JPH07115381A - 携帯電話端末の送信電力制御回路 - Google Patents
携帯電話端末の送信電力制御回路Info
- Publication number
- JPH07115381A JPH07115381A JP5260274A JP26027493A JPH07115381A JP H07115381 A JPH07115381 A JP H07115381A JP 5260274 A JP5260274 A JP 5260274A JP 26027493 A JP26027493 A JP 26027493A JP H07115381 A JPH07115381 A JP H07115381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- control circuit
- power
- fet
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Transceivers (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 携帯電話端末の送信部の被変調信号をＦＥＴ
で多段増幅する高出力増幅器の出力電力を所定値になる
様に制御する送信電力制御回路に関し、其の高出力増幅
器の出力電力を其の最大値より小さい所定値に制御する
時でも、其の電源電力の変換効率が劣化しない様なＦＥ
Ｔ（トランジスタ）使用の高出力増幅器の送信電力制御
回路の実現を目的とする。 【構成】 携帯電話端末の送信部の被変調信号を素子Ｆ
ＥＴで多段増幅する高出力増幅器(14)の出力電力を所定
値になる様に制御する送信電力制御回路において、該高
出力増幅器(14)の素子ＦＥＴのドレイン電圧(Vd)を０v
としゲート電圧(Vg)を負方向に変えられる制御信号(C)
を生成する制御回路(1) を具え、該制御回路(1) の出力
の制御信号(C)に制御される高出力増幅器(14)の多段の
ＦＥＴのうち必要とするＦＥＴが利得の無い減衰器とし
て動作し該高出力増幅器の出力電力を最大値から一定値
下った所定値とするように構成する。
で多段増幅する高出力増幅器の出力電力を所定値になる
様に制御する送信電力制御回路に関し、其の高出力増幅
器の出力電力を其の最大値より小さい所定値に制御する
時でも、其の電源電力の変換効率が劣化しない様なＦＥ
Ｔ（トランジスタ）使用の高出力増幅器の送信電力制御
回路の実現を目的とする。 【構成】 携帯電話端末の送信部の被変調信号を素子Ｆ
ＥＴで多段増幅する高出力増幅器(14)の出力電力を所定
値になる様に制御する送信電力制御回路において、該高
出力増幅器(14)の素子ＦＥＴのドレイン電圧(Vd)を０v
としゲート電圧(Vg)を負方向に変えられる制御信号(C)
を生成する制御回路(1) を具え、該制御回路(1) の出力
の制御信号(C)に制御される高出力増幅器(14)の多段の
ＦＥＴのうち必要とするＦＥＴが利得の無い減衰器とし
て動作し該高出力増幅器の出力電力を最大値から一定値
下った所定値とするように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてディジタル移
動通信（携帯電話）の端末の送信部に使用されて、其の
電源消費電力の低減の為と送信出力を小さくし電波の到
達領域（ゾーン）を小さくして同じ無線周波数を他領域
でも繰返し使用し無線周波数の有効利用を図る観点か
ら、送信出力を其の最大値の例えば２Wから所定値O.8W
に下げるために例えば 0〜−24 dB 又は 0〜−20 dB の
制御範囲で４dBづつ減衰量を変化させる携帯電話端末の
送信電力制御回路の構成に関するものである。
動通信（携帯電話）の端末の送信部に使用されて、其の
電源消費電力の低減の為と送信出力を小さくし電波の到
達領域（ゾーン）を小さくして同じ無線周波数を他領域
でも繰返し使用し無線周波数の有効利用を図る観点か
ら、送信出力を其の最大値の例えば２Wから所定値O.8W
に下げるために例えば 0〜−24 dB 又は 0〜−20 dB の
制御範囲で４dBづつ減衰量を変化させる携帯電話端末の
送信電力制御回路の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ディジタル自動車電話（又は携帯電話）
