JP2009159591A - 高周波増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】整合回路3の表面に形成されている配線パターン4が、FET1と電気的に接続されている主線路5と、一端が主線路5と接続されて、主線路5の外側に配置されているオープンスタブ6と、一端が主線路5と接続されて、主線路5の外側に配置されており、FET1から発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有するオープンスタブ7とから構成されている。
【選択図】図1
Description
図21の高周波増幅器は、主に下記の要素から構成されている。
(1)高周波信号を増幅するFET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)51
(2)FET51とワイヤ52で電気的に接続されており、FET51に与える高周波信号(FET51に対する入力信号)、または、FET51から出力された高周波信号を入力し、FET51のインピーダンスを変換する第1の整合回路53
(3)整合回路53とワイヤ57で電気的に接続されており、整合回路53及びFET51のインピーダンスを変換する第2の整合回路58
なお、オープンスタブ56の長さ方向の寸法は、高調波のインピーダンスがショートとなる寸法になっており、図21の例では、2倍高調波のインピーダンスがショートとなる寸法になっている。
以下、高周波信号の基本波と、FET51から発生する2倍波の動作について説明する。
したがって、基本波に対する高周波信号の電流は、配線パターン54の外側に集中するので、配線分割切込55を避けるように流れ、ワイヤ57及び整合回路58を通って外部に出力される。
オープンスタブ56の長さ方向の寸法は、2倍波に対して1/4波長の寸法となるので、FET51から整合回路53側を見た2倍波インピーダンスはショートになる。
このため、2倍波は整合回路53で反射されて、外部には出力されない。
理想的には、F級動作の場合、2倍波等の偶高調波をショートする必要がある。逆F級動作の場合、3倍波以上の奇高調波をショートする必要がある(例えば、非特許文献1を参照)。
また、整合回路53で2倍波を反射させることにより、高周波増幅器から外部に漏れる2倍波を少なくすることができる。
これにより、通常外部に設ける高調波フィルタを省略することができるため、コストダウンを図ることができる。
2倍波の反射位相を変化させるためには、配線分割切込55により形成されるオープンスタブ56の位置を変える必要があるが、オープンスタブ56の寸法は、2倍波において1/4波長であるから、図21を見れば分かるように、変化させることができる位置にはレイアウトの制限がある。したがって、FET51の最適インピーダンスがショートからずれている場合、設計の自由度が小さいなどの課題もあった。
図1はこの発明の実施の形態1による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、FET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)1は入力信号である高周波信号を増幅し、増幅後の高周波信号を整合回路3に出力する。あるいは、整合回路3から出力された高周波信号を入力し、その高周波信号を増幅する。
整合回路3はFET1とワイヤ2で電気的に接続されている配線パターン4が表面に形成されており、FET1のインピーダンスを変換する。
第2の整合回路9は整合回路3とワイヤ8で電気的に接続されて、整合回路3及びFET1のインピーダンスを変換する。
整合回路3,9は、FET1に対するインピーダンス整合を図るため、FET1のインピーダンス変成をそれぞれ実施して、FET1のインピーダンスを所望のインピーダンスに変換する。
ここで、図2は図1の整合回路3,9の等価回路を示す等価回路図である。ただし、図2では、説明の簡単化のため、ワイヤ2,8については省略している。
図2における線路(1)は図1のオープンスタブ6、線路(2)は図1の主線路5、線路(3)は図1のオープンスタブ7、線路(4)は図1の整合回路9にそれぞれ対応している。
線路(4)の線路長は、基本波において1/4波長(λ/4)となっている。
また、線路(3)の線路長は、基本波において1/8波長(λ/8)となり、2倍波のインピーダンスはショートとなっている。
図3は基本波における整合回路3,9のインピーダンス変成を示す説明図である。
線路(4)は、基本波において1/4波長の線路長を有しているので、λ/4インピーダンス変成器として動作し、図2の50Ω負荷は、線路(4)によって、Zd@foにインピーダンス変成される。
線路(3)は、基本波においてキャパシタとして作用するので、線路(4)によりインピーダンス変成されたZd@foは定コンダクタンス円上を動き、線路(3)によって、Zc@foにインピーダンス変成される
線路(1)は、基本波においてキャパシタとして作用するので、線路(2)によりインピーダンス変成されたZb@foは、線路(1)によって、最適インピーダンスZa@foにインピーダンス変成される。
図4は2倍波における整合回路3,9のインピーダンス変成を示す説明図である。
線路(3)は、2倍波においてインピーダンスがショートとなる線路長を有しているので、Zc@2foはショートである。
ショートであるZc@2foは、線路(2)のインダクタの作用によって、Zb@2foにインピーダンス変成される。
線路(2)によりインピーダンス変成されたZb@2foは、線路(1)のキャパシタの作用により最適インピーダンスZa@2foにインピーダンス変成される。
つまり、整合回路3,9では、線路(3)により形成された2倍波ショートをインピーダンス変成することで高調波整合を行っており、基本波及び二倍波の双方に対して整合をとることができる。
整合回路3は、広帯域に形成したショートをインピーダンス変成するので、広帯域に高調波整合をとることができ、広帯域に増幅器の効率を高めることができる。
また、広帯域にショートを形成しているので、FET1から生じる2倍波を広帯域に反射することができ、増幅器から外部に漏れる2倍波を広帯域に抑制することができる。
線路(1)の線路長はレイアウトの制限が小さいので、整合回路3の設計自由度は大きい。
図5はこの発明の実施の形態2による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
