JPS60160716A - 電圧制御減衰器 - Google Patents
電圧制御減衰器Info
- Publication number
- JPS60160716A JPS60160716A JP59017496A JP1749684A JPS60160716A JP S60160716 A JPS60160716 A JP S60160716A JP 59017496 A JP59017496 A JP 59017496A JP 1749684 A JP1749684 A JP 1749684A JP S60160716 A JPS60160716 A JP S60160716A
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- JP
- Japan
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- circuit
- attenuation
- voltage
- bias voltage
- diode
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
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- Attenuators (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕 ９、
本発明は、ダイオードで構成され、電圧または電流によ
り制御される減衰器に関する。
り制御される減衰器に関する。
第１図は従来例回路の構成を示す回路図である。
図に示すように、直列に接続されたダイオード１１およ
び１２のそれぞれに、チョーク・コイル２Ｉおよび２２
を介してバイアスを加えるように構成されており、端子
３に印加される制御電圧を一定にした場合に、端子４に
印加される制御電圧を調節して減衰量を変更させても、
この回路の入力インピーダンスが一定に保たれる利点が
あることが知られる。 ゛ しかし、高周波回路にこのチョーク・コイルを有する従
来例回路を利用すると、回路の使用帯域を広くとること
が難しく、かつチョーク・コイルを有する回路をＩＣ化
することも困難であった。
び１２のそれぞれに、チョーク・コイル２Ｉおよび２２
を介してバイアスを加えるように構成されており、端子
３に印加される制御電圧を一定にした場合に、端子４に
印加される制御電圧を調節して減衰量を変更させても、
この回路の入力インピーダンスが一定に保たれる利点が
あることが知られる。 ゛ しかし、高周波回路にこのチョーク・コイルを有する従
来例回路を利用すると、回路の使用帯域を広くとること
が難しく、かつチョーク・コイルを有する回路をＩＣ化
することも困難であった。
また、チョーク・コイルの代わりに抵抗器を利用すれば
、前記の入力インピーダンスを一定にする好ましい制御
性が失われる欠点があった。
、前記の入力インピーダンスを一定にする好ましい制御
性が失われる欠点があった。
本発明は、前記の欠点を解消するもので、減衰器を構成
するダイオードのバイアス制御を抵抗器の利用により実
現し、また、回路インピーダンスが、減衰量を変化させ
ても、一定に保たれるように構成させることを目的とす
る。
するダイオードのバイアス制御を抵抗器の利用により実
現し、また、回路インピーダンスが、減衰量を変化させ
ても、一定に保たれるように構成させることを目的とす
る。
本発明は、導通方向が一致するように直列接続された２
個のダイオードと、この直列接続された２個のダイオー
ドに一定の直流バイアス電圧を与える手段と、この２個
のダイオードの一方に可変の制御電圧を与える手段とを
備え、上記２個のダイオードの他方を通過する高周波信
号の減衰器を制御するように構成された電圧制御減衰器
において、上記一定の直流バイアス電圧を与える手段は
、上記直流バイアス電圧が一方の入力に接続され、基準
電圧が他方の入力に接続され、出力電圧が上記直流バイ
アス電圧として負帰還接続された比較増幅器を含むこと
を特徴とする。
個のダイオードと、この直列接続された２個のダイオー
ドに一定の直流バイアス電圧を与える手段と、この２個
のダイオードの一方に可変の制御電圧を与える手段とを
備え、上記２個のダイオードの他方を通過する高周波信
号の減衰器を制御するように構成された電圧制御減衰器
において、上記一定の直流バイアス電圧を与える手段は
、上記直流バイアス電圧が一方の入力に接続され、基準
電圧が他方の入力に接続され、出力電圧が上記直流バイ
アス電圧として負帰還接続された比較増幅器を含むこと
を特徴とする。
以下、本発明実施例回路を図面に基づいて説明する。第
２図は、この実施例回路の構成を示す回路図である。
２図は、この実施例回路の構成を示す回路図である。
まず、実施例回路の構成と接続を第２図に基づいて説明
する。この回路は、ダイオード１１および１２と、抵抗
器３１〜３３と、誤差増幅器４０と、基準電圧源（資）
とで構成される。出力端子１ば第一のダイオード１１の
アノードおよび第一の抵抗器３Ｉおよび第二の抵抗器３
２の一端に接続され、第一の抵抗器３１の他端は制御端
子３を経由して誤差増幅器４０の出力に接続され、また
第二の抵抗器３２の他端は誤差増幅器４０の負の入力に
接続される。一方、誤差増幅器４０の正の入力は基準電
圧源５０の正の端子に接続され、基準電圧源（資）の負
の端子は共通電位に接続される。また、入力端子２は、
第一のダイオード１１のカソードおよび第二のダイオー
ド１２のアノードを接続する接続線に接続され、この接
続点は第三の抵抗器３３の一端に接続され、第三の抵抗
器３３の他端は制御端子４に接続される。第二のダイオ
ード１２のカソードは共通電位に接続される。
する。この回路は、ダイオード１１および１２と、抵抗
器３１〜３３と、誤差増幅器４０と、基準電圧源（資）
とで構成される。出力端子１ば第一のダイオード１１の
アノードおよび第一の抵抗器３Ｉおよび第二の抵抗器３
２の一端に接続され、第一の抵抗器３１の他端は制御端
子３を経由して誤差増幅器４０の出力に接続され、また
第二の抵抗器３２の他端は誤差増幅器４０の負の入力に
接続される。一方、誤差増幅器４０の正の入力は基準電
圧源５０の正の端子に接続され、基準電圧源（資）の負
の端子は共通電位に接続される。また、入力端子２は、
第一のダイオード１１のカソードおよび第二のダイオー
ド１２のアノードを接続する接続線に接続され、この接
続点は第三の抵抗器３３の一端に接続され、第三の抵抗
器３３の他端は制御端子４に接続される。第二のダイオ
ード１２のカソードは共通電位に接続される。
次に、この実施例回路の動作を説明する。
端子３および４に印加される外部バイアス電圧を調整し
、第一のダイオード１１を導通状態にし、第二のダイオ
ード１２をカットオフ状態にすれば、この回路の減衰量
は最小値になり、また、第一のダイオード１１をカット
オフ状態にし、第二のダイオード１２を導通状態にすれ
ば、この回路の減衰量は最大値になる。このような外部
バイアス電圧の調整に際し、第一のダイオード１１と第
二のダイオード１２のそれぞれに印加されるバイアス電
圧の和を一定にすれば、入力インピーダンスは、はぼ一
定値に保たれることが知られる。
、第一のダイオード１１を導通状態にし、第二のダイオ
ード１２をカットオフ状態にすれば、この回路の減衰量
は最小値になり、また、第一のダイオード１１をカット
オフ状態にし、第二のダイオード１２を導通状態にすれ
ば、この回路の減衰量は最大値になる。このような外部
バイアス電圧の調整に際し、第一のダイオード１１と第
二のダイオード１２のそれぞれに印加されるバイアス電
圧の和を一定にすれば、入力インピーダンスは、はぼ一
定値に保たれることが知られる。
ところで、本発明実施例回路では、誤差増幅器４０に基
準電圧源５０より基準電圧値Ｖｒを与えると、誤差増幅
器４０の出力は制御端子３に印加されるバイアス電圧を
変化させ、結果として、第一のダイオード１１および第
二のダイオード１２に加えられる電圧の和が基準電圧値
Ｖｒに等しくなる。したがって、制御端子４に印加され
るバイアス電圧を調整して、第一のダイオード１１およ
び第二のダイオード１２に流れる電流を変化させて、こ
の回路による減衰量を調整しても、第一のダイオード１
１および第二のダイオード１２のそれぞれの電圧降下の
和は一定に保たれることにより、この回路の入力インピ
ーダンスは一定に保たれる。
準電圧源５０より基準電圧値Ｖｒを与えると、誤差増幅
器４０の出力は制御端子３に印加されるバイアス電圧を
変化させ、結果として、第一のダイオード１１および第
二のダイオード１２に加えられる電圧の和が基準電圧値
Ｖｒに等しくなる。したがって、制御端子４に印加され
るバイアス電圧を調整して、第一のダイオード１１およ
び第二のダイオード１２に流れる電流を変化させて、こ
の回路による減衰量を調整しても、第一のダイオード１
１および第二のダイオード１２のそれぞれの電圧降下の
和は一定に保たれることにより、この回路の入力インピ
ーダンスは一定に保たれる。
第３図は、本発明応用例回路の構成を示す回路図であり
、この回路は、本発明を応用して構成されたπ形減衰器
である。この応用例回路では、出力端子１および入力端
子２のそれぞれに、第一のダイオード１１および１３と
第二のダイオード１２および１４が接続されているので
、この応用例回路では入出力共に良好なインピーダンス
特性を得ることができる。
、この回路は、本発明を応用して構成されたπ形減衰器
である。この応用例回路では、出力端子１および入力端
子２のそれぞれに、第一のダイオード１１および１３と
第二のダイオード１２および１４が接続されているので
、この応用例回路では入出力共に良好なインピーダンス
特性を得ることができる。
本発明は、前述のように、従来例回路を構成しているチ
ョーク・コイルに代えて、抵抗器を構成要素としている
ので、使用帯域の広帯域化が計れる利点がある。また、
抵抗器を構成要素としているので、回路のＩＣ化および
小形化を計れる利点もある。
ョーク・コイルに代えて、抵抗器を構成要素としている
ので、使用帯域の広帯域化が計れる利点がある。また、
抵抗器を構成要素としているので、回路のＩＣ化および
小形化を計れる利点もある。
さらに、減衰Ｎ調整を行っても、入力インピーダンスが
変化しない利点を有するので、応用範囲が制限されない
利点がある。
変化しない利点を有するので、応用範囲が制限されない
利点がある。
第１図は、従来例回路の構成を示す回路図。
第２図は、実施例回路の構成を示す回路図。
第３図は、本発明応用例回路の構成を示す回路図。
１・・・出力端子、２・・・入力端子、３．４・・・制
御端子、１１〜１４・・・ダイオード、２１．２２・・
・チョーク・コイル、３１〜３４・・・抵抗器、４０・
・・誤差増幅器、５０・・・基準電圧源。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝 ￥５１ 町 第 ２図 篤 ３ 図
御端子、１１〜１４・・・ダイオード、２１．２２・・
・チョーク・コイル、３１〜３４・・・抵抗器、４０・
・・誤差増幅器、５０・・・基準電圧源。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝 ￥５１ 町 第 ２図 篤 ３ 図
Claims (1)
- （１） 導通方向が一致するように直列接続された２個
のダイオードと、 この直列接続された２個のダイオードに一定の直流バイ
アス電圧を与える手段と、 この２個のダイオードの一方の可変の制御電圧を与える
手段と を備え、 上記２個のダイオードの他方を通過する高周波信号の減
衰量を制御するように構成された電圧制御減衰器におい
て、 上記一定の直流バイアス電圧を与える手段は、上記直流
バイアス電圧が一方の入力に接続され、基準電圧が他方
の入力に接続され、出力電圧が上記直流バイアス電圧と
して負帰還接続された比較増幅器を含むことを特徴とす
る電圧制御減衰器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017496A JPS60160716A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電圧制御減衰器 |
| US06/693,101 US4590417A (en) | 1984-02-01 | 1985-01-22 | Voltage controlled diode attenuator |
| EP85300553A EP0151532B1 (en) | 1984-02-01 | 1985-01-28 | Voltage controlled diode attenuator |
| DE3587842T DE3587842T2 (de) | 1984-02-01 | 1985-01-28 | Spannungsgesteuertes Dioden-Dämpfungsglied. |
| CA000473148A CA1226911A (en) | 1984-02-01 | 1985-01-30 | Voltage controlled diode attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017496A JPS60160716A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電圧制御減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160716A true JPS60160716A (ja) | 1985-08-22 |
| JPH0226883B2 JPH0226883B2 (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=11945606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017496A Granted JPS60160716A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電圧制御減衰器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4590417A (ja) |
| EP (1) | EP0151532B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60160716A (ja) |
| CA (1) | CA1226911A (ja) |
| DE (1) | DE3587842T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0497463U (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-24 | ||
| US5862464A (en) * | 1996-01-30 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Pin diode variable attenuator |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617655B1 (fr) * | 1987-06-30 | 1994-05-20 | Telecommunicat Radioelect Teleph | Dispositif d'attenuation variable destine a etre insere entre un circuit emetteur et un circuit de charge |
| FR2642239B1 (fr) * | 1988-12-30 | 1991-04-05 | Cit Alcatel | Limiteur de courant et recepteur optique en faisant application |
| US5039952A (en) * | 1990-04-20 | 1991-08-13 | International Business Machines Corp. | Electronic gain cell |
| US5317288A (en) * | 1992-12-15 | 1994-05-31 | Space Systems/Loral, Inc. | Continuously variable electronically controlled phase shift circuit |
| DE9419377U1 (de) * | 1994-12-06 | 1995-02-09 | Spaun Electronic Gmbh | Elektronisch veränderbares Dämpfungsglied für HF-Signale oberhalb etwa 1 MHz |
| EP0761062B1 (en) | 1995-03-24 | 1999-12-15 | European Broadcasting Union | A conferencing system |
| KR100193842B1 (ko) * | 1996-09-13 | 1999-06-15 | 윤종용 | 무선통신시스템의 전력조절 회로 및 방법 |
| US6297709B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-10-02 | Nokia Telecommunications Oy | Temperature compensated variable attenuator |
| JP3610924B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2005-01-19 | 株式会社村田製作所 | アンテナ共用器および通信装置 |
| US6919774B2 (en) * | 2001-10-03 | 2005-07-19 | Microtune (Texas), L.P. | Broadband PIN diode attenuator bias network |
| US6667669B2 (en) * | 2002-04-02 | 2003-12-23 | Northrop Grumman Corporation | Differential pin diode attenuator |
| KR100480071B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 가변 감쇠기 |
| FR2881595B1 (fr) * | 2005-01-28 | 2007-10-12 | Thales Sa | Systeme securise d'interconnexion monodirectionnelle |
| JP2008529392A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-07-31 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 利得制御可能な入力段を有する受信装置 |
| WO2014132252A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | Corning Optical Communications Wireless,Ltd. | Directional couplers having variable power ratios and related devices, systems, and methods |
| CN104579236A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 南京国博电子有限公司 | 一种非对称的微波数字衰减器电路及其控制方法 |
| EP3532864A1 (en) | 2016-10-25 | 2019-09-04 | trinamiX GmbH | Detector for an optical detection of at least one object |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3568073A (en) * | 1968-09-09 | 1971-03-02 | Us Navy | Logarithmic attenuator |
| US4236126A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-25 | Cincinnati Electronics Corporation | Variable RF attenuator |
| US4354159A (en) * | 1981-02-02 | 1982-10-12 | Rockwell International Corporation | Prescription attenuator having cascaded L-pad sections |
| US4494084A (en) * | 1982-03-01 | 1985-01-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Pin diode linear attenuator controlled by a companding DAC |
| JPS60134615A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59017496A patent/JPS60160716A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-22 US US06/693,101 patent/US4590417A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-28 DE DE3587842T patent/DE3587842T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-28 EP EP85300553A patent/EP0151532B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-30 CA CA000473148A patent/CA1226911A/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0497463U (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-24 | ||
| US5862464A (en) * | 1996-01-30 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Pin diode variable attenuator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3587842T2 (de) | 1994-09-15 |
| EP0151532A2 (en) | 1985-08-14 |
| JPH0226883B2 (ja) | 1990-06-13 |
| EP0151532B1 (en) | 1994-06-08 |
| EP0151532A3 (en) | 1987-04-15 |
| DE3587842D1 (de) | 1994-07-14 |
| US4590417A (en) | 1986-05-20 |
| CA1226911A (en) | 1987-09-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |