JP2003018040A

JP2003018040A - 高周波回路及びその高周波回路部品

Info

Publication number: JP2003018040A
Application number: JP2001197239A
Authority: JP
Inventors: Motoo Nakagawa; 元雄中川
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、アンテナ端子（アンナテ端子電
極）部分で、静電気の対策を行い、送受信信号の劣化を
防止できる高周波回路及びその高周波回路部品を提供す
る。【解決手段】送信回路ＴＸ、受信回路ＲＸ及びアンテナ
ＡＮＴに接続される送信端子１、受信端子３及びアンテ
ナ端子２を有し、前記送信回路ＴＸと前記アンテナＡＮ
Ｔとの接続及び前記アンテナＡＮＴと前記受信回路ＲＸ
との接続を切り換える高周波回路において、前記アンテ
ナ端子２とグランド電位との間にインダクタンス素子１
３を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、送信回路、受信回
路及びアンテナに接続され、前記送信回路と前記アンテ
ナとの接続及び前記アンテナと前記受信回路との接続を
切り換える高周波回路及びその高周波回路部品に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話機などで用いられるアンテナ入
出力部分（高周波回路）は、図１に示すブロック回路の
ように構成されている。図１において、ＡＮＴはアンテ
ナであり、ＳＷは送信受信を切り換えるアンテナスイッ
チ部であり、ＴＸはパワーアンプを含む送信回路であ
り、ＲＸは受信回路であり、ＬＰＦは送受信号の高調波
成分を除去するローパスフィルタであり、ＢＰＦは受信
信号のみを通過させるフィルタである。

【０００３】アンテナスイッチング部ＳＷは、前記アン
テナＡＮＴから受信した受信した受信信号を受信回路Ｒ
Ｘ側に伝送し、また、送信回路ＴＸ側から供給された送
信信号をアンテナＡＮＴに供給するために動作する。こ
のアンテナスイッチ部ＳＷの具体的な回路構成（アンテ
ナスイッチ回路）は、図８のようにπ型フィルタを構成
するインダクタンス導体膜、コンデンサと、スイッチ素
子を組み合わせたものであり、夫々の構成部品が誘電体
多層基板の表面または内部に形成されている。

【０００４】例えば、送信回路ＴＸ側に接続される送信
端子１は、コンデンサ４を介してスイッチングダイオー
ドであるPINダイオード５のアノード側に接続され、こ
の第１のスイッチングダイオード５のカソード側はコン
デンサ６を介してアンテナ端子２ならびにπ型フィルタ
部７に接続される。このπ型フィルタ部７はコンデンサ
８を介して受信回路ＲＸ側の受信端子３に接続される。
また、π型フィルタ部７の受信端子３側とグランド電位
との間に第２のスイッチングダイオードであるPINダイ
オード９が接続される。この第２のスイッチングダイオ
ード９は、アノードがπ型フィルタ部７に接続され、カ
ソード側がグランド電位に接続される。

【０００５】また、第1のスイッチングダイオード５の
アノード側には、インダクタンス素子１０、抵抗１１を
介してグランド電位に接続されている。そして、インダ
クタンス素子１０と抵抗１１との間には、第１及び第２
のスイッチングダイオード５、９をＯＮ／ＯＦＦ制御す
るためのコントロール端子１２が設けられている。

【０００６】このようなアンテナスイッチ回路におい
て、コントロール端子１２に正の電圧を加えることによ
り、バイアス電流が第１のスイッチングダイオード５、
π型フィルタ部７、第２のスイッチングダイオード９を
介してグランド電位に流れる。これにより、第１及び第
２のスイッチングダイオード５、９は共にＯＮ状態とな
り、送信端子１とアンテナ端子２間は第１のスイッチン
グダイオード５によりほとんど損失がなく接続される。
またアンテナ端子２と受信端子３間のπ型フィルタ部
７は、第２のスイッチングダイオード９により受信端子
３側が接地される。このため、π型フィルタ部７が送信
周波数に対してインピーダンスが無限大となるため、ア
ンテナ端子２と受信端子３間は高インピーダンス状態と
なり、アンテナ端子２と受信端子３は切り離された状態
となる。したがって送信端子１に供給された送信信号は
受信端子３側にほとんど流れない。

【０００７】また受信時にはコントロール端子１２に負
の逆バイアス電圧を加えるか、Low状態とする。これに
より、第１及び第２のスイッチングダイオード５、９は
共にＯＦＦとなる。これにより、送信端子１とアンテナ
端子２の間を切断状態とする一方、アンテナ端子２と受
信端子３間のπ型フィルタ部７は単なる伝送線路として
動作するため、アンテナ端子２と受信端子３間はほとん
ど損失がなく接続される状態となる。したがってアンテ
ナ端子２に供給された受信信号は送信端子１側にほとん
ど流れずに受信端子３に伝送される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、一般に携帯電
話の通信周波数は、９００ＭＨｚ帯、１．８ＧＨｚ帯、
１．９ＧＨｚ帯などのように、９００ＭＨｚ帯以上が使
用している。また、図１に示したように、このアンテナ
スイッチング回路ＳＷには、不要なスプリアスの輻射を
防止する目的で送信端子側に低域通過型フィルタＬＰＦ
を、またスプリアスの受信を防止する目的で受信端子側
に表面弾性波(SAW)フィルタからなるバンドパスフィル
タＢＰＦが接続されている。特に、表面弾性波(SAW)フ
ィルタについては、耐電圧特性が低いものである。

【０００９】また、携帯電話の使用においては、アンテ
ナ部分の手で伸縮した時に、アンテナＡＮＴから人体の
静電気などがアンテナＡＮＴに印加されてしまうことが
多い。

【００１０】このアンテナＡＮＴに加わる静電気放電
（ESD）により、バンドパスフィルタＢＰＦを構成する
ＳＡＷフィルタが破壊されたり、また、アンテナスイッ
チ回路を構成するスイッチングダイオードが破壊されて
しまい、その結果、アンテナスイッチング回路の機能が
損なわれるという問題点があった。このような静電気放
電による素子破壊を防止する目的で、バリスタやアレス
タなどのサージアブソーバ素子がアンテナスイッチ回路
の前段に使用される。

【００１１】しかしながら、サージアブソーバによる挿
入損失が大きく電力損失が増大するサージアブソーバは
コンデンサなどの表面実装素子に比して大型であり、ア
ンテナスイッチ回路を含むアンテナ入出力部モジュール
自身が非常に大きくなるという問題があった。また、サ
ージアブソーバは高価であり、アンテナスイッチ回路を
含むアンテナ入出力部モジュールの低価格化が難しいな
どの問題が有った。

【００１２】従来のアンテナスイッチ回路を含むアンテ
ナ入出力部モジュール（高周波回路部品）は、図３に示
すように、複数の誘電体層を積層した多層基板２０内
に、コンデンサ、インダクタを形成したり、グランド電
位となる内部電極層、さらに、その表面に、インダクを
形成する表面導体膜２１やスイッチングダイオード、チ
ップコンデンサ、チップコイル、チップ抵抗やパワート
ランジスタ、ＳＡＷフィルタなどを実装電子部品２２を
実装して、図１や図８に示す回路構成を構成していた。

【００１３】このような多層基板２０の端面には、少な
くともアンテナに接続するアンテナ端子２となる端子電
極２３やグランド端子電極が形成されている。例えば、
図８に相当する送信端子１や受信端子３に相当する端子
電電極は、この高周波部品に搭載する実装部品２２によ
っては、パワーアンプや受信信号を処理するＩＣチップ
を搭載した場合には、送信端子や受信端子自身は、回路
構成内に接続点として存在し、多層基板２０の端面には
現れない。図において、アンテナ端子電極２３は、基板
の厚み方向に形成された凹部２４の内壁に被着した導体
膜２５によって形成されている。このような端子電極２
３部分の等価回路は、導体膜２５の長さや厚みなどに起
因して寄生インダクタスＬ１（一般に１．０〜２．０ｎ
Ｈ）が、また、近傍のグランド電位との間に発生する寄
生容量Ｃ1（一般に１．０〜２．０ｐＦ）が発生してし
まう。このように端子電極２３部分に寄生インダクタン
スなどが発生すると、その図５に示すように、高周波側
の周波数に対する挿入損失が増大してしまい、送受信号
を劣化してしまうという問題があった。尚、図５の特性
図は、寄生インダクタスＬ１が１．０ｎＨ、寄生容量Ｃ
1が１．５ｐＦの時の特性である。

【００１４】また、この特性図において、マークｍ１
は、３００ＭＨｚ時の挿入損失である。この３００ＭＨ
ｚとは、上述したアンテナに人体が触れた時に発生する
立ち上がり時間、例えば１nsec時間に相当する周波数で
ある。この３００ＭＨｚの挿入損失が、送受信周波数
帯、例えは９００ＭＨｚ以上の周波数に比較して小さく
なっている。即ち、この静電気によるノイズが、送信信
号などと同様に、アンテナ端子電極を介してアンテナス
イッチ回路に印加されてしまうことを示している。

【００１５】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、アンテナ端子（アンナテ端
子電極）部分で、静電気対策を行い、しかも、アンテナ
端子電極部分での寄生成分に起因する送受信信号の劣化
を防止し、その結果、小型化・低価格化が難しく、特性
の改善可能な高周波回路及びその高周波回路部品を提供
することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、送信回路、受
信回路及びアンテナに接続される送信端子、受信端子及
びアンテナ端子を有し、前記送信回路と前記アンテナと
の接続及び前記アンテナと前記受信回路との接続を切り
換える高周波回路において、前記アンテナ端子とグラン
ド電位との間にインダクタンス素子を配置した高周波回
路である。

【００１７】また、別の発明は、多層基板の端面に、送
信回路、受信回路及びアンテナに接続される送信端子電
極、受信端子電極及びアンテナ端子電極を形成し、多層
基板の内部及び表面に送信回路とアンテナとの接続及び
受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるスイッチ
ングダイオード、伝送線路、インダクタンス、コンデン
サ及びグランド導体膜を配置した高周波回路部品におい
て、前記アンテナ端子電極とグランド導体膜との間に、
インダクタンス素子を配置した高周波回路部品である。

【００１８】また、好ましくは、前記インダクンス素子
は、グランド導体膜との間に発生する前記アンテナ端子
電極との間に発生する寄生容量成分と並列的に接続され
ている高周波回路部品である。

【００１９】

【作用】本発明は、アンテナ端子からグランド電極間に
インダクタンス素子を設けることにより、静電気放電に
よるアンテナスイッチングやその後段に接続される回路
の所定回路構成部品の破壊を防止できる。

【００２０】特に、アンテナ端子電極は、寄生容量と寄
生インダクタンス成分を有し、挿入損失特性が高周波側
で劣化していたのに対して、アンテナに印加される静電
気の周波数である３００ＭＨｚ付近では、損失を大きく
（静電気を回路側に入れない）、且つ９００ＭＨｚ以上
の高周波領域（送受信信号の周波数帯）で良好な挿入損
失特性となる。

【００２１】これにより、アンテナ端子（アンナテ端子
電極）部分で、静電気放電の対策ができ、しかも、アン
テナ端子電極部分での寄生成分に起因する送受信信号の
劣化が防止でき、その結果、小型化・低価格化が難し
く、特性の改善可能な高周波回路及びその高周波回路部
品となる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波回路及びそ
の高周波回路部品について図面に基づいて詳説する。図
1は典型的な高周波回路のブロック図である。図２は本
発明の高周波回路の一部を構成するアンテナスイッチ回
路図である。図３は本発明の高周波回路部品のシールド
ケースを省略した外観斜視図である。

【００２３】本発明の高周波回路は、少なくともアンテ
ナスイッチング回路を含むアンテナ入出力回路である。
例えば、図１に示すように、ＳＷは送信受信を切り換え
るアンテナスイッチング部ＳＷと、パワーアンプを含む
送信回路ＴＸ、受信回路ＲＸ、送受信号の高調波成分を
除去するローパスフィルタＬＰＦ、受信信号のみを通過
させるフィルタＢＰＦから構成される。また、図３に示
す多層基板２０に一体化されたモジュール部品となる。
即ち、高周波回路とは、少なくともアンテナスイッチン
グ回路ＳＷを含むものであり、必要に応じて、受信端子
側や送信端子側は市場の要求によって、受信回路ＲＸや
送信回路ＴＸ、それを制御する電圧制御発振回路を含
む。

【００２４】本発明の必須部分であるアンテナスイッチ
ング部ＳＷは、図２に示すようにコンデンサ、インダク
タ導体膜からなるアンナテπ型フィルタ7、スイッチン
グダイオード5、9などからなり、送信回路ＴＸから送信
される送信信号をアンテナＡＮＴに、また、アンテナＡ
ＮＴから受信された受信信号を受信回路ＲＸにそれぞれ
導出されるように制御している。

【００２５】アンテナスイッチング部ＳＷを構成するア
ンテナスイッチング回路には、送信回路ＴＸ側に接続さ
れる送信端子１、受信回路ＲＸ側に接続される受信端子
３、アンテナ側に接続するアンテナ端子２を備えてい
る。実際には、図２に示すアンテナスイッチング回路の
送信端子３と送信回路ＴＸとの間には、必要に応じてロ
ーパスフィルタＬＰＦやその他の回路部が配置され、ま
た、受信端子１と受信回路ＲＸとの間には、必要に応じ
てバンドパスフィルタＢＰＦやその他の回路部を配置さ
れる。またアンテナ端子２とアンテナＡＮＴとの間に必
要に応じてディプレクサなどを配置し、デュアルモード
に対応させてもかまわない。

【００２６】送信端子３は、コンデンサ４を介して第１
のスイッチングダイオード（PINダイオード）５のアノ
ード側に接続され、この第１のスイッチングダイオード
５のカソード側はコンデンサ６を介してアンテナ端子２
ならびにπ型フィルタ部７の一端に接続される。このπ
型フィルタ部７は送信端子１に入力される送信周波数F1
に対して高いインピーダンスとなるように設定されてい
る。また、π型フィルタ部７の他端は、コンデンサ８を
介して受信端子３に接続される。また、π型フィルタ部
７の他端には、第２のスイッチングダイオード９（PIN
ダイオード）のアノードが接続され、またカソード側が
グランド電極に接続される。

【００２７】また、第１のスイッチングダイオード５の
アノード側とグランド電位との間には、インダクタ素子
１０、抵抗１１とが配置され、インダクタ素子１０と抵
抗１１との間には、コントロール端子１２が設けられて
いる。

【００２８】さらにアンテナ端子２において、カップリ
ングコンデンサ６とアンテナ端子２の間からグランド電
位との間にインダクタンス素子１３が接続される。

【００２９】このような回路において、コントロール端
子１２に、第１のスイッチングダイオード５、第２のス
イッチングダイオード９のバイアス電流を制御（供給、
非供給）により、第１及び第２のスイッチングダイオー
ド５、９のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。

【００３０】ここでコンデンサ４、６、８は、スイッチ
ングダイオード５、９に流れるバイアス電流がアンテナ
スイッチ回路の外に流れ出すことを防止するためのカッ
プリングコンデンサであり、インダクタンス素子１０は
コントロール端子１２と送信端子１との間をハイインピ
ーダンスに保ち、送信信号がコントロール端子１２に流
れることを防ぐために用いられる。

【００３１】また、π型フィルタ部７は、例えぱ３つの
インダクタ導体７１、７２、７３とそれぞれぞれの２つ
の接続点とグランド電位との間に配置された２つのコン
デンサ７４、７５とか構成されている。実際には、３つ
のインダクタ導体７１、７２、７３を一体のインダクタ
導体膜として形成し、その導体膜の途中に２つのコンデ
ンサ７４、７５を接続して形成する。さらに、これらの
コンデンサ７４、７５と並列的に第２のスイッチングダ
イオード９が接続されている。即ち、この第２のスイッ
チングダイオード９を含んで、このπ型フィルタ部７
は、複数の共振回路が合成され、送信信号の通過を阻止
するフィルタを構成する。即ち、第２のスイッチングダ
イオード９がオフ状態においては、受信信号Ｆ２の周波
数帯域において、インピーダンスが「ゼロ」になるよう
に、第２のスイッチングダイオード９がオン状態におい
ては、送信信号Ｆ１の周波数帯域において、高いインピ
ーダンスになるようにフィルタ設計を行う。

【００３２】ここで、送信時には、コントロール端子１
２に、負の逆バイアス電圧を加えるか、Low状態として
第１及び第２のスイッチングダイオード５、９を共にＯ
ＦＦさせることで、アンテナ端子２と送信端子１との間
を切断する。また、アンテナ端子２と受信端子３との間
は、π型フィルタ部７を介して接続されることになる。
このときの受信周波数特性は平坦であり、通過帯域にて
アンテナ端子２と受信端子３間の良好な挿入損失を得る
ことができる。

【００３３】送信時にはコントロール端子１２より加え
た正の電圧により送信端子１とアンテナ端子２との間
にある第１のスイッチングダイオード５をＯＮさせて接
続状態とする。この時、第２のスイッチングダイオード
９は、送信信号に対して高インピーダンスとなるため、
アンテナ端子２と受信端子３との間が切断された状態と
なる。したがって送信端子１に入力された送信信号は受
信端子３にほとんど流れずに、アンテナ端子２に伝送さ
れる。

【００３４】本発明は、上述のアンテナスイッチング回
路において、アンテナ端子２とグランド電位との間にイ
ンダクタンス素子１３を配置した。このアンテナ端子２
は、実際の高周波部品として例えば多層基板は、とした
場合に寄生インダクタンス及び寄生容量を有している。
そして、このアンテナ端子２に接続するインダクタンス
素子１３が、これら寄生インダクタンス及び寄生容量と
ともに動作して、ハイパスフィルタを構成している。

【００３５】このようなアンテナスイッチング回路は、
図３のように、多層基板に形成されることになる。多層
基板の内部構造は、図示していないが、複数の誘電体材
料からなる絶縁層が積層された積層基体２０と、積層基
体２０の表面に形成された表面配線層２１、この表面配
線層２１に実装された回路成部品２２とからなる。尚、
図には省略しているが、多層基板の表面は、シールドケ
ースによって覆われている。

【００３６】また、積層基体２０の各絶縁層の層間に
は、内部電極層が配置されており、この各絶縁層には内
部電極層どうし、内部電極層と表面配線層２１とを接続
するビアホール導体が形成されている。

【００３７】また、多層基板２０の端面には、複数の端
子電極２３が形成されている。この端子電極２３は、例
えば、端面の厚み方向に形成された凹部２４、凹部の内
壁面に形成された導体膜２５によって構成されている。
この端子電極２３の種類は、少なくともアンテナと接続
するアンテナ端子電極であり、さらにグランド電位とな
る端子電極、さらに内部に内装する回路によって入出力
端子電極、コントロール端子電極など端子電極の種類が
種々存在する。

【００３８】上述の多層基板２０において、内部配線層
は所定配線以外に上述のアンテナスイッチ回路におい
て、所定コンデンサの容量を形成するための対向電極、
インダクタ導体、グランド電位の導体膜などが例示でき
る。また、表面配線層２１は、配線以外に、所定抵抗、
インダクタ導体膜、クランド電位の導体膜などが例示で
き、回路構成部品２２は、スイッチングダイオード５、
９やチップコンデンサ、チップコイル、チップ抵抗など
が例示できる。尚、多層基板２０に受信回路ＲＸや送信
回路ＴＸなどを一体化する場合には、回路構成部品２２
としては、さらに、ＳＡＷフィルタ素子、共振素子、ト
ランジスタ、パワーアップを含むＩＣチップなども例示
できる。

【００３９】ここで、どのような高周波回路であって
も、多層基板２０の端面には、アンテナ端子２となる端
子電極２３が存在する。ここで、以下、端子電極２３を
アンテナ端子電極とする。このアンテナ端子電極２３に
は、図４の点線で囲む寄生容量Ｃ1、寄生インダクタン
スＬ１を無視できない。即ち、寄生容量成分Ｃ1は、端
子電極２３となる導体膜２５の近傍に存在するグランド
電位の導体膜やシールドケースとの間に発生する容量で
ある。また、寄生インダクタンスＬ１は、端子電極２３
となる導体膜２５の基板厚み方向の高さ寸法や厚みなど
によって決まるものである。

【００４０】通常の端子電極２３の形状、直径３ｍｍの
凹部２４に高さ方向に１．５ｍｍの導体膜２５を形成し
た場合、寄生容量Ｃ1は、約１．５ｐＦであり、寄生イ
ンダクタンスＬ１は、約１．０ｎＨである。

【００４１】本発明では、アンテナ端子２とグランド電
位の間に、インダクタンス素子１３を配置している。即
ち、多層基板２０においては、アンテナ端子電極２３と
グランド電位の導体膜２７との間にコイル２６などのイ
ンダクタンス素子を配置した。また、積層基体２０の内
部にコイルパターンを形成したり、多層基板２０の表面
にコイルパターンを形成してもよい。また、回路構成部
品２２としてチップコイル２６を用いることにより達成
できる。

【００４２】即ち、このインダクタンス素子１３（図４
の等価回路図では、Ｌと記す）とを含む端子電極２３の
等価回路は、図４の全体のようになる。図４の点線内に
示されている寄生容量Ｃ１、寄生インダクタンスＬ１か
らなるＴ型ＬＣ回路に、さらに、インダンタクスＬのイ
ンダクタンス素子１３が付加される。

【００４３】このようにインダンタクスＬを付加するこ
とにより、特に、アンテナＡＮＴを介してアンテナ端子
電極２３に印加される静電気などに対して、その影響を
非常に抑えることができる。

【００４４】図５は、従来のアンテナ端子電極部分での
周波数−挿入損失特性であり、図６、図７は、本発明に
おけるアンテナ端子電極部分での周波数−挿入損失特性
である。ここで、アンテナＡＮＴを手でふれたりするこ
とによって発生する静電気は、その立ち上がり時間から
して、周波数で換算すると、約３００ＭＨｚの信号とな
る。また、携帯電話における送受信信号は、通信システ
ムによって相違するももの、９００ＭＨｚ帯、１．８Ｇ
Ｈｚ、１．９ＧＨｚなど９００ＭＨｚ以上である。

【００４５】図５〜図７の特性において、ｍ１は３００
ＭＨｚであり、ｍ２は、１．０ＧＨｚをマークしたもの
である。

【００４６】従来のように、アンテナ端子２（アンテナ
端子電極２３）にインダクタンス素子１３を付加しない
場合、静電気を想定した３００ＭＨｚでは、−０．０１
２ｄＢであり、送受信信号を想定した１．０ＧＨｚで
は、０．１３１ｄＢであった。即ち、静電気と送受信信
号とを比較した場合、種々の回路に傷害となる静電気を
損失なく通過させ、逆に重要な送受信信号の挿入損失が
大きくなることがわかる。しかも、高周波側にシフトす
るに従い、その挿入損失も単調に増加してしまう。

【００４７】これに対して、図６の特性は、端子電極２
３の寄生容量Ｃ1１．５ｐＦ、寄生インダクタンスＬ
１、約１．０ｎＨを考慮して、端子電極２３とグランド
電位との間にインダクタンス素子１３として、１５ｎＨ
を付加したものである。また、図７の特性は、端子電極
２３の寄生容量Ｃ1１．７ｐＦ、寄生インダクタンスＬ
１、約１．０ｎＨを考慮して、端子電極２３とグランド
電位との間にインダクタンス素子１３として、１２ｎＨ
を付加したものである。

【００４８】図６において、静電気を想定した３００Ｍ
Ｈｚでは、−２．５３９ｄＢであり、送受信信号を想定
した１．０ＧＨｚでは、０．０５７ｄＢであった。

【００４９】また、図７において、静電気を想定した３
００ＭＨｚでは、−３．１７６ｄＢであり、送受信信号
を想定した１．０ＧＨｚでは、０．０７２ｄＢであっ
た。

【００５０】即ち、静電気を想定した３００ＭＨｚで
は、挿入損失を大きくすることができ、これにより、ア
ンテナ端子電極２３の外部から印加され静電気の損失を
大きくして、その結果、アンテナスイッチング回路をは
じめ、各種回路を静電気から保護することができる。

【００５１】また、図６、図７から理解できるように、
反射特性が最も少なく周波数帯を、例えば、送受信信号
の周波数帯域、1．０ＧＨｚに設定することができ、従
来の送受信信号の周波数帯の反射特性に比較して、図
６、図７で、夫々約０．７ｄＢ、０．６ｄＢ改善でき
る。即ち、アンテナ端子２（アンテナ端子電極２３）で
送受信信号の周波数帯域の反射特性を向上させることも
できる。

【００５２】上述のように、静電気に相当する３００Ｍ
Ｈｚの挿入損失はインダクタンス素子１３のない場合に
比して３dB程度増加している。このことは、電力比にし
て約１／２の電力が伝送しないことを示し、上述したよ
うに、アンテナスイッチ回路をはじめとする高周波回路
のサージ保護として絶大な効果がある。

【００５３】従って、アンテナ端子２（アンテナ端子電
極２３）とグランド電位との間にインダクタンス素子１
３を挿入することにより、通過帯域の損失を改善すると
同時に、静電気放電による電力を１／２程度低減するこ
とが可能となる。

【００５４】以上の実施例においてはインダクタンス素
子として集中定数を用いたが、ストリップラインなどの
分布定数素子であっても効果は同じである。

【００５５】

【発明の効果】以上の本発明では、高周波回路におい
て、アンテナ端子とグランド電位との間、高周波回路部
品において、アンテナ端子電極とグランド導体膜との間
に、インダクタンス素子を挿入することにより、端面電
極部分に起因する送受信信号の通過帯域の損失を改善す
ると同時に、静電気放電の電力を阻止することでき、ア
ンテナスイッチ回路をはじめ他の高周波回路の破壊を防
止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】典型的な高周波回路のブロック図である。

【図２】本発明の高周波回路で必須回路であるアンテナ
スイッチ回路の回路図である

【図３】高周波回路を組み込んだ高周波回路部品の外観
斜視図である。

【図４】本発明のアンテナ端子電極部分の等価回路図で
ある。

【図５】従来のアンテナ端子電極での周波数−挿入損失
特性を示す特性図である。

【図６】本発明のアンテナ端子電極にインダクタンス素
子を挿入した状態の周波数−挿入損失特性を示す特性図
である。

【図７】本発明のアンテナ端子電極に別のインダクタン
ス素子を挿入した状態の周波数−挿入損失特性を示す特
性図である。

【図８】従来のアンテナスイッチ回路の回路図である。

【符号の説明】

ＡＮＴアンテナＴＸ送信回路ＲＸ受信回路ＬＰＢローパスフィルタＢＰＦバンドパスフィルタＳＷアンテナスイッチ回路部１送信端子２アンテナ端子３受信端子１２コントロール端子５第１のスイッチングダイオード９第２のスイッチングダイオード７ π型フィルタ部１３（Ｌ）インダクタンス素子２３端子電極Ｃ１寄生容量成分Ｌ１寄生インダクタンス成分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】送信回路、受信回路及びアンテナに接続
される送信端子、受信端子及びアンテナ端子を有し、前
記送信回路と前記アンテナとの接続及び前記アンテナと
前記受信回路との接続を切り換える高周波回路におい
て、前記アンテナ端子とグランド電位との間にインダクタン
ス素子を配置したことを特徴とする高周波回路。
【請求項２】多層基板の端面に、送信回路、受信回路及
びアンテナに接続される送信端子電極、受信端子電極及
びアンテナ端子電極を形成し、多層基板の内部及び表面
に送信回路とアンテナとの接続及び受信回路と前記アン
テナとの接続を切り換えるスイッチングダイオード、伝
送線路、インダクタンス、コンデンサ及びグランド導体
膜を配置した高周波回路部品において、前記アンテナ端子電極とグランド導体膜との間に、イン
ダクタンス素子を配置したことを特徴とする高周波回路
部品。
【請求項３】前記インダクンス素子は、グランド導体膜
との間に発生する前記アンテナ端子電極との間に発生す
る寄生容量成分と並列的に接続されていることを特徴と
する請求項２記載の高周波回路部品。