JPH09181642A - 通信端末装置 - Google Patents
通信端末装置Info
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- JPH09181642A JPH09181642A JP7350167A JP35016795A JPH09181642A JP H09181642 A JPH09181642 A JP H09181642A JP 7350167 A JP7350167 A JP 7350167A JP 35016795 A JP35016795 A JP 35016795A JP H09181642 A JPH09181642 A JP H09181642A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、通信端末装置において、高周波アン
テナスイツチを用いると共に、低電圧駆動する際、全体
として小型化及び低消費電力化し得るようにする。 【解決手段】少なくとも送信のとき、送信信号増幅器
（４）を駆動する第２の直流電源電圧（Ｖdd(PA)）をア
ンテナスイツチ（３）に与えて、アンテナ（２）を送信
信号増幅器（４）側に切り換えさせる。
テナスイツチを用いると共に、低電圧駆動する際、全体
として小型化及び低消費電力化し得るようにする。 【解決手段】少なくとも送信のとき、送信信号増幅器
（４）を駆動する第２の直流電源電圧（Ｖdd(PA)）をア
ンテナスイツチ（３）に与えて、アンテナ（２）を送信
信号増幅器（４）側に切り換えさせる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１） 発明の実施の形態（図１〜図４） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は通信端末装置に関
し、例えば自動車電話や携帯電話として使用するものに
適用し得る。
し、例えば自動車電話や携帯電話として使用するものに
適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、自動車電話、携帯電話等の移動体
用通信端末装置が使用されている。またセルラー方式の
小型携帯電話の使用も拡大してきている。これらの移動
体用通信端末装置の使用が拡大するに従つて、都市部に
おいては、通信回線の不足が深刻になつてきており、各
国で様々な新しい移動体通信システムが立ち上がろうと
している。
用通信端末装置が使用されている。またセルラー方式の
小型携帯電話の使用も拡大してきている。これらの移動
体用通信端末装置の使用が拡大するに従つて、都市部に
おいては、通信回線の不足が深刻になつてきており、各
国で様々な新しい移動体通信システムが立ち上がろうと
している。
【０００４】新しい通信システムの多くは、アナログ通
信方式に代えて、デイジタル通信方式を採用している。
デイジタル通信方式では、現在のアナログの移動体通信
システムに比して高周波側の準マイクロ波帯を使用して
いる場合が多い。ユーザが携帯して使用する移動体用通
信端末装置（以下、携帯電話という）は、電池で駆動す
るため、内部で用いられるデバイスは、低電圧駆動及び
低消費電力化が必須である。
信方式に代えて、デイジタル通信方式を採用している。
デイジタル通信方式では、現在のアナログの移動体通信
システムに比して高周波側の準マイクロ波帯を使用して
いる場合が多い。ユーザが携帯して使用する移動体用通
信端末装置（以下、携帯電話という）は、電池で駆動す
るため、内部で用いられるデバイスは、低電圧駆動及び
低消費電力化が必須である。
【０００５】これらの準マイクロ波帯を使用する通信シ
ステムの携帯電話では、準マイクロ波信号を半導体電界
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ（Field Effect Trans
istor ）という））で処理する場合が多い。特に、準マ
イクロ波帯の使用と、携帯性の重視とのために、携帯電
話の小型化、低電圧駆動、低消費電力化を実現すること
ができる、GaAs（ガリウム・ひ素）ＦＥＴを使用したモ
ノリシツクマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣ（Mono
lithic Microwave IC ）という）の開発が重要となつて
きている。
ステムの携帯電話では、準マイクロ波信号を半導体電界
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ（Field Effect Trans
istor ）という））で処理する場合が多い。特に、準マ
イクロ波帯の使用と、携帯性の重視とのために、携帯電
話の小型化、低電圧駆動、低消費電力化を実現すること
ができる、GaAs（ガリウム・ひ素）ＦＥＴを使用したモ
ノリシツクマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣ（Mono
lithic Microwave IC ）という）の開発が重要となつて
きている。
【０００６】これらのマイクロ波信号処理デバイスの中
で、携帯電話内で高周波信号を切り換える高周波スイツ
チが、キーデバイスの１つとなつてきている。ＦＥＴを
スイツチングデバイスとして用いる場合、ＦＥＴのピン
チオフ電圧に比して充分高いゲートバイアス電圧を印加
して、ドレインとソースとの間を低インピーダンスに設
定することによつて、ＦＥＴは導通状態に切り換えられ
る。一方、ＦＥＴのピンチオフ電圧に比して充分低いゲ
ートバイアス電圧を印加して、ドレインとソースとの間
を高インピーダンスに設定することによつて、ＦＥＴは
非導通状態に切り換えられる。
で、携帯電話内で高周波信号を切り換える高周波スイツ
チが、キーデバイスの１つとなつてきている。ＦＥＴを
スイツチングデバイスとして用いる場合、ＦＥＴのピン
チオフ電圧に比して充分高いゲートバイアス電圧を印加
して、ドレインとソースとの間を低インピーダンスに設
定することによつて、ＦＥＴは導通状態に切り換えられ
る。一方、ＦＥＴのピンチオフ電圧に比して充分低いゲ
ートバイアス電圧を印加して、ドレインとソースとの間
を高インピーダンスに設定することによつて、ＦＥＴは
非導通状態に切り換えられる。
【０００７】現在市販されているGaAsＦＥＴをスイツチ
として使用した場合、ドレインとソースとの間は、導通
状態の等価回路が抵抗成分Ｒｏｎで近似され、非導通状
態の等価回路が容量成分Ｃoff で近似される。抵抗成分
Ｒon及び容量成分Ｃoff は、それぞれＦＥＴの単位ゲー
ト幅（Ｗｇ）当たり、数〔Ωmm〕、数百〔fF/mm 〕程度
である。例えば、抵抗成分Ｒon＝２〔Ωmm〕、容量成分
Ｃoff ＝300 〔fF/mm〕である。
として使用した場合、ドレインとソースとの間は、導通
状態の等価回路が抵抗成分Ｒｏｎで近似され、非導通状
態の等価回路が容量成分Ｃoff で近似される。抵抗成分
Ｒon及び容量成分Ｃoff は、それぞれＦＥＴの単位ゲー
ト幅（Ｗｇ）当たり、数〔Ωmm〕、数百〔fF/mm 〕程度
である。例えば、抵抗成分Ｒon＝２〔Ωmm〕、容量成分
Ｃoff ＝300 〔fF/mm〕である。
【０００８】ところで、セルラー方式の携帯電話では、
例えば１Ｗ程度の比較的大電力信号を切り換える必要が
ある。このため、ＦＥＴスイツチによつて、このような
大電力信号を切り換える場合は、非導通状態に切り換え
られたＦＥＴより発生する送信信号の歪を抑えることが
必要である。即ち、送信電力が大きい場合、非導通状態
のＦＥＴは導通状態に切り換わつて不要なスプリアス発
射を増大させることがあつた。
例えば１Ｗ程度の比較的大電力信号を切り換える必要が
ある。このため、ＦＥＴスイツチによつて、このような
大電力信号を切り換える場合は、非導通状態に切り換え
られたＦＥＴより発生する送信信号の歪を抑えることが
必要である。即ち、送信電力が大きい場合、非導通状態
のＦＥＴは導通状態に切り換わつて不要なスプリアス発
射を増大させることがあつた。
【０００９】この送信信号の歪を抑える一番本質的な方
法は、ＦＥＴを非導通状態に切り換えるときのゲートバ
イアス電圧をピンチオフ電圧に比して十分低い電圧に設
定することである。これは、導通バイアス電圧と非導通
バイアス電圧との差を大きくすることになり、必然的
に、ＦＥＴを用いたスイツチ用ＭＭＩＣを制御する制御
電圧の差を大きくする必要があつた。このため、GaAsＭ
ＭＩＣスイツチを例えばセルラー方式の携帯電話のアン
テナスイツチに使用する場合は、一般に、ＭＭＩＣスイ
ツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータが携帯電話内に設けら
れ、このＤＣ−ＤＣコンバータによつて昇圧した電圧に
よりＭＭＩＣスイツチを制御していた。
法は、ＦＥＴを非導通状態に切り換えるときのゲートバ
イアス電圧をピンチオフ電圧に比して十分低い電圧に設
定することである。これは、導通バイアス電圧と非導通
バイアス電圧との差を大きくすることになり、必然的
に、ＦＥＴを用いたスイツチ用ＭＭＩＣを制御する制御
電圧の差を大きくする必要があつた。このため、GaAsＭ
ＭＩＣスイツチを例えばセルラー方式の携帯電話のアン
テナスイツチに使用する場合は、一般に、ＭＭＩＣスイ
ツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータが携帯電話内に設けら
れ、このＤＣ−ＤＣコンバータによつて昇圧した電圧に
よりＭＭＩＣスイツチを制御していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に、ＭＭＩＣスイツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを携帯
電話内に設ける方法は、その分だけ消費電力及び実装面
積を増大させるという問題があつた。また携帯電話では
低電圧駆動が強く所望されているため、ＭＭＩＣスイツ
チ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを装置内に設けることは好
ましくない。
に、ＭＭＩＣスイツチ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを携帯
電話内に設ける方法は、その分だけ消費電力及び実装面
積を増大させるという問題があつた。また携帯電話では
低電圧駆動が強く所望されているため、ＭＭＩＣスイツ
チ専用ＤＣ−ＤＣコンバータを装置内に設けることは好
ましくない。
【００１１】上述のように、携帯電話では、優れた高周
波特性、小型、高集積化の可能性により、GaAsＭＭＩＣ
アンテナスイツチの開発が所望されているが、送信信号
の歪を抑えるため高い電源電圧が必要である。このた
め、特に送信電力が大きなセルラー方式の携帯電話で
は、十分に満足できる性能を有するＭＭＩＣスイツチが
存在しなかつた。
波特性、小型、高集積化の可能性により、GaAsＭＭＩＣ
アンテナスイツチの開発が所望されているが、送信信号
の歪を抑えるため高い電源電圧が必要である。このた
め、特に送信電力が大きなセルラー方式の携帯電話で
は、十分に満足できる性能を有するＭＭＩＣスイツチが
存在しなかつた。
【００１２】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、高周波アンテナスイツチを用いると共に、低電圧駆
動する際、全体として小型化及び低消費電力化し得る通
信端末装置を提案しようとするものである。
で、高周波アンテナスイツチを用いると共に、低電圧駆
動する際、全体として小型化及び低消費電力化し得る通
信端末装置を提案しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、通信端末装置に、第１の直流電源
電圧が印加され、受信信号を増幅する受信信号増幅器
と、第１の直流電源電圧に比して高い第２の直流電源電
圧が印加され、送信信号を増幅する送信信号増幅器と、
送信のときアンテナを送信信号増幅器側に切り換え、受
信のときアンテナを受信信号増幅器側に切り換えるアン
テナスイツチとを設け、少なくとも送信のとき第２の直
流電源電圧をアンテナスイツチに印加して、アンテナを
送信信号増幅器側に切り換えさせる。
め本発明においては、通信端末装置に、第１の直流電源
電圧が印加され、受信信号を増幅する受信信号増幅器
と、第１の直流電源電圧に比して高い第２の直流電源電
圧が印加され、送信信号を増幅する送信信号増幅器と、
送信のときアンテナを送信信号増幅器側に切り換え、受
信のときアンテナを受信信号増幅器側に切り換えるアン
テナスイツチとを設け、少なくとも送信のとき第２の直
流電源電圧をアンテナスイツチに印加して、アンテナを
送信信号増幅器側に切り換えさせる。
【００１４】少なくとも送信のとき、送信信号増幅器を
駆動する第２の直流電源電圧をアンテナスイツチに与え
て、アンテナを送信信号増幅器側に切り換えさせること
により、高周波アンテナスイツチを用いると共に、低電
圧駆動する際、全体として小型化及び低消費電力化する
ことができる。
駆動する第２の直流電源電圧をアンテナスイツチに与え
て、アンテナを送信信号増幅器側に切り換えさせること
により、高周波アンテナスイツチを用いると共に、低電
圧駆動する際、全体として小型化及び低消費電力化する
ことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１６】図１は全体として準マイクロ波帯を使用す
るセルラー方式の通信端末装置としての携帯電話の高周
波部１を示し、アンテナ２を単極双投のアンテナスイツ
チ３によつて送信信号増幅器（図中、ＰＡで示す）４側
と、受信信号増幅器としての受信用低ノイズ増幅器（図
中、ＬＮＡで示す）５側とに切り換える。
るセルラー方式の通信端末装置としての携帯電話の高周
波部１を示し、アンテナ２を単極双投のアンテナスイツ
チ３によつて送信信号増幅器（図中、ＰＡで示す）４側
と、受信信号増幅器としての受信用低ノイズ増幅器（図
中、ＬＮＡで示す）５側とに切り換える。
【００１７】送信のとき、高周波部１は、送信信号増幅
器４の第２の直流電源電圧としての電源電圧Ｖdd(PA)、
例えば５〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
に与えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え
る。これにより、アンテナスイツチ３は、大電力信号を
扱うに十分な導通状態に制御されて送信信号の歪の発生
を抑えることができる。
器４の第２の直流電源電圧としての電源電圧Ｖdd(PA)、
例えば５〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
に与えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え
る。これにより、アンテナスイツチ３は、大電力信号を
扱うに十分な導通状態に制御されて送信信号の歪の発生
を抑えることができる。
【００１８】一方、受信のとき、高周波部１は、受信用
低ノイズ増幅器５の第１の直流電源電圧としての電源電
圧Ｖdd(LNA) 、例えば３〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の
制御入力端Ｐ２に与えて、アンテナ２を受信用低ノイズ
増幅器５側に切り換える。これにより、アンテナスイツ
チ３は、微小電力信号を扱うに十分な導通状態に制御さ
れる。また３〔Ｖ〕で導通状態に制御することができる
ことにより、CMOSロジツク集積回路より直接制御して導
通バイアス電圧を簡略化することもできる。
低ノイズ増幅器５の第１の直流電源電圧としての電源電
圧Ｖdd(LNA) 、例えば３〔Ｖ〕をアンテナスイツチ３の
制御入力端Ｐ２に与えて、アンテナ２を受信用低ノイズ
増幅器５側に切り換える。これにより、アンテナスイツ
チ３は、微小電力信号を扱うに十分な導通状態に制御さ
れる。また３〔Ｖ〕で導通状態に制御することができる
ことにより、CMOSロジツク集積回路より直接制御して導
通バイアス電圧を簡略化することもできる。
【００１９】因みに、送信信号増幅器４は、大電力信号
を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) に比して大きな電源電
圧Ｖdd(PA)を必要とする。一方、受信用低ノイズ増幅器
５は、微小電力信号を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) の
低電圧化が進んでおり、一般に３〔Ｖ〕程度で動作する
ものが主流である。電源電圧Ｖdd(PA)は、電池を電源と
して所定のＤＣ−ＤＣコンバータ（図示せず）で生成さ
れている場合が多い。
を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) に比して大きな電源電
圧Ｖdd(PA)を必要とする。一方、受信用低ノイズ増幅器
５は、微小電力信号を扱うため、電源電圧Ｖdd(LNA) の
低電圧化が進んでおり、一般に３〔Ｖ〕程度で動作する
ものが主流である。電源電圧Ｖdd(PA)は、電池を電源と
して所定のＤＣ−ＤＣコンバータ（図示せず）で生成さ
れている場合が多い。
【００２０】図２に示すように、アンテナスイツチ３
は、例えばシングルゲートGaAs接合型ＦＥＴ６及び７を
使用したＭＭＩＣに構成されている。アンテナスイツチ
３は、アンテナ２をＦＥＴ６によつて送信信号増幅器４
に切り換える。このときアンテナスイツチ３は、電源電
圧Ｖdd(PA)（ここでは５〔Ｖ〕）を抵抗Ｒｇを介して一
方のＦＥＴ６のゲートに与える。またアンテナスイツチ
３は、アンテナ２を他方のＦＥＴ７によつて受信用低ノ
イズ増幅器５に切り換える。このときアンテナスイツチ
３は、電源電圧Ｖdd(LNA) （ここでは３〔Ｖ〕）を抵抗
Ｒｇを介してＦＥＴ７のゲートに与える。
は、例えばシングルゲートGaAs接合型ＦＥＴ６及び７を
使用したＭＭＩＣに構成されている。アンテナスイツチ
３は、アンテナ２をＦＥＴ６によつて送信信号増幅器４
に切り換える。このときアンテナスイツチ３は、電源電
圧Ｖdd(PA)（ここでは５〔Ｖ〕）を抵抗Ｒｇを介して一
方のＦＥＴ６のゲートに与える。またアンテナスイツチ
３は、アンテナ２を他方のＦＥＴ７によつて受信用低ノ
イズ増幅器５に切り換える。このときアンテナスイツチ
３は、電源電圧Ｖdd(LNA) （ここでは３〔Ｖ〕）を抵抗
Ｒｇを介してＦＥＴ７のゲートに与える。
【００２１】以上の構成において、図１に示すように、
携帯電話は、送信動作と受信動作とを同時に実行しな
い。送信のとき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(PA)を送信
信号増幅器４と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
とに同時に印加する。これによりＦＥＴ６が導通して大
電力の送信信号がアンテナに与えられる。一方、受信の
とき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(LNA) を受信用低ノイ
ズ増幅器５と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ２と
に印加する。これにより、ＦＥＴ７が導通してアンテナ
２より微小電力の受信信号が受信用低ノイズ増幅器５に
与えられる。
携帯電話は、送信動作と受信動作とを同時に実行しな
い。送信のとき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(PA)を送信
信号増幅器４と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ１
とに同時に印加する。これによりＦＥＴ６が導通して大
電力の送信信号がアンテナに与えられる。一方、受信の
とき、携帯電話は、電源電圧Ｖdd(LNA) を受信用低ノイ
ズ増幅器５と、アンテナスイツチ３の制御入力端Ｐ２と
に印加する。これにより、ＦＥＴ７が導通してアンテナ
２より微小電力の受信信号が受信用低ノイズ増幅器５に
与えられる。
【００２２】このようにして、アンテナスイツチ３の専
用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける必要がなく、その分消
費電力及び実装面積を減少させることができる。従つ
て、高周波部１を小型化、低損失化及び低コスト化し
て、低電圧駆動でアンテナスイツチ３の特色を生かすこ
とができ、携帯電話を全体として小型化及び、低消費電
力化することや低コスト化することができる。
用ＤＣ−ＤＣコンバータを設ける必要がなく、その分消
費電力及び実装面積を減少させることができる。従つ
て、高周波部１を小型化、低損失化及び低コスト化し
て、低電圧駆動でアンテナスイツチ３の特色を生かすこ
とができ、携帯電話を全体として小型化及び、低消費電
力化することや低コスト化することができる。
【００２３】以上の構成によれば、送信のとき送信信号
増幅器４の電源電圧Ｖdd(PA)をアンテナスイツチ３に与
えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え、受
信のとき受信用低ノイズ増幅器５の電源電圧Ｖdd(LNA)
をアンテナスイツチ３に与えて、アンテナ２を受信用低
ノイズ増幅器５側に切り換えることにより、ＭＭＩＣ構
成のアンテナスイツチ３を用いると共に、低電圧駆動す
る際、全体として小型化及び低消費電力化することがで
きる。
増幅器４の電源電圧Ｖdd(PA)をアンテナスイツチ３に与
えて、アンテナ２を送信信号増幅器４側に切り換え、受
信のとき受信用低ノイズ増幅器５の電源電圧Ｖdd(LNA)
をアンテナスイツチ３に与えて、アンテナ２を受信用低
ノイズ増幅器５側に切り換えることにより、ＭＭＩＣ構
成のアンテナスイツチ３を用いると共に、低電圧駆動す
る際、全体として小型化及び低消費電力化することがで
きる。
【００２４】なお上述の実施例においては、アンテナス
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴに電源電圧
Ｖdd(PA)又はＶdd(LNA) を印加し、他方のＦＥＴに負の
ゲートバイアス電圧を印加する場合にも適用し得る。こ
の場合も上述と同様の効果を得ることができる。
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴに電源電圧
Ｖdd(PA)又はＶdd(LNA) を印加し、他方のＦＥＴに負の
ゲートバイアス電圧を印加する場合にも適用し得る。こ
の場合も上述と同様の効果を得ることができる。
【００２５】即ち、最近のセルラー方式の携帯電話で
は、その高効率動作のため、GaAsＭＭＩＣ増幅器が用い
られている。またGaAs増幅器は一般に負のゲートバイア
ス電圧が必要である。この場合、例えば図３に示すよう
に、携帯電話の高周波部８は、ＣＭＯＳ論理集積回路等
から得た制御信号の電圧、例えば０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕
を制御電圧切換回路９に与えて、アンテナスイツチ３に
与える制御電圧を切り換える。
は、その高効率動作のため、GaAsＭＭＩＣ増幅器が用い
られている。またGaAs増幅器は一般に負のゲートバイア
ス電圧が必要である。この場合、例えば図３に示すよう
に、携帯電話の高周波部８は、ＣＭＯＳ論理集積回路等
から得た制御信号の電圧、例えば０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕
を制御電圧切換回路９に与えて、アンテナスイツチ３に
与える制御電圧を切り換える。
【００２６】送信のとき、高周波部８は、電源電圧Ｖdd
(PA)及び負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を制御電圧切
換回路９からアンテナスイツチ３のそれぞれ制御入力端
Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。一方、受信のと
き、高周波部８は、負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)及
び電源電圧Ｖdd(PA)を制御電圧切換回路９から制御入力
端Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。これにより、
一方のＦＥＴが導通状態に制御されたとき、他方のＦＥ
Ｔは、一段と高いインピーダンスの非導通状態に制御さ
れることになる。
(PA)及び負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を制御電圧切
換回路９からアンテナスイツチ３のそれぞれ制御入力端
Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。一方、受信のと
き、高周波部８は、負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)及
び電源電圧Ｖdd(PA)を制御電圧切換回路９から制御入力
端Ｐ１及びＰ２に制御電圧として与える。これにより、
一方のＦＥＴが導通状態に制御されたとき、他方のＦＥ
Ｔは、一段と高いインピーダンスの非導通状態に制御さ
れることになる。
【００２７】従つて、電源電圧Ｖdd(PA)と負のゲートバ
イアス電圧Ｖgg(PA)との差電圧によりアンテナスイツチ
２を制御することになり、上述した電源電圧Ｖdd(PA)及
びＶdd(LNA) のみを用いる場合に比して一段と大電力信
号をスイツチングすることができることになる。
イアス電圧Ｖgg(PA)との差電圧によりアンテナスイツチ
２を制御することになり、上述した電源電圧Ｖdd(PA)及
びＶdd(LNA) のみを用いる場合に比して一段と大電力信
号をスイツチングすることができることになる。
【００２８】因みに、例えば図４に示すように、制御電
圧切換回路９は、電源電圧Ｖdd(PA)と負のゲートバイア
ス電圧Ｖgg(PA)との間にＦＥＴ１０及び１１でなる直列
回路と、ＦＥＴ１２及び１３でなる直列回路とが並列に
配されている。制御電圧切換回路９は、制御信号の電圧
として３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０及び
１１に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出力させ、制御信号の
電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０
及び１１に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出
力させる。
圧切換回路９は、電源電圧Ｖdd(PA)と負のゲートバイア
ス電圧Ｖgg(PA)との間にＦＥＴ１０及び１１でなる直列
回路と、ＦＥＴ１２及び１３でなる直列回路とが並列に
配されている。制御電圧切換回路９は、制御信号の電圧
として３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０及び
１１に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出力させ、制御信号の
電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１０
及び１１に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出
力させる。
【００２９】制御電圧切換回路９は、制御信号の電圧と
して３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１３及び１
２に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出力さ
せ、制御信号の電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれ
ぞれＦＥＴ１３及び１２に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出
力させる。制御電圧切換回路９は、制御信号をそれぞれ
抵抗Ｒｇを介してＦＥＴ１０〜１３のゲートに与えてい
る。
して３〔Ｖ〕及び０〔Ｖ〕をそれぞれＦＥＴ１３及び１
２に与えて負のゲートバイアス電圧Ｖgg(PA)を出力さ
せ、制御信号の電圧として０〔Ｖ〕及び３〔Ｖ〕をそれ
ぞれＦＥＴ１３及び１２に与えて電源電圧Ｖdd(PA)を出
力させる。制御電圧切換回路９は、制御信号をそれぞれ
抵抗Ｒｇを介してＦＥＴ１０〜１３のゲートに与えてい
る。
【００３０】また上述の実施例においては、アンテナス
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴににＣＭＯ
Ｓ論理集積回路等から得た制御信号の電圧、例えば３
〔Ｖ〕を印加し、他方のＦＥＴに負のゲートバイアス電
圧Ｖggを印加する場合にも適用できる。
イツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、アン
テナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd(L
NA)を印加する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、アンテナスイツチ３の一方のＦＥＴににＣＭＯ
Ｓ論理集積回路等から得た制御信号の電圧、例えば３
〔Ｖ〕を印加し、他方のＦＥＴに負のゲートバイアス電
圧Ｖggを印加する場合にも適用できる。
【００３１】さらに上述の実施例においては、アンテナ
スイツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、ア
ンテナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd
(LNA) を印加する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、少なくとも送信のとき電源電圧Ｖdd(PA)をア
ンテナスイツチに印加する場合にも適用できる。
スイツチ３の一方のＦＥＴを導通状態に制御する際、ア
ンテナスイツチ３にそれぞれ電源電圧Ｖdd(PA)又はＶdd
(LNA) を印加する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、少なくとも送信のとき電源電圧Ｖdd(PA)をア
ンテナスイツチに印加する場合にも適用できる。
【００３２】さらに上述の実施例においては、本発明を
セルラー方式の携帯電話に適用する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、任意の方式で通信する任意
の形状の通信端末装置にも適用できる。
セルラー方式の携帯電話に適用する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、任意の方式で通信する任意
の形状の通信端末装置にも適用できる。
【００３３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、少なくと
も送信のとき、送信信号増幅器を駆動する第２の直流電
源電圧をアンテナスイツチに与えて、アンテナを送信信
号増幅器側に切り換えさせることにより、高周波アンテ
ナスイツチを用いると共に、低電圧駆動する際、全体と
して小型化及び低消費電力化し得る通信端末装置を実現
できる。
も送信のとき、送信信号増幅器を駆動する第２の直流電
源電圧をアンテナスイツチに与えて、アンテナを送信信
号増幅器側に切り換えさせることにより、高周波アンテ
ナスイツチを用いると共に、低電圧駆動する際、全体と
して小型化及び低消費電力化し得る通信端末装置を実現
できる。
【図１】本発明による通信端末装置の一実施例によるセ
ルラー方式の携帯電話の高周波部を示すブロツク図であ
る。
ルラー方式の携帯電話の高周波部を示すブロツク図であ
る。
【図２】アンテナスイツチの説明に供する接続図であ
る。
る。
【図３】他の実施例による携帯電話の高周波部を示すブ
ロツク図である。
ロツク図である。
【図４】制御電圧切換回路の構成を示す接続図である。
１、８……携帯電話の高周波部、２……アンテナ、３…
…アンテナスイツチ、４……送信信号増幅器、５……受
信用低ノイズ増幅器、６、７、１０〜１３……ＦＥＴ、
９……制御電圧切換回路。
…アンテナスイツチ、４……送信信号増幅器、５……受
信用低ノイズ増幅器、６、７、１０〜１３……ＦＥＴ、
９……制御電圧切換回路。
Claims (5)
- 【請求項１】第１の直流電源電圧が印加され、受信信号
を増幅する受信信号増幅器と、 上記第１の直流電源電圧に比して高い第２の直流電源電
圧が印加され、送信信号を増幅する送信信号増幅器と、 送信のときアンテナを上記送信信号増幅器側に切り換
え、受信のとき上記アンテナを上記受信信号増幅器側に
切り換えるアンテナスイツチとを具え、少なくとも送信
のとき上記第２の直流電源電圧を上記アンテナスイツチ
に印加して、上記アンテナを上記送信信号増幅器側に切
り換えさせることを特徴とする通信端末装置。 - 【請求項２】受信のとき上記第１の直流電源電圧を上記
アンテナスイツチに印加して、上記アンテナを上記受信
信号増幅器側に切り換えさせることを特徴とする請求項
１に記載の通信端末装置。 - 【請求項３】少なくとも送信のとき、上記第２の直流電
源電圧と逆極性の送信信号増幅器を動作させるための第
３の電源電圧を上記アンテナスイツチに印加して、上記
アンテナを上記受信信号増幅器から遮断させることを特
徴とする請求項１に記載の通信端末装置。 - 【請求項４】上記アンテナスイツチは、 ガリウム砒素電界効果トランジスタでなり、集積回路に
構成されていることを特徴とする請求項１に記載の通信
端末装置。 - 【請求項５】上記ガリウム砒素電界効果トランジスタ
は、 ガリウム砒素接合型電界効果トランジスタであることを
特徴とする請求項４に記載の通信端末装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35016795A JP3393441B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 通信端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35016795A JP3393441B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 通信端末装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181642A true JPH09181642A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3393441B2 JP3393441B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=18408682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35016795A Expired - Fee Related JP3393441B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 通信端末装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393441B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054935A1 (fr) * | 1998-04-16 | 1999-10-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif portable de telecommunications |
| US7193255B2 (en) | 2004-05-28 | 2007-03-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with floating conducting region placed between device elements |
| US7199407B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-04-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7203465B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-04-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Receiver/transmitter circuit |
| US7294900B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-11-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2015159668A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置、アンテナスイッチ回路、および無線通信装置 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP35016795A patent/JP3393441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054935A1 (fr) * | 1998-04-16 | 1999-10-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif portable de telecommunications |
| US7203465B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-04-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Receiver/transmitter circuit |
| US7193255B2 (en) | 2004-05-28 | 2007-03-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with floating conducting region placed between device elements |
| US7199407B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-04-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7294900B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-11-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2015159668A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置、アンテナスイッチ回路、および無線通信装置 |
| CN106133890A (zh) * | 2014-04-17 | 2016-11-16 | 索尼公司 | 半导体器件、天线开关电路和无线通信装置 |
| US10199473B2 (en) | 2014-04-17 | 2019-02-05 | Sony Corporation | Semiconductor device, antenna switch circuit, and wireless communication apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3393441B2 (ja) | 2003-04-07 |
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