JPH0350447B2 - - Google Patents
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- JPH0350447B2 JPH0350447B2 JP62090620A JP9062087A JPH0350447B2 JP H0350447 B2 JPH0350447 B2 JP H0350447B2 JP 62090620 A JP62090620 A JP 62090620A JP 9062087 A JP9062087 A JP 9062087A JP H0350447 B2 JPH0350447 B2 JP H0350447B2
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は広帯域増幅器、特に直流から数
100MHzの広い周波数範囲の信号を略一定利得で
増幅する場合に好適な差動増幅器に関する。
100MHzの広い周波数範囲の信号を略一定利得で
増幅する場合に好適な差動増幅器に関する。
電子機器、特にオシロスコープ等の電子計測器
に一般的に使用される増幅器は差動増幅器であ
る。斯る差動増幅器の典型例はエミツタ間が抵抗
器及びコンデンサ（RC）回路網を介して相互接
続された１対のトランジスタを含み、入力信号を
これらトランジスタのベース間に印加し、出力信
号をコレクタ間から得ている。このRC回路網に
は可変コンデンサを含み増幅器の高周波特性が補
償できるようにしている。
に一般的に使用される増幅器は差動増幅器であ
る。斯る差動増幅器の典型例はエミツタ間が抵抗
器及びコンデンサ（RC）回路網を介して相互接
続された１対のトランジスタを含み、入力信号を
これらトランジスタのベース間に印加し、出力信
号をコレクタ間から得ている。このRC回路網に
は可変コンデンサを含み増幅器の高周波特性が補
償できるようにしている。
広帯域増幅器は種々の理由でIC（集積回路）化
するのが好ましい。しかし、回路素子（個別部
品）の中には、IC化が不可能あつたり、動作環
境に応じて選択又は調整を必要とする為にICパ
ツケージ外部に配置する必要のあるものが残る。
このような個別部品の一例が前述した可変コンデ
ンサであるが、斯る外付けの場合のリード線イン
ダクタンス及び寄生容量（キヤパシタンス）の為
に、増幅器の高周波特性を調整するのが困難且つ
わずらわしい作業になる。
するのが好ましい。しかし、回路素子（個別部
品）の中には、IC化が不可能あつたり、動作環
境に応じて選択又は調整を必要とする為にICパ
ツケージ外部に配置する必要のあるものが残る。
このような個別部品の一例が前述した可変コンデ
ンサであるが、斯る外付けの場合のリード線イン
ダクタンス及び寄生容量（キヤパシタンス）の為
に、増幅器の高周波特性を調整するのが困難且つ
わずらわしい作業になる。
本発明による広帯域増幅器は、差動増幅器を構
成するIC内にIC化したRC回路網として作用する
回路を形成する。RC回路網のこの等価的な能動
コンデンサ部はトランジスタの電圧依存接合容量
とエミツタ接地型トランジスタの等価回路入力容
量とを使用する。希望する高周波補償を得る為の
RC回路網に必要な最適容量は電圧又は電流を変
化することにより得られる。
成するIC内にIC化したRC回路網として作用する
回路を形成する。RC回路網のこの等価的な能動
コンデンサ部はトランジスタの電圧依存接合容量
とエミツタ接地型トランジスタの等価回路入力容
量とを使用する。希望する高周波補償を得る為の
RC回路網に必要な最適容量は電圧又は電流を変
化することにより得られる。
本発明の広帯域増幅器の好適実施例では、エミ
ツタ結合トランジスタ対と関連回路を差動増幅ト
ランジスタ対のエミツタ間に接続し、そのコレク
タ電圧又はエミツタ電流を可変制御している。
ツタ結合トランジスタ対と関連回路を差動増幅ト
ランジスタ対のエミツタ間に接続し、そのコレク
タ電圧又はエミツタ電流を可変制御している。
以下、本発明の異なる実施例を示す第１図及び
第２図を参照して、本発明の広帯域増幅器を説明
する。
第２図を参照して、本発明の広帯域増幅器を説明
する。
先ず、第１図において、トランジスタQ1及至
Q4はカスコード型差動増幅器を構成し、Q1−Q2
のエミツタは抵抗値RE1を有する適当な抵抗器１
０を介して相互接続され、コレクタは共通ベース
（ベース接地）段Q3−Q4のエミツタに夫々接続さ
れる。また、Q1−Q2のエミツタは夫々電流源１
２−１４を介して電圧源−Ｖに接続する。Q3−
Q4のベースは所望バイアス電源＋VBBに接続し、
Q3−Q4のコレクタは負荷抵抗器１６−１８を介
して所望正電源＋Ｖに接続する。入力信号VINを
Q1−Q2のベース間に印加し、出力信号VOUTをQ3
−Q4のコレクタ間から取出す。
Q4はカスコード型差動増幅器を構成し、Q1−Q2
のエミツタは抵抗値RE1を有する適当な抵抗器１
０を介して相互接続され、コレクタは共通ベース
（ベース接地）段Q3−Q4のエミツタに夫々接続さ
れる。また、Q1−Q2のエミツタは夫々電流源１
２−１４を介して電圧源−Ｖに接続する。Q3−
Q4のベースは所望バイアス電源＋VBBに接続し、
Q3−Q4のコレクタは負荷抵抗器１６−１８を介
して所望正電源＋Ｖに接続する。入力信号VINを
Q1−Q2のベース間に印加し、出力信号VOUTをQ3
−Q4のコレクタ間から取出す。
第２図の実施例ではトランジスタQ1乃至Q4が
所謂Tダブラ型差動増幅器（詳細は本件特許出
願人の出願に係る特公昭50−26899号公報参照）
を構成し、QQ1−Q3のエミツタは抵抗器１０を
介して相互接続し、Q2−Q4のエミツタは抵抗器
１０′を介して相互接続する。Q1乃至Q4のエミツ
タは更に夫夫電流源１２，１４，２２及び２４を
介して負電源−Ｖに接続する。Q3−Q4のベース
にはバイアス電圧＋VBBを印加する。Q1とQ4のコ
レクタは負荷抵抗器１６を介して正電圧源＋Ｖに
接続すると共に広帯域増幅器の正出力端子とす
る。他方、Q2−Q3のコレクタは負荷抵抗器１８
を介して正電圧源＋Ｖに接続すると共に広帯域増
幅器の負出力端子とする。第２図の実施例でも第
１図の場合と同様に入力信号VINをQ1とQ2のベー
ス間に印加し、上述した正負出力端子から出力信
号を取出す。
所謂Tダブラ型差動増幅器（詳細は本件特許出
願人の出願に係る特公昭50−26899号公報参照）
を構成し、QQ1−Q3のエミツタは抵抗器１０を
介して相互接続し、Q2−Q4のエミツタは抵抗器
１０′を介して相互接続する。Q1乃至Q4のエミツ
タは更に夫夫電流源１２，１４，２２及び２４を
介して負電源−Ｖに接続する。Q3−Q4のベース
にはバイアス電圧＋VBBを印加する。Q1とQ4のコ
レクタは負荷抵抗器１６を介して正電圧源＋Ｖに
接続すると共に広帯域増幅器の正出力端子とす
る。他方、Q2−Q3のコレクタは負荷抵抗器１８
を介して正電圧源＋Ｖに接続すると共に広帯域増
幅器の負出力端子とする。第２図の実施例でも第
１図の場合と同様に入力信号VINをQ1とQ2のベー
ス間に印加し、上述した正負出力端子から出力信
号を取出す。
両実施例の差動増幅器は共にエミツタ結合トラ
ンジスタ対Q5−Q6及び関連回路素子より成る等
価RC回路網をQ1−Q2のエミツタ間に接続する。
Q5のベースはQ1のエミツタに、Q6のベースはQ2
のエミツタに接続し、Q5−Q6のエミツタは抵抗
値REを有する抵抗３０を介して相互接続する。
更に、Q5のエミツタは電流源トランジスタQ7と
抵抗器３２を介して負電源−VEに接続し、同様
にQ6のエミツタは電流源トランジスタQ8と抵抗
器３４を介して負電圧に接続する。
ンジスタ対Q5−Q6及び関連回路素子より成る等
価RC回路網をQ1−Q2のエミツタ間に接続する。
Q5のベースはQ1のエミツタに、Q6のベースはQ2
のエミツタに接続し、Q5−Q6のエミツタは抵抗
値REを有する抵抗３０を介して相互接続する。
更に、Q5のエミツタは電流源トランジスタQ7と
抵抗器３２を介して負電源−VEに接続し、同様
にQ6のエミツタは電流源トランジスタQ8と抵抗
器３４を介して負電圧に接続する。
Q7−Q8の電流は電流ミラー回路を形成するダ
イオード接続のトランジスタQ9と抵抗器３６に
より制御される。即ち、Q7乃至Q9のベースは相
互接続し、これらトランジスタのベース・エミツ
タ接合面積を選択して、Q9を流れる電流がQ7−
Q8の電流に反映されるようにする。Q9のコレク
タは電流源４０に接続してQ9を流れる電流を定
め、これがQ7−Q8のコレクタ電流を定めるよう
にする。尚、電流源４０は可変電流源として図示
するが、それは固定（一定）電流源であつてもよ
く、又はQ5−Q6のコレクタ電流を予め定めた複
数の値に切換えることにより自動的に等価容量値
を確立するプログラマブル電流源であつてもよ
い。これらトランジスタQ7〜Q9及び電流源４０
はトランジスタQ5及びQ4のエミツタ電流を可変
する第１制御手段となる。
イオード接続のトランジスタQ9と抵抗器３６に
より制御される。即ち、Q7乃至Q9のベースは相
互接続し、これらトランジスタのベース・エミツ
タ接合面積を選択して、Q9を流れる電流がQ7−
Q8の電流に反映されるようにする。Q9のコレク
タは電流源４０に接続してQ9を流れる電流を定
め、これがQ7−Q8のコレクタ電流を定めるよう
にする。尚、電流源４０は可変電流源として図示
するが、それは固定（一定）電流源であつてもよ
く、又はQ5−Q6のコレクタ電流を予め定めた複
数の値に切換えることにより自動的に等価容量値
を確立するプログラマブル電流源であつてもよ
い。これらトランジスタQ7〜Q9及び電流源４０
はトランジスタQ5及びQ4のエミツタ電流を可変
する第１制御手段となる。
Q5−Q6のコレクタは夫々負荷抵抗器４４−４
６を介し、更に共通抵抗器４８を介して所望制御
電圧VCの電圧源５０に接続する。なお、第２制
御手段である電圧源５０は固定、可変又はプログ
ラマブルいずれでもよい。プログラマブルの際に
は、Q5−Q6のコレクタ電圧を複数の予め定めた
電圧に自動的に設定して、回路の等価容量値を設
定する。
６を介し、更に共通抵抗器４８を介して所望制御
電圧VCの電圧源５０に接続する。なお、第２制
御手段である電圧源５０は固定、可変又はプログ
ラマブルいずれでもよい。プログラマブルの際に
は、Q5−Q6のコレクタ電圧を複数の予め定めた
電圧に自動的に設定して、回路の等価容量値を設
定する。
能動RC回路網の実効等価抵抗ＲはQ5とQ6のベ
ース抵抗（ベースの形状と製造工程に依存する）
とエミツタ結合抵抗器３０の抵抗値REである。
能動RC回路網の実効等価容量Ｃは次式で与えら
れる。
ース抵抗（ベースの形状と製造工程に依存する）
とエミツタ結合抵抗器３０の抵抗値REである。
能動RC回路網の実効等価容量Ｃは次式で与えら
れる。
ここでCpはQ5−Q6の０ボルトにおけるベー
ス・コレクタ間容量、VaはQ5−Q6のコレクタ・
ベース間電圧、VbiはQ5−Q6のビルトイン（built
−in）ベース電位、TTはQ5−Q6のTの逆数であ
る。Ｃの変化はREが決まると、コレクタ印加電
圧及びエミツタ電流IEに対するTに依存する。
ス・コレクタ間容量、VaはQ5−Q6のコレクタ・
ベース間電圧、VbiはQ5−Q6のビルトイン（built
−in）ベース電位、TTはQ5−Q6のTの逆数であ
る。Ｃの変化はREが決まると、コレクタ印加電
圧及びエミツタ電流IEに対するTに依存する。
上記数式から明らかな如く、VC又はIRを変化す
ると、第１図又は第２図の実施例に示す広帯域差
動増幅器が所望周波応答を生じるように容量値に
設定可能である。
ると、第１図又は第２図の実施例に示す広帯域差
動増幅器が所望周波応答を生じるように容量値に
設定可能である。
抵抗器４４−４６の値は補正時定数を所定値に
選定すべく選択可能である。VC、IR及び抵抗器４
８は慎重に選択して、Q5−Q6のコレクタ・ベー
ス接合が制御範囲内で順バイアスされないように
する。
選定すべく選択可能である。VC、IR及び抵抗器４
８は慎重に選択して、Q5−Q6のコレクタ・ベー
ス接合が制御範囲内で順バイアスされないように
する。
以上、本発明の広帯域増幅器を好適実施例に基
づき詳細に説明したが、導通状態にバイアスされ
たトランジスタの接合抵抗及び接合容量を用いて
等価実効RC回路網とし、広帯域増幅器の高周波
特性を補償するという本発明の要旨を逸脱するこ
となく、用途に応じて種々の変形変更が可能であ
ること当業者には容易に理解できよう。
づき詳細に説明したが、導通状態にバイアスされ
たトランジスタの接合抵抗及び接合容量を用いて
等価実効RC回路網とし、広帯域増幅器の高周波
特性を補償するという本発明の要旨を逸脱するこ
となく、用途に応じて種々の変形変更が可能であ
ること当業者には容易に理解できよう。
本発明の広帯域増幅器によると、エミツタ結合
トランジスタ対のエミツタ結合抵抗と並列接続さ
れる可変容量成分を、トランジスタを含む能動
RC回路網にて構成している。よつて、増幅器の
能動素子と同様且つ一体的にIC化できるので外
付けする必要がなく、且つエミツタ電流或はコレ
クタ電圧を可変することにより遠隔的に任意且つ
最適の高周波補償が可能である。また、差動増幅
器のトランジスタ対Q1−Q2のエミツタ間には補
償用トランジスタ対Q5−Q6のエミツタ抵抗REが
（１＋β）倍されて接続されるので、正しい温度
補償が行われる等の種々の実用上の効果がある。
トランジスタ対のエミツタ結合抵抗と並列接続さ
れる可変容量成分を、トランジスタを含む能動
RC回路網にて構成している。よつて、増幅器の
能動素子と同様且つ一体的にIC化できるので外
付けする必要がなく、且つエミツタ電流或はコレ
クタ電圧を可変することにより遠隔的に任意且つ
最適の高周波補償が可能である。また、差動増幅
器のトランジスタ対Q1−Q2のエミツタ間には補
償用トランジスタ対Q5−Q6のエミツタ抵抗REが
（１＋β）倍されて接続されるので、正しい温度
補償が行われる等の種々の実用上の効果がある。
第１図及び第２図は夫々本発明による広帯域増
幅器の第１及び第２実施例の回路図である。 Q1及びQ2は入力トランジスタ、Q5及びQ6は補
償トランジスタ、Q7〜Q9及び４０は第１制御手
段、５０は第２制御手段を示す。
幅器の第１及び第２実施例の回路図である。 Q1及びQ2は入力トランジスタ、Q5及びQ6は補
償トランジスタ、Q7〜Q9及び４０は第１制御手
段、５０は第２制御手段を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ベースに入力信号が供給され、コレクタから
出力信号が導出され、エミツタが結合抵抗を介し
て相互接続された少なくとも１対の入力トランジ
スタと、 ベースが上記１対の入力トランジスタのエミツ
タに夫々接続され、夫々のエミツタが共通結合さ
れ、夫々のコレクタが共通結合され、夫々のベー
ス・コレクタ間を容量として用いる１対の補償ト
ランジスタと、 該１対の補償トランジスタのエミツタ電流を可
変する第１制御手段と、 上記１対の補償トランジスタのコレクタ電圧を
可変する第２制御手段とを具え、 上記第１又は第２制御手段により上記１対の補
償トランジスタのエミツタ電流又はコレクタ電圧
を可変して上記１対の入力トランジスタのエミツ
タ間の等価容量値を可変することを特徴とする広
帯域増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US855533 | 1986-04-23 | ||
| US06/855,533 US4703285A (en) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | Wideband amplifier with active high-frequency compensation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256504A JPS62256504A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0350447B2 true JPH0350447B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=25321498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62090620A Granted JPS62256504A (ja) | 1986-04-23 | 1987-04-13 | 広帯域増幅器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4703285A (ja) |
| EP (1) | EP0242439B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62256504A (ja) |
| CA (1) | CA1252526A (ja) |
| DE (1) | DE3685436D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897616A (en) * | 1988-07-25 | 1990-01-30 | Burr-Brown Corporation | Wide band amplifier with current mirror feedback to bias circuit |
| DE4004135A1 (de) * | 1990-02-10 | 1991-08-14 | Thomson Brandt Gmbh | Frequenzgangkompensierte schaltung |
| JPH07101816B2 (ja) * | 1990-06-06 | 1995-11-01 | 工業技術院長 | 超高周波ダイオード発振器の位相同期回路 |
| ATE166192T1 (de) * | 1992-02-14 | 1998-05-15 | Bosch Gmbh Robert | Gegengekoppelte verstärkerstufe |
| JPH0794971A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 差動増幅器 |
| US6091301A (en) * | 1996-06-03 | 2000-07-18 | Scientific-Atlanta, Inc. | Flatness compensation of diplex filter roll-off using active amplifier peaking circuit |
| US7206234B2 (en) * | 2005-06-21 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Input buffer for low voltage operation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202605A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | カスコ−ドアンプ |
| JPS60214610A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Fujitsu Ltd | トランジスタ回路 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4390848A (en) * | 1981-02-12 | 1983-06-28 | Signetics | Linear transconductance amplifier |
| CA1201775A (en) * | 1982-07-19 | 1986-03-11 | Yukio Akazawa | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| KR890003415B1 (ko) * | 1983-12-17 | 1989-09-20 | 가부시끼 가이샤 도오시바 | 반도체 집적회로 |
| US4575687A (en) * | 1984-10-01 | 1986-03-11 | Gould Inc. | Voltage adjustable capacitance for frequency response shaping |
-
1986
- 1986-04-23 US US06/855,533 patent/US4703285A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-18 CA CA000523225A patent/CA1252526A/en not_active Expired
- 1986-11-26 EP EP86116429A patent/EP0242439B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-26 DE DE8686116429T patent/DE3685436D1/de not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62090620A patent/JPS62256504A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202605A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | カスコ−ドアンプ |
| JPS60214610A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Fujitsu Ltd | トランジスタ回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1252526A (en) | 1989-04-11 |
| DE3685436D1 (de) | 1992-06-25 |
| US4703285A (en) | 1987-10-27 |
| EP0242439A3 (en) | 1989-01-25 |
| EP0242439B1 (en) | 1992-05-20 |
| EP0242439A2 (en) | 1987-10-28 |
| JPS62256504A (ja) | 1987-11-09 |
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