JP3393441B2 - 通信端末装置 - Google Patents
通信端末装置Info
- Publication number
- JP3393441B2 JP3393441B2 JP35016795A JP35016795A JP3393441B2 JP 3393441 B2 JP3393441 B2 JP 3393441B2 JP 35016795 A JP35016795 A JP 35016795A JP 35016795 A JP35016795 A JP 35016795A JP 3393441 B2 JP3393441 B2 JP 3393441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- supply voltage
- antenna
- voltage
- signal amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
発明の属する技術分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段（図１）
発明の実施の形態（図１〜図４）
発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は通信端末装置に関
し、例えば自動車電話や携帯電話として使用するものに
適用し得る。
し、例えば自動車電話や携帯電話として使用するものに
適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、自動車電話、携帯電話等の移動体
用通信端末装置が使用されている。またセルラー方式の
小型携帯電話の使用も拡大してきている。これらの移動
体用通信端末装置の使用が拡大するに従つて、都市部に
おいては、通信回線の不足が深刻になつてきており、各
国で様々な新しい移動体通信システムが立ち上がろうと
している。
用通信端末装置が使用されている。またセルラー方式の
小型携帯電話の使用も拡大してきている。これらの移動
体用通信端末装置の使用が拡大するに従つて、都市部に
おいては、通信回線の不足が深刻になつてきており、各
国で様々な新しい移動体通信システムが立ち上がろうと
している。
【０００４】新しい通信システムの多くは、アナログ通
信方式に代えて、デイジタル通信方式を採用している。
デイジタル通信方式では、現在のアナログの移動体通信
システムに比して高周波側の準マイクロ波帯を使用して
いる場合が多い。ユーザが携帯して使用する移動体用通
信端末装置（以下、携帯電話という）は、電池で駆動す
るため、内部で用いられるデバイスは、低電圧駆動及び
低消費電力化が必須である。
信方式に代えて、デイジタル通信方式を採用している。
デイジタル通信方式では、現在のアナログの移動体通信
システムに比して高周波側の準マイクロ波帯を使用して
いる場合が多い。ユーザが携帯して使用する移動体用通
信端末装置（以下、携帯電話という）は、電池で駆動す
るため、内部で用いられるデバイスは、低電圧駆動及び
低消費電力化が必須である。
【０００５】これらの準マイクロ波帯を使用する通信シ
ステムの携帯電話では、準マイクロ波信号を半導体電界
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ（Field Effect Trans
istor ）という））で処理する場合が多い。特に、準マ
イクロ波帯の使用と、携帯性の重視とのために、携帯電
話の小型化、低電圧駆動、低消費電力化を実現すること
ができる、GaAs（ガリウム・ひ素）ＦＥＴを使用したモ
ノリシツクマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣ（Mono
lithic Microwave IC ）という）の開発が重要となつて
きている。
ステムの携帯電話では、準マイクロ波信号を半導体電界
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ（Field Effect Trans
istor ）という））で処理する場合が多い。特に、準マ
イクロ波帯の使用と、携帯性の重視とのために、携帯電
話の小型化、低電圧駆動、低消費電力化を実現すること
ができる、GaAs（ガリウム・ひ素）ＦＥＴを使用したモ
ノリシツクマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣ（Mono
lithic Microwave IC ）という）の開発が重要となつて
きている。
【０００６】これらのマイクロ波信号処理デバイスの中
で、携帯電話内で高周波信号を切り換える高周波スイツ
チが、キーデバイスの１つとなつてきている。ＦＥＴを
スイツチングデバイスとして用いる場合、ＦＥＴのピン
チオフ電圧に比して充分高いゲートバイアス電圧を印加
して、ドレインとソースとの間を低インピーダンスに設
定することによつて、ＦＥＴは導通状態に切り換えられ
る。一方、ＦＥＴのピンチオフ電圧に比して充分低いゲ
ートバイアス電圧を印加して、ドレインとソースとの間
を高インピーダンスに設定することによつて、ＦＥＴは
非導通状態に切り換えられる。
で、携帯電話内で高周波信号を切り換える高周波スイツ
チが、キーデバイスの１つとなつてきている。ＦＥＴを
スイツチングデバイスとして用いる場合、ＦＥＴのピン
チオフ電圧に比して充分高いゲートバイアス電圧を印加
して、ドレインとソースとの間を低インピーダンスに設
定することによつて、ＦＥＴは導通状態に切り換えられ
る。一方、ＦＥＴのピンチオフ電圧に比して充分低いゲ
ートバイアス電圧を印加して、ドレインとソースとの間
を高インピーダンスに設定することによつて、ＦＥＴは
非導通状態に切り換えられる。
【０００７】現在市販されているGaAsＦＥＴをスイツチ
として使用した場合、ドレインとソースとの間は、導通
状態の等価回路が抵抗成分Ｒｏｎで近似され、非導通状
態の等価回路が容量成分Ｃoff で近似される。抵抗成分
Ｒon及び容量成分Ｃoff は、それぞれＦＥＴの単位ゲー
ト幅（Ｗｇ）当たり、数〔Ωmm〕、数百〔fF/mm 〕程度
である。例えば、抵抗成分Ｒon＝２〔Ωmm〕、容量成分
Ｃoff ＝300 〔fF/mm〕である。
として使用した場合、ドレインとソースとの間は、導通
状態の等価回路が抵抗成分Ｒｏｎで近似され、非導通状
態の等価回路が容量成分Ｃoff で近似される。抵抗成分
Ｒon及び容量成分Ｃoff は、それぞれＦＥＴの単位ゲー
ト幅（Ｗｇ）当たり、数〔Ωmm〕、数百〔fF/mm 〕程度
である。例えば、抵抗成分Ｒon＝２〔Ωmm〕、容量成分
Ｃoff ＝300 〔fF/mm〕である。
【０００８】ところで、セルラー方式の携帯電話では、
例えば１Ｗ程度の比較的大電力信号を切り換える必要が
ある。このため、ＦＥＴスイツチによつて、このような
大電力信号を切り換える場合は、非導通状態に切り換え
られたＦＥＴより発生する送信信号の歪を抑えることが
必要である。即ち、送信電力が大きい場合、非導通状態
のＦＥＴは導通状態に切り換わつて不要なスプリアス発
射を増大させることがあつた。
例えば１Ｗ程度の比較的大電力信号を切り換える必要が
ある。このため、ＦＥＴスイツチによつて、このような
大電力信号を切り換える場合は、非導通状態に切り換え
られたＦＥＴより発生する送信信号の歪を抑えることが
必要である。即ち、送信電力が大きい場合、非導通状態
のＦＥＴは導通状態に切り換わつて不要なスプリアス発
射を増大させることがあつた。
【０００９】この送信信号の歪を抑える一番本質的な方
法は、ＦＥＴを非導通状態に切り換えるときのゲートバ
イアス電圧をピンチオフ電圧に比して十分低い電圧に設
定することである。これは、導通バイアス電圧と非導通
バイアス電圧との差を大きくすることになり、必然的
に、ＦＥＴを用いたスイツチ用ＭＭＩＣを制御する制御
電圧の差を大きくする必要があつた。このため、GaAsＭ
ＭＩＣスイツチを例えばセルラー方式の携帯電話のアン
テナスイツチに使用する場合は、一般に、ＭＭＩＣスイ
ツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータが携帯電話内に設けら
れ、このＤＣ−ＤＣコンバータによつて昇圧した電圧に
よりＭＭＩＣスイツチを制御していた。
法は、ＦＥＴを非導通状態に切り換えるときのゲートバ
イアス電圧をピンチオフ電圧に比して十分低い電圧に設
定することである。これは、導通バイアス電圧と非導通
バイアス電圧との差を大きくすることになり、必然的
に、ＦＥＴを用いたスイツチ用ＭＭＩＣを制御する制御
電圧の差を大きくする必要があつた。このため、GaAsＭ
ＭＩＣスイツチを例えばセルラー方式の携帯電話のアン
テナスイツチに使用する場合は、一般に、ＭＭＩＣスイ
ツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータが携帯電話内に設けら
れ、このＤＣ−ＤＣコンバータによつて昇圧した電圧に
よりＭＭＩＣスイツチを制御していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に、ＭＭＩＣスイツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを携帯
電話内に設ける方法は、その分だけ消費電力及び実装面
積を増大させるという問題があつた。また携帯電話では
低電圧駆動が強く所望されているため、ＭＭＩＣスイツ
チ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを装置内に設けることは好
ましくない。
に、ＭＭＩＣスイツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを携帯
電話内に設ける方法は、その分だけ消費電力及び実装面
積を増大させるという問題があつた。また携帯電話では
低電圧駆動が強く所望されているため、ＭＭＩＣスイツ
チ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを装置内に設けることは好
ましくない。
【００１１】上述のように、携帯電話では、優れた高周
波特性、小型、高集積化の可能性により、GaAsＭＭＩＣ
アンテナスイツチの開発が所望されているが、送信信号
の歪を抑えるため高い電源電圧が必要である。このた
め、特に送信電力が大きなセルラー方式の携帯電話で
は、十分に満足できる性能を有するＭＭＩＣスイツチが
存在しなかつた。
波特性、小型、高集積化の可能性により、GaAsＭＭＩＣ
アンテナスイツチの開発が所望されているが、送信信号
の歪を抑えるため高い電源電圧が必要である。このた
め、特に送信電力が大きなセルラー方式の携帯電話で
は、十分に満足できる性能を有するＭＭＩＣスイツチが
存在しなかつた。
【００１２】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、高周波アンテナスイツチを用いると共に、低電圧駆
動する際、全体として小型化及び低消費電力化し得る通
信端末装置を提案しようとするものである。
で、高周波アンテナスイツチを用いると共に、低電圧駆
動する際、全体として小型化及び低消費電力化し得る通
信端末装置を提案しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、第１の直流電源電圧を用いて受信
信号を増幅する受信信号増幅器と、第１の直流電源電圧
に比して高い第２の直流電源電圧を用いて送信信号を増
幅する送信信号増幅器と、送信のとき、送信信号増幅器
と共に供給される第２の直流電源電圧が印加されること
によりアンテナを送信信号増幅器側に接続する第１のス
イツチング手段と、受信のとき、受信信号増幅器と共に
供給される第１の直流電源電圧が印加されることにより
アンテナを受信信号増幅器に接続する第２のスイツチン
グ手段とを設けるようにする。
め本発明においては、第１の直流電源電圧を用いて受信
信号を増幅する受信信号増幅器と、第１の直流電源電圧
に比して高い第２の直流電源電圧を用いて送信信号を増
幅する送信信号増幅器と、送信のとき、送信信号増幅器
と共に供給される第２の直流電源電圧が印加されること
によりアンテナを送信信号増幅器側に接続する第１のス
イツチング手段と、受信のとき、受信信号増幅器と共に
供給される第１の直流電源電圧が印加されることにより
アンテナを受信信号増幅器に接続する第２のスイツチン
グ手段とを設けるようにする。
【００１４】第１の直流電源電圧と、当該第１の直流電
源電圧に比して高い第２の直流電源電圧との差電圧を利
用してアンテナを送信側又は受信側に切り換えることが
できるので、アンテナスイツチ制御用の第１の直流電源
電圧及び第２の直流電源電圧の電圧差を大きくするため
のアンテナスイツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける
必要がなく小型化することができると共に、送信時にア
ンテナを送信信号増幅器に接続したときには大電力信号
を扱うに十分な導通状態に制御されて送信信号の歪みの
発生を抑えることができ、受信のときアンテナを受信信
号増幅器に接続したときには微小電力信号を扱うに十分
な導通状態に制御されて低電圧駆動することができ、か
くして全体として小型化及び低消費電力化を図ることが
できる。
源電圧に比して高い第２の直流電源電圧との差電圧を利
用してアンテナを送信側又は受信側に切り換えることが
できるので、アンテナスイツチ制御用の第１の直流電源
電圧及び第２の直流電源電圧の電圧差を大きくするため
のアンテナスイツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける
必要がなく小型化することができると共に、送信時にア
ンテナを送信信号増幅器に接続したときには大電力信号
を扱うに十分な導通状態に制御されて送信信号の歪みの
発生を抑えることができ、受信のときアンテナを受信信
号増幅器に接続したときには微小電力信号を扱うに十分
な導通状態に制御されて低電圧駆動することができ、か
くして全体として小型化及び低消費電力化を図ることが
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１６】図１は全体として準マイクロ波帯を使用す
るセルラー方式の通信端末装置としての携帯電話の高周
波部１を示し、アンテナ２を単極双投のアンテナスイツ
チ３によつて送信信号増幅器（図中、ＰＡで示す）４側
と、受信信号増幅器としての受信用低ノイズ増幅器（図
中、ＬＮＡで示す）５側とに切り換える。
るセルラー方式の通信端末装置としての携帯電話の高周
波部１を示し、アンテナ２を単極双投のアンテナスイツ
チ３によつて送信信号増幅器（図中、ＰＡで示す）４側
と、受信信号増幅器としての受信用低ノイズ増幅器（図
中、ＬＮＡで示す）５側とに切り換える。
【００１７】送信のとき、高周波部１は、送信信号増幅
器４の第２の直流電源電圧としての電源電圧Ｖdd(PA)、
例えば５〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
に与えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え
る。これにより、アンテナスイツチ３は、大電力信号を
扱うに十分な導通状態に制御されて送信信号の歪の発生
を抑えることができる。
器４の第２の直流電源電圧としての電源電圧Ｖdd(PA)、
例えば５〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
に与えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え
る。これにより、アンテナスイツチ３は、大電力信号を
扱うに十分な導通状態に制御されて送信信号の歪の発生
を抑えることができる。
【００１８】一方、受信のとき、高周波部１は、受信用
低ノイズ増幅器５の第１の直流電源電圧としての電源電
圧Ｖdd(LNA) 、例えば３〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の
制御入力端Ｐ２に与えて、アンテナ２を受信用低ノイズ
増幅器５側に切り換える。これにより、アンテナスイツ
チ３は、微小電力信号を扱うに十分な導通状態に制御さ
れる。また３〔Ｖ〕で導通状態に制御することができる
ことにより、CMOSロジツク集積回路より直接制御して導
通バイアス電圧を簡略化することもできる。
低ノイズ増幅器５の第１の直流電源電圧としての電源電
圧Ｖdd(LNA) 、例えば３〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の
制御入力端Ｐ２に与えて、アンテナ２を受信用低ノイズ
増幅器５側に切り換える。これにより、アンテナスイツ
チ３は、微小電力信号を扱うに十分な導通状態に制御さ
れる。また３〔Ｖ〕で導通状態に制御することができる
ことにより、CMOSロジツク集積回路より直接制御して導
通バイアス電圧を簡略化することもできる。
【００１９】因みに、送信信号増幅器４は、大電力信号
を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) に比して大きな電源電
圧Ｖdd(PA)を必要とする。一方、受信用低ノイズ増幅器
５は、微小電力信号を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) の
低電圧化が進んでおり、一般に３〔Ｖ〕程度で動作する
ものが主流である。電源電圧Ｖdd(PA)は、電池を電源と
して所定のＤＣ−ＤＣコンバータ（図示せず）で生成さ
れている場合が多い。
を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) に比して大きな電源電
圧Ｖdd(PA)を必要とする。一方、受信用低ノイズ増幅器
５は、微小電力信号を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) の
低電圧化が進んでおり、一般に３〔Ｖ〕程度で動作する
ものが主流である。電源電圧Ｖdd(PA)は、電池を電源と
して所定のＤＣ−ＤＣコンバータ（図示せず）で生成さ
れている場合が多い。
【００２０】図２に示すように、アンテナスイツチ３
は、例えばシングルゲートGaAs接合型ＦＥＴ６及び７を
使用したＭＭＩＣに構成されている。アンテナスイツチ
３は、アンテナ２をＦＥＴ６によつて送信信号増幅器４
に切り換える。このときアンテナスイツチ３は、電源電
圧Ｖdd(PA)（ここでは５〔Ｖ〕）を抵抗Ｒｇを介して一
方のＦＥＴ６のゲートに与える。またアンテナスイツチ
３は、アンテナ２を他方のＦＥＴ７によつて受信用低ノ
イズ増幅器５に切り換える。このときアンテナスイツチ
３は、電源電圧Ｖdd(LNA) （ここでは３〔Ｖ〕）を抵抗
Ｒｇを介してＦＥＴ７のゲートに与える。
は、例えばシングルゲートGaAs接合型ＦＥＴ６及び７を
使用したＭＭＩＣに構成されている。アンテナスイツチ
３は、アンテナ２をＦＥＴ６によつて送信信号増幅器４
に切り換える。このときアンテナスイツチ３は、電源電
圧Ｖdd(PA)（ここでは５〔Ｖ〕）を抵抗Ｒｇを介して一
方のＦＥＴ６のゲートに与える。またアンテナスイツチ
３は、アンテナ２を他方のＦＥＴ７によつて受信用低ノ
イズ増幅器５に切り換える。このときアンテナスイツチ
３は、電源電圧Ｖdd(LNA) （ここでは３〔Ｖ〕）を抵抗
Ｒｇを介してＦＥＴ７のゲートに与える。
【００２１】以上の構成において、図１に示すように、
携帯電話は、送信動作と受信動作とを同時に実行しな
い。送信のとき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(PA)を送信
信号増幅器４と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
とに同時に印加する。これによりＦＥＴ６が導通して大
電力の送信信号がアンテナに与えられる。一方、受信の
とき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(LNA) を受信用低ノイ
ズ増幅器５と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ２と
に印加する。これにより、ＦＥＴ７が導通してアンテナ
２より微小電力の受信信号が受信用低ノイズ増幅器５に
与えられる。
携帯電話は、送信動作と受信動作とを同時に実行しな
い。送信のとき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(PA)を送信
信号増幅器４と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
とに同時に印加する。これによりＦＥＴ６が導通して大
電力の送信信号がアンテナに与えられる。一方、受信の
とき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(LNA) を受信用低ノイ
ズ増幅器５と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ２と
に印加する。これにより、ＦＥＴ７が導通してアンテナ
２より微小電力の受信信号が受信用低ノイズ増幅器５に
与えられる。
【００２２】このようにして、アンテナスイツチ３の専
用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける必要がなく、その分消
費電力及び実装面積を減少させることができる。従つ
て、高周波部１を小型化、低損失化及び低コスト化し
て、低電圧駆動でアンテナスイツチ３の特色を生かすこ
とができ、携帯電話を全体として小型化及び、低消費電
力化することや低コスト化することができる。
用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける必要がなく、その分消
費電力及び実装面積を減少させることができる。従つ
て、高周波部１を小型化、低損失化及び低コスト化し
て、低電圧駆動でアンテナスイツチ３の特色を生かすこ
とができ、携帯電話を全体として小型化及び、低消費電
力化することや低コスト化することができる。
【００２３】以上の構成によれば、送信のとき送信信号
増幅器４の電源電圧Ｖdd(PA)をアンテナスイツチ３に与
えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え、受
信のとき受信用低ノイズ増幅器５の電源電圧Ｖdd(LNA)
をアンテナスイツチ３に与えて、アンテナ２を受信用低
ノイズ増幅器５側に切り換えることにより、ＭＭＩＣ構
成のアンテナスイツチ３を用いると共に、低電圧駆動す
る際、全体として小型化及び低消費電力化することがで
きる。
増幅器４の電源電圧Ｖdd(PA)をアンテナスイツチ３に与
えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え、受
信のとき受信用低ノイズ増幅器５の電源電圧Ｖdd(LNA)
をアンテナスイツチ３に与えて、アンテナ２を受信用低
ノイズ増幅器５側に切り換えることにより、ＭＭＩＣ構
成のアンテナスイツチ３を用いると共に、低電圧駆動す
る際、全体として小型化及び低消費電力化することがで
きる。
【００２４】なお上述の実施例においては、アンテナス
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴに電源電圧
Ｖdd(PA)又はＶdd(LNA) を印加し、他方のＦＥＴに負の
ゲートバイアス電圧を印加する場合にも適用し得る。こ
の場合も上述と同様の効果を得ることができる。
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴに電源電圧
Ｖdd(PA)又はＶdd(LNA) を印加し、他方のＦＥＴに負の
ゲートバイアス電圧を印加する場合にも適用し得る。こ
の場合も上述と同様の効果を得ることができる。
【００２５】即ち、最近のセルラー方式の携帯電話で
は、その高効率動作のため、GaAsＭＭＩＣ増幅器が用い
られている。またGaAs増幅器は一般に負のゲートバイア
ス電圧が必要である。この場合、例えば図３に示すよう
に、携帯電話の高周波部８は、ＣＭＯＳ論理集積回路等
から得た制御信号の電圧、例えば０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕
を制御電圧切換回路９に与えて、アンテナスイツチ３に
与える制御電圧を切り換える。
は、その高効率動作のため、GaAsＭＭＩＣ増幅器が用い
られている。またGaAs増幅器は一般に負のゲートバイア
ス電圧が必要である。この場合、例えば図３に示すよう
に、携帯電話の高周波部８は、ＣＭＯＳ論理集積回路等
から得た制御信号の電圧、例えば０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕
を制御電圧切換回路９に与えて、アンテナスイツチ３に
与える制御電圧を切り換える。
【００２６】送信のとき、高周波部８は、電源電圧Ｖdd
(PA)及び負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を制御電圧切
換回路９からアンテナスイツチ３のそれぞれ制御入力端
Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。一方、受信のと
き、高周波部８は、負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)及
び電源電圧Ｖdd(PA)を制御電圧切換回路９から制御入力
端Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。これにより、
一方のＦＥＴが導通状態に制御されたとき、他方のＦＥ
Ｔは、一段と高いインピーダンスの非導通状態に制御さ
れることになる。
(PA)及び負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を制御電圧切
換回路９からアンテナスイツチ３のそれぞれ制御入力端
Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。一方、受信のと
き、高周波部８は、負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)及
び電源電圧Ｖdd(PA)を制御電圧切換回路９から制御入力
端Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。これにより、
一方のＦＥＴが導通状態に制御されたとき、他方のＦＥ
Ｔは、一段と高いインピーダンスの非導通状態に制御さ
れることになる。
【００２７】従つて、電源電圧Ｖdd(PA)と負のゲートバ
イアス電圧Ｖgg(PA)との差電圧によりアンテナスイツチ
２を制御することになり、上述した電源電圧Ｖdd(PA)及
びＶdd(LNA) のみを用いる場合に比して一段と大電力信
号をスイツチングすることができることになる。
イアス電圧Ｖgg(PA)との差電圧によりアンテナスイツチ
２を制御することになり、上述した電源電圧Ｖdd(PA)及
びＶdd(LNA) のみを用いる場合に比して一段と大電力信
号をスイツチングすることができることになる。
【００２８】因みに、例えば図４に示すように、制御電
圧切換回路９は、電源電圧Ｖdd(PA)と負のゲートバイア
ス電圧Ｖgg(PA)との間にＦＥＴ１０及び１１でなる直列
回路と、ＦＥＴ１２及び１３でなる直列回路とが並列に
配されている。制御電圧切換回路９は、制御信号の電圧
として３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０及び
１１に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出力させ、制御信号の
電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０
及び１１に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出
力させる。
圧切換回路９は、電源電圧Ｖdd(PA)と負のゲートバイア
ス電圧Ｖgg(PA)との間にＦＥＴ１０及び１１でなる直列
回路と、ＦＥＴ１２及び１３でなる直列回路とが並列に
配されている。制御電圧切換回路９は、制御信号の電圧
として３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０及び
１１に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出力させ、制御信号の
電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０
及び１１に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出
力させる。
【００２９】制御電圧切換回路９は、制御信号の電圧と
して３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１３及び１
２に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出力さ
せ、制御信号の電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれ
ぞれＦＥＴ１３及び１２に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出
力させる。制御電圧切換回路９は、制御信号をそれぞれ
抵抗Ｒｇを介してＦＥＴ１０〜１３のゲートに与えてい
る。
して３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１３及び１
２に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出力さ
せ、制御信号の電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれ
ぞれＦＥＴ１３及び１２に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出
力させる。制御電圧切換回路９は、制御信号をそれぞれ
抵抗Ｒｇを介してＦＥＴ１０〜１３のゲートに与えてい
る。
【００３０】また上述の実施例においては、アンテナス
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴににＣＭＯ
Ｓ論理集積回路等から得た制御信号の電圧、例えば３
〔Ｖ〕を印加し、他方のＦＥＴに負のゲートバイアス電
圧Ｖggを印加する場合にも適用できる。
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴににＣＭＯ
Ｓ論理集積回路等から得た制御信号の電圧、例えば３
〔Ｖ〕を印加し、他方のＦＥＴに負のゲートバイアス電
圧Ｖggを印加する場合にも適用できる。
【００３１】さらに上述の実施例においては、アンテナ
スイツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、ア
ンテナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd
(LNA) を印加する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、少なくとも送信のとき電源電圧Ｖdd(PA)をア
ンテナスイツチに印加する場合にも適用できる。
スイツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、ア
ンテナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd
(LNA) を印加する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、少なくとも送信のとき電源電圧Ｖdd(PA)をア
ンテナスイツチに印加する場合にも適用できる。
【００３２】さらに上述の実施例においては、本発明を
セルラー方式の携帯電話に適用する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、任意の方式で通信する任意
の形状の通信端末装置にも適用できる。
セルラー方式の携帯電話に適用する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、任意の方式で通信する任意
の形状の通信端末装置にも適用できる。
【００３３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、第１の直
流電源電圧と、当該第１の直流電源電圧に比して高い第
２の直流電源電圧との差電圧を利用してアンテナを送信
側又は受信側に切り換えることができるので、アンテナ
スイツチ制御用の第１の直流電源電圧及び第２の直流電
源電圧の電圧差を大きくするためのアンテナスイツチ専
用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける必要がなく小型化する
ことができると共に、送信時にアンテナを送信信号増幅
器に接続したときには大電力信号を扱うに十分な導通状
態に制御されて送信信号の歪みの発生を抑えることがで
き、受信のときアンテナを受信信号増幅器に接続したと
きには微小電力信号を扱うに十分な導通状態に制御され
て低電圧駆動することができ、かくして全体として小型
化及び低消費電力化し得る通信端末装置を実現できる。
流電源電圧と、当該第１の直流電源電圧に比して高い第
２の直流電源電圧との差電圧を利用してアンテナを送信
側又は受信側に切り換えることができるので、アンテナ
スイツチ制御用の第１の直流電源電圧及び第２の直流電
源電圧の電圧差を大きくするためのアンテナスイツチ専
用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける必要がなく小型化する
ことができると共に、送信時にアンテナを送信信号増幅
器に接続したときには大電力信号を扱うに十分な導通状
態に制御されて送信信号の歪みの発生を抑えることがで
き、受信のときアンテナを受信信号増幅器に接続したと
きには微小電力信号を扱うに十分な導通状態に制御され
て低電圧駆動することができ、かくして全体として小型
化及び低消費電力化し得る通信端末装置を実現できる。
【図１】本発明による通信端末装置の一実施例によるセ
ルラー方式の携帯電話の高周波部を示すブロツク図であ
る。
ルラー方式の携帯電話の高周波部を示すブロツク図であ
る。
【図２】アンテナスイツチの説明に供する接続図であ
る。
る。
【図３】他の実施例による携帯電話の高周波部を示すブ
ロツク図である。
ロツク図である。
【図４】制御電圧切換回路の構成を示す接続図である。
１、８……携帯電話の高周波部、２……アンテナ、３…
…アンテナスイツチ、４……送信信号増幅器、５……受
信用低ノイズ増幅器、６、７、１０〜１３……ＦＥＴ、
９……制御電圧切換回路。
…アンテナスイツチ、４……送信信号増幅器、５……受
信用低ノイズ増幅器、６、７、１０〜１３……ＦＥＴ、
９……制御電圧切換回路。
Claims (3)
- 【請求項１】第１の直流電源電圧を用いて受信信号を増
幅する受信信号増幅器と、 上記第１の直流電源電圧に比して高い第２の直流電源電
圧を用いて送信信号を増幅する送信信号増幅器と、送信のとき、上記送信信号増幅器と共に供給される上記
第２の直流電源電圧が印加されることによりアンテナを
上記送信信号増幅器側に接続する第１のスイツチング手
段と、 受信のとき、上記受信信号増幅器と共に供給される上記
第１の直流電源電圧が印加されることにより上記アンテ
ナを上記受信信号増幅器に接続する第２のスイツチング
手段と を具える ことを特徴とする通信端末装置。 - 【請求項２】上記第１のスイツチング手段及び上記第２
のスイツチング手段は、 ガリウム砒素電界効果トランジスタでなり、集積回路に
構成されていることを特徴とする請求項１に記載の通信
端末装置。 - 【請求項３】上記ガリウム砒素電界効果トランジスタ
は、 ガリウム砒素接合型電界効果トランジスタであることを
特徴とする請求項２に記載の通信端末装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35016795A JP3393441B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 通信端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35016795A JP3393441B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 通信端末装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181642A JPH09181642A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3393441B2 true JP3393441B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=18408682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35016795A Expired - Fee Related JP3393441B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 通信端末装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393441B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU6852498A (en) * | 1998-04-16 | 1999-11-08 | Hitachi Limited | Portable communication equipment |
| JP2004135164A (ja) | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 送受信回路 |
| JP2005340550A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2005353991A (ja) | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2005353993A (ja) | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015207576A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | ソニー株式会社 | 半導体装置、アンテナスイッチ回路、および無線通信装置 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP35016795A patent/JP3393441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09181642A (ja) | 1997-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3332194B2 (ja) | スイツチ半導体集積回路及び通信端末装置 | |
| US6118343A (en) | Power Amplifier incorporating single drain switch and single negative voltage generator | |
| US6996376B2 (en) | Antenna switch | |
| EP0911985B1 (en) | Dual band transmitter with switchable matching circuit | |
| US6341216B1 (en) | Transmitter-receiver circuit for radio communication and semiconductor integrated circuit device | |
| US6970718B2 (en) | Switch apparatus and mobile communications terminal apparatus | |
| US5546051A (en) | Power amplifier and power amplification method | |
| JP2848502B2 (ja) | マイクロ波半導体スイッチ | |
| JPH08204530A (ja) | スイツチ回路 | |
| US5408198A (en) | Semiconductor power amplifier integrated circuit | |
| US20050079829A1 (en) | Antenna switch | |
| JPH10173453A (ja) | 高周波可変利得増幅装置および無線通信装置 | |
| US6774701B1 (en) | Method and apparatus for electronic switching with low insertion loss and high isolation | |
| JP3393441B2 (ja) | 通信端末装置 | |
| JP2004201262A (ja) | 増幅機能を備えたアンテナスイッチングモジュール | |
| JP3473790B2 (ja) | 信号切換え装置及び複合信号切換え装置 | |
| JP3107035B2 (ja) | 低雑音増幅器及びその制御回路 | |
| JP3890707B2 (ja) | 高周波回路 | |
| US20050233706A1 (en) | Switching circuit | |
| JP3258791B2 (ja) | 通信装置 | |
| JPH06104718A (ja) | 半導体スイッチ回路 | |
| JPH0722802A (ja) | 伝送線路スイッチ | |
| JPH09186533A (ja) | 伝送装置 | |
| US6259903B1 (en) | Tuner and if amplifier | |
| JP2001102877A (ja) | 増幅回路およびこれを用いた無線装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080131 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120131 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |