JPWO2007114114A1 - 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 - Google Patents
低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007114114A1 JPWO2007114114A1 JP2008508538A JP2008508538A JPWO2007114114A1 JP WO2007114114 A1 JPWO2007114114 A1 JP WO2007114114A1 JP 2008508538 A JP2008508538 A JP 2008508538A JP 2008508538 A JP2008508538 A JP 2008508538A JP WO2007114114 A1 JPWO2007114114 A1 JP WO2007114114A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission
- diode
- signal
- frequency
- reception
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2135—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
- H03K17/76—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
- H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
- H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
Abstract
送受切替スイッチ（２０３）において、送信信号伝送路に対してシリーズに第１のダイオード（ＧＤ１）を設け、受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオード（ＧＤ２）を設け、第１のダイオード（ＧＤ１）に直流電流が流れる第１の電流経路と第２のダイオード（ＧＤ２）に直流電流が流れる第２の電流経路とを並列接続する。制御端子（ＶｃＧ）に所定の正電圧を印加することにより、ダイオード（ＧＤ１，ＧＤ２）がオンし、制御端子（ＶｃＧ）→抵抗（ＧＲ）→インダクタ（ＧＳＬ１）→ダイオード（ＧＤ１）→ストリップライン（ＧＳＬ２）→インダクタ（ＧＬ）の経路で直流電流が流れ、制御端子（ＶｃＧ）→抵抗（ＧＲ）→第２のダイオード（ＧＤ２）→インダクタ（ＧＬ）の経路で直流電流が流れる。
Description
この発明は高周波スイッチおよびそれを備えた複合高周波部品に関し、特に、低い制御電圧送受信信号の切替えを行う低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品に関するものである。
従来、それぞれの周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号をアンテナで送受信するとともに、送受信信号を送信信号と受信信号に切り替える高周波スイッチおよびそれを備えた複合高周波部品が知られている。
上記高周波スイッチには、送信信号をアンテナへ出力し、アンテナからの受信信号を受信部へ入力するための複数のダイオードが含まれている。（例えば特許文献１参照。）
ここで特許文献１に示されている複合高周波部品の構成について図１を基に説明する。
この複合高周波部品は、１８００MＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。
図１においてダイプレクサ（合分波器）１０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ１０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ１０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ１０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ１０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。
ここで特許文献１に示されている複合高周波部品の構成について図１を基に説明する。
この複合高周波部品は、１８００MＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。
図１においてダイプレクサ（合分波器）１０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ１０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ１０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ１０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ１０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。
送受切替スイッチ１０３において、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号を伝送する伝送路にダイオードＧＤ１およびインダクタＧＳＬ１を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードＧＤ１をシリーズに設けている。またＧＳＭ８５０／９００の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインＧＳＬ２、ダイオードＧＤ２およびキャパシタＧＣ５を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードＧＤ２をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子ＶｃＧから正電圧が印加されたとき、上記２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２に対して直流電流が流れるように、この２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２を直列関係に接続している。
送受切替スイッチ１０４についても同様に、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号を伝送する伝送路にダイオードＤＤ１およびインダクタＤＰＳＬ１を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードＤＤ１をシリーズに設けている。またＧＳＭ１８００／１９００の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインＤＳＬ２、ダイオードＤＤ２およびキャパシタＤＣ５を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードＤＤ２をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子ＶｃＤから正電圧が印加されたとき、上記２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２に対して直流電流が流れるように、この２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２を直列関係に接続している。
特開２０００−１６５２７４号公報
前記複合高周波部品は携帯電話端末等の移動体通信システムにおける通信装置に用いられるが、近年の低消費電力化の要請に伴って駆動電圧もますます低下されつつある。ところが図１に示したような従来の送受切替スイッチ（高周波スイッチ）の制御信号の電圧を低下させていくと前記２つのダイオード（例えば図１に示したＧＳＭ８５０／９００の送受切替スイッチ１０３におけるダイオードＧＤ１，ＧＤ２）のアノード・カソード間に印加される電圧がダイオードのＰＮ接合電位に近くなる。そのような条件ではダイオードが完全な導通状態にはならず、オン抵抗が増したり、伝送／遮断すべき伝送信号の電圧に応じてダイオードの両端電圧が変動したりするといった現象が生じる。そのため、回路特性としては挿入損失（ＩＬ）が劣化し、高調波歪みが増大するという問題が生じる。したがって制御電圧の低電圧化には限界があった。
上述の問題は送受切替スイッチに限らず、例えば互いの周波数帯が異なる２つの通信系の受信信号を切り替える受信信号切替スイッチ等についても同様に生じる。
そこで、この発明の目的は、従来の高周波スイッチに比べて低い制御電圧で切り替えられるようにし、また挿入損失特性や高調波歪み特性の劣化を抑えた低電圧制御高周波スイッチおよびそれを備えた複合高周波部品を提供することにある。
前記課題を解決するためにこの発明の高周波スイッチおよび複合高周波部品は次のように構成する。
（１）共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部とし、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設ける。
（２）共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設けるとともに、前記第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、前記第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第２の信号伝送路には、前記第１のダイオードと前記第２のダイオードとの間で且つ前記共用信号入出力部と第２のダイオードとの間にストリップラインを備え、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続するとともに、前記ストリップラインより第２の信号入出力部側で、第２のダイオードと前記ストリップラインとの接続点である前記並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部とする。
（３）前記第１・第２の電流経路には、例えばそれぞれに前記直流電流が流れる抵抗を設ける。
（４）この発明の複合高周波部品は、それぞれ周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号の入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に、送信信号と受信信号を切り替える高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品であって、前記複数の高周波スイッチのうち少なくとも１つを前記低電圧制御高周波スイッチで構成する。
（５）前記低電圧制御高周波スイッチは、前記複数の通信系の送受信信号のうち、例えば信号電力が最も高い通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に設ける。
（６）また、例えば前記合分波器の前記アンテナ接続部と前記低電圧制御高周波スイッチとの間にストリップラインを備え、前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタの一端を前記合分波器と前記低電圧制御高周波スイッチとの接続点に接続するとともに他端を接地する。
（７）また、例えば前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタおよび前記第１・第２の電流経路を前記合分波器の一部に兼用する。
（８）前記低電圧制御高周波スイッチと前記合分波器との間には、例えば低電圧制御高周波スイッチが切り替える、通信系で使用する周波数帯域以外の周波数成分を遮断する（歪み抑制用）フィルタを設ける。
（９）前記合分波器は少なくとも３つの通信系(例えばGSM850,900/GSM1800/GSM1900)の送受信信号（例えばGSM850/900の送受信信号とGSM1800/1900の送受信信号）のうち互いの周波数帯域が近接した２つの通信系(例えばGSM1800・1900)の送受信信号と他の通信系の送受信信号を合分波し、周波数帯域が近接した前記２つの通信系の受信信号（例えばGSM1800RxとGSM1900Rx）を切り替える受信信号用高周波スイッチを前記低電圧制御高周波スイッチで構成し、所謂トリプルバンドの複合高周波部品を構成する。
（１０）前記合分波器は４つの通信系（例えばGSM850/900/1800/1900）の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した第１組をなす２つの通信系（例えばGSM1800/1900）の送受信信号と第２組をなす２つの通信系（例えばGSM850/900）の送受信信号を合分波し、第１組をなす２つの通信系の受信信号（例えばGSM1800RxとGSM1900Rx）を切り替える第１の受信信号用高周波スイッチと、第２組をなす２つの通信系の受信信号（例えばGSM850RxとGSM900Rx）を切り替える第２の受信信号用高周波スイッチの少なくとも一方を前記低電圧制御高周波スイッチで構成し、所謂クワッドバンド用の複合高周波部品を構成する。
（１）第１・第２の電流経路同士を、それぞれに流れる直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧を入力するように構成したことにより、第１・第２のダイオードにそれぞれ制御電圧が印加されることになり、低い制御電圧でオン・オフ制御が可能となる。すなわち、従来のように２つのダイオードを直列関係にして制御電圧を印加するようにした場合に比べてそれぞれのダイオードに印加される電圧が増加する。したがって、挿入損失および高調波歪みが劣化することなく制御電圧の低電圧化が図れる。
（２）前記第２の信号伝送路に、前記共用信号入出力部と前記第２のダイオードとの間に備えるストリップラインより第２の信号入出力部側で、第２のダイオードと前記ストリップラインとの接続点と接地との間にインダクタを設けたことにより、第１・第２のダイオードの切替時にはダイオートの切替速度の差などに起因して、瞬間的に第１のダイオードがオン状態、第２のダイオードがオフ状態となっても、前記インダクタで第１の信号伝送路の信号を第２の信号入出力部前段で等価的に接地することができる。そのため、第１の信号伝送路の信号が第２の信号入出力部側へ漏れるのを防ぐことができる。
（３）第１・第２の電流経路にそれぞれ個別の抵抗を設けることによって、第１・第２のダイオードのオン時に流れる電流を個別に設定可能となる。そのため全体の電力消費を抑えつつ必要且つ最低限の電圧印加および電流通電が可能となる。
（４）複数の通信系の送受信信号を合波・分波する合分波器と、送受の切替えを行う高周波スイッチとを備えた複合高周波部品において、その高周波スイッチを前記低電圧制御高周波スイッチの構成とすることによって低電圧・低消費電流の複合高周波部品が得られる。
（５）前記低電圧制御高周波スイッチを複数の通信系の送受信信号のうち少なくとも信号電力が最も高い通信系の送受信信号の入出力部と合分波器との間に設けることによって、第１・第２のダイオードの印加電圧を下げることによって影響を受けやすい送受信信号の高調波歪み特性の劣化を抑えることができる。
（６）合分波器のアンテナ接続部と低電圧制御高周波スイッチとの間にストリップラインを備え、低電圧制御高周波スイッチのインダクタを合分波器と低電圧制御高周波スイッチとの接続点と接地との間に設けたことにより、アンテナ端子側から入る静電気の放電経路が上記インダクタによって形成され、低電圧制御高周波スイッチに接続される受信回路または送信回路を静電気から保護できる。
（７）前記低電圧制御高周波スイッチのインダクタおよび第１、第２の電流経路を合分波器の一部に兼用することによって、やはりアンテナ端子側から入る静電気の放電経路が上記インダクタによって形成され、低電圧制御高周波スイッチに接続される受信回路または送信回路を静電気から保護できる。
（８）低電圧制御高周波スイッチと合分波器との間に低電圧制御高周波スイッチが切り替える信号の周波数帯域以外の周波数成分を遮断するフィルタを設けることによって、低電圧制御高周波スイッチで生じる高調波成分が除去され、その分、低電圧制御高周波スイッチに印加する制御電圧をさらに下げることができる。
（９）前記合分波器を少なくとも３つの通信系のうち互いの周波数帯域が近接した２つの通信系の送受信信号と他の通信系の送受信信号を合分波し、周波数帯域が近接した２つの通信系の受信信号を切り替える受信信号用高周波スイッチを前記低電圧制御高周波スイッチで構成することによって、３つの周波数帯域について送受信信号の入出力、２つの受信信号の出力を行ういわゆるトリプルバンド用のスイッチプレクサとして用いることができる。
（１０）前記合分波器を４つの通信系の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した第１組をなす２つの通信系の送受信信号と第２組をなす２つの通信系の送受信信号を合分波し、第１組をなす２つの通信系の受信信号を切り替える、第１の受信信号用高周波スイッチと、第２組をなす２つの通信系の受信信号を切り替える、第２の受信信号用高周波スイッチと、低電圧制御高周波スイッチで構成することにより、４つの通信系の送信信号の入力および受信信号の出力を行うクワッドバンド用のスイッチプレクサ用いることができる。
１００，２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０，２８０，２９０，３００，３１０−複合高周波部品
１０２，２０２−ダイプレクサ
１０３，２０３，２１３，２２３，２３３，２４３，２５３，２６３，２７３，２８３，２９３，３０３，３１３−送受切替スイッチ
１０４，２０４，２１４，２２４，２３４，２４４，２５４，２６４，２７４，２８４，２９４，３０４，３１４−送受切替スイッチ
１０５，２０５，２１５，２２５，２３５，２４５，２５５，２６５，２７５，２８５，２９５，３０５，３１５−フィルタ
１０６，２０６，２１６，２２６，２３６，２４６，２５６，２６６，２７６，２８６，２９６，３０６，３１６−フィルタ
ＳＬ１−第１の信号伝送路
ＳＬ２−第２の信号伝送路
ＣＲ１−第１の電流経路
ＣＲ２−第２の電流経路
ＶｃＧ，ＶｃＤ−制御端子
２８７，２９７，３０７，３０８，３１７，３１８−受信信号用高周波スイッチ
１０２，２０２−ダイプレクサ
１０３，２０３，２１３，２２３，２３３，２４３，２５３，２６３，２７３，２８３，２９３，３０３，３１３−送受切替スイッチ
１０４，２０４，２１４，２２４，２３４，２４４，２５４，２６４，２７４，２８４，２９４，３０４，３１４−送受切替スイッチ
１０５，２０５，２１５，２２５，２３５，２４５，２５５，２６５，２７５，２８５，２９５，３０５，３１５−フィルタ
１０６，２０６，２１６，２２６，２３６，２４６，２５６，２６６，２７６，２８６，２９６，３０６，３１６−フィルタ
ＳＬ１−第１の信号伝送路
ＳＬ２−第２の信号伝送路
ＣＲ１−第１の電流経路
ＣＲ２−第２の電流経路
ＶｃＧ，ＶｃＤ−制御端子
２８７，２９７，３０７，３０８，３１７，３１８−受信信号用高周波スイッチ
《第１の実施形態》
第１の実施形態に係る送受切替スイッチについて図２を参照して説明する。
図２はこの発明による低電圧制御高周波スイッチを用いた送受切替スイッチの回路図である。この送受切替スイッチ２０３は、制御端子ＶｃＧからの印加電圧に応じて、送信回路からＧＴｘ端子に入力される送信信号をアンテナ端子ＡＮＴへ出力するか、アンテナ端子ＡＮＴからの受信信号を受信端子ＧＲｘへ出力するかを切り替えるものである。
第１の実施形態に係る送受切替スイッチについて図２を参照して説明する。
図２はこの発明による低電圧制御高周波スイッチを用いた送受切替スイッチの回路図である。この送受切替スイッチ２０３は、制御端子ＶｃＧからの印加電圧に応じて、送信回路からＧＴｘ端子に入力される送信信号をアンテナ端子ＡＮＴへ出力するか、アンテナ端子ＡＮＴからの受信信号を受信端子ＧＲｘへ出力するかを切り替えるものである。
図２に示すように、第１の信号伝送路ＳＬ１に対して第１のダイオードＧＤ１をシリーズに設け、第２の信号伝送路ＳＬ２にキャパシタＧＣ５を介して第２のダイオードＧＤ２をシャントに設けている。共用信号入出力部であるアンテナ端子ＡＮＴと第１の信号入出力部であるＧＴｘ端子との間に第１の信号伝送路ＳＬ１を構成している。また、アンテナ端子ＡＮＴと第２の信号入出力部であるＧＲｘ端子との間に第２の信号伝送路ＳＬ２を構成している。さらに、第１のダイオードＧＤ１を含む第１の電流経路ＣＲ１と、第２のダイオードＧＤ２を含む第２の電流経路ＣＲ２とを構成していて、この第１の電流経路ＣＲ１と第２の電流経路ＣＲ２とを直流電流の通電方向を一致させて並列接続するとともに、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタＧＬを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧入力部である制御端子ＶｃＧを、抵抗ＧＲを介して接続している。
このような構成により、制御端子ＶｃＧに正電圧を印加することによって、第１のダイオードＧＤ１と第２のダイオードＧＤ２が共にオンして、第１の電流経路ＣＲ１と第２の電流経路ＣＲ２にそれぞれ図中矢印で示す方向に直流電流が流れる。
第１のダイオードＧＤ１のオンによってＧＴｘ端子からの送信信号が、第１の信号伝送路ＳＬ１を通り、キャパシタＣａｎｔを介してアンテナ端子ＡＮＴへ出力される。また第２のダイオードＧＤ２のオンによって、第２の信号伝送路ＳＬ２はこのダイオードＧＤ２およびキャパシタＧＤ５でシャントされて、送信信号がＧＲｘ端子へ出力されることがない。
なお、この第２のダイオードＧＤ２のオン状態で第１の信号伝送路ＳＬ１と第２の信号伝送路ＳＬ２との接続点が等価的に開放となるようにストリップラインＧＳＬ２の電気長を定めている。
また、抵抗ＧＲとコンデンサＧＣ５との接続点とダイオードＧＤ１のアノード側とを結ぶ経路にインダクタＧＳＬ１を設けている。このインダクタＧＳＬ１を設けることにより、抵抗ＧＲとコンデンサＧＣ５との接続点とダイオードＧＤ１のアノード側とを結ぶ経路、およびコンデンサＧＣ５を介してＧＴｘ端子からの送信信号が接地されるのを防ぐことができる。なお、このインダクタＧＳＬ１の箇所にインダクタに代えて抵抗を用いても同様の効果を得ることができる。
第１の信号伝送路ＳＬ１に設けたキャパシタＣｇｔ、第２の信号伝送路ＳＬ２に設けたキャパシタＣｇｒおよびアンテナ端子ＡＮＴに接続したキャパシタＣａｎｔはそれぞれ直流電流遮断用およびインピーダンス整合用のキャパシタである。
また、第２のダイオードＧＤ２に対して直列接続したキャパシタＧＣ５はＧＤ２のオン時に、信号を高周波的に接地するとともに直流電流が接地へ短絡しないように作用する。
このように第１・第２の電流経路ＣＲ１・ＣＲ２同士を並列接続し、第１・第２のダイオードＧＤ１・ＧＤ２にそれぞれ制御端子ＶｃＧの電圧を印加するように構成したことにより、図１に示した従来の高周波スイッチに比べて第１・第２のダイオードＧＤ１・ＧＤ２に印加される電圧が高くなり、その分、制御端子ＶｃＧに印加する制御電圧を低く設定できる。例えば、従来は制御電圧として２．４〜２．８Ｖまたは２．３〜３．０Ｖが用いられていたが、この図２に示す回路では制御電圧を１．６〜２．０Ｖという低い電圧に定めることができる。
ところで、図２において第１・第２のダイオードＧＤ１・ＧＤ２のオン時は、ＧＴｘ端子から送信信号が入力される。また、ストリップラインＧＳＬ２はこの送信信号の周波数のほぼ１／４波長と等価な電気長としている。そのため、既に述べたとおり第２のダイオードＧＤ２のオン時にはストリップラインＧＳＬ２の共用信号入出力部であるアンテナ端子ＡＮＴ側が等価的に開放状態になり、前記送信信号はＧＳＬ２によりその大部分が遮断される。また、一部漏れた信号も、第２のダイオードＧＤ２がオンになっているため、第２のダイオードＧＤ２およびキャパシタＧＣ５を介して接地することができ、ＧＲｘ端子へ送信信号が漏れることはない。
ところが、第１・第２のダイオードＧＤ１・ＧＤ２の切替時にはダイオートの切替速度の差などに起因して、瞬間的に第１のダイオードＧＤｌがオン状態、第２のダイオードＧＤ２がオフ状態になることがあり、その時間はストリップラインＧＳＬ２から漏れた前記送信信号がＧＲｘ端子側へ漏れ出してしまう。この漏れ出した信号がＧＲｘ端子の後段に接続されている図外の低雑音増幅器（ＬＮＡ）等の受信回路に入力されると、その受信回路を破壊するおそれがある。
しかし、図２に示した回路では、ＧＲｘ端子の前段にインダクタＧＬをシャントに配置し、インダクタＧＬを送信信号の周波数に対して等価的に接地されるようなインダクタンス値（線路で構成する場合には、その線路の電気長を送信信号のほぼλ／２）にすることにより、漏れた送信信号はインダクタＧＬにより接地される。
このようにインダクタＧＬを配置することにより、第１・第２のダイオードＧＤ１・ＧＤ２の切替速度の差を起因とする送信信号のＧＲｘ端子側への漏れによるＲｘ側回路の破壊を未然に防ぐことができる。
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態に係る複合高周波部品について図３を参照して説明する。
図３に示す複合高周波部品２００は、１８００MＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。
次に、第２の実施形態に係る複合高周波部品について図３を参照して説明する。
図３に示す複合高周波部品２００は、１８００MＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。
図３においてダイプレクサ２０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ２０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ２０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ２０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ２０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号を通過させるとともに、高調波を減衰させる。
図１に示した従来の複合高周波部品と異なるのは、送受切替スイッチ２０３，２０４の構成である。図３に示すダイプレクサ２０２の構成は図１に示したダイプレクサ１０２と同様である。ここでキャパシタＣｔ１、Ｃｕ１およびストリップラインＬｔ１によってローパスフィルタを構成し、キャパシタＣｃ１，Ｃｃ２，Ｃｔ２およびストリップラインＬｔ２によってハイパスフィルタを構成している。
図３に示すフィルタ２０５は、図１に示したフィルタ１０５と同様であり、この例ではキャパシタＧＣｃ１，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２およびストリップラインＧＬｔ１によってローパスフィルタを構成している。
図３に示すフィルタ２０６は、図１に示したフィルタ１０６と同様であり、キャパシタＤＣｃ１，ＤＣｃ２，ＤＣｕ１，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３、ストリップラインＤＬｔ１，ＤＬｔ２によってローパスフィルタを構成している。
図３に示すフィルタ２０６は、図１に示したフィルタ１０６と同様であり、キャパシタＤＣｃ１，ＤＣｃ２，ＤＣｕ１，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３、ストリップラインＤＬｔ１，ＤＬｔ２によってローパスフィルタを構成している。
図３に示すＧＳＭ８５０／９００用の送受切替スイッチ２０３は、図２に示した送受切替スイッチ２０３と同様に構成している。すなわちＧＳＭ８５０／９００の送信信号伝送路に第１のダイオードＧＤ１をシリーズに設け、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号の伝送路に第２のダイオードＧＤ２およびコンデンサＧＣ５をシャントに設けている。また、制御端子ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→第１のダイオードＧＤ１→ストリップラインＧＳＬ２→インダクタＧＬの経路で直流電流が流れる第１の電流経路を構成し、ＶｃＧ→ＧＲ→第２のダイオードＧＤ２→ＧＬの経路で直流電流が流れる第２の電流経路を構成し、第１のダイオードＧＤ１と第２のダイオードＧＤ２を含む上記第１・第２の電流経路が並列接続される関係としている。
なお、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路に設けたキャパシタＧＣｕ３はダイオードＧＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとるためのキャパシタである。
なお、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路に設けたキャパシタＧＣｕ３はダイオードＧＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとるためのキャパシタである。
ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２０４の構成もＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２０３の構成と基本的に同様であり、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号伝送路に対してシリーズに第１のダイオードＤＤ１を設け、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＤＤ２を設けている。
但し、第１のダイオードＤＤ１に対して、ストリップラインＤＰＳＬｔとキャパシタＤＰＣｔ１との直列回路を並列に接続している点では異なる。なお、ＤＰＳＬｔは、ダイオードＤＤ１のオフ時に、ダイオードＤＤ１の容量とＤＰＳＬｔとの並列共振によりアイソレーションを確保するために設けている。なお、コンデンサＤＰＣｔ１は、直流電流が、ダイオードＤＤ１を介さずに流れるのを防止するために設けている。
この送受切替スイッチ２０４の制御端子ＶｃＤに所定の正電圧を印加すると、第１のダイオードＤＤ１がオンして、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ＤＤ１→ストリップラインＤＳＬ２→インダクタＤＬの経路で直流電流が流れる。また、第２のダイオードＤＤ２がオンして、ＶｃＤ→ＤＲ→ＤＤ２→ＤＬの経路で直流電流が流れる。
なお、キャパシタＤＣｕ４は、ダイオードＤＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとるためのキャパシタである。
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。
次に、上記複合高周波部品を、セラミックからなる複数のシート層を積層してなる多層基板に一体化した場合の構成例を図４〜図６を基に説明する。
図４〜図６は各層における導体パターンの下面図である。図４の（１）が最下層、図６の（２４）が最上層であり、図示の都合上図４〜図６の３つの図に分けて表している。図４〜図６において、図中の各部の符号は図３に示した回路図中の各符号に対応している。また、これらの図中のＧＮＤは接地電極である。図４の（１）においてＧは接地端子、である。その他の端子は図３に示した回路図中の各符号に対応している。
図４〜図６は各層における導体パターンの下面図である。図４の（１）が最下層、図６の（２４）が最上層であり、図示の都合上図４〜図６の３つの図に分けて表している。図４〜図６において、図中の各部の符号は図３に示した回路図中の各符号に対応している。また、これらの図中のＧＮＤは接地電極である。図４の（１）においてＧは接地端子、である。その他の端子は図３に示した回路図中の各符号に対応している。
図７は上記積層体の最上面に各チップ部品を搭載した状態の上面図である。ここで図中の各符号は図３の回路図中の各符号に対応している。
以上のように、第２の実施形態に係る複合高周波部品によれば、低電圧化・低消費電流化が図れる。
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態に係る複合高周波部品について図８を参照して説明する。
この複合高周波部品２１０が図３に示した複合高周波部品と異なるのは送受切替スイッチ２１３，２１４の構成である。ダイプレクサ２１２は図３に示したダイプレクサ２０２と同様であり、フィルタ２１５，２１６も図３に示したフィルタ２０５，２０６と同様である。
次に、第３の実施形態に係る複合高周波部品について図８を参照して説明する。
この複合高周波部品２１０が図３に示した複合高周波部品と異なるのは送受切替スイッチ２１３，２１４の構成である。ダイプレクサ２１２は図３に示したダイプレクサ２０２と同様であり、フィルタ２１５，２１６も図３に示したフィルタ２０５，２０６と同様である。
ＧＳＭ８５０／９００の送受切替スイッチ２１３は、送信信号の伝送路にシリーズに第１のダイオードＧＤ１を備え、受信信号の伝送路に対してシャントに第２のダイオードＧＤ２を備えている。図３に示した送受切替スイッチ２０３と異なり、第１のダイオードＧＤ１のカソードとストリップラインＧＳＬ２との接続点にインダクタＧＬの一端を接続し、その他端を接地している。
制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ＧＤ１→ＧＬの経路（第１の電流経路）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→ＧＬの経路（第２の電流経路）で直流電流が流れる。このようにインダクタＧＬの接続位置を変えることによって第１・第２の電流経路は図３に示した例と異なるが、２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２に印加される制御電圧は同様に並列に印加される。
このように、インダクタＧＬをダイプレクサ２１２と送受切替スイッチ２１３との接続点と接地との間に設けたことにより、アンテナ端子側から静電気等のサージ電圧が印加されても、その静電気等はインダクタＧＬを介して直ちに接地に放電されるので、送受切替スイッチ２１３に接続される受信回路または送信回路を静電気等から保護できる。
ＧＳＭ１８００／１９００の送受切替スイッチ２１４についても図３に示した送受切替スイッチ２０４とは異なり、ダイオードＤＤ１のカソードとストリップラインＤＳＬ２との接続点にインダクタＤＬの一端を接続し、その他端を接地している。そのため、制御端子ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ＤＤ１→ＤＬの経路（第１の電流経路）で直流電流が流れる。またＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→ＤＬの経路（第２の電流経路）で直流電流が流れる。
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となり、低電圧・低消費電流の複合高周波部品が得られる。
《第４の実施形態》
次に、第４の実施形態に係る複合高周波部品について図９を参照して説明する。
この複合高周波部品２２０が図３に示した複合高周波部品と異なるのはＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２２３の構成である。２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２に流れる直流電流が共通に流れる（合成電流が流れる）インダクタＧＬの接続位置である。この例ではインダクタＧＬをダイプレクサ２２２の共用信号入出力部に接続している。制御端子ＶｃＧに正電圧が印加された時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→第１のダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→ＧＬの経路（第１の電流経路）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→第２のダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→ＧＬの経路（第２の電流経路）で直流電流が流れる。
次に、第４の実施形態に係る複合高周波部品について図９を参照して説明する。
この複合高周波部品２２０が図３に示した複合高周波部品と異なるのはＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２２３の構成である。２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２に流れる直流電流が共通に流れる（合成電流が流れる）インダクタＧＬの接続位置である。この例ではインダクタＧＬをダイプレクサ２２２の共用信号入出力部に接続している。制御端子ＶｃＧに正電圧が印加された時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→第１のダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→ＧＬの経路（第１の電流経路）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→第２のダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→ＧＬの経路（第２の電流経路）で直流電流が流れる。
ダイプレクサ２２２、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２２４、フィルタ２２５，２２６については、図３に示したダイプレクサ２０２、送受切替スイッチ２０４、フィルタ２０５，２０６と同様である。
このようにダイプレクサ２２２の直流電流が流れる電流経路を送受切替スイッチに兼用しても同様の作用効果が得られる。
また、インダクタＧＬをアンテナ端子側に設けたことにより、アンテナ端子側から静電気等のサージ電圧が印加されても、その静電気等はインダクタＧＬを介して直ちに接地に放電されるので、送受切替スイッチ２２３に接続される受信回路または送信回路を静電気等から保護できる。
《第５の実施形態》
次に第５の実施形態に係る複合高周波部品について図１０を参照して説明する。
図３に示した例では、制御端子ＶｃＧからの電流が共通に流れる単一の抵抗ＧＲを用いたが、この図１０に示す複合高周波部品２３０は、第１のダイオードＧＤ１に直流電流が流れる電流経路に抵抗ＧＲ１を設け、第２のダイオードＧＤ２に直流電流が流れる電流経路に抵抗ＧＲ２を設けている。
次に第５の実施形態に係る複合高周波部品について図１０を参照して説明する。
図３に示した例では、制御端子ＶｃＧからの電流が共通に流れる単一の抵抗ＧＲを用いたが、この図１０に示す複合高周波部品２３０は、第１のダイオードＧＤ１に直流電流が流れる電流経路に抵抗ＧＲ１を設け、第２のダイオードＧＤ２に直流電流が流れる電流経路に抵抗ＧＲ２を設けている。
制御端子ＶｃＧに正電圧が印加された時、ＶｃＧ→ＧＲ１→インダクタＧＳＬ１→ＧＤ１→ストリップラインＧＳＬ２→インダクタＧＬの経路（第１の電流経路）で直流電流が流れ、これとともにＶｃＧ→ＧＲ２→ＧＤ２→ＧＬの経路（第２の電流経路）で直流電流が流れる。
ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２３４についても同様に第１・第２のダイオードＤＤ１，ＤＤ２に直流電流が流れる電流経路に個別に抵抗ＤＲ１，ＤＲ２を設けている。
このようにダイオードごとに電流制限用抵抗を設けることによって、各ダイオードに加わる電圧を大きくすることができる。
《第６の実施形態》
次に第６の実施形態に係る複合高周波部品について図１１を参照して説明する。
この複合高周波部品２４０が図１０に示したものと異なるのは送受切替スイッチ２４３，２４４の構成である。図１０に示した送受切替スイッチ２３３，２３４では、ダイードＧＤ１，ＤＤ１に直流電流が流れる電流経路にインダクタＧＳＬ１，ＤＰＳＬ１をそれぞれ設けていたが、この図１１に示す例では、それらのインダクタＧＳＬ１，ＤＰＳＬ１を省略している。このように、信号伝送路にシリーズに設けたダイオードＧＤ１，ＤＤ１に対して通電する直流電流の電流経路には抵抗ＧＲ１，ＤＲ１をそれぞれ設けているので、制御端子側への送信信号の不要な伝送を抑制することができる。また、抵抗ＧＲ１，ＤＲ１を用いることで、ダイオードＧＤ１，ＤＤ１に、より高い電圧を印加することができる。なお、図１０に示した例で、インダクタＧＳＬ１，ＤＰＳＬ１は、電流を流す役割と共に高周波のリークを防いでいる。図１１に示す例では抵抗ＧＲ１，ＤＲ１のみを用いているが、これら抵抗も上記インダクタと同様な役割を果たす。
次に第６の実施形態に係る複合高周波部品について図１１を参照して説明する。
この複合高周波部品２４０が図１０に示したものと異なるのは送受切替スイッチ２４３，２４４の構成である。図１０に示した送受切替スイッチ２３３，２３４では、ダイードＧＤ１，ＤＤ１に直流電流が流れる電流経路にインダクタＧＳＬ１，ＤＰＳＬ１をそれぞれ設けていたが、この図１１に示す例では、それらのインダクタＧＳＬ１，ＤＰＳＬ１を省略している。このように、信号伝送路にシリーズに設けたダイオードＧＤ１，ＤＤ１に対して通電する直流電流の電流経路には抵抗ＧＲ１，ＤＲ１をそれぞれ設けているので、制御端子側への送信信号の不要な伝送を抑制することができる。また、抵抗ＧＲ１，ＤＲ１を用いることで、ダイオードＧＤ１，ＤＤ１に、より高い電圧を印加することができる。なお、図１０に示した例で、インダクタＧＳＬ１，ＤＰＳＬ１は、電流を流す役割と共に高周波のリークを防いでいる。図１１に示す例では抵抗ＧＲ１，ＤＲ１のみを用いているが、これら抵抗も上記インダクタと同様な役割を果たす。
《第７の実施形態》
次に、第７の実施形態に係る複合高周波部品について図１２を参照して説明する。
この複合高周波部品２５０が図３に示した高周波複合部品と異なるのはダイプレクサ２５２およびＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２５３の構成である。この図１２に示す例では、ダイプレクサ２５２のＧＳＭ８５０／９００側のフィルタとして、キャパシタＣｔ１，Ｃｕ１，ＧＣｃ１，ＧＣｕ１およびストリップラインＬｔ１，ＧＬｔ１で構成している。すなわち２段のローパスフィルタを構成し、ＧＳＭ８５０／９００の通信系で用いる周波数帯域より高周波域（高調波成分）の遮断効果を高めている。その分、図３に示したフィルタ２０５に相当する回路を省略している。
次に、第７の実施形態に係る複合高周波部品について図１２を参照して説明する。
この複合高周波部品２５０が図３に示した高周波複合部品と異なるのはダイプレクサ２５２およびＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２５３の構成である。この図１２に示す例では、ダイプレクサ２５２のＧＳＭ８５０／９００側のフィルタとして、キャパシタＣｔ１，Ｃｕ１，ＧＣｃ１，ＧＣｕ１およびストリップラインＬｔ１，ＧＬｔ１で構成している。すなわち２段のローパスフィルタを構成し、ＧＳＭ８５０／９００の通信系で用いる周波数帯域より高周波域（高調波成分）の遮断効果を高めている。その分、図３に示したフィルタ２０５に相当する回路を省略している。
ＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２５３は基本的には図３に示した送受切替スイッチ２０３と同様であるが、図３に示したフィルタ２０５に相当する回路を省略したことに伴い、送信端子ＧＴｘとのインピーダンス整合をとるためのキャパシタＧＣｕ２を設けている。
このように送受切替スイッチ２５３の送信信号出力部側に、ＧＳＭ８５０／９００の通信系で使用する周波数帯域以外の周波数成分を遮断するフィルタを設けたことにより、ダイオードＧＤ１の非直線性による高調波歪みの成分を抑圧することができ、その分、ダイオードＧＤ１に印加する制御電圧、すなわち制御端子ＶｃＧに印加する制御電圧を可能な限り低く設定できる。
《第８の実施形態》
次に第８の実施形態に係る複合高周波部品について図１３を参照して説明する。
この複合高周波部品２６０が図１２に示したものと異なるのはダイプレクサ２６２およびフィルタ２６６の構成である。この図１３に示す例では、ダイプレクサ２６２のＧＳＭ１８００／１９００側のスプリアスを抑えるためにローパスフィルタを送受切替スイッチ２６４の前段に設けている。
次に第８の実施形態に係る複合高周波部品について図１３を参照して説明する。
この複合高周波部品２６０が図１２に示したものと異なるのはダイプレクサ２６２およびフィルタ２６６の構成である。この図１３に示す例では、ダイプレクサ２６２のＧＳＭ１８００／１９００側のスプリアスを抑えるためにローパスフィルタを送受切替スイッチ２６４の前段に設けている。
このようにＧＳＭ１８００／１９００の送信信号を切り替える送受切替スイッチ２６４の出力側にＧＳＭ１８００／１９００の通信系で使用する周波数帯域以外の高周波域（高調波成分）を遮断するフィルタを設けることによって、ダイオードＤＤ１の非直線性による高調波歪みの成分を抑圧することができ、その分、ダイオードＤＤ１に印加する制御電圧、すなわち制御端子ＶｃＤに印加する制御電圧も可能な限り低く設定できる。
《第９の実施形態》
次に、第９の実施形態に係る複合高周波部品について図１４を参照して説明する。
この複合高周波部品２７０が図３に示した複合高周波部品と異なるのはＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２７４の構成である。図３に示した例では、ＧＳＭ１８００／１９００側とＧＳＭ８５０／９００側の両方の送受切替スイッチについてそれぞれの２つのダイオードに制御電圧が並列に印加されるように構成したが、この図１４に示す例では、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２７４について、２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２に対して制御電圧が直列に印加されるようにしている。すなわちＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２７４については従来と同様の回路構成としている。
次に、第９の実施形態に係る複合高周波部品について図１４を参照して説明する。
この複合高周波部品２７０が図３に示した複合高周波部品と異なるのはＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２７４の構成である。図３に示した例では、ＧＳＭ１８００／１９００側とＧＳＭ８５０／９００側の両方の送受切替スイッチについてそれぞれの２つのダイオードに制御電圧が並列に印加されるように構成したが、この図１４に示す例では、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２７４について、２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２に対して制御電圧が直列に印加されるようにしている。すなわちＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２７４については従来と同様の回路構成としている。
この例では、制御端子ＶｃＤに所定の正電圧が印加された時、２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２がともにオンし、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→ダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→ダイオードＤＤ１→インダクタＤＰＳＬ１の経路で直流電流が流れる。
このようにいわゆるデュアルバンドのスイッチプレクサの場合、信号電力が低い通信系の送受信信号を切り替える高周波スイッチにおいて、ダイオードに印加される制御電圧が低くなることに伴って生じる高調波歪みの問題が顕著に現れる。そのため、この図１４に示したように、信号電力が相対的に高い通信系であるＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２７３に対してのみ、２つのダイオードに制御電圧が並列に印加されるように構成してもよい。
《第１０の実施形態》
次に、第１０の実施形態に係る複合高周波部品について図１５を参照して説明する。
第２〜第９の実施形態では、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号入力端子、受信信号出力端子、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、この図１５に示す複合高周波部品２８０はＧＳＭ１８００と１９００の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図３に示した回路と異なるのは、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号をＧＳＭ１８００と１９００の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ２８７を設けている点である。
次に、第１０の実施形態に係る複合高周波部品について図１５を参照して説明する。
第２〜第９の実施形態では、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号入力端子、受信信号出力端子、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、この図１５に示す複合高周波部品２８０はＧＳＭ１８００と１９００の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図３に示した回路と異なるのは、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号をＧＳＭ１８００と１９００の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ２８７を設けている点である。
受信信号用高周波スイッチ２８７は、ＧＳＭ１９００の受信信号伝送路にシリーズに第１のダイオードＰＤ１を設け、ＧＳＭ１８００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＰＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＰＤ１，ＰＤ２が共にオンして、ＶｃＤＲ→抵抗ＰＲ→ＰＤ２→ストリップラインＰＳＬ２→ＰＤ１→インダクタＰＳＬ１の経路で直流電流が流れるように構成している。このようにして送受切替スイッチ２８４から出力されるＧＳＭ１８００／１９００の受信信号を受信信号用高周波スイッチ２８７でＧＳＭ１９００の受信信号とＧＳＭ１８００の受信信号とに切り替える。
なお、送受切替スイッチ２８４と受信信号用高周波スイッチ２８７との間には直流電流遮断用のキャパシタＤＣ６を設けている。
《第１１の実施形態》
次に第１１の実施形態に係る複合高周波部品について図１６を参照して説明する。
この複合高周波部品２９０が図１５に示した回路と異なるのはＧＳＭ１８００／１９００用の受信信号用高周波スイッチ２９７の構成である。この受信信号用高周波スイッチ２９７はＧＳＭ１９００の受信信号伝送路に対してシリーズに第１のダイオードＰＤ１を設け、ＧＳＭ１８００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＰＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＰＤ１を直流電流が流れる第１の電流経路とダイオードＰＤ２に直流電流が流れる第２の電流経路とを並列に接続している。すなわち、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加されると、ＶｃＤＲ→抵抗ＰＲ→インダクタＰＳＬ１→ＰＤ１→ストリップラインＰＳＬ２→インダクタＰＬの経路（第１の電流経路）で電流が流れ、これとともにＶｃＤＲ→ＰＲ→ＰＤ２→ＰＬ経路（第２の電流経路）で電流が流れる。
次に第１１の実施形態に係る複合高周波部品について図１６を参照して説明する。
この複合高周波部品２９０が図１５に示した回路と異なるのはＧＳＭ１８００／１９００用の受信信号用高周波スイッチ２９７の構成である。この受信信号用高周波スイッチ２９７はＧＳＭ１９００の受信信号伝送路に対してシリーズに第１のダイオードＰＤ１を設け、ＧＳＭ１８００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＰＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＰＤ１を直流電流が流れる第１の電流経路とダイオードＰＤ２に直流電流が流れる第２の電流経路とを並列に接続している。すなわち、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加されると、ＶｃＤＲ→抵抗ＰＲ→インダクタＰＳＬ１→ＰＤ１→ストリップラインＰＳＬ２→インダクタＰＬの経路（第１の電流経路）で電流が流れ、これとともにＶｃＤＲ→ＰＲ→ＰＤ２→ＰＬ経路（第２の電流経路）で電流が流れる。
このように受信信号用高周波スイッチ２９７についても２つのダイオードＰＤ１，ＰＤ２に制御電圧が並列に印加されるように構成することによって、その制御電圧の低電圧化が図れる。
《第１２の実施形態》
次に第１２の実施形態に係る複合高周波部品について図１７を参照して説明する。
この複合高周波部品３００は、ＧＳＭ８５０／９００側にも受信信号用高周波スイッチ３０８を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。ＧＳＭ１８００／１９００側の受信信号用高周波スイッチは図１５に示したものと同様である。
次に第１２の実施形態に係る複合高周波部品について図１７を参照して説明する。
この複合高周波部品３００は、ＧＳＭ８５０／９００側にも受信信号用高周波スイッチ３０８を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。ＧＳＭ１８００／１９００側の受信信号用高周波スイッチは図１５に示したものと同様である。
制御端子ＶｃＧＲに所定の正電圧が印加されると、２つのダイオードＡＤ１，ＡＤ２が共にオンし、ＶｃＧＲ→抵抗ＡＲ→ダイオードＡＤ２→ストリップラインＡＳＬ２→ダイオードＡＤ１→インダクタＡＳＬ１の経路で直流電流が流れる。このようにしてＧＳＭ８５０／９００側にも受信信号用高周波スイッチ３０８を設けることによってクワッドバンドのスイッチプレクサとして用いることができる。
《第１３の実施形態》
次に第１３の実施形態に係る複合高周波部品について図１８を参照して説明する。
この複合高周波部品３１０が図１７に示した回路と異なるのはＧＳＭ８５０／９００側の受信信号用高周波スイッチ３１８の構成である。また、ＧＳＭ１８００／１９００側の受信信号用高周波スイッチ３１７は図１６に示した受信信号用高周波スイッチ２９７と同様の構成としている。
次に第１３の実施形態に係る複合高周波部品について図１８を参照して説明する。
この複合高周波部品３１０が図１７に示した回路と異なるのはＧＳＭ８５０／９００側の受信信号用高周波スイッチ３１８の構成である。また、ＧＳＭ１８００／１９００側の受信信号用高周波スイッチ３１７は図１６に示した受信信号用高周波スイッチ２９７と同様の構成としている。
この例では、ＧＳＭ８５０／９００側の受信信号用高周波スイッチ３１８についても、その２つのダイオードＡＤ１，ＡＤ２に対して制御電圧が並列に印加されるように構成している。すなわち、制御端子ＶｃＧＲに所定の正電圧が印加されると、ダイオードＰＤ１を直流電流が流れる第１の電流経路とダイオードＰＤ２に直流電流が流れる第２の電流経路とを並列に接続している。制御端子ＶｃＧＲに所定の正電圧が印加されると、ＶｃＧＲ→抵抗ＡＲ→インダクタＡＳＬ１→ＡＤ１→ストリップラインＡＳＬ２→インダクタＡＬの経路（第１の電流経路）で電流が流れ、これとともにＶｃＧＲ→ＡＲ→ＡＤ２→ＡＬの経路（第２の電流経路）で電流が流れる。
このように受信信号用高周波スイッチ３１８についても２つのダイオードＡＤ１，ＡＤ２に制御電圧が並列に印加されるように構成することによって、その制御電圧の低電圧化が図れる。
Claims (10)
- 共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、
第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、
前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部とし、
前記第１の信号伝送路に前記第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に前記第２のダイオードをシャントに設けたことを特徴とする低電圧制御高周波スイッチ。 - 括弧付き符号は参考です。提出前に削除します。
共用信号入出力部(ANT・Cant)と第１の信号入出力部(GTx・Cgt)との間に第１の信号伝送路(SL1)を有し、前記共用信号入出力部(ANT・Cant)と第２の信号入出力部(GRx・Cgr)との間に第２の信号伝送路(SL2)を有する高周波スイッチ(203)であって、
前記第１の信号伝送路(SL1)に第１のダイオード(GD1)をシリーズに設け、前記第２の信号伝送路(SL2)に第２のダイオード(GD2)をシャントに設けるとともに、前記第１のダイオード(GD1)を含む、直流電流が流れる第１の電流経路(CR1)と、前記第２のダイオード(GD2)を含む、直流電流が流れる第２の電流経路(CR2)とを備え、
前記第２の信号伝送路(SL2)には、前記第１のダイオード(GD1)と前記第２のダイオード(GD2)との間で且つ前記共用信号入出力部(ANT・Cant)と第２のダイオード(GD2)との間にストリップライン(GSL2)を備え、
前記第１・第２の電流経路同士(CR1・CR2)を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続するとともに、前記ストリップライン(GSL2)より第２の信号入出力部(GRx・Cgr)側で、第２のダイオード(GD2)と前記ストリップライン(GSL2)との接続点である前記並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタ(GL)を設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部(VcG・GR)としたことを特徴とする低電圧制御高周波スイッチ。 - 前記第１・第２の電流経路のそれぞれに前記直流電流が流れる抵抗を設けた請求項１または２に記載の低電圧制御高周波スイッチ。
- それぞれの周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号の入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に、送信信号と受信信号を切り替える高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記複数の高周波スイッチのうち少なくとも１つを請求項１、２または３に記載の低電圧制御高周波スイッチで構成した複合高周波部品。 - 前記低電圧制御高周波スイッチは、前記複数の通信系の送受信信号のうち、少なくとも信号電力が最も高い通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に設けた請求項４に記載の複合高周波部品。
- 前記合分波器の前記アンテナ接続部と前記低電圧制御高周波スイッチとの間にストリップラインを備え、前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタの一端を前記合分波器と前記低電圧制御高周波スイッチとの接続点に接続するとともに他端を接地した請求項４または５に記載の複合高周波部品。
- 前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタおよび前記第１・第２の電流経路を前記合分波器の一部に兼用した請求項４〜６のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
- 前記低電圧制御高周波スイッチと前記合分波器との間に、低電圧制御高周波スイッチが切り替える、通信系で使用する周波数帯域以外の周波数成分を遮断するフィルタを設けた請求項４〜７のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
- 前記合分波器は少なくとも３つの通信系の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した２つの通信系の送受信信号と他の通信系の送受信信号を合分波し、周波数帯域が近接した前記２つの通信系の受信信号を切り替える受信信号用高周波スイッチを請求項１、２または３に記載の低電圧制御高周波スイッチで構成した複合高周波部品。
- 前記合分波器は４つの通信系の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した第１組をなす２つの通信系の送受信信号と第２組をなす２つの通信系の送受信信号を合分波し、第１組をなす２つの通信系の受信信号を切り替える第１の受信信号用高周波スイッチと、第２組をなす２つの通信系の受信信号を切り替える第２の受信信号用高周波スイッチの少なくとも一方を請求項１、２または３に記載の低電圧制御高周波スイッチで構成した複合高周波部品。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006104159 | 2006-04-05 | ||
| JP2006104159 | 2006-04-05 | ||
| PCT/JP2007/056360 WO2007114114A1 (ja) | 2006-04-05 | 2007-03-27 | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2007114114A6 JPWO2007114114A6 (ja) | 2009-08-13 |
| JPWO2007114114A1 true JPWO2007114114A1 (ja) | 2009-08-13 |
Family
ID=38563383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008508538A Pending JPWO2007114114A1 (ja) | 2006-04-05 | 2007-03-27 | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8179206B2 (ja) |
| JP (1) | JPWO2007114114A1 (ja) |
| KR (1) | KR100995300B1 (ja) |
| CN (1) | CN101416405B (ja) |
| GB (1) | GB2449818B (ja) |
| WO (1) | WO2007114114A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139819A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 複合高周波部品 |
| TW200924276A (en) | 2007-11-28 | 2009-06-01 | Murata Manufacturing Co | Low-voltage control high-frequency switch and composite high frequency component |
| JP5261119B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-08-14 | 双信電機株式会社 | 高周波スイッチ |
| JP5737304B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2015-06-17 | 株式会社村田製作所 | フィルタ回路 |
| WO2016170844A1 (ja) * | 2015-04-21 | 2016-10-27 | ソニー株式会社 | 通信装置、および、通信装置の制御方法 |
| DE102018116597A1 (de) | 2018-07-10 | 2020-01-16 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Schaltung zum schalten einer wechselspannung |
| CN113746465B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-03-11 | 南京正銮电子科技有限公司 | 一种被动式大功率tr开关及tr组件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268324U (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | ||
| JP2003018040A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 高周波回路及びその高周波回路部品 |
| JP2004128799A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Hitachi Metals Ltd | 複合積層モジュール及びこれを用いた通信機 |
| JP2005244860A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5054114A (en) * | 1988-09-27 | 1991-10-01 | Rockwell International Corporation | Broadband RF transmit/receive switch |
| JPH04116441U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-19 | シヤープ株式会社 | スイツチング回路 |
| JP3304898B2 (ja) | 1998-11-20 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
| JP3581607B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2004-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 送受切替スイッチ |
| CN1393058A (zh) * | 2000-08-25 | 2003-01-22 | 松下电器产业株式会社 | 通信装置 |
| US7020225B2 (en) | 2001-01-19 | 2006-03-28 | Qualcomm Inc. | Frequency searcher and frequency-locked data demodulator using a programmable rotator |
| JP4029779B2 (ja) | 2003-06-05 | 2008-01-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| CN1875549A (zh) * | 2003-11-11 | 2006-12-06 | 株式会社村田制作所 | 高频模件 |
| JP2008109535A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | スイッチ回路、それを有するフロントエンドモジュール及び無線端末 |
| WO2008139819A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 複合高周波部品 |
-
2007
- 2007-03-27 GB GB0817065A patent/GB2449818B/en active Active
- 2007-03-27 JP JP2008508538A patent/JPWO2007114114A1/ja active Pending
- 2007-03-27 KR KR1020087021654A patent/KR100995300B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-27 CN CN2007800124708A patent/CN101416405B/zh active Active
- 2007-03-27 WO PCT/JP2007/056360 patent/WO2007114114A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-09-04 US US12/203,991 patent/US8179206B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268324U (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | ||
| JP2003018040A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 高周波回路及びその高周波回路部品 |
| JP2004128799A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Hitachi Metals Ltd | 複合積層モジュール及びこれを用いた通信機 |
| JP2005244860A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101416405B (zh) | 2013-03-27 |
| CN101416405A (zh) | 2009-04-22 |
| KR20080091849A (ko) | 2008-10-14 |
| GB2449818A (en) | 2008-12-03 |
| GB2449818B (en) | 2011-11-16 |
| US20080310382A1 (en) | 2008-12-18 |
| KR100995300B1 (ko) | 2010-11-19 |
| US8179206B2 (en) | 2012-05-15 |
| GB0817065D0 (en) | 2008-10-29 |
| WO2007114114A1 (ja) | 2007-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4289440B2 (ja) | 複合高周波部品 | |
| KR100983017B1 (ko) | 복합 고주파 부품 및 이동체 통신 장치 | |
| JP4324814B2 (ja) | 高周波スイッチ回路 | |
| KR101421452B1 (ko) | 분기 회로, 고주파 회로 및 고주파 모듈 | |
| JP4245073B2 (ja) | 高周波スイッチ | |
| WO2013021626A1 (ja) | フィルタモジュール | |
| JPWO2007114114A1 (ja) | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 | |
| JPWO2007114114A6 (ja) | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 | |
| WO2005122417A1 (ja) | 高周波スイッチモジュール及びその制御方法 | |
| JP5582400B2 (ja) | 高周波回路部品、及び通信装置 | |
| US8160511B2 (en) | Low-voltage control high-frequency switch and composite high-frequency component | |
| JP4873046B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JP5201260B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JP2004320244A (ja) | マルチバンド高周波送受信モジュール | |
| JP2005244711A (ja) | 高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 | |
| JP2003078443A (ja) | 高周波スイッチ回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100921 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100921 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110105 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110404 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110412 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110520 |