
ドＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ１〜Ｃ４及び抵抗Ｒ１，Ｒ
２が搭載される。また、セラミック基板１４の側面に
は、入力端子Ｐｉ、出力端子Ｐｏ、制御端子Ｖｃ１，Ｖ
ｃ２及びグランド端子になる外部端子Ｔａ〜Ｔｆがスク
リーン印刷などで形成される。

【００２５】そして、セラミック基板１４を構成するシ
ート層１４ａ〜１４ｅのうち、シート層１４ｃ，１４ｄ
には、コムライン１３の第１及び第２の線路１１，１２
を構成する銅からなるストリップ電極Ｓ１，Ｓ２が、シ
ート層１４ｂ，１４ｅには、銅からなるグランド電極Ｇ
１，Ｇ２が、シート層１４ａには、ダイオードＤ１，Ｄ
２、コンデンサＣ１〜Ｃ４及び抵抗Ｒ１，Ｒ２を搭載す
るための銅からなるランドＬａがスクリーン印刷などで
それぞれ形成される。

【００２６】また、セラミック基板１４を構成するシー
ト層１４ａ〜１４ｅのうち、シート層１４ａ〜１４ｄに
は、ストリップ電極Ｓ１，Ｓ２、グランド電極Ｇ１，Ｇ
２及びランドＬａをそれぞれ接続するためのビアホール
電極ＶＨがそれぞれ形成される。

【００２７】図３は、図１の可変減衰器の減衰量及び反
射損失の変化を示す図である。この場合には、制御電源
Ｖｃ１，Ｖｃ２からダイオードＤ１，Ｄ２に印加する印
加電圧を２０〜０．４（Ｖ）の範囲で変化させ、ダイオ
ードＤ１，Ｄ２の抵抗値を変化させている。

【００２８】なお、図３の横軸は、これらのダイオード
Ｄ１，Ｄ２に印加する印加電圧を示している。また、反
射損失は、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）が１．５以下のと
きを示している。

【００２９】以上のことから、図３からも明らかなよう
に、制御電源Ｖｃ１，Ｖｃ２からダイオードＤ１，Ｄ２
に印加する印加電圧を２０〜０．４（Ｖ）の範囲で制御
して、ダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗値を制御することに
より、可変減衰器１０の減衰量を−１７．５〜−０．６
（ｄＢ）の範囲で制御できるとともに、ＶＳＷＲが１．
５以下のときの反射損失を−１５（ｄＢ）以下にできる
ことが解る。

【００３０】図４は、本発明に係る可変減衰器の第２の
実施例の構成を示す図である。可変減衰器２０は、結合
度Ｍで電磁結合した第１及び第２の線路２１，２２から
なるコムライン２３と、コムライン２３をなす第１及び
第２の線路２１，２２に接続されるダイオードＤ１，Ｄ
２とを備える。

【００３１】コムライン２３をなす第１の線路２１の一
端は、コンデンサＣ１を介して接地されるとともに、コ
ンデンサＣ２を介して入力端子Ｐｉに接続される。ま
た、コムライン２３をなす第２の線路２２の一端は、コ
ンデンサＣ３を介して接地されるとともに、コンデンサ
Ｃ４を介して出力端子Ｐｏに接続される。

【００３２】さらに、コムライン２３をなす第１の線路
２１の他端とグランドとの間に、アノードが第１の線路
２１の他端側になるようにダイオードＤ１が接続され、
第１の線路２１の他端とダイオードＤ１のカソードとの
接続点は、抵抗Ｒ１を介して制御端子Ｖｃ１に接続され
る。

【００３３】また、コムライン２３をなす第２の線路２
２の他端とグランドとの間に、アノードが第２の線路２
２の他端側になるようにダイオードＤ２が接続され、第
２の線路２２の他端とダイオードＤ２のカソードとの接
続点は、抵抗Ｒ２を介して制御端子Ｖｃ２に接続され
る。

【００３４】この際、コムライン２３の入力端子Ｐｉと
出力端子Ｐｏとは、コムライン２３をなす第１及び第２
の線路２１，２２を挟んで反転対象型になっている。

【００３５】上述の回路構成を備えた可変減衰器２０
は、第１の実施例の可変減衰器１０（図１）と同様に、
制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２から印加する印加電圧を可変制
御することにより、ダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗を可変
制御でき、コムライン２３を構成する第１及び第２の線
路２１，２２の結合度を可変制御できる。その結果、コ
ムライン２３の入力端子Ｐｉから第１及び第２の線路２
１，２２を経由して出力端子Ｐｏへ送られる高周波信号
の量を可変制御できるため、可変減衰器２０の減衰量を
可変制御することが可能となる。

【００３６】上述の第１及び第２の実施例の可変減衰器
によれば、コムラインをなす第１及び第２の線路の他端
とグランドとの間にダイオードが接続されるため、それ
らのダイオードに印加する印加電圧を可変制御すること
で、それらのダイオードの抵抗を可変制御することがで
き、その結果、コムラインをなす第１及び第２の線路の
結合度Ｍを可変制御することができる。したがって、コ
ムラインの入力ポートから出力ポートへ送られる高周波
信号の量を可変制御できるため、可変減衰器の減衰量を
可変制御することが可能になるとともに、ＶＳＷＲが
１．５以下のときの反射損失を−１３（ｄＢ）以下にす
ることができる。

【００３７】また、コムラインをなす第１及び第２の線
路の他端とグランドとの間にダイオードが接続されるた
め、入力端子及び出力端子とダイオードとは、第１及び
第２の線路の異なる端部に接続される。したがって、ダ
イオードのオン時、オフ時ともに、入力端子からみた第
１の線路及び出力端子からみた第２の線路のインピーダ
ンスをこの可変減衰器が搭載される移動体通信機器の高
周波回路部の特性インピーダンスに一致させることが可
能となる。

【００３８】さらに、可変減衰器が、コムラインとダイ
オードとで構成されるため、可変減衰器の構成が簡単と
なり、その結果、可変減衰器が小型化できるとももに、
その製造コストを減少することができる。

【００３９】また、セラミックスからなる複数のシート
層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミッ
ク基板にコムラインをなす銅からなるストリップ電極を
内蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効
果、及び銅による損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周
波帯域への対応が可能となる。

【００４０】図５は、本発明に係る可変減衰器の第３の
実施例の回路図である。可変減衰器３０は、第１の実施
例の可変減衰器１０（図１）と比較して、２つのコムラ
イン３１，３２が縦列接続される点で異なる。

【００４１】すなわち、隣同士となるコムライン３１の
第２の線路３４の一端とコムライン３２の第１の線路３
５の一端とがコンデンサＣ４，Ｃ６を介して接続される
ことにより、コムライン３１，３２は縦列接続されるこ
とになる。

【００４２】そして、コムライン３１の第１の線路３３
の一端は、コンデンサＣ１を介して接地されるととも
に、コンデンサＣ２を介して入力ポートＰｉに接続され
る。また、コムライン３１の第１及び第２の線路３３，
３４の他端とグランドとの間に、アノードが第１及び第
２の線路３３，３４の他端側になるようにダイオードＤ
１，Ｄ２が接続され、第１及び第２の線路３３，３４の
他端とダイオードＤ１，Ｄ２のカソードとの接続点は、
抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２に接続
される。

【００４３】さらに、コムライン３２の第２の線路３６
の一端は、コンデンサＣ７を介して接地されるととも
に、コンデンサＣ８を介して出力ポートＰｏに接続され
る。また、コムライン３２の第１及び第２の線路３５，
３６の他端とグランドとの間に、アノードが第１及び第
２の線路３５，３６の他端側になるようにダイオードＤ
３，Ｄ４が接続され、第１及び第２の線路３５，３６の
他端とダイオードＤ３，Ｄ４のカソードとの接続点は、
抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して制御端子Ｖｃ３，Ｖｃ４に接続
される。

【００４４】図６は、本発明に係る可変減衰器の第４の
実施例の回路図である。可変減衰器４０は、第２の実施
例の可変減衰器２０（図４）と比較して、２つのコムラ
イン４１，４２が縦列接続される点で異なる。

【００４５】すなわち、隣同士となるコムライン４１の
第２の線路４４の一端とコムライン４２の第１の線路４
５の一端とがコンデンサＣ４，Ｃ６を介して接続される
ことにより、コムライン４１，４２は縦列接続されるこ
とになる。

【００４６】そして、コムライン４１の第１の線路４３
の一端は、コンデンサＣ１を介して接地されるととも
に、コンデンサＣ２を介して入力ポートＰｉに接続され
る。また、コムライン４１の第１及び第２の線路４３，
４４の他端とグランドとの間に、アノードが第１及び第
２の線路４３，４４の他端側になるようにダイオードＤ
１，Ｄ２が接続され、第１及び第２の線路４３，４４の
他端とダイオードＤ１，Ｄ２のカソードとの接続点は、
抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２に接続
される。

【００４７】さらに、コムライン４２の第２の線路４６
の一端は、コンデンサＣ７を介して接地されるととも
に、コンデンサＣ８を介して出力ポートＰｏに接続され
る。また、コムライン４２の第１及び第２の線路４５，
４６の他端とグランドとの間に、アノードが第１及び第
２の線路４５，４６の他端側になるようにダイオードＤ
３，Ｄ４が接続され、第１及び第２の線路４５，４６の
他端とダイオードＤ３，Ｄ４のカソードとの接続点は、
抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して制御端子Ｖｃ３，Ｖｃ４に接続
される。

【００４８】上述の実施例の第３及び第４の実施例の可
変減衰器によれば、複数のコムラインを縦列接続するた
め、減衰量が可変制御できる範囲を大きくすることがで
きる。したがって、この可変減衰器を搭載する移動体通
信機器の部品点数を減らすことができ、その結果、移動
体通信機器の小型化が可能となる。

【００４９】図７は、移動体通信機器の１つであるＰＣ
Ｓ（Personal Cellular System）用携帯電話器のブロッ
ク図である。この携帯電話器５０は、受信専用のアンテ
ナ５１、アンテナ５１に対応する第１の受信系５２、送
受信用のアンテナ５３、アンテナ５３に接続されるデュ
プレクサ５４、及びアンテナ５３に対応する送信系５
５、第２の受信系５６を備える。

【００５０】第１及び第２の受信系５２，５６には、低
雑音増幅器ＬＮＡ１，ＬＮＡ２、帯域通過フィルタＢＰ
Ｆ１，ＢＰＦ２、減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ２及びミキサ
ＭＩＸ１，ＭＩＸ２が含まれ、送信系５５には、高出力
増幅器ＰＡ、帯域通過フィルタＢＰＦ３及びミキサＭＩ
Ｘ３が含まれる。この際、減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ２は
受信バランスを一定にするために用いられている。

【００５１】そして、この構成において、第１及び第２
の受信系５２，５６に含まれる減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ
２に、図１、図４〜図６に示した小型の可変減衰器１
０，２０，３０，４０を用いれば、受信系の受信バラン
スを一定に保ちながら、小型の携帯電話器を実現するこ
とができる。

【００５２】なお、上述の第１乃至第４の実施例では、
コムラインを構成する第１及び第２の線路の一端がコン
デンサを介して接地される場合について説明したが、コ
ンデンサを介さず直接接地されていてもよい。

【００５３】また、ダイオードに印加電圧を印加するた
めの制御端子が、コムラインを構成する第１及び第２の
線路の一端に設けられる場合について説明したが、制御
端子は第１及び第２の線路のいずれの箇所に設けられて
いてもよい。

【００５４】さらに、上述の第３及び第４の実施例で
は、２つのコムラインを縦列接続する場合について説明
したが、３つ以上のコムラインを縦列接続してもよい。
この場合には、コムラインの数が増加するにともない、
減衰量が可変制御できる範囲を大きくすることができ
る。

【００５５】

【発明の効果】請求項１の可変減衰器によれば、コムラ
インをなす第１及び第２の線路の他端とグランドとの間
にダイオードが接続されるため、それらのダイオードに
印加する印加電圧を可変制御することで、それらのダイ
オードの抵抗を可変制御することができ、その結果、コ
ムラインをなす第１及び第２の線路の結合度を可変制御
することができる。したがって、コムラインの入力ポー
トから出力ポートへ送られる高周波信号の量を可変制御
できるため、可変減衰器の減衰量を可変制御することが
可能になるとともに、ＶＳＷＲが１．５以下のときの反
射損失を−１３（ｄＢ）以下にすることができる。

【００５６】また、コムラインをなす第１及び第２の線
路の他端とグランドとの間にダイオードが接続されるた
め、入力端子及び出力端子とダイオードとは、第１及び
第２の線路の異なる端部に接続される。したがって、ダ
イオードのオン時、オフ時ともに、入力端子からみた第
１の線路及び出力端子からみた第２の線路のインピーダ
ンスをこの可変減衰器が搭載される移動体通信機器の高
周波回路部の特性インピーダンスに一致させることが可
能となる。

【００５７】さらに、可変減衰器が、コムラインとダイ
オードとで構成されるため、可変減衰器の構成が簡単と
なり、その結果、可変減衰器が小型化できるとももに、
その製造コストを減少することができる。

【００５８】請求項２の可変減衰器によれば、複数のコ
ムラインを縦列接続するため、減衰量が可変制御できる
範囲を大きくすることができる。したがって、この可変
減衰器を搭載する移動体通信機器の部品点数を減らすこ
とができ、その結果、移動体通信機器の小型化が可能と
なる。

【００５９】請求項３の可変減衰器によれば、セラミッ
クスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック
基板を備え、そのセラミック基板にコムラインをなすス
トリップ電極を内蔵しているため、セラミック基板によ
る波長短縮効果により１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対
応が可能となる。

【００６０】請求項４の移動体通信機器によれば、小型
の可変減衰器を用いるため、受信系の受信バランスを保
ちながら、小型の移動体通信機器を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の可変減衰器に係る第１の実施例の回路
図である。

【図２】図１の可変減衰器の分解斜視図である。

【図３】図１の可変減衰器の減衰量及び反射損失を示す
図である。

【図４】本発明の可変減衰器に係る第２の実施例の回路
図である。

【図５】本発明の可変減衰器に係る第３の実施例の回路
図である。

【図６】本発明の可変減衰器に係る第４の実施例の回路
図である。

【図７】移動体通信機器の１つである携帯電話器のブロ
ック図である。

【図８】従来の可変減衰器を示す回路図である。

【符号の説明】

１０，２０，３０，４０可変減衰器１１，２１，３３，３５，４３，４５第１の線路１２，２２，３４，３６，４４，４６第２の線路１３，２３，３１，３２，４１，４２コムライン５０移動体通信機器（携帯電話器）Ｄ１〜Ｄ４ダイオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁結合した第１及び第２の線路からな
るコムラインと、該コムラインをなす前記第１及び第２
の線路に接続される複数のダイオードとを備え、前記第１及び第２の線路の一端が接地され、前記第１及
び第２の線路の他端とグランドとの間に、アノードが前
記第１及び第２の線路の他端側となるように前記ダイオ
ードが接続されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項２】前記コムラインを複数個用い、該複数の
コムラインのうち、隣同士となるコムラインの第１の線
路の一端と第２の線路の一端とを接続することにより、
前記複数のコムラインを縦列接続したことを特徴とする
請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項３】セラミックスからなる複数のシート層を
積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック基板
に前記コムラインをなすストリップ電極を内蔵し、前記
セラミック基板に前記ダイオードを搭載することを特徴
とする請求項１あるいは請求項２に記載の可変減衰器。
【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の可変減衰
器を用いたことを特徴とする移動体通信機器。