オープンスタブ10は図1のオープンスタブ7に相当するオープンスタブである。
上記実施の形態1では、線路幅が均一のオープンスタブ7を主線路5に接続しているものについて示したが、図5に示すように、オープンスタブ10における先端部分10aの線路幅を、主線路5に対する接続部分10bの線路幅より広くするようにしてもよい。
この場合、オープンスタブ10の接続部分10bの特性インピーダンスが高くなり、オープンスタブ10の先端部分10aの特性インピーダンスが低くなる。
図6はこの発明の実施の形態3による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
オープンスタブ6aは図1のオープンスタブ6に相当するオープンスタブである。
オープンスタブ6bはオープンスタブ6aと同じ線路長を有しており、主線路5に対してオープンスタブ6aと対称に配置されている。
オープンスタブ7aは図1のオープンスタブ7に相当するオープンスタブである。
オープンスタブ7bはオープンスタブ7aと同じ線路長を有しており、主線路5に対してオープンスタブ7aと対称に配置されている。
これにより、上記実施の形態1,2と同様の効果を得ることができるほか、主線路5の電流分布を対称にすることができるため、FET1を均一に動作させることができる効果を奏する。
上記実施の形態2では、オープンスタブ10の形状が凸型であるものを示したが、例えば、オープンスタブ10の先端部分10aである低特性インピーダンス線路の形状をテーパ型、扇形、鉤型、L型などにしてもよい。
これにより、上記実施の形態1と同様の効果を得ることができるほか、回路の小型化を図ることができるとともに、2倍波のインピーダンスの周波数特性を設計する自由度を高めることができる効果を奏する。
図12はこの発明の実施の形態4による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
オープンスタブ11は図1のオープンスタブ6に相当する第1のオープンスタブであるが、オープンスタブ11の形状がL字形である点で、図1のオープンスタブ6と相違している。
オープンスタブ12は図1のオープンスタブ7に相当する第2のオープンスタブであるが、オープンスタブ12の形状がL字形である点で、図1のオープンスタブ7と相違している。
なお、オープンスタブ11の先端とオープンスタブ12の先端が、互いに向かい合う方向に配置されている。
L字形のオープンスタブ11,12を主線路5の外側に配置する場合、オープンスタブ11,12の一部(先端部分)が主線路5に対して平行になるため、オープンスタブ11,12と主線路5が電磁界結合する。
これにより、主線路5の線路幅を電気的に太くすることができるので、主線路5のインピーダンスを低くすることができる。
よって、FET1の近傍に低インピーダンス線路を配置することができるので、基本波に対して広帯域に整合をとることができる効果を奏する。
図13はこの発明の実施の形態5による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態1〜4では、オープンスタブ7,7a,10,12が主線路5の端部より中央側(図中、右側)に接続されているものについて示したが、図13に示すように、例えば、オープンスタブ10が主線路5の端部5aに接続されているようにしてもよい。
ワイヤ8の打ち位置の自由度が高くなれば、2倍波インピーダンスと基本波インピーダンスの調整の簡単化を図ることができる効果を奏する。
このように、オープンスタブ11を主線路5の端部5bに接続することで、FET1と主線路5を接続するワイヤ2の打ち位置の自由度を高くすることができる。
ワイヤ2の打ち位置の自由度が高くなれば、2倍波インピーダンスと基本波インピーダンスの調整の簡単化を図ることができる効果を奏する。
図14はこの発明の実施の形態6による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図13と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
オープンスタブ11aは図12のオープンスタブ11に相当するオープンスタブである。
オープンスタブ11bはオープンスタブ11aと同じ線路長を有しており、主線路5に対してオープンスタブ11aと対称に配置されている。
これにより、上記実施の形態5と同様の効果を得ることができるほか、FET1の近くに配置されたオープンスタブ11a,11bによって、FET1を均一に動作させることができる効果を奏する。
図15はこの発明の実施の形態7による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図12と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
オープンスタブ12aは図12のオープンスタブ12に相当するオープンスタブである。
オープンスタブ12bはオープンスタブ12aと同じ線路長を有しており、主線路5に対してオープンスタブ12aと対称に配置されている。
これにより、上記実施の形態4と同様の効果を得ることができるほか、主線路5の電流分布を対称にすることができるため、FET1を均一に動作させることができる効果を奏する。
図16及び図17の増幅器は、オープンスタブ11a,11bの長さに対して、レイアウトの制限を小さくすることができる。
図18はこの発明の実施の形態8による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図15と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
整合回路3の表面には、図15の配線パターン4に相当する配線パターン4a,4b,4c,4dが並列に配置されている。
これにより、上記実施の形態1〜7と同様の効果を得ることができるほか、ゲート幅の大きいFET1にも対応することができるようになり、高出力電力を得ることができる効果を奏する。
図19はこの発明の実施の形態9による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図18と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
配線パターン4b,4cを構成しているオープンスタブ12c,12dは、図18のオープンスタブ12a,12bに相当するオープンスタブであるが、配線パターン4b,4cを構成しているオープンスタブ12c,12dの線路幅は、配線パターン4a,4dを構成しているオープンスタブ12a,12bの線路幅と異なっている。
即ち、整合回路3の外側に配置される配線パターン4a,4dは、フリンジングの容量が入るため、内側の配線パターン4b,4cよりインピーダンスが低くなる。
そこで、この実施の形態9では、配線パターン4b,4cを構成しているオープンスタブ12c,12dの線路幅を配線パターン4a,4dを構成しているオープンスタブ12a,12bの線路幅よりも太くして、配線パターン4b,4cのインピーダンスを下げることにより、配線パターン4a,4b,4c,4dのインピーダンスを等しくしている。
例えば、オープンスタブ11bは、隣の配線パターンに隣接しているため、オープンスタブ12aとオープンスタブ12bの電気的な見え方は異なる。しかし、電気的な見え方が等しくなるように,オープンスタブ12bの線路幅を変えることにより、主線路5内の電流分布を対称にすることができる。
したがって、配線パターン内でもFET1の均一動作を図ることができる。同じようにオープンスタブ12cの線路幅を変えることでも同様の効果が得られる。
ここでは、配線パターンの位置によってオープンスタブの線路幅を変えるものについて示したが、配線パターンの位置によってオープンスタブの線路長を変えるようにしてもよく、同様の効果を奏することができる。
図20はこの発明の実施の形態10による高周波増幅器を示す構成図であり、図において、図19と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
アイソレーション抵抗13は複数の配線パターンの間に配置されている。
このように、アイソレーション抵抗13を配置することにより、ループ発振を防止して、増幅器を安定的に動作させることができる効果を奏する。
上記実施の形態1〜10では、オープンスタブ7の線路長が、高周波信号に含まれている2倍波のインピーダンスがショートになる寸法であるものについて示したが、この実施の形態11では、オープンスタブ7の線路長がn(nは整数)倍高調波の1/(4n)波長と実質的に等しいものとする。
オープンスタブ7は、主線路5の外側に配置されているので、3倍波に対して広帯域にショートを形成することができる。
その後のインピーダンス変成は、図4で示した2倍波のときのインピーダンス変成と同様である。
3倍波に対して広帯域に整合が取れるので、広帯域に高効率な増幅器を実現することができる。また、2倍波のときと同様に、増幅器から外部への3倍波の漏れを広帯域に抑制することができる。
また、上記実施の形態1〜10においても、オープンスタブの長さ寸法を1/(4n)波長とすることにより、n倍波に対して同様の効果が得られる。
Claims (11)
- 入力信号を増幅するトランジスタと、上記トランジスタと電気的に接続されている配線パターンが表面に形成されており、上記トランジスタのインピーダンスを変換する整合回路とを備えた高周波増幅器において、上記整合回路の表面に形成されている配線パターンは、上記トランジスタと電気的に接続されている主線路と、一端が上記主線路と接続されて、上記主線路の外側に配置されている第1のオープンスタブと、一端が上記主線路と接続されて、上記主線路の外側に配置されており、上記トランジスタから発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有する第2のオープンスタブとから構成されていることを特徴とする高周波増幅器。
- 上記整合回路と電気的に接続されて、上記整合回路及びトランジスタのインピーダンスを変換する第2の整合回路を設けたことを特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。
- 第1及び第2のオープンスタブのうち、少なくとも一方のオープンスタブにおける先端部分の線路幅が、主線路に対する接続部分の線路幅より広くなっていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波増幅器。
- 第1及び第2のオープンスタブの形状がL字形であり、上記第1のオープンスタブの先端と上記第2のオープンスタブの先端が、互いに向かい合う方向に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。
- 第1及び第2のオープンスタブのうち、少なくとも一方のオープンスタブが主線路の端部に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。
- 第1のオープンスタブと線路長が同じオープンスタブが、主線路に対して上記第1のオープンスタブと対称に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。
- 第1のオープンスタブと線路長が同じオープンスタブが、主線路に対して上記第1のオープンスタブと対称に配置され、第2のオープンスタブと線路長が同じオープンスタブが、上記主線路に対して上記第2のオープンスタブと対称に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。
- 整合回路の表面に形成されている配線パターンが複数並列に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項7のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。
- 複数の配線パターンを構成している第2のオープンスタブの線路幅又は線路長が、当該配線パターンの配置位置によって異なることを特徴とする請求項8記載の高周波増幅器。
- 複数の配線パターンの間に抵抗が配置されていることを特徴とする請求項8または請求項9記載の高周波増幅器。
- 第2のオープンスタブの線路長がn(nは整数)倍高調波の1/(4n)波長と実質的に等しいことを特徴とする請求項1から請求項10のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。
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