KR100397729B1 - 필터, 안테나 듀플렉서 및 이들을 포함한 통신 기기 - Google Patents

필터, 안테나 듀플렉서 및 이들을 포함한 통신 기기 Download PDF

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Abstract

통과 대역과 감쇠 대역 사이의 관계를 제어하는 것이 가능한 필터. 예를 들면, 상기 필터에서는, 1단 트랩 필터가 결합 커패시터를 통하여 3단 대역 필터에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 트랩 필터는 공진기와 공진 커패시터로 구성되는 직렬 공진부를 포함한다. 상기 직렬 공진부는 용량성 리액턴스 소자(커패시터)와 병렬로 연결되고, 유도성 리액턴스 소자(인덕터) 및 스위칭 소자로서 PIN 다이오드를 포함하는 직렬 회로와 병렬로 연결된다. 상기 용량성 리액턴스 소자 및 유도성 리액턴스 소자는 모두 상기 트랩 회로의 어드미턴스를 실질적으로 영으로 만드는 데 기여한다.

Description

필터, 안테나 듀플렉서 및 이들을 포함한 통신 기기{Filter, Antenna Duplexer, And Communication Apparatus Incorporating The Same}
본 발명은 마이크로파와 같은 주파수 대역에서 사용하기 위한 필터, 안테나 듀플렉서 및 이들을 포함하는 통신 기기와 관련된다.
도 13은 유전체 공진기(일본 미심사 특허 출원 공개공보 63-30003 참조)를 이용하여 형성되는 종래의 트랩 필터를 보여준다. 상기 공개공보에 개시된 트랩 필터(201)에서, 입력 단자(P1)와 출력 단자(P2) 사이에, 커패시터(C61) 및 유전체 공진기(202)로 구성되는 직렬 공진부(203)와, 상기 직렬 공진부(203)에 전기적으로병렬 연결되는 리액턴스 소자(204)가 배치된다. 도 13에서는, 용량성 리액턴스 소자로서 상기 직렬 공진부(203)에 연결된 커패시터(C62)가 제공된다.
한편, 상기 직렬 공진부(203)에 병렬로 연결된 리액턴스 소자(204)를 포함한 종래의 트랩 필터(201)에서, 반공진 주파수 fa의 위치는 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측에 존재하거나 감쇠극 주파수보다 낮은 주파수측에 존재하지만, 양쪽 모두에 존재하지는 않는다. 즉, 상기 리액턴스 소자(204)로서 커패시터(용량성 리액턴스 소자)가 사용될 때, 반공진 주파수 fa의 위치는 항상 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측에 존재한다(도 14a). 반대로, 상기 리액턴스 소자(204)로서 인덕터(유도성 리액턴스 소자)가 사용될 때, 반공진 주파수 fa의 위치는 항상 감쇠극 주파수보다 낮은 주파수측에 존재한다(도 14b). 이와같이, 상기 종래의 트랩 필터(201)에서 반공진 주파수 fa의 위치는 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측과 감쇠극 주파수보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 없다.
또한, 도 15에 도시한 바와 같이, 다양한 감쇠극 주파수를 갖는 종래의 대역 저지 필터(band elimination filter : 211)가 알려져 있다. 도 15에서, 참조부호 212 및 213은 특성 임피던스를 갖는 분포 상수 선로(distributed-constant lines)를 가리킨다. 참조부호 C71 및 C72는 저지 대역 감쇠의 크기를 결정하는 커패시터들을 가리킨다. 참조부호 C73 및 C74는 두 감쇠극 주파수를 변화시키기 위한 주파수 편이 커패시터(frequency shifting capacitor)를 가리키고, 이들 주파수 편이 커패시터들은 각각의 분포 상수 선로(212, 213)에 의해 생성되는 유도성 리액턴스를 변화시키는 데 기여한다. 참조부호 D71 및 D72는 PIN 다이오드를 가리키고, 참조부호 L71 및 L72는 초크 코일을 가리킨다. 참조부호 C75 및 C76은 바이패스 커패시터(bypass capacitor)를 가리키고, 참조부호 r31 및 r32는 전압 제어 공급용 저항(voltage-control supplying resistor)을 가리키고, 참조부호 L74는 결합 코일을 가리키고, 참조부호 L73 및 L75는 코일을 가리킨다.
전압 제어 단자(Vc1)에 양의 전압이 인가될 때, PIN 다이오드(D71 및 D72)는 스위치 온(on)된다. 그 결과, 주파수 편이 커패시터(C73, C74)는 PIN 다이오드 (D71, D72)를 통하여 접지되고, 상기 두 감쇠극 주파수 모두 낮아지게 된다(도 16에서 도시한 실선 215). 전압 제어 단자(Vc1)에 음의 전압 또는 0v가 인가될 때, PIN 다이오드(D71, D72)는 스위치 오프(off)된다. 그 결과, 커패시터(C73, C74)가 개방 회로가 되기 때문에, 상기 두개의 감쇠극 주파수 모두 높아진다(도 16에서 도시한 점선 216).
대역 저지 필터(211)에서, 전압을 제어함으로써 감쇠극 주파수들을 변화시킬 수 있으나, 통과 대역과 저지 대역 사이의 관계를 의미가 있도록 변화시키는 것은 불가능하다. 즉, 종래의 대역 저지 필터(211)에서, 감쇠 대역은 통과 대역보다 높은 주파수측으로부터 통과 대역보다 낮은 주파수측으로 자유롭게 전환될 수 없다.
본 발명은 통과 대역(pass band)과 감쇠 대역(attenuation) 사이의 관계를 제어할 수 있는 필터를 제공한다. 나아가, 본 발명은 상기 필터를 포함하는 안테나 듀플렉서 및 통신 기기를 제공한다.
이를 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 측면에 따르면, 트랩 회로를 포함하는필터가 제공되며, 상기 트랩 회로는 직렬 공진부, 상기 트랩 회로의 어드미턴스를 실질적으로 영으로 만들고 둘다 상기 직렬 공진부에 전기적으로 병렬 연결되는 유도성 리액턴스 소자 및 용량성 리액턴스 소자, 그리고 상기 용량성 리액턴스 소자와 유도성 리액턴스 소자 중 어느 하나에 연결되며 온/오프(on/off) 스위칭될 수 있는 스위칭 소자를 포함한다. 상기 스위칭 소자로서, 예를 들면, PIN 다이오드 또는 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor)가 사용될 수 있다. 전압 제어 리액턴스 소자(voltage-controllable reactance element)로서, 예를 들면, 가변 커패시턴스 다이오드(variable capacitance diode)가 사용될 수 있다. 나아가, 상기 직렬 공진부는 유전체 공진기 또는 분포 상수 선로를 포함한다.
스위칭 소자가 on/off될 때, 상기 용량성 리액턴스 소자 및 상기 유도성 리액턴스 소자를 포함하는 병렬 리액턴스 소자 회로는 용량성이 되거나 또는 유도성이 된다. 즉, 스위칭 소자를 on/off 제어함으로써, 반공진 주파수 fa의 위치는 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측과 감쇠극 주파수보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
또한, 상기 전압 제어 리액턴스 소자는 주파수 편이 커패시터를 통하여 각각의 직렬 공진부와 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 배치에서, 상기 리액턴스 소자는 제어 전압을 인가함으로써 on/off 스위칭되고, 그리하여 주파수 편이 커패시터가 접지되거나 개방 회로가 된다. 그 결과, 상기 트랩 회로의 감쇠극 주파수가 변할 수 있다.
나아가, 직렬 공진부들을 포함하는 복수의 트랩 회로들이 유도성 소자 및 용량성 소자 중 어느 하나에 의하여 각각 서로에게 전기적으로 연결된다. 예를 들면, 이러한 배치로 대역 저지 필터가 형성된다. 상기 대역 저지 필터에서, 스위칭 소자의 on/off 스위칭에 의하여 감쇠 대역의 위치가 통과 대역보다 높은 주파수측과 통과 대역보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 측면에 따르면, 상기 제1 측면의 필터 및 이에 전기적으로 연결된 대역 필터(band pass filter)를 포함하는 필터를 제공한다. 이러한 배치로, 스위치 소자를 on/off 스위칭함으로써, 상기 트랩 회로의 반공진 주파수의 위치가 대역 필터의 통과 대역보다 높은 주파수측과 대역 필터의 통과 대역보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
본 발명의 제3 측면에 따르면, 이상의 필터들 중 어느 하나를 포함하는 안테나 듀플렉서를 제공한다.
본 발명의 제4 측면에 따르면, 위에서 언급한 상기 필터들 또는 안테나 듀플렉서 중 적어도 어느 하나를 포함하는 통신 기기를 제공한다. 상기 듀플렉서와 통신 기기 모두에서, 설계의 자유도를 증가시킬 수 있고, 크기의 감소를 이룰 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징들이나 이점들은 첨부된 도면들에 대응하는 본 발명의 실시예들에 대한 다음의 기술을 통하여 명백해질 것이며, 도면들에서 같은 참조부호는 같은 소자들 그리고 같은 부분들을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 필터의 전기 회로도이다.
도 2는 도 1에서 도시한 상기 필터에서 이용되는 공진기의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 3은 도 1에서 도시한 상기 필터의 기능을 설명하기 위한 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 1에서 도시한 상기 필터의 또 다른 기능을 설명하기 위한 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터의 전기 회로도이다.
도 6은 도 5에서 도시한 상기 필터의 기능을 설명하기 위한 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
도 7은 도 5에서 도시한 상기 필터의 또 다른 기능을 설명하기 위한 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 안테나 듀플렉서의 전기 회로도이다.
도 9는 도 8에서 도시한 상기 안테나 듀플렉서의 송신 회로의 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 8에서 도시한 상기 안테나 듀플렉서의 수신 회로의 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 안테나 듀플렉서의 전기 회로도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 통신 기기의 전기 회로의 블록도이다.
도 13은 종래의 트랩 필터의 전기 회로도이다.
도 14a 및 도 14b는 도 13에서 도시한 상기 트랩 필터의 필터 특성을 보여주는 그래프이다.
도 15는 종래의 대역 저지 필터의 전기 회로도이다.
도 16은 도 15에서 도시한 상기 대역 저지 필터의 주파수 특성을 보여주는 그래프이다.
본 발명의 실시예에 따른 필터, 안테나 듀플렉서 및 통신 기기에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 기술할 것이다.
제1 실시예: 도 1 내지 도 4
본 발명의 제1 실시예를 트랩부 주파수 가변 대역 필터(trap-attached frequency-variable band pass filter)의 일례를 사용하여 설명하기로 한다. 도 1에서 도시한 바와 같이, 트랩부 주파수 가변 대역 필터(1)에서, 외부 단자들(P1, P2) 사이에 1단 트랩 필터(3)에 전기적으로 연결된 3단 대역 필터(2)가 제공된다.
상기 대역 필터(2)에서, 공진기(R1, R2 및 R3)가 외부 단자(P1, P2) 사이에 결합 커패시터(C1, C2, C3 및 C4)를 경유하여 서로 전기적으로 연결된다. 상기 공진기(R1)의 개방단 측에는, 주파수 편이 커패시터(C5) 및 전압 제어 리액턴스 소자로서 PIN 다이오드(D1)로 구성되는 직렬 회로가, 상기 PIN 다이오드(D1)의 음극 (cathode)이 접지되어 있는 상태로, 상기 공진기(R1)에 전기적으로 병렬 연결된다. 유사하게, 공진기(R2)의 개방단 측에는 주파수 편이 커패시터(C6) 및 PIN 다이오드 (D2)로 구성되는 직렬 회로가 상기 공진기(R2)에 전기적으로 병렬 연결되고, 공진기(R3)의 개방단 측에는 주파수 편이 커패시터(C7) 및 PIN 다이오드(D3)로 구성되는 직렬 회로가 상기 공진기(R3)에 전기적으로 병렬 연결된다.
상기 트랩 필터(3)는 공진기(R4) 및 공진 커패시터(C8)로 구성되는 직렬 공진부(5)를 포함한다. 용량성 리액턴스 소자(커패시터:C10)와, 유도성 리액턴스 소자(인덕터:L10) 및 스위칭 소자로서 PIN 다이오드(D5)로 구성되는 직렬 회로가 상기 직렬 공진부(5)에 병렬 연결된다.
상기 용량성 리액턴스 소자(C10) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L10)는 상기트랩 필터(3)의 부하로 인한 대역 필터(1)의 통과 대역 특성의 저하를 방지하는 데 기여한다. 상기 트랩 회로의 어드미턴스 Y는, 상기 용량성 리액턴스 소자(C10) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L10)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로(6)의 리액턴스 X와 상기 직렬 공진부(5)에 의해 형성된다. 어드미턴스 Y는 다음의 식(1)에 의해 얻어진다.
Y = 1/{i(Zaㆍtanθ-1/Cω)} + 1/X (1)
여기서, θ는 πω/2 ωR과 같고, 부호 Za는 상기 직렬 공진부(5)의 임피던스를 나타내고, 부호 ωR은 상기 공진기(R4)의 공진 주파수를 나타내고, 부호 C는 광속을 나타낸다.
상기 대역 필터(1)의 상기 통과 대역 특성의 저하를 방지하기 위하여, 식(1)에서 Y의 값을 영(zero)으로 만드는 것이 요구된다. X의 값은 다음 식으로 표현된다.
X = -i{Zaㆍtan(πωO/2 ωR)-1/(C ωO)} (2)
따라서, X의 값을 갖는 리액턴스 구성요소를 상기 직렬 공진부(5)에 병렬로 연결하는 것이 요구된다. 다시 말해서, ωO의 경우에, 상기 직렬 공진부(5)가 유도성 리액턴스로 작용할 때, 상기 리액턴스 X를 용량성으로 만드는 것이 요구된다. 반대로, 상기 직렬 공진부(5)가 용량성 리액턴스로 작용할 때, 상기 리액턴스 X를 유도성으로 만드는 것이 요구된다. 따라서, 상기 직렬 공진부(5)에 의해 생성되는 감쇠극 주파수가 대역 필터(1)의 통과 대역보다 높은 주파수측에 존재할 때, 리액턴스 X는 유도성이 되는 것이 요구되고, 반대로 감쇠극 주파수가 대역 필터(1)의 통과 대역보다 낮은 주파수측에 존재할 때, 리액턴스 X는 용량성이 되는 것이 요구된다.
상기 공진기(R4)와 상기 공진 커패시터(C8) 사이의 연결부에서, 주파수 편이 커패시터(C9) 및 전압 제어 리액턴스 소자로서 PIN 다이오드(D4)로 구성되는 직렬 회로가, PIN 다이오드(D4)의 음극이 접지된 상태로 상기 공진기(R4)에 병렬로 연결된다. 상기 주파수 편이 커패시터(C9)는 상기 트랩 필터(3)의 감쇠 특성 중 하나의 감쇠극 주파수를 변화시키기 위한 커패시터이다.
도시한 바와 같이 전압 제어 단자(Vc1)는, 제어 전압 공급용 저항(r1), 커패시터(C11) 및 초크 코일(L1)을 경유하여 상기 PIN 다이오드(D1)의 양극에 연결된다. 또한, 상기 전압 제어 단자(Vc1)는 제어 전압 공급용 저항(r2), 커패시터(C12) 및 초크 코일(L2)을 경유하여 PIN 다이오드(D2)의 양극에 연결된다. 나아가, 상기 전압 제어 단자(Vc1)는 제어 전압 공급용 저항(r3), 커패시터(C13) 및 초크 코일 (L3)을 경유하여 PIN 다이오드(D3)의 양극에 연결되고, 또한 제어 전압 공급용 저항(r5), 커패시터(C15) 및 초크 코일(L5)을 경유하여 PIN 다이오드(D5)의 양극에 연결된다. 전압 제어 단자(Vc2)는 제어 전압 공급 저항기(r4), 커패시터(C14) 및 초크 코일(L4)을 경유하여 PIN 다이오드(D4)의 양극에 연결된다.
각각의 공진기(R1 내지 R4)로서는, 예로서 도 2에 도사한 바와 같이, 유전체 공진기가 사용된다. 도 2에서는, 상기 공진기(R1)가 대표적인 예로서 도시되었다.상기 유전체 공진기(R1 내지 R4)의 각각에는, TiO2세라믹과 같은 높은 유전율을 갖는 재료로 만들어지는 튜브형 유전체 부재(21)가 제공된다. 외도체(22)는 상기 튜브형 유전체 부재(21)의 외주면에 배치되고, 내도체(23)는 내주면에 배치된다. 상기 외도체(22)는 유전체 부재(21)의 개방 단면(이하 개방측 단면:21a)에서 상기 내도체(23)로부터 전기적으로 독립되어 있고, 나머지 개방 단면(이하 단락 회로측 단면:21b)에서 상기 내도체(23)에 전기적으로 단락되어 있다. 상기 유전체 공진기 (R1)에서, 개방측 단면(21a)은 주파수 편이 커패시터(C5) 및 PIN 다이오드(D1)로 구성되는 직렬 회로와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 외도체(22)는 단락 회로측 단면(21b)에서 접지되어 있다.
다음으로, 이상의 구조를 갖는 상기 트랩부 주파수 가변 대역 필터(1)의 기능적 효과들에 대하여 기술하기로 한다.
대역 필터(2)의 통과 주파수는 주파수 편이 커패시터(C5) 및 공진기(R1)로 형성되는 공진 시스템, 주파수 편이 커패시터(C6) 및 공진기(R2)로 형성되는 공진 시스템, 그리고 주파수 편이 커패시터(C7) 및 공진기(R3)로 형성되는 공진 시스템 각각의 공진 주파수들에 의하여 결정된다. 상기 트랩 필터(3)의 감쇠극 주파수는 주파수 편이 커패시터(C9), 공진 커패시터(C8) 및 공진기(R4)로 형성되는 공진 시스템의 공진 주파수에 의하여 결정된다.
전압 제어 단자(Vc1)에 음의 전압 또는 0Ｖ가 인가되고 전압 제어 단자(Vc2)에 양의 전압이 인가될 때, 상기 PIN 다이오드(D1, D2, D3 및 D5)가 스위치 오프(off)되고, 반면에 상기 PIN 다이오드(D4)는 스위치 온(on)된다. 그 결과, 상기 대역 필터(2)의 주파수 편이 커패시터(C5, C6 및 C7)는 개방 회로가 되고, 도 3에서 도시한 바와 같이, 상기 대역 필터(2)의 통과 주파수가 높아지게 된다. 반대로, 상기 트랩 필터(3)의 주파수 편이 커패시터(C9)는 PIN 다이오드(D4)를 경유하여 접지되어 있기 때문에, 상기 트랩 필터(2)의 감쇠극 주파수가 낮아지게 된다. 이에 의하여 상기 감쇠극 주파수는 대역 필터(2)의 통과 대역 주파수보다 낮게 위치한다. 또한, 상기 트랩 필터(3)의 유도성 리액턴스 소자(L10)는 개방 회로가 되므로, 상기 용량성 리액턴스 소자(C10) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L10)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로(6)의 리액턴스 X는 용량성이 된다. 그 결과, 상기 트랩 필터(3)의 반공진 주파수 fa의 위치는 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측에 존재하게 된다(도14a에서 설명한 종래의 예와 같다). 덧붙여, 위에서의 반공진 주파수 fa의 위치는 상기 대역 필터(2)의 통과 대역안에 있게 된다.
전압 제어 단자(Vc1)에 양의 전압이 인가되고 전압 제어 단자(Vc2)에 음의 전압 또는 0Ｖ가 인가될 때, PIN 다이오드(D1, D2, D3 및 D5)는 스위치 온(on)되고, 반면에 PIN 다이오드(D4)는 스위치 오프(off)된다. 그 결과, 상기 대역 필터 (2)의 주파수 편이 커패시터(C5, C6 및 C7)는 PIN 다이오드(D1, D2 및 D3)를 경유하여 접지된다. 도 4에서 도시한 바와 같이, 통과 주파수가 낮아지게 된다. 반대로, 상기 트랩 필터(3)의 주파수 편이 커패시터(C9)는 개방 회로가 되므로, 감쇠극 주파수가 높아지게 된다. 이에 의하여 상기 감쇠극 주파수는 대역 필터(2)의 통과 대역 주파수보다 높은 주파수에 위치한다. 또한, 상기 트랩 필터(3)의 유도성 리액턴스 소자(L10)는 PIN 다이오드(D5)를 경유하여 접지되므로, 상기 용량성 리액턴스 소자(C10) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L10)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로(6)의 리액턴스 X는 유도성이 된다. 그 결과, 상기 트랩 필터(3)의 반공진 주파수 fa의 위치는 감쇠극 주파수보다 낮은 주파수측에 존재하게 된다(도 14b에서 설명한 종래의 예와 같다). 덧붙여, 위에서의 반공진 주파수 fa의 위치는 상기 대역 필터(2)의 통과 대역안에 있게 된다.
이상에서 기술한 것처럼, 상기 트랩부 주파수 가변 대역 필터(1)에서, 통과 주파수 및 감쇠극 주파수는 제어 전압을 인가함으로써 변화시킬 수 있고, 상기 감쇠극 주파수의 위치는 통과 대역보다 높은 주파수측과 통과 대역보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
제2 실시예: 도 5 내지 도 7
제2 실시에는 일례로서 주파수 가변 대역 저지 필터를 사용하여 기술하기로 한다. 도 5에서 도시한 바와 같이, 주파수 가변 대역 저지 필터(31)에서, 외부 단자(P1, P2) 사이에, 공진기(R1) 및 공진 커패시터(C11)로 구성되는 직렬 공진부 (32)를 포함하는 트랩 회로가, 공진기(R2) 및 공진 커패시터(C12)로 구성되는 직렬 공진부(33)를 포함하는 트랩 회로에 결합 코일(L13)을 통하여 전기적으로 연결된다. 상기 공진 커패시터(C11, C12)는 저지 대역에서의 감쇠의 크기를 결정하는 커패시터들이다.
상기 공진기(R1)의 개방단 측에서, 주파수 편이 커패시터(C13) 및 전압 제어 리액턴스 소자로서 PIN 다이오드(D11)로 구성되는 직렬 회로가, 상기 PIN 다이오드(D11)의 음극이 접지된 상태로, 상기 공진기(R1)에 전기적으로 연결된다. 유사하게, 상기 공진기(R2)의 개방단 측에서, 주파수 편이 커패시터(C14) 및 전압 제어 리액턴스 소자로서 PIN 다이오드(D12)로 구성되는 직렬 회로가 공진기(R2)에 전기적으로 연결된다. 상기 주파수 편이 커패시터(C13, C14)는 상기 필터(31)의 감쇠 특성의 두 감쇠극 주파수들을 변화시키기 위한 커패시터이다.
나아가, 용량성 리액턴스 소자(커패시터:C17) 및 스위칭 소자로서 PIN 다이오드(D13)로 구성되는 직렬 회로와 유도성 리액턴스 소자(인덕터:L14)는 상기 직렬 공진부(32)에 전기적으로 병렬 연결된다. 유사하게, 용량성 리액턴스 소자(커패시터:C18) 및 스위칭 소자로서 PIN 다이오드(D14)로 구성되는 직렬 회로와 유도성 리액턴스 소자(인덕터:L15)는 상기 직렬 공진부(33)에 전기적으로 병렬 연결된다. 상기 용량성 리액턴스 소자(C17, C18) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L14, L15)는 상기 필터(31)의 통과 대역 특성의 저하를 방지하는데 기여한다.
이와 같은 경우에, 위에서 기술한 식(1)은 상기 용량성 리액턴스 소자(C17) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L14)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로(34)의 리액턴스 X1과 상기 직렬 공진부(32)에 의해 형성되는 트랩 회로의 어드미턴스 Y1을 제공한다. 유사하게, 상기 식(1)은 또한 상기 용량성 리액턴스 소자(C18) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L15)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로(35)의 리액턴스 X2와 상기 직렬 공진부(33)에 의해 형성되는 트랩 회로의 어드미턴스 Y2를 제공한다. 따라서, 상기 트랩 회로의 부하에 기인한 필터(31)의 통과 대역 특성의 저하를 방지하기 위하여, Y1 및 Y2의 값을 둘다 영(zero)이 되도록 한다.
도시한 바와 같이 전압 제어 단자(Vc1)은 저항(r1), 커패시터(C15) 및 초크 코일(L11)을 경유하여 PIN 다이오드(D11)의 양극에 연결되고, 또한 저항(r2), 커패시터(C16) 및 초크 코일(L12)을 경유하여 PIN 다이오드(D12)의 양극에 연결된다. 나아가, 상기 전압 제어 단자(Vc1)은 저항(r3), 커패시터(C19) 및 초크 코일(L16)을 경유하여 PIN 다이오드(D13)의 양극에 연결되고, 또한 저항(r4), 커패시터(C20) 및 초크 코일(L17)을 경유하여 PIN 다이오드(D14)의 양극에 연결된다
다음으로, 이상의 구조를 갖는 상기 주파수 가변 대역 저지 필터(31)의 기능상의 효과들을 기술하기로 한다.
상기 필터(31)의 두 감쇠극 주파수들은 공진기(R1), 공진 커패시터(C11) 및 주파수 편이 커패시터(C13)로 구성되는 공진 시스템과 공진기(R2), 공진 커패시터 (C12) 및 주파수 편이 커패시터(C14)로 구성되는 공진 시스템의 각각의 공진 주파수들에 의하여 결정된다.
전압 제어 단자(Vc1)에 양의 전압이 인가될 때, 상기 PIN 다이오드(D11 내지 D14)는 모두 스위치 온(on)된다. 그 결과, 주파수 편이 커패시터(C13, C14)는 상기 PIN 다이오드(D11, D12)를 경유하여 접지되므로, 두 감쇠극 주파수들은 낮아진다. 또한, 상기 용량성 리액턴스 소자(C17)는 상기 PIN 다이오드(D13)를 경유하여 접지되므로, 상기 용량성 리액턴스 소자(C17) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L14)로 구성되는 상기 병렬 리액턴스 소자 회로(34)의 리액턴스 X1은 용량성이 된다. 유사하게, 상기 용량성 리액턴스 소자(C18)는 상기 PIN 다이오드(D14)를 경유하여 접지되므로, 상기 용량성 리액턴스 소자(C18) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L15)로 구성되는 상기 병렬 리액턴스 소자 회로(35)의 리액턴스 X2는 용량성이 된다. 그 결과, 상기 필터(31)의 반공진 주파수 fa의 위치는 두 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측에 존재하게 된다(도 14a에서 도시된 종래의 경우와 같다). 따라서, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 필터(31)의 통과 대역 주파수는 두 감쇠극 주파수보다 높아진다.
반대로, 전압 제어 단자(Vc1)에 음의 전압 또는 0Ｖ가 인가될 때, 상기 PIN 다이오드(D11 내지 D14)는 모두 스위치 오프(off)된다. 그 결과, 주파수 편이 커패시터(C13, C14)는 개방 회로가 되므로, 두 감쇠극 주파수들은 모두 높아진다. 게다가, 상기 용량성 리액턴스 소자(C17, C18)도 개방 회로가 되므로, 상기 병렬 리액턴스 소자 회로(34)의 리액턴스 X1과 상기 병렬 리액턴스 소자 회로(35)의 리액턴스 X2는 모두 유도성이 된다. 따라서, 상기 필터(31)의 반공진 주파수 fa의 위치는 감쇠극 주파수들보다 낮은 주파수측에 존재하게 된다(도 14b에서 도시된 종래의 경우와 같다). 그 결과, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 필터(31)의 통과 대역 주파수는 두 감쇠극 주파수들보다 낮아진다.
이상에서 기술한 것처럼, 상기 주파수 가변 대역 저지 필터(31)에서, 통과 대역과 저지 대역은 전압 제어에 의해 변화될 수 있다. 상기 필터에서, 상기 저지 대역의 위치는 통과 대역보다 높은 주파수측과 통과 대역보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
제3 실시예: 도 8 내지 도 10
제3 실시예는 J-CDMA 이동 전화 시스템 및 CDMA-800 이동 전화 시스템과 같은 두가지 유형의 이동 통신 시스템에서 예로서 응용되기 위해 체택된 안테나 듀플렉서의 일례에 관하여 설명하기로 한다. 도 8에 도시한 바와 같이, 안테나 듀플렉서(41)에서, 송신 회로(42)는 송신 단자(Tx)와 안테나 단자(ANT) 사이에 전기적으로 연결되고, 수신 회로(43)는 수신 단자(Rx)와 상기 안테나 단자(ANT) 사이에 전기적으로 연결된다.
상기 송신 회로(42)는, 공진기(R1) 및 공진 커패시터(C21)로 구성되는 직렬 공진부(44)를 포함하는 트랩 회로와 공진기(R2) 및 공진 커패시터(C22)로 구성되는 직렬 공진부(45)를 포함하는 트랩 회로가 결합 코일(L21)을 통하여 전기적으로 연결됨으로써 형성되는 주파수 가변 대역 저지 필터 회로이다.
상기 공진기(R1)의 개방단 측은 주파수 편이 커패시터(C23) 및 PIN 다이오드 (D21)로 구성되는 직렬 회로, 주파수 편이 커패시터(C24) 및 PIN 다이오드(D22)로 구성되는 직렬 회로, 그리고 주파수 편이 커패시터(C25) 및 PIN 다이오드(D23)로 구성되는 직렬 회로에 연결된다. 유사하게, 상기 공진기(R2)의 개방단 측은 주파수 편이 커패시터(C26) 및 PIN 다이오드(D24)로 구성되는 직렬 회로, 주파수 편이 커패시터(C27) 및 PIN 다이오드(D25)로 구성되는 직렬 회로, 그리고 주파수 편이 커패시터(C28) 및 PIN 다이오드(D26)로 구성되는 직렬 회로에 연결된다.
나아가, 용량성 리액턴스 소자(커패시터:C29) 및 PIN 다이오드(D27)로 구성되는 직렬 회로와 유도성 리액턴스 소자(인덕터:L28)는 상기 직렬 공진부(44)에 전기적으로 병렬 연결된다. 유사하게, 용량성 리액턴스 소자(커패시터:C30) 및 PIN 다이오드(D28)로 구성되는 직렬 회로와 유도성 리액턴스 소자(인덕터:L29)는 상기 직렬 공진부(45)에 전기적으로 병렬 연결된다.
상기 식(1)은 상기 용량성 리액턴스 소자(C29) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L28)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로의 리액턴스 X1과 상기 직렬 공진부 (44)를 포함하는 트랩 회로의 어드미턴스 Y1을 제공한다. 유사하게, 상기 식(1)은 또한 상기 용량성 리액턴스 소자(C30) 및 상기 유도성 리액턴스 소자(L29)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로의 리액턴스 X2와 상기 직렬 공진부(45)를 포함하는 트랩 회로의 어드미턴스 Y2를 제공한다. 다음으로, 상기 트랩 회로의 부하에 기인한 송신 회로(42)의 통과 대역 특성의 저하를 방지하기 위하여, Y1 및 Y2의 값을 모두 영이 되도록 한다.
전압 제어 단자(Vc1 내지 Vc8)는 각각 초크 코일(L22 내지 L27, L30 및 L31)을 경유하여 상기 PIN 다이오드(D21 내지 D28)의 양극들에 전기적으로 연결된다. 제어 전압 공급용 저항과 바이패스 커패시터는 상기 도면에 도시되지 않았다.
위에서 기술한 상기 주파수 가변 대역 저지 필터로서 형성된 상기 송신 회로 (42)는 전압 제어에 의해 다양한 통과 대역과 감쇠극 주파수를 가지며, 상기 감쇠극 주파수의 위치는 통과 대역보다 높은 주파수측과 통과 대역보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
상기 수신 회로(43)는, 결합 커패시터(C49, C45, C46 및 C47)를 경유하여 공진기(R3 내지 R5)를 각각 서로 연결함으로써 형성되는 3단 대역 필터와, 공진기 (R6) 및 공진 커패시터(C60)로 구성되는 직렬 공진부(46)를 포함하는 트랩 회로를 전기적으로 연결함으로써 형성되는 트랩부 주파수 가변 대역 필터 회로이다.
주파수 편이 커패시터(C31) 및 PIN 다이오드(D29)로 구성되는 직렬 회로, 주파수 편이 커패시터(C32) 및 PIN 다이오드(D30)로 구성되는 직렬 회로, 그리고 주파수 편이 커패시터(C33) 및 PIN 다이오드(D31)로 구성되는 직렬 회로가 상기 공진기(R3)의 개방단 측에 연결된다. 유사하게, 주파수 편이 커패시터(C34) 및 PIN 다이오드(D32)로 구성되는 직렬 회로, 주파수 편이 커패시터(C35) 및 PIN 다이오드 (D33)로 구성되는 직렬 회로, 그리고 주파수 편이 커패시터(C36) 및 PIN 다이오드 (D34)로 구성되는 직렬 회로가 상기 공진기(R4)의 개방단 측에 연결된다. 나아가, 주파수 편이 커패시터(C37) 및 PIN 다이오드(D35)로 구성되는 직렬 회로, 주파수 편이 커패시터(C38) 및 PIN 다이오드(D36)로 구성되는 직렬 회로, 그리고 주파수 편이 커패시터(C39) 및 PIN 다이오드(D37)로 구성되는 직렬 회로가 상기 공진기 (R5)의 개방단 측에 연결된다.
주파수 편이 커패시터(C41) 및 PIN 다이오드(D38)로 구성되는 직렬 회로, 주파수 편이 커패시터(C42) 및 PIN 다이오드(D39)로 구성되는 직렬 회로, 그리고 주파수 편이 커패시터(C43) 및 PIN 다이오드(D40)로 구성되는 직렬 회로가 상기 트랩 회로의 공진기(R6)의 개방단 측에 연결된다.
용량성 리액턴스 소자(커패시터:C44)와, 유도성 리액턴스 소자(인덕터:L44) 및 PIN 다이오드(D41)로 구성되는 직렬 회로는 상기 직렬 공진부(46)에 전기적으로 병렬 연결된다. 이러한 경우에, 상기 식(1)은 용량성 리액턴스 소자(C44) 및 유도성 리액턴스 소자(L44)로 구성되는 병렬 리액턴스 소자 회로의 리액턴스 X3과 상기 직렬 공진부(46)에 의해 형성된 트랩 회로의 어드미턴스 Y3를 제공한다. 다음으로, 상기 트랩 회로의 부하에 기인한 상기 수신 회로(43)의 통과 대역 특성의 저하를방지하기 위하여, Y3의 값을 영이 되도록 한다.
전압 제어 단자(Vc9 내지 Vc21)는 각각 초크 코일(L32 내지 L43, L45)을 경유하여 상기 PIN 다이오드(D29 내지 D41)의 양극에 전기적으로 연결된다. 제어 전압 공급용 저항 및 바이패스 커패시터는 상기 도면에 도시되지 않았다. 상기 트랩 주파수 가변 대역 필터 회로로서 형성된 상기 수신 회로(43)에서, 통과 대역과 감쇠극 주파수는 전압 제어에 의하여 변화될 수 있고, 감쇠극 주파수의 위치는 통과 대역보다 높은 주파수측과 통과 대역보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다.
다음으로, 이상의 구조를 갖는 상기 안테나 듀플렉서(41)의 기능상의 효과들에 대하여 기술하기로 한다. 상기 안테나 듀플렉서(41)에서, 상기 도면에는 도시하지 않은 송신 회로 시스템으로부터 송신 단자(Tx)로 송신되는 신호는 상기 송신 회로(42)를 경유하여 상기 안테나 단자(ANT)로부터 출력된다. 또한, 상기 안테나 단자(ANT)로부터 수신되는 신호는 상기 수신 회로(43)를 경유하여 상기 수신 단자 (Rx)로부터 상기 도면에는 도시하지 않은 수신 회로로 출력된다.
제3 실시예에서, J-CDMA 이동 전화 시스템 및 CDMA-800 이동 전화 시스템의 각각의 주파수 대역들은 다음의 표 1에서 나타낸 것처럼 두 부분으로 나뉜다.
송신 대역(MHz) 수신 대역(MHz)
J-CDMA 고주파부 915-925 860-870
저주파부 887-901 832-846
CDMA 800 고주파부 836.5-849 881.5-894
저주파부 824-836.5 869-881.5
한편, 다음의 표 2에 나타낸 것과 같은 조합으로, 상기 안테나 듀플렉서(41)의 상기 전압 제어 단자(Vc1 내지 Vc21)의 각각에 양의 전압 및 음의 전압 또는 0Ｖ가 인가된다. 표 2에서, 숫자 "1"은 양의 전압의 인가를 나타내고, 숫자 "0"은 음의 전압 또는 0Ｖ의 인가를 나타낸다.
J-CDMA CDMA 800
고주파부 저주파부 고주파부 저주파부
Vc1 0 0 0 1
Vc2 1 0 0 0
Vc3 0 1 0 0
Vc4 0 0 0 1
Vc5 1 0 0 0
Vc6 0 1 0 0
Vc7 0 0 1 1
Vc8 0 0 1 1
Vc9 0 0 0 1
Vc10 1 0 0 0
Vc11 0 1 0 0
Vc12 0 0 0 1
Vc13 1 0 0 0
Vc14 0 1 0 0
Vc15 0 0 0 1
Vc16 1 0 0 0
Vc17 0 1 0 0
Vc18 0 1 0 0
Vc19 0 0 1 0
Vc20 0 0 0 1
Vc21 1 1 0 0
예로서, 상기 안테나 듀플렉서(41)가 J-CDMA 이동 전화 시스템의 고주파부에서 작동할 때, 양의 전압이 상기 전압 제어 단자(Vc2, Vc5, Vc10, Vc13, Vc16 및 Vc21)의 각각에 인가되고, 음의 전압 또는 0Ｖ가 나머지 전압 제어 단자들에 인가된다. 여기에서 보여진 것처럼, 상기 안테나 듀플렉서(41)에서, 커패시터(C23 내지 C43) 및 인덕터(L44)는 제어 전압들에 대응하여 접지되거나 개방 회로가 되고, 네가지의 다른 통과 대역 특성이 얻어질 수 있다. 도 9는 상기 송신 회로(42)의 주파수 특성들을 보여주는 그래프이고, 도 10은 상기 수신 회로(43)의 주파수 특성들을 보여주는 그래프이다. 도 9 및 도 10에서, 실선 51 및 52는 상기 CDMA-800 이동 전화 시스템의 고주파부 및 저주파부의 특성을 나타낸다. 실선 53 및 54는 상기 J-CDMA 이동 전화 시스템의 고주파부 및 저주파부의 특성을 나타낸다.
제4 실시예: 도 11
도 11에 도시한 바와 같이, 제4 실시예에 따른 듀플렉서(61)는 구성요소의 수를 줄이기 위하여 도 8에서 도시한 제3 실시예의 안테나 듀플렉서에서 사용된 전압 제어 리액턴스 소자들인 PIN 다이오드(D21 내지 D26, D29 내지 D40)의 대체물로써 가변 커패시턴스 다이오드를 사용한다.
일반적으로, 각각의 가변 커패시턴스 다이오드(D51 내지 D56)은 역전압이 보다 높게 되고, 양극과 음극 사이의 커패시턴스가 작아지는 특성을 갖는다. 따라서, 상기 안테나 듀플렉서(61)의 전압 제어 단자(Vc1 내지 Vc5)에 다음의 표 3에서 보여진 조합에 따라 전압을 인가함에 의해서 상기 제3 실시예의 안테나 듀플렉서 41과 같은 주파수 특성이 얻어질 수 있다. 표 3에서, 숫자 "1"은 양의 전압의 인가을 나타내고, 숫자 "0"은 음의 전압 또는 0Ｖ의 인가를 가리킨다. 전압 V1 내지 V4 사이의 관계는 V1<V2<V3<V4로 표현된다.
J-CDMA CDMA 800
고주파부 저주파부 고주파부 저주파부
Vc1 V2 V1 V4 V3
Vc2 V2 V1 V4 V3
Vc3 V4 V3 V2 V1
Vc4 0 0 1 1
Vc5 1 1 0 0
제5 실시예: 도 12
제5 실시예는 이동 전화의 일례를 이용하여 본 발명의 실시예에 따른 통신 기기를 기술한다.
도 12는 이동 전화 150의 RF 부분의 전기 회로 블록도이다. 도 12에서, 참조숫자 152는 안테나부를 나타내고, 참조숫자 153은 듀플렉서를 나타내고, 참조숫자 161은 송신부 아이솔레이터를 나타내고, 참조숫자 162는 송신부 증폭기를 나타내고, 참조숫자 163은 송신부 인터스테이지 대역 필터(interstage band pass filter)를 나타내고, 참조숫자 164는 송신부 믹서를 나타내고, 참조숫자 165는 수신부 증폭기를 나타내고, 참조숫자 166은 수신부 인터스테이지 대역 필터를 나타내고, 참조숫자 168은 전압 제어 발진기(VCO)를 나타내고, 참조숫자 169는 로컬 대역 필터를 나타낸다.
이와 같은 경우에, 예를 들면, 상기 듀플렉서(153)로서 제3 실시예의 안테나 듀플렉서(41) 또는 제4 실시예의 안테나 듀플렉서(61)가 사용될 수 있다. 게다가, 상기 송신부 인터스테이지 대역 필터(163), 상기 수신부 인터스테이지 대역 필터 (166) 및 상기 로컬 대역 필터(169)로는, 예를 들면, 제1 실시예의 필터(1) 또는 제2 실시예의 필터(31)가 사용될 수 있다. 안테나 듀플렉서(41), 상기 필터(1) 및 이와 유사한 것을 사용함으로써, 상기 RF 부분의 설계의 자유도가 증가될 수 있으며, 상기 이동 전화의 크기가 감소될 수 있다.
다른 실시예
본 발명에 따른 필터, 안테나 듀플렉서 및 통신 기기는 이상의 실시예들에제한되지 않는다. 본 발명의 범위안에서 다양한 변형이나 변화가 가능할 수 있다. 예를 들면, PIN 다이오드와 다른 소자들, 즉 전계 효과 트랜지스터 또는 가변 커패시턴스 다이오드와 같은 소자들이 전압 제어 리액턴스 소자 및 스위칭 소자로써 사용될 수 있다. 게다가, 상기 직렬 공진부의 공진기로서, 유전체 공진기와 다른 소자들, 즉 분포 상수 선로(스트립 선로 : strip lines) 및 이와 유사한 것이 사용될 수 있다.
나아가, 이상의 실시예들에서 사용된 각 유전체 공진기는 하나의 유전체 블록안에 하나의 내도체 홀이 배치, 즉, 하나의 유전체 블록안에 하나의 공진기가 배치됨으로써 형성된다. 이러한 구조외에도, 하나의 유전체 블록안에 두개 이상의 내도체 홀이 배치되는 구조, 즉, 하나의 유전체 블록에 둘 이상의 공진기가 배치되는 구조가 사용될 수 있다.
또한, 분포 상수 선로(스트립 선로)의 예로서, 스트립 도체가 유전체 부재를 경유하여 전도성 기판위에 배치되는 구조; 및 유전체 부재가 두 전도성 기판 사이에 배치되고 상기 유전체 부재의 내면에 스트립 도체가 배치되는 구조를 포함한다. 이러한 경우에, 상기의 유전체 공진기로서, 둘 이상의 스트립 도체가 하나의 블록안에 배치될 수 있다. 즉, 둘 이상의 공진기가 하나의 블록안에 형성될 수 있다.
이상에서 기술한 바와 같이, 본 발명에서, 스위칭 소자의 ON/OFF 제어에 의하여, 용량성 리액턴스 소자 및 유도성 리액턴스 소자를 포함하는 병렬 리액턴스 소자 회로는 용량성이 되거나 유도성이 된다. 즉, 상기 스위칭 소자의 ON/OFF 제어에 의하여, 반공진 주파수 fa의 위치가 감쇠극 주파수보다 높은 주파수측과 감쇠극 주파수보다 낮은 주파수측 사이에서 자유롭게 전환될 수 있다. 그 결과, 통과 대역과 감쇠 대역 사이의 관계를 제어할 수 있는 필터를 얻을 수 있다. 게다가, 안테나 듀플렉서 및 통신 기기의 설계의 자유도가 증가되고, 그 크기를 소형화할 수 있다.
본 발명은 이상의 특별한 실시예들에 관련하여 기술되었으나, 많은 다른 변화, 변형 및 다른 응용이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 여기에서 특별히 개시된 바에 제한되지 않는다.

Claims (10)

  1. 직렬 공진부를 포함하는 트랩 회로(trap circuit);
    상기 트랩 회로의 어드미턴스(admittance)를 실질적으로 영(zero)으로 만들고, 두 리액턴스 소자 모두 상기 직렬 공진부에 전기적으로 병렬 연결되는 용량성 리액턴스 소자 및 유도성 리액턴스 소자를 포함하는 병렬 리액턴스 소자 회로; 및
    상기 용량성 리액턴스 소자와 상기 유도성 리액턴스 소자 중 어느 하나에 연결되고, 상기 병렬 리액턴스 소자 회로의 리액턴스를 조절하기 위하여 ON/OFF 스위칭될 수 있는 스위칭 소자를 포함하는 필터.
  2. 필터로서,
    상기 필터는 복수의 트랩 회로를 포함하고, 각각의 트랩 회로는 직렬 공진부 및 상기 트랩 회로의 어드미턴스(admittance)를 실질적으로 영(zero)으로 만들고, 두 리액턴스 소자 모두 상기 직렬 공진부에 전기적으로 병렬 연결되는 용량성 리액턴스 소자 및 유도성 리액턴스 소자를 포함하는 병렬 리액턴스 소자 회로; 및
    상기 용량성 리액턴스 소자와 상기 유도성 리액턴스 소자 중 어느 하나에 연결되고, 상기 병렬 리액턴스 소자 회로의 리액턴스를 조절하기 위하여 ON/OFF 스위칭될 수 있는 스위칭 소자;
    를 포함하고 상기 복수의 트랩 회로들이 유도성 소자와 용량성 소자 중 어느 하나에 의하여 서로에게 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 필터.
  3. 대역 필터(band pass filter) 및 또 다른 필터를 포함하는 필터에 있어서,
    상기 다른 필터는 상기 대역 필터에 전기적으로 연결되고;
    직렬 공진부를 포함하는 트랩 회로(trap circuit);
    상기 트랩 회로의 어드미턴스(admittance)를 실질적으로 영(zero)으로 만들고, 두 리액턴스 소자 모두 상기 직렬 공진부에 전기적으로 병렬 연결되는 용량성 리액턴스 소자 및 유도성 리액턴스 소자를 포함하는 병렬 리액턴스 소자 회로; 및
    상기 용량성 리액턴스 소자와 상기 유도성 리액턴스 소자 중 어느 하나에 연결되고, 상기 병렬 리액턴스 소자 회로의 리액턴스를 조절하기 위하여 ON/OFF 스위칭될 수 있는 스위칭 소자를 포함하는 필터인 것을 특징으로 하는 필터.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 주파수 편이 커패시터를 경유하여 각각의 직렬 공진부에 전기적으로 연결되는 전압 제어 리액턴스 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필터.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 전압 제어 리액턴스 소자가 가변 커패시턴스 다이오드인 것을 특징으로 하는 필터.
  6. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 PIN 다이오드와 전계 효과 트랜지스터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 필터.
  7. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 직렬 공진부는 유전체 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 필터.
  8. 안테나 듀플렉서로서, 한 쌍의 필터를 포함하고, 상기 필터들 중 어느 하나의 필터는 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 따른 필터이고, 상기 각각의 필터는 각각 제 1 및 제 2 단자를 포함하고;
    상기 한 쌍의 필터들의 상기 제 1 단자는 각각 송신기 입력 단자 및 수신기 출력 단자에 연결되고;
    상기 한 쌍의 필터들의 상기 제 2 단자는 안테나 입출력 단자에 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 안테나 듀플렉서.
  9. 제 8항에 따른 상기 안테나 듀플렉서를 포함하는 통신 기기에 있어서, 송신기 회로는 상기 송신기 입력 단자에 연결되고; 수신기 회로는 상기 수신기 출력 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 통신 기기.
  10. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 따른 필터를 포함하는 통신 기기에 있어서, 상기 필터는 송신 회로와 수신 회로 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고주파 회로에 연결되는 것을 특징으로 하는 통신 기기.
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