JPS60214610A - トランジスタ回路 - Google Patents
トランジスタ回路Info
- Publication number
- JPS60214610A JPS60214610A JP59072413A JP7241384A JPS60214610A JP S60214610 A JPS60214610 A JP S60214610A JP 59072413 A JP59072413 A JP 59072413A JP 7241384 A JP7241384 A JP 7241384A JP S60214610 A JPS60214610 A JP S60214610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- emitter follower
- value
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（５） 発明の技術分野
本発明は、トランジスタ回路、特に増幅段回路の出力端
にもうけたエミッタホロア・トランジスタ（またはダイ
オードが直列に接続されたエミッタホロア・トランジス
タ）の内部抵抗を所望に設定することによって次段回路
に接続される際の周波数特性を決定するようにしたトラ
ンジスタ回路に関するものである。
にもうけたエミッタホロア・トランジスタ（またはダイ
オードが直列に接続されたエミッタホロア・トランジス
タ）の内部抵抗を所望に設定することによって次段回路
に接続される際の周波数特性を決定するようにしたトラ
ンジスタ回路に関するものである。
（Ｂ） 技術の背景と問題点
従来から増幅回路段を有するトランジスタ回路における
帯域幅を固定する手段として、第１図に示す如く、ＬＳ
Ｉにて構成される増幅器１の例えば出力端にフィルタ２
を外付げする構成がとられている。この場合、増幅器１
自体の周波数特性は、上記フィルタ２で与えられる周波
数特性よりも一段と優れたもの、すなわち周波数帯域が
広いものとしておき、上記フィルタ２によって所望の周
波数特性を決定させるようにされる。このために、即ち
増幅器１自体の周波数特性が必要以上のものに選ばれて
いることのために、非所望な発振を生じたり帰還ループ
での誤動作などが発生し易い難点があった。またフィル
タ２を外付けするための問題点が存在した。
帯域幅を固定する手段として、第１図に示す如く、ＬＳ
Ｉにて構成される増幅器１の例えば出力端にフィルタ２
を外付げする構成がとられている。この場合、増幅器１
自体の周波数特性は、上記フィルタ２で与えられる周波
数特性よりも一段と優れたもの、すなわち周波数帯域が
広いものとしておき、上記フィルタ２によって所望の周
波数特性を決定させるようにされる。このために、即ち
増幅器１自体の周波数特性が必要以上のものに選ばれて
いることのために、非所望な発振を生じたり帰還ループ
での誤動作などが発生し易い難点があった。またフィル
タ２を外付けするための問題点が存在した。
（ｑ 発明の目的と構成
本発明は上記の点を解決することを目的としており増幅
回路段における周波数特性を所望なものに設定できるよ
うにしたトランジスタ回路を提供することを目的として
いる。そのため、本発明のトランジスタ回路は、増幅段
回路出力を次段回路に接続してなるトランジスタ回路に
おいて、上記増幅段回路の出力端に、エミッタホロア・
トランジスタ、またはダイオードが直列に接続されたエ
ミッタホロア・トランジスタをもうけると共に、当該エ
ミッタホロア・トランジスタの出力を上記次段回路に接
続するよう構成し、かつ上記エミッタホロア会トランジ
スタまたはダイオードが直列に接続されたエミッタホロ
ア・トランジスタに流れるエミッタ電流の電流レベルを
予め定められた値に設定することにより、周波数帯域を
制御するようにしたことを特徴とし°〔いる。以下図面
を参説明図、第４図および第５図は夫々本発明の一実施
例を示す。
回路段における周波数特性を所望なものに設定できるよ
うにしたトランジスタ回路を提供することを目的として
いる。そのため、本発明のトランジスタ回路は、増幅段
回路出力を次段回路に接続してなるトランジスタ回路に
おいて、上記増幅段回路の出力端に、エミッタホロア・
トランジスタ、またはダイオードが直列に接続されたエ
ミッタホロア・トランジスタをもうけると共に、当該エ
ミッタホロア・トランジスタの出力を上記次段回路に接
続するよう構成し、かつ上記エミッタホロア会トランジ
スタまたはダイオードが直列に接続されたエミッタホロ
ア・トランジスタに流れるエミッタ電流の電流レベルを
予め定められた値に設定することにより、周波数帯域を
制御するようにしたことを特徴とし°〔いる。以下図面
を参説明図、第４図および第５図は夫々本発明の一実施
例を示す。
トランジスタ回路における入力インピーダンスは、一般
Ｋ、抵抗Ｒ１と静電容量Ｃ□との並列回路によって等価
される。そして、高周波領域においては上記静電容量Ｃ
１が周波数特性に大きい影響を与える形となり、上記並
列回路は静電容量Ｃ１のみのものとみなすことが可能と
なる。
Ｋ、抵抗Ｒ１と静電容量Ｃ□との並列回路によって等価
される。そして、高周波領域においては上記静電容量Ｃ
１が周波数特性に大きい影響を与える形となり、上記並
列回路は静電容量Ｃ１のみのものとみなすことが可能と
なる。
このために、エミッタホロア・トランジスタに対して次
段回路を接続した第２図図示の構成の等何回路は第３図
図示の如きものとみなすことができる。なお図において
、３は増幅回路段、４はエミッタホロア・トランジスタ
、５は次段回路の入力段トランジスタ、Ｚｅは出力端側
をみたインピーダンス、Ｚは次段入力インピーダンス、
ｉｅはエミッタ電流を表わしている。またＣ１は入力段
トランジスタ５を高周波領域で等価したものを表わして
いる。
段回路を接続した第２図図示の構成の等何回路は第３図
図示の如きものとみなすことができる。なお図において
、３は増幅回路段、４はエミッタホロア・トランジスタ
、５は次段回路の入力段トランジスタ、Ｚｅは出力端側
をみたインピーダンス、Ｚは次段入力インピーダンス、
ｉｅはエミッタ電流を表わしている。またＣ１は入力段
トランジスタ５を高周波領域で等価したものを表わして
いる。
３−
このため、第３図図示等価回路から、静電容量Ｃ１の端
子電圧ｖ１は、 ｌ−１−ｓｃｌｒｅ となり、周波数特性で３ｄＢ低下する周波数ｆｃはで与
えられる。そしてトランジスタ４の内部抵抗ｒｅはエミ
ッタ電流ｉｓをｍＡ単位で与えると、で表わされる。こ
れらのことから、トランジスタ４の内部抵抗ｒｅを所定
値に設定することによつ二第１図図示のフィルタ２を用
いることなく、周波数特性を所望のものに設定すること
が可能となる。
子電圧ｖ１は、 ｌ−１−ｓｃｌｒｅ となり、周波数特性で３ｄＢ低下する周波数ｆｃはで与
えられる。そしてトランジスタ４の内部抵抗ｒｅはエミ
ッタ電流ｉｓをｍＡ単位で与えると、で表わされる。こ
れらのことから、トランジスタ４の内部抵抗ｒｅを所定
値に設定することによつ二第１図図示のフィルタ２を用
いることなく、周波数特性を所望のものに設定すること
が可能となる。
第４図は本発明の一実施例を示し、図中の符号３．４．
５は第２図に対応し、Ｒは可変抵抗、６゜７はエミッタ
電流設定用ト：う〃刈４− ｏエミッタホロア・トラン
ジスタ、４−１．４−２は夫々ダイオ−４− ド、Ｒ１，Ｒ２は夫々抵抗を表わしている。
５は第２図に対応し、Ｒは可変抵抗、６゜７はエミッタ
電流設定用ト：う〃刈４− ｏエミッタホロア・トラン
ジスタ、４−１．４−２は夫々ダイオ−４− ド、Ｒ１，Ｒ２は夫々抵抗を表わしている。
可変抵抗Ｒの値を変化せしめることによって、図示電圧
Ｖｅが変化し、トランジスタ６を流れる電流１１は ｅ １ となり、トランジスタ７を流れる電流ｉｅもｅ ｉｅ＝ − ２ で与えられるものとなる。そして、エミッタホロア・ト
ランジスタ４−０を含む内部抵抗ｒｅは、で与えられる
ものとなり、可変抵抗Ｒの値を選定することによって、
内部抵抗ｒｅを選ぶことが可能となる。
Ｖｅが変化し、トランジスタ６を流れる電流１１は ｅ １ となり、トランジスタ７を流れる電流ｉｅもｅ ｉｅ＝ − ２ で与えられるものとなる。そして、エミッタホロア・ト
ランジスタ４−０を含む内部抵抗ｒｅは、で与えられる
ものとなり、可変抵抗Ｒの値を選定することによって、
内部抵抗ｒｅを選ぶことが可能となる。
第５図は本発明の他の実施例を示している。図中の符号
３ 、４ 、４−０ 、４−１ 、４−２ 、５ 。
３ 、４ 、４−０ 、４−１ 、４−２ 、５ 。
６．７．Ｒは第４図に対応し、８はエミッタ電流値変更
用トランジスタを表わしている。
用トランジスタを表わしている。
図示の場合、トランジスタ６と７とのエミッタの抵抗値
を等しいものとすると、夫々のトランジスタに流れるエ
ミッタ電流は等しい値１１となる。
を等しいものとすると、夫々のトランジスタに流れるエ
ミッタ電流は等しい値１１となる。
一方トランジスタ８を流れる電流をｉｅ′に選んだとす
ると、上述の内部抵抗ｒｅ’を決定する電流ｉｅはｉｅ
＝＝ ｉｆ −１−ｉｅ で与えられることとなり、可変抵抗Ｒの値や図示電圧ｖ
２の値を選ぶこと釦よって、所望の周波数特性を得るこ
とが可能となる。
ると、上述の内部抵抗ｒｅ’を決定する電流ｉｅはｉｅ
＝＝ ｉｆ −１−ｉｅ で与えられることとなり、可変抵抗Ｒの値や図示電圧ｖ
２の値を選ぶこと釦よって、所望の周波数特性を得るこ
とが可能となる。
（均 発明の詳細
な説明した如く、本発明によればいわば増幅回路膜内部
において所望の周波数特性を決定せしめており、フィル
タを外付けする場合の酸点を解決することが可能となる
。
において所望の周波数特性を決定せしめており、フィル
タを外付けする場合の酸点を解決することが可能となる
。
第１図は従来の回路例、第２図および第３図は本発明の
詳細な説明する説明図、第４図および第５図は夫々本発
明の一実施例を示す。 図中、３は増幅回路段、４はエミッタホロア・トランジ
スタ（又はダイオードが直列に接続されたエミッタホロ
ア・トランジスタ）、５は次段回路の入力段トランジス
タ、６，７．８は夫々トランジスタ、Ｒは可変抵抗を表
わしている。 特許出願人 富士通株式会社（外１名）代理人弁理士
森 １） 寛 （外１名） ＃１目
詳細な説明する説明図、第４図および第５図は夫々本発
明の一実施例を示す。 図中、３は増幅回路段、４はエミッタホロア・トランジ
スタ（又はダイオードが直列に接続されたエミッタホロ
ア・トランジスタ）、５は次段回路の入力段トランジス
タ、６，７．８は夫々トランジスタ、Ｒは可変抵抗を表
わしている。 特許出願人 富士通株式会社（外１名）代理人弁理士
森 １） 寛 （外１名） ＃１目
Claims (1)
- 増幅段回路出力を次段回路に接続してなるトランジスタ
回路において、上記増幅段回路の出力端に、エミッタホ
ロア・トランジスタ、またはダイオードが直列に接続さ
れたエミッタホロア・トランジスタをもうけると共に、
当該エミッタホロア・トランジスタの出力を上記次段回
路に接続するよう構成し、かつ上記エミッタホロア・ト
ランジスタまたはダイオードが直列に接続されたエミッ
タホロア・トランジスタに流れるエミッタ電流の電流レ
ベルを予め定められた値に設定することにより、周波数
帯域を制御するようにしたことを特徴とするトランジス
タ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072413A JPS60214610A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | トランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072413A JPS60214610A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | トランジスタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214610A true JPS60214610A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0254963B2 JPH0254963B2 (ja) | 1990-11-26 |
Family
ID=13488567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072413A Granted JPS60214610A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | トランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214610A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256504A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-09 | テクトロニックス・インコ−ポレイテッド | 広帯域増幅器 |
| JPS63268302A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Hitachi Ltd | レベルシフト回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537161A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | High-pressure-resisting integrated circuit |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072413A patent/JPS60214610A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537161A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | High-pressure-resisting integrated circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256504A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-09 | テクトロニックス・インコ−ポレイテッド | 広帯域増幅器 |
| JPH0350447B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1991-08-01 | Tektronix Inc | |
| JPS63268302A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Hitachi Ltd | レベルシフト回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254963B2 (ja) | 1990-11-26 |
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