システムでは、移動端末の電源消費電力の低減が重要な
課題となっている。特に其の送信部の被変調の無線周波
信号RFを所定出力値に増幅する高出力増幅器の入出力の
直線性と電源電力変換の高効率の両立は困難である。ま
た、高出力増幅器の電源消費電力が、該移動端末の電源
消費電力の大部分を占めているので、高出力増幅器のRF
出力の電源電力からの変換効率の向上が、該端末の低消
費電力化に直接的に寄与する。従来から移動端末の高出
力増幅器には、電源電力の変換効率が高いGaAs（ガリゥ
ム砒素）ＦＥＴ(電界効果トランジスタ)を素子とする多
段構成の電力増幅器が使用されている。また、従来のＦ
ＥＴ使用の高出力増幅器の出力である送信出力の制御
を、各段は電源電力の変換効率の良い非線形動作のまま
として行うことにより、其の電源消費電力の低減を行っ
て来た。図９に従来のディジタル携帯無線機の送信部の
送信電力制御回路の構成を示す。この図９の構成では、
其の送信部の高出力増幅器14の出力の送信電力制御を、
其の前段の可変電力手段13を送信電力制御回路12で生成
した制御信号c により制御し該可変電力手段13と高出力
増幅器14の全体利得を変化させる事で、行っている。一
方、高出力増幅器14は、一般に其の送信出力が最大出力
の時に電源電力変換効率が最大となる様に、各段のＦＥ
Ｔが設計されている。また、高出力増幅器14は全体とし
て被変調信号の電力増幅器であるので其の出力電力／入
力電力の利得の線形性を確保する為に、各ＦＥＴのドレ
インD からソースS へアイドル電流を流している。その
故に、其の送信電力制御の時に電源電力変換の効率の劣
化を生じていた。そして其のアイドル電流は、特に高出
力増幅器14の最終段ＦＥＴ３において大きい。
システムでは、移動端末の電源消費電力の低減が重要な
課題となっている。特に其の送信部の被変調の無線周波
信号RFを所定出力値に増幅する高出力増幅器の入出力の
直線性と電源電力変換の高効率の両立は困難である。ま
た、高出力増幅器の電源消費電力が、該移動端末の電源
消費電力の大部分を占めているので、高出力増幅器のRF
出力の電源電力からの変換効率の向上が、該端末の低消
費電力化に直接的に寄与する。従来から移動端末の高出
力増幅器には、電源電力の変換効率が高いGaAs（ガリゥ
ム砒素）ＦＥＴ(電界効果トランジスタ)を素子とする多
段構成の電力増幅器が使用されている。また、従来のＦ
ＥＴ使用の高出力増幅器の出力である送信出力の制御
を、各段は電源電力の変換効率の良い非線形動作のまま
として行うことにより、其の電源消費電力の低減を行っ
て来た。図９に従来のディジタル携帯無線機の送信部の
送信電力制御回路の構成を示す。この図９の構成では、
其の送信部の高出力増幅器14の出力の送信電力制御を、
其の前段の可変電力手段13を送信電力制御回路12で生成
した制御信号c により制御し該可変電力手段13と高出力
増幅器14の全体利得を変化させる事で、行っている。一
方、高出力増幅器14は、一般に其の送信出力が最大出力
の時に電源電力変換効率が最大となる様に、各段のＦＥ
Ｔが設計されている。また、高出力増幅器14は全体とし
て被変調信号の電力増幅器であるので其の出力電力／入
力電力の利得の線形性を確保する為に、各ＦＥＴのドレ
インD からソースS へアイドル電流を流している。その
故に、其の送信電力制御の時に電源電力変換の効率の劣
化を生じていた。そして其のアイドル電流は、特に高出
力増幅器14の最終段ＦＥＴ３において大きい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って上記の従来のデ
ィジタル携帯無線機（端末) の送信電力制御回路では、
可変電力手段13で高出力増幅器14の出力の送信電力の制
御を行うだけであり，高出力増幅器14の出力電力を最大
値より小さくした時の電源電力変換効率の劣化が考慮さ
れていないと云う問題が有った。本発明の目的は、高出
力増幅器14の出力電力を最大値より小さい値に設定しよ
うと制御する時でも、其の電源電力変換効率が劣化しな
い様なＦＥＴ（トランジスタ）使用の高出力増幅器14の
送信電力制御回路を実現することにある。
ィジタル携帯無線機（端末) の送信電力制御回路では、
可変電力手段13で高出力増幅器14の出力の送信電力の制
御を行うだけであり，高出力増幅器14の出力電力を最大
値より小さくした時の電源電力変換効率の劣化が考慮さ
れていないと云う問題が有った。本発明の目的は、高出
力増幅器14の出力電力を最大値より小さい値に設定しよ
うと制御する時でも、其の電源電力変換効率が劣化しな
い様なＦＥＴ（トランジスタ）使用の高出力増幅器14の
送信電力制御回路を実現することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的達成のための本
発明の携帯電話端末の送信電力制御回路の基本構成は、
一般にGaAsＦＥＴを増幅素子として使用する電力増幅器
では、其のドレインDの直流印加電圧Vdが０v の時に其
の出力電力／入力電力の利得が、図２の特性説明図に示
す如く、負性となり該電力増幅器が減衰器として動作す
る。そして其の減衰量は、各ＦＥＴのゲートG の直流バ
イアス電圧Vgを、図３の特性説明図の如く、Vg＝０ｖ，
−１v,−２v,−３v と負方向に変化させると、順次大き
な減衰値に変化する事に着目して、本発明の基本構成の
請求項１を表す図１の原理図を参照し、素子ＦＥＴを多
段に使用する高出力増幅器14の最終段のＦＥＴ３（減衰
量として必要ならば通常は高利得増幅の其の前段ＦＥＴ
２）のドレインD の直流印加電圧Vdを０v とし、其のゲ
ートG の直流バイアス電圧Vgを０ｖから負方向に順次大
きくなる様に変化させる事の可能な制御信号C を生成す
る「ドレイン電圧,ゲート電圧の制御回路」(1) を設
け、其の生成した制御信号C により高出力増幅器14の必
要とするＦＥＴを減衰器として動作させるように構成す
る。
発明の携帯電話端末の送信電力制御回路の基本構成は、
一般にGaAsＦＥＴを増幅素子として使用する電力増幅器
では、其のドレインDの直流印加電圧Vdが０v の時に其
の出力電力／入力電力の利得が、図２の特性説明図に示
す如く、負性となり該電力増幅器が減衰器として動作す
る。そして其の減衰量は、各ＦＥＴのゲートG の直流バ
イアス電圧Vgを、図３の特性説明図の如く、Vg＝０ｖ，
−１v,−２v,−３v と負方向に変化させると、順次大き
な減衰値に変化する事に着目して、本発明の基本構成の
請求項１を表す図１の原理図を参照し、素子ＦＥＴを多
段に使用する高出力増幅器14の最終段のＦＥＴ３（減衰
量として必要ならば通常は高利得増幅の其の前段ＦＥＴ
２）のドレインD の直流印加電圧Vdを０v とし、其のゲ
ートG の直流バイアス電圧Vgを０ｖから負方向に順次大
きくなる様に変化させる事の可能な制御信号C を生成す
る「ドレイン電圧,ゲート電圧の制御回路」(1) を設
け、其の生成した制御信号C により高出力増幅器14の必
要とするＦＥＴを減衰器として動作させるように構成す
る。
【０００５】
【作用】本発明の基本構成の請求項１では、図１の原理
図の「ドレイン電圧, ゲート電圧の制御回路」(1) の生
成出力の制御信号C が、図２のＦＥＴの入出力特性を参
照し、高出力増幅器14の最終段のＦＥＴ３（必要ならば
其の前段ＦＥＴ２）のドレインD の直流印加電圧 Vd
を、例えばVd＝６v からVd＝０v へ順次下げると、該高
出力増幅器14の出力電力／入力電力の利得と出力電力の
飽和点とが下がる。しかし、Vd＝０v として該当のＦＥ
Ｔを増幅動作の完全なOFF 状態とする事により、該当Ｆ
ＥＴが、増幅利得は無いが入出力特性の線形性の良い状
態となる。従って、該ＦＥＴのドレインD の直流制御電
圧 Vd を完全にVd＝０v とする事により、該当ＦＥＴは
利得の無い減衰器として動作する。その上、ドレインD
からソースS へドレイン電流が流れないので、RF信号の
電力増幅器として電源電力変換効率が改善される。ま
た、図３のＦＥＴの入出力特性を参照し、同じ「ドレイ
ン電圧, ゲート電圧の制御回路」(1) の出力の制御信号
C により、該当ＦＥＴは、其のドレイン電圧Vdが０v の
時に, ゲート電圧Vgを負方向に変化させる事により、其
の利得（減衰) が変化するので、該当ＦＥＴは利得の無
い一定減衰量の減衰器として使用可能となる。
図の「ドレイン電圧, ゲート電圧の制御回路」(1) の生
成出力の制御信号C が、図２のＦＥＴの入出力特性を参
照し、高出力増幅器14の最終段のＦＥＴ３（必要ならば
其の前段ＦＥＴ２）のドレインD の直流印加電圧 Vd
を、例えばVd＝６v からVd＝０v へ順次下げると、該高
出力増幅器14の出力電力／入力電力の利得と出力電力の
飽和点とが下がる。しかし、Vd＝０v として該当のＦＥ
Ｔを増幅動作の完全なOFF 状態とする事により、該当Ｆ
ＥＴが、増幅利得は無いが入出力特性の線形性の良い状
態となる。従って、該ＦＥＴのドレインD の直流制御電
圧 Vd を完全にVd＝０v とする事により、該当ＦＥＴは
利得の無い減衰器として動作する。その上、ドレインD
からソースS へドレイン電流が流れないので、RF信号の
電力増幅器として電源電力変換効率が改善される。ま
た、図３のＦＥＴの入出力特性を参照し、同じ「ドレイ
ン電圧, ゲート電圧の制御回路」(1) の出力の制御信号
C により、該当ＦＥＴは、其のドレイン電圧Vdが０v の
時に, ゲート電圧Vgを負方向に変化させる事により、其
の利得（減衰) が変化するので、該当ＦＥＴは利得の無
い一定減衰量の減衰器として使用可能となる。
【０００６】
【実施例】図４は本発明の請求項１に対応する第１の実
施例の構成を示す。この第１の実施例の構成は、従来の
構成（図９の構成）に加えて、「ドレイン電圧, ゲート
電圧の制御回路」(1) を有し、其の出力の制御信号C に
より, ＦＥＴ１〜ＦＥＴ３の３段構成の高出力増幅器14
の出力の送信電力を其の最大値( 0 dB) から所定値（−
A dB) に下げる送信電力制御を行う時に、各ＦＥＴのド
レイン電圧 Vdとゲート電圧 Vgとを制御する。この制御
の時の、各回路（変調器11、可変電力手段13の電力制御
器、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２、ＦＥＴ３）のレベルダイヤグ
ラムを、図６に示す。この図６では、電源電力変換効率
が最も問題となる最終段のＦＥＴ３のみ其のドレイン電
圧Vdを０v として減衰器として動作させ、其の前段ＦＥ
Ｔ１、ＦＥＴ２のドレイン電圧 Vdを通常の増幅器とし
ての電圧とし動作させているので、高出力増幅器14全体
の電源電力変換効率が良い。図５は本発明の請求項２に
対応する第２の実施例の構成を示す。この第２の実施例
は、バイポーラ・トランジスタがＦＥＴと同様な特性を
もつことに注目し、前述の図４の第１の実施例の高出力
増幅器14のＦＥＴ１〜ＦＥＴ３の３段構成を、図５に示
す如く、バイポーラ・トランジスタTr1 〜Tr3 の３段構
成とし、図４の第１の実施例の「ドレイン電圧, ゲート
電圧の制御回路」(1) を、図５の第２実施例の「コレク
タ電圧,ベース電流の制御回路」(11)とする。そして、
其の制御回路(11)の出力の制御信号C1により、高出力増
幅器(141)の素子のバイポーラ・トランジスタTr1 〜Tr3
の中の必要なトランジスタが、そのコレクタ電圧Vcが０
v となり, ベース電流Ibの大きさが変化して、利得の無
い減衰器として動作する。そして、高出力増幅器(141)
の出力電力を、最大出力値(0 dB)から一定値(A dB)だけ
下った所定値(-A dB)とする。
施例の構成を示す。この第１の実施例の構成は、従来の
構成（図９の構成）に加えて、「ドレイン電圧, ゲート
電圧の制御回路」(1) を有し、其の出力の制御信号C に
より, ＦＥＴ１〜ＦＥＴ３の３段構成の高出力増幅器14
の出力の送信電力を其の最大値( 0 dB) から所定値（−
A dB) に下げる送信電力制御を行う時に、各ＦＥＴのド
レイン電圧 Vdとゲート電圧 Vgとを制御する。この制御
の時の、各回路（変調器11、可変電力手段13の電力制御
器、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２、ＦＥＴ３）のレベルダイヤグ
ラムを、図６に示す。この図６では、電源電力変換効率
が最も問題となる最終段のＦＥＴ３のみ其のドレイン電
圧Vdを０v として減衰器として動作させ、其の前段ＦＥ
Ｔ１、ＦＥＴ２のドレイン電圧 Vdを通常の増幅器とし
ての電圧とし動作させているので、高出力増幅器14全体
の電源電力変換効率が良い。図５は本発明の請求項２に
対応する第２の実施例の構成を示す。この第２の実施例
は、バイポーラ・トランジスタがＦＥＴと同様な特性を
もつことに注目し、前述の図４の第１の実施例の高出力
増幅器14のＦＥＴ１〜ＦＥＴ３の３段構成を、図５に示
す如く、バイポーラ・トランジスタTr1 〜Tr3 の３段構
成とし、図４の第１の実施例の「ドレイン電圧, ゲート
電圧の制御回路」(1) を、図５の第２実施例の「コレク
タ電圧,ベース電流の制御回路」(11)とする。そして、
其の制御回路(11)の出力の制御信号C1により、高出力増
幅器(141)の素子のバイポーラ・トランジスタTr1 〜Tr3
の中の必要なトランジスタが、そのコレクタ電圧Vcが０
v となり, ベース電流Ibの大きさが変化して、利得の無
い減衰器として動作する。そして、高出力増幅器(141)
の出力電力を、最大出力値(0 dB)から一定値(A dB)だけ
下った所定値(-A dB)とする。
【０００７】図６は請求項３に対応する実施例の構成図
であり、高出力増幅器(14)の出力部に、各ＦＥＴ１〜３
の出力を選択するスイッチＳＷを設け、３段のＦＥＴの
中で其のドレイン電圧Vdを０v とした例えばＦＥＴ３を
バイパスして其のロス分を減らし、前段のＦＥＴ２の出
力を高出力増幅器(14)の出力の送信出力とする様にした
ものである。図７は、図６と同様の構成を、バイポーラ
・トランジスタTr1 〜Tr3 とスイッチＳＷとで実現した
ものである。
であり、高出力増幅器(14)の出力部に、各ＦＥＴ１〜３
の出力を選択するスイッチＳＷを設け、３段のＦＥＴの
中で其のドレイン電圧Vdを０v とした例えばＦＥＴ３を
バイパスして其のロス分を減らし、前段のＦＥＴ２の出
力を高出力増幅器(14)の出力の送信出力とする様にした
ものである。図７は、図６と同様の構成を、バイポーラ
・トランジスタTr1 〜Tr3 とスイッチＳＷとで実現した
ものである。
【０００８】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、携
帯電話端末の送信部の高出力増幅器の出力を最大値から
一定値だけ下った所定値とする送信電力制御を、高出力
増幅器の構成素子の各トランジスタの入出力の線形性を
維持しつつ，高い電源電力変換効率で行う事が出来るの
で、送信出力を最大値から一定値だけ下った所定値とし
た時も、通話品質が良くて電源効率の良い携帯電話端末
を実現できる効果が得られる。
帯電話端末の送信部の高出力増幅器の出力を最大値から
一定値だけ下った所定値とする送信電力制御を、高出力
増幅器の構成素子の各トランジスタの入出力の線形性を
維持しつつ，高い電源電力変換効率で行う事が出来るの
で、送信出力を最大値から一定値だけ下った所定値とし
た時も、通話品質が良くて電源効率の良い携帯電話端末
を実現できる効果が得られる。
【図１】 本発明の請求項１の携帯電話端末の送信電力
制御回路の基本構成を示す原理図
制御回路の基本構成を示す原理図
【図２】 本発明の請求項１の携帯電話端末の送信電力
制御回路の基本動作を説明するためのＦＥＴの Vd 可変
時の入出力特性図
制御回路の基本動作を説明するためのＦＥＴの Vd 可変
時の入出力特性図
【図３】 本発明の請求項１の携帯電話端末の送信電力
制御回路の基本動作を説明するためのＦＥＴの Vg 可変
時の入出力特性図
制御回路の基本動作を説明するためのＦＥＴの Vg 可変
時の入出力特性図
【図４】 本発明の請求項１に対応する実施例の回路構
成図
成図
【図５】 本発明の請求項２に対応する実施例の回路構
成図
成図
【図６】 本発明の請求項１の実施例の送信電力制御時
のレベルダイヤグラム
のレベルダイヤグラム
【図７】 本発明の請求項３に対応する実施例の回路構
成図
成図
【図８】 本発明の請求項３に関連する実施例の回路構
成図
成図
【図９】 従来のディジタル携帯電話無線機の送信電力
制御回路の構成図
制御回路の構成図
(1)は「ドレイン電圧, ゲート電圧の制御回路」、(11)
は「コレクタ電圧, ベース電流の制御回路、(14)は素子
としてＦＥＴを用いた高出力増幅器、(141) は素子とし
てバイポラ・トランジスタを用いた高出力増幅器、10は
移動機制御回路、11は変調器、12は送信電力制御回路、
13は可変電力手段であり, 電力制御器である。
は「コレクタ電圧, ベース電流の制御回路、(14)は素子
としてＦＥＴを用いた高出力増幅器、(141) は素子とし
てバイポラ・トランジスタを用いた高出力増幅器、10は
移動機制御回路、11は変調器、12は送信電力制御回路、
13は可変電力手段であり, 電力制御器である。
Claims (3)
- 【請求項１】 携帯電話端末の送信部の被変調信号を素
子ＦＥＴで多段増幅する高出力増幅器(14)の出力電力を
所定値になる様に制御する送信電力制御回路において、
該高出力増幅器(14)の素子ＦＥＴのドレイン電圧(Vd)を
０v としゲート電圧(Vg)を負方向に変えられる制御信号
(C)を生成する制御回路(1) を具え、該制御回路(1) の
出力の制御信号(C)に制御される高出力増幅器(14)の多
段のＦＥＴのうち必要とするＦＥＴが利得の無い減衰器
として動作し該高出力増幅器の出力電力を最大値から一
定値下った所定値とすることを特徴とした携帯電話端末
の送信電力制御回路。 - 【請求項２】 前記高出力増幅器(14)の素子ＦＥＴのド
レイン電圧(Vd)を０v としゲート電圧(Vg)を負方向に変
えられる制御信号(C)を生成する制御回路( 1)が、高出
力増幅器(14)の素子をバイポーラ・トランジスタとし、
其のコレクタ電圧(Vc)を０v としてベース電流(Ib)の大
きさを変えられる制御信号(C1)を生成する制御回路(11)
に置換されて、該制御回路(11)の出力の制御信号(C1)に
制御される高出力増幅器(141)の多段のバイポーラ・ト
ランジスタのうち必要とするトランジスタが利得の無い
減衰器として動作し該高出力増幅器(141) の出力電力を
最大値から一定値下った所定値とすることを特徴とした
請求項１記載の携帯電話端末の送信電力制御回路。 - 【請求項３】 前記高出力増幅器(14)の出力部に、該増
幅器(14)の多段の各ＦＥＴの出力を選択するスイッチ(S
W)を設け、其の多段ＦＥＴの中でドレイン電圧(Vd)を０
v とし減衰器としたＦＥＴ（FET 3)をバイパスして其の
ロス分を減らし、其の前段のＦＥＴ（FET 2)の出力を高
出力増幅器(14)の出力の送信出力とすることを特徴とし
た請求項１記載の携帯電話端末の送信電力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260274A JPH07115381A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 携帯電話端末の送信電力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260274A JPH07115381A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 携帯電話端末の送信電力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115381A true JPH07115381A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17345782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5260274A Withdrawn JPH07115381A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 携帯電話端末の送信電力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237866A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器及びその出力電力調整方法 |
| US7904046B2 (en) | 2000-10-20 | 2011-03-08 | Hitachi, Ltd. | Radio equipment having an attenuator between antenna and radio module |
| JP2011142692A (ja) * | 1995-09-29 | 2011-07-21 | Panasonic Corp | 電力増幅器 |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP5260274A patent/JPH07115381A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011142692A (ja) * | 1995-09-29 | 2011-07-21 | Panasonic Corp | 電力増幅器 |
| US7904046B2 (en) | 2000-10-20 | 2011-03-08 | Hitachi, Ltd. | Radio equipment having an attenuator between antenna and radio module |
| JP2006237866A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器及びその出力電力調整方法 |
| JP4583967B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-11-17 | パナソニック株式会社 | 高周波電力増幅器及びその出力電力調整方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5546051A (en) | Power amplifier and power amplification method | |
| US5548246A (en) | Power amplifier including an impedance matching circuit and a switch FET | |
| US7728662B2 (en) | Saturated power amplifier with selectable and variable output power levels | |
| Staudinger et al. | High efficiency CDMA RF power amplifier using dynamic envelope tracking technique | |
| US7893770B2 (en) | Power amplification device | |
| JP3033623B2 (ja) | ゲートバイアス制御回路および増幅器 | |
| JPH10173453A (ja) | 高周波可変利得増幅装置および無線通信装置 | |
| JP2001168647A (ja) | 高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置 | |
| KR100880448B1 (ko) | 저소비전력 혼합모드 전력증폭장치 | |
| JPH07118666B2 (ja) | 携帯無線装置 | |
| JP2001168647A5 (ja) | ||
| US20120171971A1 (en) | Low noise rf driver | |
| JPH06334541A (ja) | 無線送信機 | |
| JP2000341144A (ja) | 携帯電話端末装置 | |
| US7454182B2 (en) | Attenuator with switch function and mobile telephone terminal device using the same | |
| KR920009100A (ko) | 고주파전력 증폭회로 및 그것을 이용한 이동체 무선통신장치 | |
| US7792506B1 (en) | Power-control circuit with threshold limiting characteristics | |
| JPH07115381A (ja) | 携帯電話端末の送信電力制御回路 | |
| US6518840B1 (en) | Circuit for linearizing the power control profile of a BiCMOS power amplifier | |
| JPH08222973A (ja) | Ｒｆリニア電力増幅回路および無線通信装置 | |
| JP2003218654A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
| JPH09181642A (ja) | 通信端末装置 | |
| JPH0548348A (ja) | 電力増幅回路 | |
| JP2001102877A (ja) | 増幅回路およびこれを用いた無線装置 | |
| KR100259442B1 (ko) | 무선전화송신기용의 전력 증폭기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |