JP2000341144A - 携帯電話端末装置 - Google Patents
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- H03G1/007—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using FET type devices
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- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
- H04W52/00—Power management, e.g. TPC [Transmission Power Control], power saving or power classes
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- H04W52/06—TPC algorithms
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- H04W52/52—TPC using AGC [Automatic Gain Control] circuits or amplifiers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話端末の送信部の高周波部において１
つの制御電圧に対する利得制御を７０ｄＢ以上の広範囲
にわたって直線的（フラットネス±１ｄＢ）に行う。 【解決手段】 携帯電話端末の送信部の高周波部で、７
０ｄＢ以上の範囲で利得を制御するために、減衰器をつ
ぎのように構成する。すなわち、高周波信号の信号入力
部３４と信号出力部３５を、少なくとも２個以上の直列
の可変抵抗５１，５２よりなる信号ライン５１で接続
し、信号入力部３４および信号出力部３５と接地ライン
５７との間の各々に並列の可変抵抗５３，５４を接続
し、可変抵抗５１，５２，５３，５４に利得制御ライン
５６を接続し、可変抵抗５１，５２，５３，５４の各々
に基準電圧印加部２３，２７，３１，３３を接続し、可
変抵抗５１，５２，５３，５４の各々に利得制御ライン
５６を介して利得制御電圧印加部１９を接続している。
つの制御電圧に対する利得制御を７０ｄＢ以上の広範囲
にわたって直線的（フラットネス±１ｄＢ）に行う。 【解決手段】 携帯電話端末の送信部の高周波部で、７
０ｄＢ以上の範囲で利得を制御するために、減衰器をつ
ぎのように構成する。すなわち、高周波信号の信号入力
部３４と信号出力部３５を、少なくとも２個以上の直列
の可変抵抗５１，５２よりなる信号ライン５１で接続
し、信号入力部３４および信号出力部３５と接地ライン
５７との間の各々に並列の可変抵抗５３，５４を接続
し、可変抵抗５１，５２，５３，５４に利得制御ライン
５６を接続し、可変抵抗５１，５２，５３，５４の各々
に基準電圧印加部２３，２７，３１，３３を接続し、可
変抵抗５１，５２，５３，５４の各々に利得制御ライン
５６を介して利得制御電圧印加部１９を接続している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話端末装置
に関するものであり、特にその無線部内の高周波部の減
衰器（アッテネータ）の構成に係る。
に関するものであり、特にその無線部内の高周波部の減
衰器（アッテネータ）の構成に係る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤＭＡ方式（例えば、ＩＳ−９５）に
おいては、携帯電話端末装置と基地局の距離の変化にか
かわらず、携帯電話端末装置から基地局に届く電波の強
度を一定にする必要がある。そのため、携帯電話端末装
置の送信部で利得制御が行われる。
おいては、携帯電話端末装置と基地局の距離の変化にか
かわらず、携帯電話端末装置から基地局に届く電波の強
度を一定にする必要がある。そのため、携帯電話端末装
置の送信部で利得制御が行われる。
【０００３】図１３には基地局と携帯電話端末装置との
位置関係を模式的に示している。図１３において、一つ
の基地局ＢＳのセル範囲ＣＬは半径数十ｋｍ程度、例え
ば半径３０ｋｍ程度の大きさである。この基地局ＢＳの
セル範囲ＣＬ内には、基地局ＢＳとの距離または地形な
どの通信条件が同一でない多数台の携帯電話端末装置Ｔ
Ｈ1 ，ＴＨ2 が存在する。そして、多数台の携帯電話端
末装置ＴＨ1 ，ＴＨ2は、基地局ＢＳとの距離または通
信条件を刻々と変化させながら、基地局ＢＳとの間で同
時に通信を行っている。
位置関係を模式的に示している。図１３において、一つ
の基地局ＢＳのセル範囲ＣＬは半径数十ｋｍ程度、例え
ば半径３０ｋｍ程度の大きさである。この基地局ＢＳの
セル範囲ＣＬ内には、基地局ＢＳとの距離または地形な
どの通信条件が同一でない多数台の携帯電話端末装置Ｔ
Ｈ1 ，ＴＨ2 が存在する。そして、多数台の携帯電話端
末装置ＴＨ1 ，ＴＨ2は、基地局ＢＳとの距離または通
信条件を刻々と変化させながら、基地局ＢＳとの間で同
時に通信を行っている。
【０００４】この場合に、基地局ＢＳのセル範囲ＣＬに
おいて、基地局ＢＳから最も近い場所と最も離れた場所
とで、携帯電話端末装置から基地局に届く電波の強度を
同一にするためには、セル範囲ＣＬの大きさから、携帯
電話端末装置の送信部における利得制御幅が７０ｄＢ程
度以上必要であり、かつ±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙ
の高い直線性が必要である。これは、遠近問題といわれ
る。
おいて、基地局ＢＳから最も近い場所と最も離れた場所
とで、携帯電話端末装置から基地局に届く電波の強度を
同一にするためには、セル範囲ＣＬの大きさから、携帯
電話端末装置の送信部における利得制御幅が７０ｄＢ程
度以上必要であり、かつ±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙ
の高い直線性が必要である。これは、遠近問題といわれ
る。
【０００５】もしも、携帯電話端末装置の送信部におけ
る利得制御が良好に行われないと、携帯電話端末装置と
基地局の距離の減少に伴い、基地局に届く電波の強度が
増大することになるため、隣接チャンネルへの漏洩電力
が増大し、その結果、符号誤り率が増大して通話品質が
低下することになる。図１４において、実線Ａ1 〜Ａ 6
は基地局における各チャンネル毎の受信電波の強度を示
し、破線Ｂ4 はチャンネルＡ4 のインターモジュレーシ
ョン歪特性を示している。この図１４は、チャンネルＡ
3 ，Ａ5 の受信電波の強度が破線Ｂ4 で示すチャンネル
Ａ4 の歪み成分に埋もれてしまい、チャンネルＡ4 に隣
接したチャンネルＡ3 ，Ａ5 からは正しいデータを復元
できなくなることを示している。
る利得制御が良好に行われないと、携帯電話端末装置と
基地局の距離の減少に伴い、基地局に届く電波の強度が
増大することになるため、隣接チャンネルへの漏洩電力
が増大し、その結果、符号誤り率が増大して通話品質が
低下することになる。図１４において、実線Ａ1 〜Ａ 6
は基地局における各チャンネル毎の受信電波の強度を示
し、破線Ｂ4 はチャンネルＡ4 のインターモジュレーシ
ョン歪特性を示している。この図１４は、チャンネルＡ
3 ，Ａ5 の受信電波の強度が破線Ｂ4 で示すチャンネル
Ａ4 の歪み成分に埋もれてしまい、チャンネルＡ4 に隣
接したチャンネルＡ3 ，Ａ5 からは正しいデータを復元
できなくなることを示している。
【０００６】携帯電話端末装置の送信部における利得制
御は、キャリア信号と雑音とのレベルの比（Ｃ／Ｎ）が
大きい状態を維持するためには、できるだけキャリア信
号レベルの高い高周波部で行うことが望ましい。その理
由は、高周波部はキャリア信号レベルがバックグラウン
ドの雑音のレベルにくらべて格段に高く、高周波部で利
得を下げても、キャリア信号と雑音レベルの差が大きい
状態が保たれるからである。逆に、中間周波部は、キャ
リア信号レベルが低く、中間周波部で利得を下げてしま
うと、キャリア信号レベルとグラウンド雑音のレベルと
の差がごく小さい状態になってしまい、この中間周波部
のキャリア信号レベルとノイズレベルの差がそのまま高
周波部に現れるためである。
御は、キャリア信号と雑音とのレベルの比（Ｃ／Ｎ）が
大きい状態を維持するためには、できるだけキャリア信
号レベルの高い高周波部で行うことが望ましい。その理
由は、高周波部はキャリア信号レベルがバックグラウン
ドの雑音のレベルにくらべて格段に高く、高周波部で利
得を下げても、キャリア信号と雑音レベルの差が大きい
状態が保たれるからである。逆に、中間周波部は、キャ
リア信号レベルが低く、中間周波部で利得を下げてしま
うと、キャリア信号レベルとグラウンド雑音のレベルと
の差がごく小さい状態になってしまい、この中間周波部
のキャリア信号レベルとノイズレベルの差がそのまま高
周波部に現れるためである。
【０００７】ところが、高周波部において単独で７０ｄ
Ｂ以上の範囲にわたる利得制御を±１ｄＢ Ｌｉｎｅａ
ｒｉｔｙの直線性で行うことができるような減衰器が存
在しなかった。そこで、従来は、７０ｄＢ以上の範囲に
わたる利得制御を±１ｄＢＬｉｎｅａｒｉｔｙの直線性
で行うために、携帯電話端末装置の無線部の送信部にお
いて、高周波部で利得をステップ制御し、中間周波部で
利得を連続制御していた。このように、高周波部におけ
る利得制御量と中間周波部とにおける利得制御量とを併
用することで、７０ｄＢ以上の範囲において、±１ｄＢ
Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性をもって利得制御を行う
ことが可能となる。
Ｂ以上の範囲にわたる利得制御を±１ｄＢ Ｌｉｎｅａ
ｒｉｔｙの直線性で行うことができるような減衰器が存
在しなかった。そこで、従来は、７０ｄＢ以上の範囲に
わたる利得制御を±１ｄＢＬｉｎｅａｒｉｔｙの直線性
で行うために、携帯電話端末装置の無線部の送信部にお
いて、高周波部で利得をステップ制御し、中間周波部で
利得を連続制御していた。このように、高周波部におけ
る利得制御量と中間周波部とにおける利得制御量とを併
用することで、７０ｄＢ以上の範囲において、±１ｄＢ
Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性をもって利得制御を行う
ことが可能となる。
【０００８】そして、携帯電話端末装置における利得制
御は、以下のようにして行われる。すなわち、携帯電話
端末装置では、携帯電話端末装置における受信信号の強
度から、基地局での受信信号の強度を一定値にするため
に必要な送信電力の目標値を設定し、この目標値と実際
の送信電力とを比較することで、送信電力を目標値に追
従させるようなフィードバック制御ループを形成し、送
信電力が目標値に一致するように利得制御が実行され
る。
御は、以下のようにして行われる。すなわち、携帯電話
端末装置では、携帯電話端末装置における受信信号の強
度から、基地局での受信信号の強度を一定値にするため
に必要な送信電力の目標値を設定し、この目標値と実際
の送信電力とを比較することで、送信電力を目標値に追
従させるようなフィードバック制御ループを形成し、送
信電力が目標値に一致するように利得制御が実行され
る。
【０００９】つぎに、図１５を用いて、従来の携帯電話
端末装置の構成および動作について説明する。この携帯
電話端末装置は、図１５に示すように、マイコン・ロジ
ック部等で構成され、音声信号を処理するベースバンド
部１００と、ベースバンド部１００で処理された音声信
号を入力として基地局との間で通信を行う無線部２００
とからなる。
端末装置の構成および動作について説明する。この携帯
電話端末装置は、図１５に示すように、マイコン・ロジ
ック部等で構成され、音声信号を処理するベースバンド
部１００と、ベースバンド部１００で処理された音声信
号を入力として基地局との間で通信を行う無線部２００
とからなる。
【００１０】無線部２００は、基地局への送信信号を生
成する送信部２１０と、基地局からの送信信号を受信す
る受信部２２０とからなる。
成する送信部２１０と、基地局からの送信信号を受信す
る受信部２２０とからなる。
【００１１】送信部２１０は、ベースバンド部１００か
ら与えられる音声信号の変調および周波数変換のための
混合を行う中間周波部２３０と、中間周波部２３０から
出力される高周波信号を増幅してデュープレクサ３１０
を介してアンテナ３００へ供給する高周波部２４０とか
らなる。
ら与えられる音声信号の変調および周波数変換のための
混合を行う中間周波部２３０と、中間周波部２３０から
出力される高周波信号を増幅してデュープレクサ３１０
を介してアンテナ３００へ供給する高周波部２４０とか
らなる。
【００１２】中間周波部２３０は、変調器２３１と、変
調器２３１の出力信号を可変利得で増幅する可変利得中
間周波増幅器２３２と、可変利得中間周波増幅器２３２
を高周波に変換するためのミキサ２３３とからなる。上
記の可変利得中間周波増幅器２３２は、バイポーラトラ
ンジスタを用いて構成されることが多い。この可変利得
中間周波増幅器２３２は、±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔ
ｙの直線性をもって４０ｄＢ程度の範囲にわたって利得
が可変できる。この場合、利得は、連続的に変化する利
得制御電圧によって４０ｄＢ程度の範囲にわたって連続
制御される。
調器２３１の出力信号を可変利得で増幅する可変利得中
間周波増幅器２３２と、可変利得中間周波増幅器２３２
を高周波に変換するためのミキサ２３３とからなる。上
記の可変利得中間周波増幅器２３２は、バイポーラトラ
ンジスタを用いて構成されることが多い。この可変利得
中間周波増幅器２３２は、±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔ
ｙの直線性をもって４０ｄＢ程度の範囲にわたって利得
が可変できる。この場合、利得は、連続的に変化する利
得制御電圧によって４０ｄＢ程度の範囲にわたって連続
制御される。
【００１３】高周波部２４０は、中間周波部２３０から
出力される高周波信号を可変利得で増幅する可変利得高
周波増幅器２４１と、可変利得高周波増幅器２４１の出
力を電力増幅する電力増幅器２４２とからなる。この可
変利得高周波増幅器２４１は±３ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉ
ｔｙの直線性をもって３０ｄＢ程度の範囲にわたって利
得が可変である。この場合、利得は、離散的な値をとる
利得制御電圧によって数段階、例えば３段階にステップ
状に制御される。
出力される高周波信号を可変利得で増幅する可変利得高
周波増幅器２４１と、可変利得高周波増幅器２４１の出
力を電力増幅する電力増幅器２４２とからなる。この可
変利得高周波増幅器２４１は±３ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉ
ｔｙの直線性をもって３０ｄＢ程度の範囲にわたって利
得が可変である。この場合、利得は、離散的な値をとる
利得制御電圧によって数段階、例えば３段階にステップ
状に制御される。
【００１４】可変利得高周波増幅器２４１は、前置増幅
器（中電力増幅器）２４３と、前置増幅器２４３と縦続
接続されて電力増幅器（高電力増幅器）２４２へ入力さ
れる高周波信号の利得を可変する減衰器２４４とからな
る。減衰器２４４は、減衰量を±３ｄＢ Ｌｉｎｅａｒ
ｉｔｙの直線性をもって３０ｄＢ程度の範囲にわたって
変化させる機能を有する。ただし、上記したように、離
散的な利得制御電圧が与えられることで、その利得は、
ステップ状に変化することになる。
器（中電力増幅器）２４３と、前置増幅器２４３と縦続
接続されて電力増幅器（高電力増幅器）２４２へ入力さ
れる高周波信号の利得を可変する減衰器２４４とからな
る。減衰器２４４は、減衰量を±３ｄＢ Ｌｉｎｅａｒ
ｉｔｙの直線性をもって３０ｄＢ程度の範囲にわたって
変化させる機能を有する。ただし、上記したように、離
散的な利得制御電圧が与えられることで、その利得は、
ステップ状に変化することになる。
【００１５】ベースバンド部１００は、制御部１１０を
含む。制御部１１０は、受信部２２０による受信信号の
信号強度を検出するとともに、電力増幅器２４２の出力
レベルを検出し、受信信号の信号強度に対応して電力増
幅器２４２の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器
２４２の出力レベルと電力増幅器２４２の出力レベルの
目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧
Ｖｃａを減衰器２４４に加えるとともに、同じく上記比
較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃｂを可変利得中間周波
増幅器２３２に加えることにより、電力増幅器２４２の
出力レベルが電力増幅器２４２の出力レベルの目標値に
一致するように減衰器２４４の利得と可変利得高周波増
幅器２４１の利得を追従制御する。この場合、上記した
ように、減衰器２４４の利得がステップ制御され、可変
利得高周波増幅器２４１の利得が連続制御されることに
なる。
含む。制御部１１０は、受信部２２０による受信信号の
信号強度を検出するとともに、電力増幅器２４２の出力
レベルを検出し、受信信号の信号強度に対応して電力増
幅器２４２の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器
２４２の出力レベルと電力増幅器２４２の出力レベルの
目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧
Ｖｃａを減衰器２４４に加えるとともに、同じく上記比
較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃｂを可変利得中間周波
増幅器２３２に加えることにより、電力増幅器２４２の
出力レベルが電力増幅器２４２の出力レベルの目標値に
一致するように減衰器２４４の利得と可変利得高周波増
幅器２４１の利得を追従制御する。この場合、上記した
ように、減衰器２４４の利得がステップ制御され、可変
利得高周波増幅器２４１の利得が連続制御されることに
なる。
【００１６】以上のような携帯電話端末装置では可変利
得高周波増幅器２４１による利得制御と可変利得中間周
波増幅器２３２による利得制御の併用によって、±１ｄ
ＢＬｉｎｅａｒｉｔｙの直線性での７０ｄＢ以上の範囲
にわたる利得制御を実現している。ＩＳ−９５の規格で
は、ミキサ２３３の入力段は２００ＭＨｚ帯で動作し、
ミキサ２３３の出力段は８３７ＭＨｚ帯で動作する。そ
して、携帯電話端末装置が最大出力を発生する状態での
各部の信号レベルは、電力増幅器２４２の出力端で＋３
０ｄＢｍ（ただし、０ｄＢｍ＝１ｍＷ）、可変利得高周
波増幅器２４１の出力端で＋５ｄＢｍ、ミキサ２３３の
出力端で−２０ｄＢｍ、可変利得中間周波増幅器２３２
の出力端で−２５ｄＢｍとなっている。
得高周波増幅器２４１による利得制御と可変利得中間周
波増幅器２３２による利得制御の併用によって、±１ｄ
ＢＬｉｎｅａｒｉｔｙの直線性での７０ｄＢ以上の範囲
にわたる利得制御を実現している。ＩＳ−９５の規格で
は、ミキサ２３３の入力段は２００ＭＨｚ帯で動作し、
ミキサ２３３の出力段は８３７ＭＨｚ帯で動作する。そ
して、携帯電話端末装置が最大出力を発生する状態での
各部の信号レベルは、電力増幅器２４２の出力端で＋３
０ｄＢｍ（ただし、０ｄＢｍ＝１ｍＷ）、可変利得高周
波増幅器２４１の出力端で＋５ｄＢｍ、ミキサ２３３の
出力端で−２０ｄＢｍ、可変利得中間周波増幅器２３２
の出力端で−２５ｄＢｍとなっている。
【００１７】ここで、可変利得高周波増幅器２４１で３
０ｄＢの範囲の利得制御を行い、可変利得中間周波増幅
器２３２で４０ｄＢの範囲の利得制御を行うものとする
と、可変利得中間周波増幅器２３２の出力端における信
号レベルは−２５ｄＢｍ〜−６５ｄＢｍの範囲で変化す
る。また、ミキサ２３３の出力端における信号レベルは
−２０ｄＢｍ〜−６０ｄＢｍの範囲で変化する。また、
可変利得高周波増幅器２４１の出力端における信号レベ
ルは＋５ｄＢｍ〜−６５ｄＢｍの範囲で変化する。電力
増幅器２４２の出力端における信号レベルは、＋３０ｄ
Ｂｍ〜−４０ｄＢｍの範囲で変化する。
０ｄＢの範囲の利得制御を行い、可変利得中間周波増幅
器２３２で４０ｄＢの範囲の利得制御を行うものとする
と、可変利得中間周波増幅器２３２の出力端における信
号レベルは−２５ｄＢｍ〜−６５ｄＢｍの範囲で変化す
る。また、ミキサ２３３の出力端における信号レベルは
−２０ｄＢｍ〜−６０ｄＢｍの範囲で変化する。また、
可変利得高周波増幅器２４１の出力端における信号レベ
ルは＋５ｄＢｍ〜−６５ｄＢｍの範囲で変化する。電力
増幅器２４２の出力端における信号レベルは、＋３０ｄ
Ｂｍ〜−４０ｄＢｍの範囲で変化する。
【００１８】つぎに、減衰器２４４の具体的な構成およ
び動作を図１６から図１８を参照しながら説明する。
び動作を図１６から図１８を参照しながら説明する。
【００１９】図１６は減衰器２４４の構成を示す回路図
である。このような減衰器２４４により、利得のステッ
プ制御を行っている。この減衰器は、図１６に示すよう
に、入力側の並列可変抵抗となる電界効果トランジスタ
１と、コンデンサ２，３，１０，１１と、抵抗５，７，
１３と、直列（シリーズ）可変抵抗となる電界効果トラ
ンジスタ６と、出力側の並列（シャント）可変抵抗とな
る電界効果トランジスタ９とで構成されている。そし
て、この減衰器には、利得制御電圧Ｖｃａを印加するた
めの利得制御電圧印加端子４と、電源電圧ＶDDを印加す
るソース電圧印加端子８と、ＧＮＤ電位（基準電位）を
印加するゲート電圧印加端子１２と、高周波信号の信号
入力部としての入力端子１４と、高周波信号の信号出力
部としての出力端子１５とが設けられている。上記の入
力端子１４は図１５のミキサ２３３の出力端に接続さ
れ、出力端子１５は前置増幅器２４３の入力端に接続さ
れる。ここで、各コンデンサ２，３，１０，１１は直流
電圧の印加を阻止し、各抵抗７，５，１４は高周波信号
の侵入を阻止する役割をそれぞれ果たしている。
である。このような減衰器２４４により、利得のステッ
プ制御を行っている。この減衰器は、図１６に示すよう
に、入力側の並列可変抵抗となる電界効果トランジスタ
１と、コンデンサ２，３，１０，１１と、抵抗５，７，
１３と、直列（シリーズ）可変抵抗となる電界効果トラ
ンジスタ６と、出力側の並列（シャント）可変抵抗とな
る電界効果トランジスタ９とで構成されている。そし
て、この減衰器には、利得制御電圧Ｖｃａを印加するた
めの利得制御電圧印加端子４と、電源電圧ＶDDを印加す
るソース電圧印加端子８と、ＧＮＤ電位（基準電位）を
印加するゲート電圧印加端子１２と、高周波信号の信号
入力部としての入力端子１４と、高周波信号の信号出力
部としての出力端子１５とが設けられている。上記の入
力端子１４は図１５のミキサ２３３の出力端に接続さ
れ、出力端子１５は前置増幅器２４３の入力端に接続さ
れる。ここで、各コンデンサ２，３，１０，１１は直流
電圧の印加を阻止し、各抵抗７，５，１４は高周波信号
の侵入を阻止する役割をそれぞれ果たしている。
【００２０】図１７は減衰器の利得制御の特性図であ
る。
る。
【００２１】以上のような構成の減衰器について、その
動作を説明する。なお、携帯電話端末装置ではリチウム
電池等により３．０Ｖ程度までの電圧で駆動される。ま
た、電界効果トランジスタのしきい値電圧は可変抵抗が
利得制御動作を開始するバイアスを示すものであり、直
列可変抵抗および並列可変抵抗のための電界効果トラン
ジスタ６，１，９のしきい値電圧は全て等しいものを用
いる。電界効果トランジスタ６のソース電圧印加端子８
と電界効果トランジスタ１，９のゲート電圧印加端子１
２にそれぞれ電圧を印加しておく。
動作を説明する。なお、携帯電話端末装置ではリチウム
電池等により３．０Ｖ程度までの電圧で駆動される。ま
た、電界効果トランジスタのしきい値電圧は可変抵抗が
利得制御動作を開始するバイアスを示すものであり、直
列可変抵抗および並列可変抵抗のための電界効果トラン
ジスタ６，１，９のしきい値電圧は全て等しいものを用
いる。電界効果トランジスタ６のソース電圧印加端子８
と電界効果トランジスタ１，９のゲート電圧印加端子１
２にそれぞれ電圧を印加しておく。
【００２２】利得制御電圧印加端子４に利得制御電圧Ｖ
ｃａとして０〜１．１Ｖの電圧を印加した場合（図１
７：利得制御電圧範囲（ａ））においては、電界効果ト
ランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ）は最大値、電
界効果トランジスタ１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）
は最小値を示すため、入力端子１４から入力された信号
は減衰し利得の増大はなく、出力端子１５からの出力信
号ＰOUT は最小となる。
ｃａとして０〜１．１Ｖの電圧を印加した場合（図１
７：利得制御電圧範囲（ａ））においては、電界効果ト
ランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ）は最大値、電
界効果トランジスタ１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）
は最小値を示すため、入力端子１４から入力された信号
は減衰し利得の増大はなく、出力端子１５からの出力信
号ＰOUT は最小となる。
【００２３】利得制御電圧印加端子４に１．１Ｖを超え
て電圧を印加した場合（図１７：利得制御電圧範囲
（ｂ））においては、電界効果トランジスタ１，９の抵
抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）は最小値を示したままで電界効
果トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ）は減少し
始めるため、出力信号ＰOUT は増大する。通常、電界効
果トランジスタによる可変抵抗の利得制御動作範囲電圧
は０．２〜０．３Ｖ程度であり、利得制御電圧印加端子
４に１．４Ｖの電圧が印加されるまで、利得は直線的に
１８ｄＢ増大する。
て電圧を印加した場合（図１７：利得制御電圧範囲
（ｂ））においては、電界効果トランジスタ１，９の抵
抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）は最小値を示したままで電界効
果トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ）は減少し
始めるため、出力信号ＰOUT は増大する。通常、電界効
果トランジスタによる可変抵抗の利得制御動作範囲電圧
は０．２〜０．３Ｖ程度であり、利得制御電圧印加端子
４に１．４Ｖの電圧が印加されるまで、利得は直線的に
１８ｄＢ増大する。
【００２４】利得制御電圧印加端子４に１．４Ｖの電圧
が印加されると（図１７：利得制御電圧範囲（ｃ））、
減少していた電界効果トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ
−ＦＥＴ）は最小値を示し、最小値を示していた電界効
果トランジスタ１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）は増
加し始めるため、出力信号ＰOUT は増大する。利得制御
電圧印加端子４に１．７Ｖの電圧が印加されるまでは、
利得は利得制御電圧１．１〜１．４Ｖの範囲（ｂ）とは
異なった感度で直線的に１２ｄＢ増大する。
が印加されると（図１７：利得制御電圧範囲（ｃ））、
減少していた電界効果トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ
−ＦＥＴ）は最小値を示し、最小値を示していた電界効
果トランジスタ１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）は増
加し始めるため、出力信号ＰOUT は増大する。利得制御
電圧印加端子４に１．７Ｖの電圧が印加されるまでは、
利得は利得制御電圧１．１〜１．４Ｖの範囲（ｂ）とは
異なった感度で直線的に１２ｄＢ増大する。
【００２５】利得制御電圧印加端子４に１．７Ｖの電圧
を印加した場合（図１７：利得制御電圧範囲（ｄ））に
おいては、電界効果トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−
ＦＥＴ）は最小値を示したままで電界効果トランジスタ
１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）は最大値を示すた
め、出力信号ＰOUT は最大となる。この時点でこの増幅
器の有する利得制御幅は３０ｄＢとなる。利得制御電圧
印加端子４に１．７Ｖ以上の電圧を印加しても電界効果
トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ）は最小値、
電界効果トランジスタ１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥ
Ｔ）は最大値を示すので、出力信号ＰOUT は最大のまま
である。
を印加した場合（図１７：利得制御電圧範囲（ｄ））に
おいては、電界効果トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−
ＦＥＴ）は最小値を示したままで電界効果トランジスタ
１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ）は最大値を示すた
め、出力信号ＰOUT は最大となる。この時点でこの増幅
器の有する利得制御幅は３０ｄＢとなる。利得制御電圧
印加端子４に１．７Ｖ以上の電圧を印加しても電界効果
トランジスタ６の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ）は最小値、
電界効果トランジスタ１，９の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥ
Ｔ）は最大値を示すので、出力信号ＰOUT は最大のまま
である。
【００２６】そして、このような利得制御特性を有する
減衰器においては、図１８に示すように、利得制御電圧
Ｖｃａとして、例えば３種類の値ＶCL，ＶCM，ＶCHを選
択的に加えることにより、出力レベルを３段階にステッ
プ状に切り替えるようにしている。
減衰器においては、図１８に示すように、利得制御電圧
Ｖｃａとして、例えば３種類の値ＶCL，ＶCM，ＶCHを選
択的に加えることにより、出力レベルを３段階にステッ
プ状に切り替えるようにしている。
【００２７】一方、可変利得中間周波増幅器２３２で
は、図１９に示すように、利得制御電圧Ｖｃｂを変化さ
せることにより出力レベルを連続的に変化させるように
している。
は、図１９に示すように、利得制御電圧Ｖｃｂを変化さ
せることにより出力レベルを連続的に変化させるように
している。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに７０ｄＢを超える範囲の利得制御を、高周波部にお
けるステップ制御と中間周波部における連続制御との組
合せで行うと、ステップ制御のモード切り替え時におい
て、連続制御のための利得制御電圧とステップ制御のた
めの制御電圧とを同時に変更することになるため、減衰
器２４４や可変利得中間周波増幅器２３２の特性のばら
つきによって、モード切り替えの前後で利得に差異が生
じる場合がある。このような場合において、理想的な条
件で、携帯電話端末装置が一定速度で基地局から遠ざか
りながら通信を行っている状況を考えると、図２０に示
すように、携帯電話端末装置の出力ＰOUT は、通常は利
得制御機能によって直線的に増大していくはずが、フィ
ードバック制御の時間遅れなどによる追従動作の遅れ
と、モード切り替え時の出力レベルの不連続性とによっ
て、ステップ制御のモード切り替えの時点で一時的に携
帯電話端末装置の出力Ｐ OUT が直線上から外れることに
なる。この場合、基地局側での受信信号の強度が規定値
から外れ、隣接チャンネルとのレベル差が生じ、この時
点で音声が乱れたりし、音声品質の劣化を招くという問
題があった。上記の問題は理想的な条件で携帯電話端末
装置を移動している場合について説明しているが、現実
の移動時の条件は、ビルの陰に入って受信信号の強度が
急に低下する場合など、もっと悪いため、基地局側での
受信信号の強度が規定値から外れるという問題は頻発す
ると考えられ、さらに音声品質が劣化するものと考えら
れる。
うに７０ｄＢを超える範囲の利得制御を、高周波部にお
けるステップ制御と中間周波部における連続制御との組
合せで行うと、ステップ制御のモード切り替え時におい
て、連続制御のための利得制御電圧とステップ制御のた
めの制御電圧とを同時に変更することになるため、減衰
器２４４や可変利得中間周波増幅器２３２の特性のばら
つきによって、モード切り替えの前後で利得に差異が生
じる場合がある。このような場合において、理想的な条
件で、携帯電話端末装置が一定速度で基地局から遠ざか
りながら通信を行っている状況を考えると、図２０に示
すように、携帯電話端末装置の出力ＰOUT は、通常は利
得制御機能によって直線的に増大していくはずが、フィ
ードバック制御の時間遅れなどによる追従動作の遅れ
と、モード切り替え時の出力レベルの不連続性とによっ
て、ステップ制御のモード切り替えの時点で一時的に携
帯電話端末装置の出力Ｐ OUT が直線上から外れることに
なる。この場合、基地局側での受信信号の強度が規定値
から外れ、隣接チャンネルとのレベル差が生じ、この時
点で音声が乱れたりし、音声品質の劣化を招くという問
題があった。上記の問題は理想的な条件で携帯電話端末
装置を移動している場合について説明しているが、現実
の移動時の条件は、ビルの陰に入って受信信号の強度が
急に低下する場合など、もっと悪いため、基地局側での
受信信号の強度が規定値から外れるという問題は頻発す
ると考えられ、さらに音声品質が劣化するものと考えら
れる。
【００２９】また、ベースバンド部１００における制御
部１１０で可変利得高周波増幅器２４１と可変利得中間
周波増幅器２３１とを制御するための２種類の利得制御
電圧Ｖｃａ，Ｖｃｂの設定が必要で制御部１１０の制御
が複雑となる。
部１１０で可変利得高周波増幅器２４１と可変利得中間
周波増幅器２３１とを制御するための２種類の利得制御
電圧Ｖｃａ，Ｖｃｂの設定が必要で制御部１１０の制御
が複雑となる。
【００３０】また、高周波部２４０に可変利得高周波増
幅器２４１が必要であるだけでなく、中間周波部２３０
にも可変利得中間周波増幅器２３１が必要であるため、
回路構成が複雑となり、スペースが大きくなってしま
い、その結果携帯電話端末装置全体も大きいものとなる
という問題があった。
幅器２４１が必要であるだけでなく、中間周波部２３０
にも可変利得中間周波増幅器２３１が必要であるため、
回路構成が複雑となり、スペースが大きくなってしま
い、その結果携帯電話端末装置全体も大きいものとなる
という問題があった。
【００３１】したがって、本発明の目的は、高品質の通
話が可能な携帯電話端末装置を提供することである。
話が可能な携帯電話端末装置を提供することである。
【００３２】また、本発明の他の目的は、利得制御を簡
略化できる携帯電話端末装置を提供することである。
略化できる携帯電話端末装置を提供することである。
【００３３】また、本発明のさらに他の目的は、省スペ
ースを実現し、小型化を実現することができる携帯電話
端末装置を提供することである。
ースを実現し、小型化を実現することができる携帯電話
端末装置を提供することである。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本発明の携帯電話端末装
置は、音声信号を処理するベースバンド部と、ベースバ
ンド部で処理された音声信号を入力として基地局との間
で通信を行う無線部とからなる。無線部は基地局への送
信信号を生成する送信部と、基地局からの送信信号を受
信する受信部とからなる。送信部はベースバンド部から
与えられる音声信号の変調および周波数変換のための混
合を行う中間周波部と、中間周波部から出力される高周
波信号を増幅してアンテナへ供給する高周波部とからな
る。高周波部は中間周波部から出力される高周波信号の
利得を制御する利得制御器と、利得制御器の出力を電力
増幅する電力増幅器とからなる。
置は、音声信号を処理するベースバンド部と、ベースバ
ンド部で処理された音声信号を入力として基地局との間
で通信を行う無線部とからなる。無線部は基地局への送
信信号を生成する送信部と、基地局からの送信信号を受
信する受信部とからなる。送信部はベースバンド部から
与えられる音声信号の変調および周波数変換のための混
合を行う中間周波部と、中間周波部から出力される高周
波信号を増幅してアンテナへ供給する高周波部とからな
る。高周波部は中間周波部から出力される高周波信号の
利得を制御する利得制御器と、利得制御器の出力を電力
増幅する電力増幅器とからなる。
【００３５】ベースバンド部は制御部を含み、制御部
は、受信部による受信信号の信号強度を検出するととも
に、電力増幅器の出力レベルを検出し、受信信号の信号
強度に対応して電力増幅器の出力レベルの目標値を設定
し、電力増幅器の出力レベルと電力増幅器の出力レベル
の目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電
圧を利得制御器に加えることにより、電力増幅器の出力
レベルが電力増幅器の出力レベルの目標値に一致するよ
うに利得制御器の利得を追従制御している。
は、受信部による受信信号の信号強度を検出するととも
に、電力増幅器の出力レベルを検出し、受信信号の信号
強度に対応して電力増幅器の出力レベルの目標値を設定
し、電力増幅器の出力レベルと電力増幅器の出力レベル
の目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電
圧を利得制御器に加えることにより、電力増幅器の出力
レベルが電力増幅器の出力レベルの目標値に一致するよ
うに利得制御器の利得を追従制御している。
【００３６】そして、利得制御器が高周波信号の信号入
力部と信号出力部とを接続する信号ライン中に挿入した
例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも２個以
上の直列の可変抵抗と、信号入力部および信号出力部と
接地ラインとの間の各々に接続された例えば電界効果ト
ランジスタからなる並列の可変抵抗とで構成されてい
て、利得制御電圧印加部に印加された利得制御電圧によ
り、各可変抵抗の利得を制御して、利得制御器が電力増
幅器からの出力を実質的に連続で、かつ直線的に制御し
ている。
力部と信号出力部とを接続する信号ライン中に挿入した
例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも２個以
上の直列の可変抵抗と、信号入力部および信号出力部と
接地ラインとの間の各々に接続された例えば電界効果ト
ランジスタからなる並列の可変抵抗とで構成されてい
て、利得制御電圧印加部に印加された利得制御電圧によ
り、各可変抵抗の利得を制御して、利得制御器が電力増
幅器からの出力を実質的に連続で、かつ直線的に制御し
ている。
【００３７】この構成によれば、減衰器として、多段接
続した少なくとも２個以上の電界効果トランジスタによ
る直列可変抵抗を有し、さらに並列の可変抵抗を有する
ものを用い、この減衰器において、各可変抵抗の利得を
制御して、利得制御器が電力増幅器からの出力を実質的
に連続で、かつ直線的に制御するので、ステップ状の利
得切り替えに伴う問題が解消し、高品質の通話が可能と
なる。また、高周波部における利得制御のみを行うだけ
でよく、利得制御を簡略化できる。さらに、中間周波部
での可変利得中間周波増幅器を省くことが可能となり、
省スペースを実現し、小型化を実現することができる。
続した少なくとも２個以上の電界効果トランジスタによ
る直列可変抵抗を有し、さらに並列の可変抵抗を有する
ものを用い、この減衰器において、各可変抵抗の利得を
制御して、利得制御器が電力増幅器からの出力を実質的
に連続で、かつ直線的に制御するので、ステップ状の利
得切り替えに伴う問題が解消し、高品質の通話が可能と
なる。また、高周波部における利得制御のみを行うだけ
でよく、利得制御を簡略化できる。さらに、中間周波部
での可変利得中間周波増幅器を省くことが可能となり、
省スペースを実現し、小型化を実現することができる。
【００３８】また、本発明の携帯電話端末装置は、音声
信号を処理するベースバンド部と、ベースバンド部で処
理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行
う無線部とからなる。無線部は基地局への送信信号を生
成する送信部と、基地局からの送信信号を受信する受信
部とからなる。送信部はベースバンド部から与えられる
音声信号の変調および周波数変換のための混合を行う中
間周波部と、中間周波部から出力される高周波信号を増
幅してアンテナへ供給する高周波部とからなる。高周波
部は中間周波部から出力される高周波信号の利得を制御
する利得制御器と、利得制御器の出力を電力増幅する電
力増幅器とからなる。
信号を処理するベースバンド部と、ベースバンド部で処
理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行
う無線部とからなる。無線部は基地局への送信信号を生
成する送信部と、基地局からの送信信号を受信する受信
部とからなる。送信部はベースバンド部から与えられる
音声信号の変調および周波数変換のための混合を行う中
間周波部と、中間周波部から出力される高周波信号を増
幅してアンテナへ供給する高周波部とからなる。高周波
部は中間周波部から出力される高周波信号の利得を制御
する利得制御器と、利得制御器の出力を電力増幅する電
力増幅器とからなる。
【００３９】ベースバンド部は制御部を含み、制御部
は、受信部による受信信号の信号強度を検出するととも
に、電力増幅器の出力レベルを検出し、受信信号の信号
強度に対応して電力増幅器の出力レベルの目標値を設定
し、電力増幅器の出力レベルと電力増幅器の出力レベル
の目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電
圧を利得制御器に加えることにより、電力増幅器の出力
レベルが電力増幅器の出力レベルの目標値に一致するよ
うに利得制御器の利得を追従制御している。
は、受信部による受信信号の信号強度を検出するととも
に、電力増幅器の出力レベルを検出し、受信信号の信号
強度に対応して電力増幅器の出力レベルの目標値を設定
し、電力増幅器の出力レベルと電力増幅器の出力レベル
の目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電
圧を利得制御器に加えることにより、電力増幅器の出力
レベルが電力増幅器の出力レベルの目標値に一致するよ
うに利得制御器の利得を追従制御している。
【００４０】そして、利得制御器が高周波信号の信号入
力部と信号出力部とを接続する信号ライン中に挿入した
例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも２個以
上の直列の可変抵抗と、信号入力部および信号出力部と
接地ラインとの間の各々に接続された例えば電界効果ト
ランジスタからなる並列の可変抵抗とで構成されてい
る。
力部と信号出力部とを接続する信号ライン中に挿入した
例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも２個以
上の直列の可変抵抗と、信号入力部および信号出力部と
接地ラインとの間の各々に接続された例えば電界効果ト
ランジスタからなる並列の可変抵抗とで構成されてい
る。
【００４１】この構成によれば、利得制御器において、
減衰器として、多段接続した少なくとも２個以上の電界
効果トランジスタによる直列可変抵抗を有し、さらに並
列の可変抵抗を有するものを用い、この多段接続した少
なくとも２個以上の電界効果トランジスタによる直列可
変抵抗の動作を、直線利得制御動作範囲分だけシフトし
直列可変抵抗の線形動作範囲をそれぞれ足しあわせ、か
つ並列可変抵抗の線形動作範囲と直列可変抵抗の線形動
作範囲とを実質的に連続させ、各モードの切り替えを１
種類の利得制御電圧のみで行うため、利得の差違をなく
し制御電圧に対するリニアな利得制御動作を７０ｄＢ以
上の広範囲にわたって極めて高精度に行うことが可能で
ある。
減衰器として、多段接続した少なくとも２個以上の電界
効果トランジスタによる直列可変抵抗を有し、さらに並
列の可変抵抗を有するものを用い、この多段接続した少
なくとも２個以上の電界効果トランジスタによる直列可
変抵抗の動作を、直線利得制御動作範囲分だけシフトし
直列可変抵抗の線形動作範囲をそれぞれ足しあわせ、か
つ並列可変抵抗の線形動作範囲と直列可変抵抗の線形動
作範囲とを実質的に連続させ、各モードの切り替えを１
種類の利得制御電圧のみで行うため、利得の差違をなく
し制御電圧に対するリニアな利得制御動作を７０ｄＢ以
上の広範囲にわたって極めて高精度に行うことが可能で
ある。
【００４２】その結果、上記のような利得制御器を用い
て構成した携帯電話端末装置は、ステップ状の利得切り
替えに伴う問題が解消し、高品質の通話が可能となる。
また、高周波部における利得制御のみを行うだけでよ
く、利得制御を簡略化できる。さらに、中間周波部での
可変利得中間周波増幅器を省くことが可能となり、省ス
ペースを実現し、小型化を実現することができる。
て構成した携帯電話端末装置は、ステップ状の利得切り
替えに伴う問題が解消し、高品質の通話が可能となる。
また、高周波部における利得制御のみを行うだけでよ
く、利得制御を簡略化できる。さらに、中間周波部での
可変利得中間周波増幅器を省くことが可能となり、省ス
ペースを実現し、小型化を実現することができる。
【００４３】多段接続した少なくとも２個以上の電界効
果トランジスタによる直列可変抵抗の動作を直線利得制
御動作範囲分だけシフトする構成として、直列接続した
少なくとも２個以上の電界効果トランジスタの各ソース
に異なった基準電圧を印加する構成がある。このような
構成では、１種類の利得制御電圧で利得制御を行うた
め、極めて高精度な利得制御が可能である。また、利得
制御動作電圧の設定を自由に変えることが可能である。
果トランジスタによる直列可変抵抗の動作を直線利得制
御動作範囲分だけシフトする構成として、直列接続した
少なくとも２個以上の電界効果トランジスタの各ソース
に異なった基準電圧を印加する構成がある。このような
構成では、１種類の利得制御電圧で利得制御を行うた
め、極めて高精度な利得制御が可能である。また、利得
制御動作電圧の設定を自由に変えることが可能である。
【００４４】もう一つの構成として直列接続した少なく
とも２個以上の電界効果トランジスタの各ゲートに異な
った利得制御電圧を印加する構成がある。このような構
成では、直列可変抵抗のための少なくとも２個以上の電
界効果トランジスタの各ソース電極に同じ基準電圧を印
加しているため、基準電圧の変動に対しても精度良く直
線的な利得制御が可能である。また、利得制御動作電圧
の設定を自由に変えることが可能である。なお、上記の
構成では、２個以上の電界効果トランジスタの各ゲート
に異なった利得制御電圧を印加する構成になっている
が、単に電圧値が一定量シフトしているだけであるの
で、利得制御電圧として実質的に１種類と見なすことが
できる。
とも２個以上の電界効果トランジスタの各ゲートに異な
った利得制御電圧を印加する構成がある。このような構
成では、直列可変抵抗のための少なくとも２個以上の電
界効果トランジスタの各ソース電極に同じ基準電圧を印
加しているため、基準電圧の変動に対しても精度良く直
線的な利得制御が可能である。また、利得制御動作電圧
の設定を自由に変えることが可能である。なお、上記の
構成では、２個以上の電界効果トランジスタの各ゲート
に異なった利得制御電圧を印加する構成になっている
が、単に電圧値が一定量シフトしているだけであるの
で、利得制御電圧として実質的に１種類と見なすことが
できる。
【００４５】さらにその他の構成として、直列接続した
少なくとも２個以上の電界効果トランジスタに異なった
しきい値電圧を有する電界効果トランジスタを採用する
構成がある。このような構成では、１種類の利得制御電
圧で利得制御を行うため、極めて高精度な利得制御が可
能である。また、直列可変抵抗のための少なくとも２個
以上の電界効果トランジスタの各ソース電極に同じ基準
電圧を印加しているため基準電圧の変動に対しても精度
良く直線的な利得制御が可能である。さらに、電圧印加
を削減することができるため、回路構成の簡略化が可能
となる。
少なくとも２個以上の電界効果トランジスタに異なった
しきい値電圧を有する電界効果トランジスタを採用する
構成がある。このような構成では、１種類の利得制御電
圧で利得制御を行うため、極めて高精度な利得制御が可
能である。また、直列可変抵抗のための少なくとも２個
以上の電界効果トランジスタの各ソース電極に同じ基準
電圧を印加しているため基準電圧の変動に対しても精度
良く直線的な利得制御が可能である。さらに、電圧印加
を削減することができるため、回路構成の簡略化が可能
となる。
【００４６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
から図６に基づいて説明する。
から図６に基づいて説明する。
【００４７】図１に本発明の第１の実施の形態における
携帯電話端末装置のブロック図を示し、図１を用いて第
１の実施の形態における携帯電話端末装置の構成および
動作について説明する。この携帯電話端末装置は、図１
に示すように、マイコン・ロジック部などで構成され、
音声信号を処理するベースバンド部１０１と、ベースバ
ンド部１０１で処理された音声信号を入力として基地局
との間で通信を行う無線部２０１とからなる。
携帯電話端末装置のブロック図を示し、図１を用いて第
１の実施の形態における携帯電話端末装置の構成および
動作について説明する。この携帯電話端末装置は、図１
に示すように、マイコン・ロジック部などで構成され、
音声信号を処理するベースバンド部１０１と、ベースバ
ンド部１０１で処理された音声信号を入力として基地局
との間で通信を行う無線部２０１とからなる。
【００４８】無線部２０１は、基地局への送信信号を生
成する送信部２５０と、基地局からの送信信号を受信す
る受信部２２０とからなる。
成する送信部２５０と、基地局からの送信信号を受信す
る受信部２２０とからなる。
【００４９】送信部２５０は、ベースバンド部１０１か
ら与えられる音声信号の変調および周波数変換のための
混合を行う中間周波部２６０と、中間周波部２６０から
出力される高周波信号を増幅してデュープレクサ３１０
を介してアンテナ３００へ供給する高周波部２７０とか
らなる。
ら与えられる音声信号の変調および周波数変換のための
混合を行う中間周波部２６０と、中間周波部２６０から
出力される高周波信号を増幅してデュープレクサ３１０
を介してアンテナ３００へ供給する高周波部２７０とか
らなる。
【００５０】中間周波部２６０は、変調器２３１と、変
調器２３１の出力信号を高周波に変換するためのミキサ
２３３とからなり、可変利得中間周波増幅器は省かれて
いる。
調器２３１の出力信号を高周波に変換するためのミキサ
２３３とからなり、可変利得中間周波増幅器は省かれて
いる。
【００５１】高周波部２７０は、中間周波部２６０から
出力される高周波信号の利得を制御する利得制御器２７
１と、利得制御器２７１の出力を電力増幅する電力増幅
器２４２とからなる。この利得制御器２７１は±１ｄＢ
Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性をもって７０ｄＢ以上の
範囲にわたって利得が可変である。この場合、利得は連
続的に変化する利得制御電圧によって７０ｄＢ以上の範
囲にわたって連続制御される。
出力される高周波信号の利得を制御する利得制御器２７
１と、利得制御器２７１の出力を電力増幅する電力増幅
器２４２とからなる。この利得制御器２７１は±１ｄＢ
Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性をもって７０ｄＢ以上の
範囲にわたって利得が可変である。この場合、利得は連
続的に変化する利得制御電圧によって７０ｄＢ以上の範
囲にわたって連続制御される。
【００５２】利得制御器２７１は、前置増幅器（中電力
増幅器）２４３と、前置増幅器２４３と縦続接続されて
電力増幅器（高電力増幅器）２４２へ入力される高周波
信号の利得を可変する減衰器２７４とからなる。減衰器
２７４は、±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性をも
って７０ｄＢ以上の範囲にわたって利得を可変するため
に、減衰量を±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性を
もって７０ｄＢ以上の範囲にわたって変化させる機能を
有する。なお、この実施の形態では、前置増幅器２４３
と電力増幅器２４２の２段の増幅器で電力増幅を行って
いるが、１段の増幅器で電力増幅を行ってもよい。
増幅器）２４３と、前置増幅器２４３と縦続接続されて
電力増幅器（高電力増幅器）２４２へ入力される高周波
信号の利得を可変する減衰器２７４とからなる。減衰器
２７４は、±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性をも
って７０ｄＢ以上の範囲にわたって利得を可変するため
に、減衰量を±１ｄＢ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性を
もって７０ｄＢ以上の範囲にわたって変化させる機能を
有する。なお、この実施の形態では、前置増幅器２４３
と電力増幅器２４２の２段の増幅器で電力増幅を行って
いるが、１段の増幅器で電力増幅を行ってもよい。
【００５３】ベースバンド部１０１は、マイコン・ロジ
ック等からなる制御部１２０を含む。制御部１２０は、
受信部２２０による受信信号の信号強度を検出するとと
もに、電力増幅器２４２の出力レベルを検出し、受信信
号の信号強度に対応して電力増幅器２４２の出力レベル
の目標値を設定し、電力増幅器２４２の出力レベルと電
力増幅器２４２の出力レベルの目標値とを比較し、その
比較結果に応じた利得制御電圧ＶC を減衰器２７４に加
えることにより、電力増幅器２４２の出力レベルが電力
増幅器２４２の出力レベルの目標値に一致するように減
衰器２７４の利得を追従制御する。この場合、上記した
ように、減衰器２７４の利得が７０ｄＢ以上の範囲にわ
たって連続制御されることになる。
ック等からなる制御部１２０を含む。制御部１２０は、
受信部２２０による受信信号の信号強度を検出するとと
もに、電力増幅器２４２の出力レベルを検出し、受信信
号の信号強度に対応して電力増幅器２４２の出力レベル
の目標値を設定し、電力増幅器２４２の出力レベルと電
力増幅器２４２の出力レベルの目標値とを比較し、その
比較結果に応じた利得制御電圧ＶC を減衰器２７４に加
えることにより、電力増幅器２４２の出力レベルが電力
増幅器２４２の出力レベルの目標値に一致するように減
衰器２７４の利得を追従制御する。この場合、上記した
ように、減衰器２７４の利得が７０ｄＢ以上の範囲にわ
たって連続制御されることになる。
【００５４】この携帯電話端末装置では、上記のように
利得制御器２７１による利得制御のみによって、±１ｄ
Ｂ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性での７０ｄＢ以上の範
囲にわたる利得制御を実現している。ＩＳ−９５の規格
では、ミキサ２３３の入力段は２００ＭＨｚ帯で動作
し、ミキサ２３３の出力段は８３７ＭＨｚ帯で動作す
る。そして、携帯電話端末装置が最大出力を発生する状
態での各部の信号レベルは、電力増幅器２４２の出力端
で＋３０ｄＢｍ（ただし、０ｄＢｍ＝１ｍＷ）、利得制
御器２７１の出力端で＋５ｄＢｍ、ミキサ２３３の出力
端で−２０ｄＢｍ、変調器２３１の出力端で−２５ｄＢ
ｍとなっている。
利得制御器２７１による利得制御のみによって、±１ｄ
Ｂ Ｌｉｎｅａｒｉｔｙの直線性での７０ｄＢ以上の範
囲にわたる利得制御を実現している。ＩＳ−９５の規格
では、ミキサ２３３の入力段は２００ＭＨｚ帯で動作
し、ミキサ２３３の出力段は８３７ＭＨｚ帯で動作す
る。そして、携帯電話端末装置が最大出力を発生する状
態での各部の信号レベルは、電力増幅器２４２の出力端
で＋３０ｄＢｍ（ただし、０ｄＢｍ＝１ｍＷ）、利得制
御器２７１の出力端で＋５ｄＢｍ、ミキサ２３３の出力
端で−２０ｄＢｍ、変調器２３１の出力端で−２５ｄＢ
ｍとなっている。
【００５５】ここで、利得制御器２７１で７０ｄＢの範
囲の利得制御を行うものとすると、可変利得中間周波増
幅器２３２の出力端における信号レベルは−２５ｄＢｍ
で一定である。また、ミキサ２３３の出力端における信
号レベルは−２０ｄＢｍで一定である。また、利得制御
器２７１の出力端における信号レベルは＋５ｄＢｍ〜−
６５ｄＢｍの範囲で変化する。電力増幅器２４２の出力
端における信号レベルは、＋３０ｄＢｍ〜−４０ｄＢｍ
の範囲で変化する。
囲の利得制御を行うものとすると、可変利得中間周波増
幅器２３２の出力端における信号レベルは−２５ｄＢｍ
で一定である。また、ミキサ２３３の出力端における信
号レベルは−２０ｄＢｍで一定である。また、利得制御
器２７１の出力端における信号レベルは＋５ｄＢｍ〜−
６５ｄＢｍの範囲で変化する。電力増幅器２４２の出力
端における信号レベルは、＋３０ｄＢｍ〜−４０ｄＢｍ
の範囲で変化する。
【００５６】つぎに、減衰器２７４の具体的な構成およ
び動作を図２から図６を参照しながら説明する。
び動作を図２から図６を参照しながら説明する。
【００５７】図２は減衰器（半導体集積回路装置）２７
４の構成を示す概略ブロック図であり、図３は減衰器２
７４の具体的な構成を示す回路図である。この減衰器２
７４は、１個の半導体基板（ＧａＡｓ）に集積したもの
である。なお、このような構成はシリコン基板でも集積
が可能であり、特にシリコンで構成した場合マイコン・
ロジック部も同時に集積が可能である。
４の構成を示す概略ブロック図であり、図３は減衰器２
７４の具体的な構成を示す回路図である。この減衰器２
７４は、１個の半導体基板（ＧａＡｓ）に集積したもの
である。なお、このような構成はシリコン基板でも集積
が可能であり、特にシリコンで構成した場合マイコン・
ロジック部も同時に集積が可能である。
【００５８】このような減衰器により、利得がリニアに
変化する領域を用いて利得の連続制御を行うことで、直
列の可変抵抗が１個の場合に比べて、広範囲にわたって
リニアリティに優れた利得制御を実現することができ
る。その結果、中間周波部における増幅器の利得制御と
組み合わせなくても単独で広範囲にわたってリニアリテ
ィに優れた利得制御を実現することが可能となる。直列
の可変抵抗の個数を多くすることにより、さらに広範囲
にわたってリニアリティに優れた利得制御を実現するこ
とも可能となる。
変化する領域を用いて利得の連続制御を行うことで、直
列の可変抵抗が１個の場合に比べて、広範囲にわたって
リニアリティに優れた利得制御を実現することができ
る。その結果、中間周波部における増幅器の利得制御と
組み合わせなくても単独で広範囲にわたってリニアリテ
ィに優れた利得制御を実現することが可能となる。直列
の可変抵抗の個数を多くすることにより、さらに広範囲
にわたってリニアリティに優れた利得制御を実現するこ
とも可能となる。
【００５９】この減衰器は、図２および図３に示すよう
に、信号入力部である入力端子３４と信号出力部である
出力端子３５とを接続する少なくとも２個以上の直列
（シリーズ）の可変抵抗５１，５２よりなる信号ライン
５５を有し、入力端子３４および出力端子３５と接地ラ
イン５７との間の各々に並列（シャント）の可変抵抗５
３，５４が接続されている。接地ライン５７は基本電位
部であるグラウンドＧＮＤに接続されている。利得制御
ライン５６は、可変抵抗５１，５２，５３，５４に接続
されている。この減衰器では、基準電圧印加部となる基
準電圧印加端子２３，２７，３１，３３が可変抵抗５
１，５２，５３，５４の各々に接続され、基準電圧印加
端子２３，２７，３１，３３の各々に基準電圧Ｖｒｅｆ
１，Ｖｒｅｆ２，Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ４が与えられ
る。また、利得制御電圧印加部となる利得制御電圧印加
端子１９が可変抵抗５１，５２，５３，５４の各々に利
得制御ライン５６を介して接続されている。なお、並列
の可変抵抗５３，５４に対しては、共通の基準電圧を与
える構成であってもよい。この点は、以下の各実施の形
態でも同様である。
に、信号入力部である入力端子３４と信号出力部である
出力端子３５とを接続する少なくとも２個以上の直列
（シリーズ）の可変抵抗５１，５２よりなる信号ライン
５５を有し、入力端子３４および出力端子３５と接地ラ
イン５７との間の各々に並列（シャント）の可変抵抗５
３，５４が接続されている。接地ライン５７は基本電位
部であるグラウンドＧＮＤに接続されている。利得制御
ライン５６は、可変抵抗５１，５２，５３，５４に接続
されている。この減衰器では、基準電圧印加部となる基
準電圧印加端子２３，２７，３１，３３が可変抵抗５
１，５２，５３，５４の各々に接続され、基準電圧印加
端子２３，２７，３１，３３の各々に基準電圧Ｖｒｅｆ
１，Ｖｒｅｆ２，Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ４が与えられ
る。また、利得制御電圧印加部となる利得制御電圧印加
端子１９が可変抵抗５１，５２，５３，５４の各々に利
得制御ライン５６を介して接続されている。なお、並列
の可変抵抗５３，５４に対しては、共通の基準電圧を与
える構成であってもよい。この点は、以下の各実施の形
態でも同様である。
【００６０】上記の可変抵抗５１，５２，５３，５４
は、それぞれ少なくとも電界効果トランジスタ２１，２
５，１６，２８のゲートに抵抗２２，２６，２０，３２
を接続したものからなる。入力側の直列の可変抵抗５１
を構成する電界効果トランジスタ２１のドレインが入力
端子３４に接続され、ソースがコンデンサ２４の一端に
接続されている。出力側の直列の可変抵抗５２を構成す
る電界効果トランジスタ２５のドレインがコンデンサ２
４の他端に接続され、ソースが出力端子３５に接続され
ている。また、入力側の並列の可変抵抗５３を構成する
電界効果トランジスタ１６のドレインがコンデンサ１７
を介して入力端子３４に接続され、ソースがコンデンサ
１８および接地ライン５７を介してグラウンドＧＮＤに
接続されている。また、出力側の並列の可変抵抗５４を
構成する電界効果トランジスタ２８のドレインがコンデ
ンサ２９を介して出力端子３５に接続され、ソースがコ
ンデンサ３０および接地ライン５７を介してグラウンド
ＧＮＤに接続されている。
は、それぞれ少なくとも電界効果トランジスタ２１，２
５，１６，２８のゲートに抵抗２２，２６，２０，３２
を接続したものからなる。入力側の直列の可変抵抗５１
を構成する電界効果トランジスタ２１のドレインが入力
端子３４に接続され、ソースがコンデンサ２４の一端に
接続されている。出力側の直列の可変抵抗５２を構成す
る電界効果トランジスタ２５のドレインがコンデンサ２
４の他端に接続され、ソースが出力端子３５に接続され
ている。また、入力側の並列の可変抵抗５３を構成する
電界効果トランジスタ１６のドレインがコンデンサ１７
を介して入力端子３４に接続され、ソースがコンデンサ
１８および接地ライン５７を介してグラウンドＧＮＤに
接続されている。また、出力側の並列の可変抵抗５４を
構成する電界効果トランジスタ２８のドレインがコンデ
ンサ２９を介して出力端子３５に接続され、ソースがコ
ンデンサ３０および接地ライン５７を介してグラウンド
ＧＮＤに接続されている。
【００６１】さらに、可変抵抗５１を構成する電界効果
トランジスタ２１のゲートが抵抗２２および利得制御ラ
イン５６を介して利得制御電圧印加端子１９に接続さ
れ、可変抵抗５２を構成する電界効果トランジスタ２５
のゲートが抵抗２６および利得制御ライン５６を介して
利得制御電圧印加端子１９に接続され、可変抵抗５３を
構成する電界効果トランジスタ１６のソースが利得制御
ライン５６を介して利得制御電圧印加端子１９に接続さ
れ、可変抵抗５４を構成する電界効果トランジスタ２８
のソースが利得制御ライン５６を介して利得制御電圧印
加端子１９に接続されている。
トランジスタ２１のゲートが抵抗２２および利得制御ラ
イン５６を介して利得制御電圧印加端子１９に接続さ
れ、可変抵抗５２を構成する電界効果トランジスタ２５
のゲートが抵抗２６および利得制御ライン５６を介して
利得制御電圧印加端子１９に接続され、可変抵抗５３を
構成する電界効果トランジスタ１６のソースが利得制御
ライン５６を介して利得制御電圧印加端子１９に接続さ
れ、可変抵抗５４を構成する電界効果トランジスタ２８
のソースが利得制御ライン５６を介して利得制御電圧印
加端子１９に接続されている。
【００６２】また、可変抵抗５１，５２をそれぞれ構成
する電界効果トランジスタ２１，２５のソースには基準
電圧印加端子２３，２７から基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒ
ｅｆ２が印加され、可変抵抗５３，５４をそれぞれ構成
する電界効果トランジスタ１６，２８のゲートには基準
電圧印加端子３１，３３から、それぞれ抵抗２０，３２
を介して基準電圧Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ４が印加されて
いる。
する電界効果トランジスタ２１，２５のソースには基準
電圧印加端子２３，２７から基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒ
ｅｆ２が印加され、可変抵抗５３，５４をそれぞれ構成
する電界効果トランジスタ１６，２８のゲートには基準
電圧印加端子３１，３３から、それぞれ抵抗２０，３２
を介して基準電圧Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ４が印加されて
いる。
【００６３】ここで、各コンデンサ１７，１８，２４，
２９，３０は直流電圧の印加を阻止し、各抵抗２０，２
２，２６，３２は高周波信号の侵入を阻止する役割をそ
れぞれ果たしている。
２９，３０は直流電圧の印加を阻止し、各抵抗２０，２
２，２６，３２は高周波信号の侵入を阻止する役割をそ
れぞれ果たしている。
【００６４】上記の抵抗２０，２２，２６，３２は高周
波信号の侵入を阻止するために、例えば以下のように下
限値と上限値が設定される。まず、下限値は１ｋΩであ
る。その設定理由は、アイソレーションとして２０ｄＢ
以上ないと高周波信号が侵入し、ロスが増大するなど、
制御特性に影響するからであり、上記の値に設定すると
アイソレーションとして２０ｄＢ以上が得られる。
波信号の侵入を阻止するために、例えば以下のように下
限値と上限値が設定される。まず、下限値は１ｋΩであ
る。その設定理由は、アイソレーションとして２０ｄＢ
以上ないと高周波信号が侵入し、ロスが増大するなど、
制御特性に影響するからであり、上記の値に設定すると
アイソレーションとして２０ｄＢ以上が得られる。
【００６５】また、上限値は１００ｋΩである。その設
定理由は、電界効果トランジスタのゲート・リーク電流
が例えば１μＡ流れた場合に、電界効果トランジスタの
ゲートに挿入される抵抗の抵抗値を１００ｋΩとした場
合に、その抵抗の電圧降下Ｖ DROPが ＶDROP＝１×１０-6×１００×１０3 ＝０．１（Ｖ） となり、抵抗値が１００ｋΩを超えると、制御電圧のず
れが０．１Ｖを超え、利得制御特性に無視できない影響
を及ぼすことになるからである。
定理由は、電界効果トランジスタのゲート・リーク電流
が例えば１μＡ流れた場合に、電界効果トランジスタの
ゲートに挿入される抵抗の抵抗値を１００ｋΩとした場
合に、その抵抗の電圧降下Ｖ DROPが ＶDROP＝１×１０-6×１００×１０3 ＝０．１（Ｖ） となり、抵抗値が１００ｋΩを超えると、制御電圧のず
れが０．１Ｖを超え、利得制御特性に無視できない影響
を及ぼすことになるからである。
【００６６】以上のような構成の減衰器について、その
動作を説明する。携帯端末ではリチウム電池等により
３．０Ｖ程度までの電圧で駆動される。また、電界効果
トランジスタのしきい値電圧は可変抵抗が利得制御動作
を開始するバイアスを示すものであり、直列の可変抵抗
５１，５２および並列の可変抵抗５３，５４のための電
界効果トランジスタのしきい値電圧は全て等しいものを
用いる。この例では、−０．７Ｖとしている。
動作を説明する。携帯端末ではリチウム電池等により
３．０Ｖ程度までの電圧で駆動される。また、電界効果
トランジスタのしきい値電圧は可変抵抗が利得制御動作
を開始するバイアスを示すものであり、直列の可変抵抗
５１，５２および並列の可変抵抗５３，５４のための電
界効果トランジスタのしきい値電圧は全て等しいものを
用いる。この例では、−０．７Ｖとしている。
【００６７】直列の可変抵抗５１，５２の基準電圧印加
端子２３，２７にそれぞれ異なった基準電圧Ｖｒｅｆ
１，Ｖｒｅｆ２を印加し、また並列の可変抵抗５３，５
４の基準電圧印加端子３１，３３に同一の基準電圧Ｖｒ
ｅｆ３，Ｖｒｅｆ４を印加しておく。直列の可変抵抗５
１，５２の基準電圧印加端子２３，２７に印加する基準
電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２は、入力側の基準電圧印加
端子２３に印加する基準電圧Ｖｒｅｆ１の方が出力側の
基準電圧印加端子２７に印加する基準電圧Ｖｒｅｆ２に
比べ、直線利得制御動作を行う利得制御電圧範囲（０．
２〜０．３Ｖ）相当だけ高いものとする。
端子２３，２７にそれぞれ異なった基準電圧Ｖｒｅｆ
１，Ｖｒｅｆ２を印加し、また並列の可変抵抗５３，５
４の基準電圧印加端子３１，３３に同一の基準電圧Ｖｒ
ｅｆ３，Ｖｒｅｆ４を印加しておく。直列の可変抵抗５
１，５２の基準電圧印加端子２３，２７に印加する基準
電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２は、入力側の基準電圧印加
端子２３に印加する基準電圧Ｖｒｅｆ１の方が出力側の
基準電圧印加端子２７に印加する基準電圧Ｖｒｅｆ２に
比べ、直線利得制御動作を行う利得制御電圧範囲（０．
２〜０．３Ｖ）相当だけ高いものとする。
【００６８】上記の各基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ
２，Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ４は、直列の可変抵抗５１，
５２と並列の可変抵抗５３，５４による直線利得制御動
作範囲が実質的に連続していると見なせる状態に設定す
ればよい。以下の実施の形態でも同様である。
２，Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ４は、直列の可変抵抗５１，
５２と並列の可変抵抗５３，５４による直線利得制御動
作範囲が実質的に連続していると見なせる状態に設定す
ればよい。以下の実施の形態でも同様である。
【００６９】ここで、電界効果トランジスタにより形成
される可変抵抗は、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳが電界
効果トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈよりも小さくな
ったときに（ＶＧＳ≦Ｖｔｈ）に完全にオフ状態にな
り、抵抗値は最大になる。また、各電界効果トランジス
タのゲート・ソース間電圧ＶＧＳはゲート電圧ＶＧとソ
ース電圧ＶＳの差（ＶＧ−ＶＳ）で表され、利得制御電
圧Ｖｃ１と基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２，Ｖｒｅｆ
３，Ｖｒｅｆ４との組合せで抵抗値が変化することにな
る。そのため、基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２，Ｖｒ
ｅｆ３，Ｖｒｅｆ４の設定値を変えれば、可変抵抗にお
ける利得制御できる利得制御電圧Ｖｃ１の範囲を制御す
ることが可能となる。
される可変抵抗は、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳが電界
効果トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈよりも小さくな
ったときに（ＶＧＳ≦Ｖｔｈ）に完全にオフ状態にな
り、抵抗値は最大になる。また、各電界効果トランジス
タのゲート・ソース間電圧ＶＧＳはゲート電圧ＶＧとソ
ース電圧ＶＳの差（ＶＧ−ＶＳ）で表され、利得制御電
圧Ｖｃ１と基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２，Ｖｒｅｆ
３，Ｖｒｅｆ４との組合せで抵抗値が変化することにな
る。そのため、基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２，Ｖｒ
ｅｆ３，Ｖｒｅｆ４の設定値を変えれば、可変抵抗にお
ける利得制御できる利得制御電圧Ｖｃ１の範囲を制御す
ることが可能となる。
【００７０】利得制御電圧Ｖｃ１に対して、直列の可変
抵抗５１，５２と並列の可変抵抗５３，５４が各々分担
する利得制御電圧Ｖｃ１の範囲は、直列の可変抵抗５２
が低電圧側とし、直列の可変抵抗５１が中間電圧側と
し、並列の可変抵抗５３，５４が高電圧側としている
が、その順序は逆であってもよく、任意に設定すること
が可能である。例えば、直列の可変抵抗５２が中間電圧
側とし、直列の可変抵抗５１が低電圧側とし、並列の可
変抵抗５３，５４が高電圧側としてもよい。また、並列
の可変抵抗５３，５４が低電圧側で、直列の可変抵抗５
２が中間電圧側とし、直列の可変抵抗５１が高電圧側と
してもよい。また、並列の可変抵抗５３，５４が低電圧
側で、直列の可変抵抗５１が中間電圧側とし、直列の可
変抵抗５２が高電圧側としてもよい。
抵抗５１，５２と並列の可変抵抗５３，５４が各々分担
する利得制御電圧Ｖｃ１の範囲は、直列の可変抵抗５２
が低電圧側とし、直列の可変抵抗５１が中間電圧側と
し、並列の可変抵抗５３，５４が高電圧側としている
が、その順序は逆であってもよく、任意に設定すること
が可能である。例えば、直列の可変抵抗５２が中間電圧
側とし、直列の可変抵抗５１が低電圧側とし、並列の可
変抵抗５３，５４が高電圧側としてもよい。また、並列
の可変抵抗５３，５４が低電圧側で、直列の可変抵抗５
２が中間電圧側とし、直列の可変抵抗５１が高電圧側と
してもよい。また、並列の可変抵抗５３，５４が低電圧
側で、直列の可変抵抗５１が中間電圧側とし、直列の可
変抵抗５２が高電圧側としてもよい。
【００７１】以上のように、利得の連続制御を行う場合
において、直列の可変抵抗５１の基準電圧Ｖｒｅｆ１
と、直列の可変抵抗５２の基準電圧Ｖｒｅｆ２と、並列
の可変抵抗５３，５４の基準電圧Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ
４をそれぞれ適切に設定することにより、直列の可変抵
抗５１，５２と並列の可変抵抗５３，５４の利得制御動
作範囲をスムーズに連続するように接続し、一つの利得
制御電圧で７０ｄＢ以上の広範囲にわたって直線的に優
れた利得制御を行うことが可能である。
において、直列の可変抵抗５１の基準電圧Ｖｒｅｆ１
と、直列の可変抵抗５２の基準電圧Ｖｒｅｆ２と、並列
の可変抵抗５３，５４の基準電圧Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅｆ
４をそれぞれ適切に設定することにより、直列の可変抵
抗５１，５２と並列の可変抵抗５３，５４の利得制御動
作範囲をスムーズに連続するように接続し、一つの利得
制御電圧で７０ｄＢ以上の広範囲にわたって直線的に優
れた利得制御を行うことが可能である。
【００７２】図４は図３に示した減衰器の利得制御電圧
Ｖｃ１に対する利得制御の特性図である。以下、図４を
参照して、図３の減衰器の動作を説明する。
Ｖｃ１に対する利得制御の特性図である。以下、図４を
参照して、図３の減衰器の動作を説明する。
【００７３】ここで、電界効果トランジスタのしきい値
電圧Ｖｔｈがすべて−０．７Ｖであるとすると、基準電
圧Ｖｒｅｆ１は１．９Ｖに設定され、基準電圧Ｖｒｅｆ
２は１．６Ｖに設定され、基準電圧Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅ
ｆ４はともに１．１Ｖに設定される。
電圧Ｖｔｈがすべて−０．７Ｖであるとすると、基準電
圧Ｖｒｅｆ１は１．９Ｖに設定され、基準電圧Ｖｒｅｆ
２は１．６Ｖに設定され、基準電圧Ｖｒｅｆ３，Ｖｒｅ
ｆ４はともに１．１Ｖに設定される。
【００７４】利得制御電圧印加端子１９に０〜０．９Ｖ
の電圧を印加した場合（図４：利得制御電圧範囲
（ａ））には、直列の可変抵抗５１，５２の抵抗値ＲON
（Ｔ−ＦＥＴ２１），ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）は最大
値、並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥ
Ｔ１６，２８）は最小値を示すため、入力端子３４から
入力された信号は減衰し利得の増大はなく、出力端子３
５で出力信号の大きさＰOUT が最小となる。
の電圧を印加した場合（図４：利得制御電圧範囲
（ａ））には、直列の可変抵抗５１，５２の抵抗値ＲON
（Ｔ−ＦＥＴ２１），ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）は最大
値、並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥ
Ｔ１６，２８）は最小値を示すため、入力端子３４から
入力された信号は減衰し利得の増大はなく、出力端子３
５で出力信号の大きさＰOUT が最小となる。
【００７５】利得制御電圧印加端子１９に０．９Ｖを超
えて電圧を印加した場合（図４：利得制御電圧範囲
（ｂ））には、並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値ＲON
（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は最小値を、入力側の直列の
可変抵抗５１の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２１）は最大値
をそれぞれ示したままで出力側の直列の可変抵抗５２の
抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）は減少し始めるため、出
力信号の大きさＰOUT は増大する。通常、電界効果トラ
ンジスタによる可変抵抗が直線利得制御動作を行う利得
制御電圧範囲は０．２〜０．３Ｖ程度であり、利得制御
電圧印加端子１９に１．２Ｖの電圧が印加されるまで、
利得は直線的に２４ｄＢ増大する。
えて電圧を印加した場合（図４：利得制御電圧範囲
（ｂ））には、並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値ＲON
（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は最小値を、入力側の直列の
可変抵抗５１の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２１）は最大値
をそれぞれ示したままで出力側の直列の可変抵抗５２の
抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）は減少し始めるため、出
力信号の大きさＰOUT は増大する。通常、電界効果トラ
ンジスタによる可変抵抗が直線利得制御動作を行う利得
制御電圧範囲は０．２〜０．３Ｖ程度であり、利得制御
電圧印加端子１９に１．２Ｖの電圧が印加されるまで、
利得は直線的に２４ｄＢ増大する。
【００７６】利得制御電圧印加端子１９に１．２Ｖの電
圧が印加されると（図４：利得制御電圧範囲（ｃ））、
減少していた出力側の直列の可変抵抗５２の抵抗値ＲON
（Ｔ−ＦＥＴ２５）は最小値を示し、最大値を示してい
た入力側の直列の可変抵抗５１の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥ
Ｔ２１）は減少し始めるため、感度を同様にして出力信
号の大きさＰOUT は増大する。利得制御電圧印加端子１
９に１．５Ｖの電圧が印加されるまで、利得は直線的に
２４ｄＢ増大する。ここで、並列の可変抵抗５３，５４
の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は最小値をそれ
ぞれ示したままである。
圧が印加されると（図４：利得制御電圧範囲（ｃ））、
減少していた出力側の直列の可変抵抗５２の抵抗値ＲON
（Ｔ−ＦＥＴ２５）は最小値を示し、最大値を示してい
た入力側の直列の可変抵抗５１の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥ
Ｔ２１）は減少し始めるため、感度を同様にして出力信
号の大きさＰOUT は増大する。利得制御電圧印加端子１
９に１．５Ｖの電圧が印加されるまで、利得は直線的に
２４ｄＢ増大する。ここで、並列の可変抵抗５３，５４
の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は最小値をそれ
ぞれ示したままである。
【００７７】利得制御電圧印加端子１９に１．５Ｖの電
圧が印加されると（図４：利得制御電圧範囲（ｄ））、
減少していた入力側の直列の可変抵抗５１の抵抗値ＲON
（Ｔ−ＦＥＴ２１）は出力側の直列の可変抵抗５２の抵
抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）と同様に最小値を示し、最
小値を示していた並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値Ｒ
ON（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は増加し始めるため、出力
信号の大きさＰOUT は０．９〜１．５Ｖまでの電圧範囲
とは異なった感度で直線的に２３ｄＢ増大する。
圧が印加されると（図４：利得制御電圧範囲（ｄ））、
減少していた入力側の直列の可変抵抗５１の抵抗値ＲON
（Ｔ−ＦＥＴ２１）は出力側の直列の可変抵抗５２の抵
抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）と同様に最小値を示し、最
小値を示していた並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値Ｒ
ON（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は増加し始めるため、出力
信号の大きさＰOUT は０．９〜１．５Ｖまでの電圧範囲
とは異なった感度で直線的に２３ｄＢ増大する。
【００７８】利得制御電圧印加端子１９に１．８Ｖの電
圧を印加した場合（図４：利得制御電圧範囲（ｅ））に
は、直列の可変抵抗５１，５２の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥ
Ｔ２１），ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）は最小値を示したま
まで並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥ
Ｔ１６，２８）は最大値を示すため、出力信号の大きさ
ＰOUT は最大となる。この時点でこの減衰器の有する利
得制御幅は７１ｄＢとなる。利得制御電圧印加端子１９
に１．８Ｖ以上の電圧を印加しても直列の可変抵抗５
１，５２の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２１），ＲON（Ｔ−
ＦＥＴ２５）は最小値、並列の可変抵抗５３，５４の抵
抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は最大値を示すの
で、出力信号の大きさＰOUT は最大のままである。
圧を印加した場合（図４：利得制御電圧範囲（ｅ））に
は、直列の可変抵抗５１，５２の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥ
Ｔ２１），ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２５）は最小値を示したま
まで並列の可変抵抗５３，５４の抵抗値ＲON（Ｓ−ＦＥ
Ｔ１６，２８）は最大値を示すため、出力信号の大きさ
ＰOUT は最大となる。この時点でこの減衰器の有する利
得制御幅は７１ｄＢとなる。利得制御電圧印加端子１９
に１．８Ｖ以上の電圧を印加しても直列の可変抵抗５
１，５２の抵抗値ＲON（Ｔ−ＦＥＴ２１），ＲON（Ｔ−
ＦＥＴ２５）は最小値、並列の可変抵抗５３，５４の抵
抗値ＲON（Ｓ−ＦＥＴ１６，２８）は最大値を示すの
で、出力信号の大きさＰOUT は最大のままである。
【００７９】以上のように、この実施の形態によれば、
減衰器において、電界効果トランジスタによる直列の可
変抵抗５１，５２をコンデンサ２４を介して多段に接続
する構成を採用し、直列の可変抵抗５１，５２の動作を
直線利得制御動作範囲分だけシフトすることにより、直
列の可変抵抗５１，５２の線形動作範囲をそれぞれ足し
あわせることができるため、制御電圧に対する利得制御
量を広範囲にわたってリニアにすることが可能である。
この直列の可変抵抗５１，５２の直線利得制御動作範囲
分だけのシフトは外部のマイコンから基準電圧を調整す
ることで可能である。
減衰器において、電界効果トランジスタによる直列の可
変抵抗５１，５２をコンデンサ２４を介して多段に接続
する構成を採用し、直列の可変抵抗５１，５２の動作を
直線利得制御動作範囲分だけシフトすることにより、直
列の可変抵抗５１，５２の線形動作範囲をそれぞれ足し
あわせることができるため、制御電圧に対する利得制御
量を広範囲にわたってリニアにすることが可能である。
この直列の可変抵抗５１，５２の直線利得制御動作範囲
分だけのシフトは外部のマイコンから基準電圧を調整す
ることで可能である。
【００８０】したがって、携帯電話端末装置の高周波部
において、一つの半導体装置で７０ｄＢ以上の利得制御
をフラットネス±１ｄＢの線形性で行うことが可能とな
る。その結果、従来例のようなステップ的な制御電圧の
切り替えが必要なくなるので、図２０に示したような、
制御ステップの切り替えに伴って発生する電力増幅器の
出力レベルの目標値からの一時的な外れを回避すること
ができ、携帯電話端末装置における利得制御の高精度化
が容易となる。また、利得制御電圧の設定が１種類でよ
いので、制御部１２０の回路構成の簡略化が可能であ
る。また、中間周波部２６０における可変利得中間周波
増幅器を省くことができ、省スペース化を達成し、携帯
電話端末装置の小型化を進めることができる。
において、一つの半導体装置で７０ｄＢ以上の利得制御
をフラットネス±１ｄＢの線形性で行うことが可能とな
る。その結果、従来例のようなステップ的な制御電圧の
切り替えが必要なくなるので、図２０に示したような、
制御ステップの切り替えに伴って発生する電力増幅器の
出力レベルの目標値からの一時的な外れを回避すること
ができ、携帯電話端末装置における利得制御の高精度化
が容易となる。また、利得制御電圧の設定が１種類でよ
いので、制御部１２０の回路構成の簡略化が可能であ
る。また、中間周波部２６０における可変利得中間周波
増幅器を省くことができ、省スペース化を達成し、携帯
電話端末装置の小型化を進めることができる。
【００８１】また、ＣＤＭＡ方式では各信号に符号を付
け、同じ時間、同じ周波数上でこれらを取り扱うため、
デバイスの歪み特性が極めて重要になる。特にこの実施
の形態のように、電界効果トランジスタによる直列の可
変抵抗５１，５２の直線利得制御動作範囲分だけのシフ
ト動作において、出力側の直列の可変抵抗５２を入力側
の直列の可変抵抗５１より利得制御電圧Ｖｃ１に対して
先行動作させることにより、入力側の直列の可変抵抗５
１と出力側の直列の可変抵抗５２および並列の可変抵抗
５３，５４の歪み特性の各劣化ポイントを分散させるこ
とができ、劣化した歪み電力の重畳をなくすことができ
るため、並列の可変抵抗５３，５４との動作の併用で歪
み特性の劣化を阻止することが可能である。図５に示す
ように、同様の構成で直列の可変抵抗５１，５２を同時
に動作させる場合に比べ、歪み特性は９００ｋＨｚ離調
の場合の隣接チャンネル漏洩電力（ＡＣＰ９００ｋＨ
ｚ）で約４ｄＢｃ程度の低歪み動作が可能である。
け、同じ時間、同じ周波数上でこれらを取り扱うため、
デバイスの歪み特性が極めて重要になる。特にこの実施
の形態のように、電界効果トランジスタによる直列の可
変抵抗５１，５２の直線利得制御動作範囲分だけのシフ
ト動作において、出力側の直列の可変抵抗５２を入力側
の直列の可変抵抗５１より利得制御電圧Ｖｃ１に対して
先行動作させることにより、入力側の直列の可変抵抗５
１と出力側の直列の可変抵抗５２および並列の可変抵抗
５３，５４の歪み特性の各劣化ポイントを分散させるこ
とができ、劣化した歪み電力の重畳をなくすことができ
るため、並列の可変抵抗５３，５４との動作の併用で歪
み特性の劣化を阻止することが可能である。図５に示す
ように、同様の構成で直列の可変抵抗５１，５２を同時
に動作させる場合に比べ、歪み特性は９００ｋＨｚ離調
の場合の隣接チャンネル漏洩電力（ＡＣＰ９００ｋＨ
ｚ）で約４ｄＢｃ程度の低歪み動作が可能である。
【００８２】なお、上記実施の形態では、電界効果トラ
ンジスタによる直列の可変抵抗５１，５２のシフト動作
において、出力側の直列の可変抵抗５２を入力側の直列
の可変抵抗５１より利得制御電圧Ｖｃ１に対して先行動
作させたが、逆に入力側の直列の可変抵抗５１を先行動
作させても同様の特性を得ることが可能である。このこ
とによりマイコン・ロジック部による制御電圧の設定の
自由度が大きくなる。
ンジスタによる直列の可変抵抗５１，５２のシフト動作
において、出力側の直列の可変抵抗５２を入力側の直列
の可変抵抗５１より利得制御電圧Ｖｃ１に対して先行動
作させたが、逆に入力側の直列の可変抵抗５１を先行動
作させても同様の特性を得ることが可能である。このこ
とによりマイコン・ロジック部による制御電圧の設定の
自由度が大きくなる。
【００８３】また、上記実施の形態では入力側の直列の
可変抵抗５１の基準電圧印加端子２３と出力側の直列の
可変抵抗５２の基準電圧印加端子２７および並列の可変
抵抗５３，５４の基準電圧印加端子３１，３３をそれぞ
れ設けたが、図６に示すようにバイアス抵抗３８，３
９，４０により基準電圧印加を行ってもよい。この場
合、基準電圧印加端子は一つしか用いないため、回路の
簡略化が可能である。バイアス抵抗３８，３９，４０は
高周波信号の侵入を阻止する役割をそれぞれ果たしてい
る。上記のバイアス抵抗３８，３９，４０は高周波信号
の侵入を阻止するために、５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以
下の抵抗値に設定されている。
可変抵抗５１の基準電圧印加端子２３と出力側の直列の
可変抵抗５２の基準電圧印加端子２７および並列の可変
抵抗５３，５４の基準電圧印加端子３１，３３をそれぞ
れ設けたが、図６に示すようにバイアス抵抗３８，３
９，４０により基準電圧印加を行ってもよい。この場
合、基準電圧印加端子は一つしか用いないため、回路の
簡略化が可能である。バイアス抵抗３８，３９，４０は
高周波信号の侵入を阻止する役割をそれぞれ果たしてい
る。上記のバイアス抵抗３８，３９，４０は高周波信号
の侵入を阻止するために、５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以
下の抵抗値に設定されている。
【００８４】バイアス抵抗３８，３９，４０が５ｋΩ程
度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定されていることの
理由について、以下に説明する。
度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定されていることの
理由について、以下に説明する。
【００８５】まず、下限値が５ｋΩ程度であることにつ
いては以下のとおりである。バイアス抵抗３８と電界効
果トランジスタ２５は並列に接続されており、電界効果
トランジスタ２５の可変抵抗値で利得制御される。今、
バイアス抵抗３８が５ｋΩより小さい場合、電界効果ト
ランジスタ２５の抵抗値を大きくしても、バイアス抵抗
３８と電界効果トランジスタ２５の並列回路の両端子間
の抵抗としては５ｋΩ程度で、それより大きくならない
ため、利得制御幅が小さくなり、高精度に利得制御でき
ない。つまり、高周波信号の侵入を阻止できない。ま
た、バイアス抵抗３９，４０も小さい値だと高周波信号
がグラウンドへパスするため、５ｋΩ以上（アイソレー
ション４０ｄＢ以上）必要である。また、基準電圧Ｖｒ
ｅｆ１が３Ｖの場合、各バイアス抵抗３８，３９，４０
に流れる電流は、 Ｉ＝３Ｖ／１５ｋΩ＝２００μＡ 以上となり、電力消費が大きくなってしまう。
いては以下のとおりである。バイアス抵抗３８と電界効
果トランジスタ２５は並列に接続されており、電界効果
トランジスタ２５の可変抵抗値で利得制御される。今、
バイアス抵抗３８が５ｋΩより小さい場合、電界効果ト
ランジスタ２５の抵抗値を大きくしても、バイアス抵抗
３８と電界効果トランジスタ２５の並列回路の両端子間
の抵抗としては５ｋΩ程度で、それより大きくならない
ため、利得制御幅が小さくなり、高精度に利得制御でき
ない。つまり、高周波信号の侵入を阻止できない。ま
た、バイアス抵抗３９，４０も小さい値だと高周波信号
がグラウンドへパスするため、５ｋΩ以上（アイソレー
ション４０ｄＢ以上）必要である。また、基準電圧Ｖｒ
ｅｆ１が３Ｖの場合、各バイアス抵抗３８，３９，４０
に流れる電流は、 Ｉ＝３Ｖ／１５ｋΩ＝２００μＡ 以上となり、電力消費が大きくなってしまう。
【００８６】一方、上限値が１００ｋΩであることにつ
いては以下のとおりである。基準電圧Ｖｒｅｆ１が３Ｖ
の場合、各バイアス抵抗３８，３９，４０に流れる電流
は、 Ｉ＝３Ｖ／３００ｋΩ＝１０μＡ である。今、バイアス抵抗３８の両端の電圧は、 Ｖ＝１０μＡ×１００ｋΩ＝１Ｖ である。このとき、電界効果トランジスタのリーク電流
が１μＡ流れ込んだとすると、１μＡ×１００ｋΩ＝
０．１Ｖのバイアス変動が生じてしまい、利得制御特性
がずれて、精度よく利得制御を行えない。
いては以下のとおりである。基準電圧Ｖｒｅｆ１が３Ｖ
の場合、各バイアス抵抗３８，３９，４０に流れる電流
は、 Ｉ＝３Ｖ／３００ｋΩ＝１０μＡ である。今、バイアス抵抗３８の両端の電圧は、 Ｖ＝１０μＡ×１００ｋΩ＝１Ｖ である。このとき、電界効果トランジスタのリーク電流
が１μＡ流れ込んだとすると、１μＡ×１００ｋΩ＝
０．１Ｖのバイアス変動が生じてしまい、利得制御特性
がずれて、精度よく利得制御を行えない。
【００８７】さらに、上記実施の形態では直列の可変抵
抗５１，５２のための電界効果トランジスタの各ソース
電極に異なる電圧が印加できるように、それぞれに基準
電圧印加端子２３，２７を施したが、代わりに図７およ
び図８に示すように、直列の可変抵抗５１，５２のため
の電界効果トランジスタの各ゲートに直線利得制御動作
範囲分だけ異なる利得制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２が印加で
きるように、それぞれ利得制御電圧印加部４２，１９を
設けてもよい（第２の実施の形態）。なお、図７および
図８において、５８は第１利得制御ライン、５９は第２
利得制御ラインである。
抗５１，５２のための電界効果トランジスタの各ソース
電極に異なる電圧が印加できるように、それぞれに基準
電圧印加端子２３，２７を施したが、代わりに図７およ
び図８に示すように、直列の可変抵抗５１，５２のため
の電界効果トランジスタの各ゲートに直線利得制御動作
範囲分だけ異なる利得制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２が印加で
きるように、それぞれ利得制御電圧印加部４２，１９を
設けてもよい（第２の実施の形態）。なお、図７および
図８において、５８は第１利得制御ライン、５９は第２
利得制御ラインである。
【００８８】この場合、利得制御電圧印加部４２には利
得制御電圧印加部１９より、直線利得制御動作範囲分だ
け高い電圧差で利得制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を印加すれ
ばよく、従来の別個の利得制御デバイスを複数用いた場
合のように複雑な電圧設定を不要とする。また、直列の
可変抵抗５１，５２のための電界効果トランジスタ２
１，２５の各ソース電極に同じ基準電圧Ｖｒｅｆ１を印
加しているため基準電圧Ｖｒｅｆ１の変動に対しても精
度良く直線的な利得制御が可能である。基準電圧印加端
子２３と直列の可変抵抗５１，５２のための電界効果ト
ランジスタ２１，２５の各ソース電極間に接続された抵
抗４１は高周波信号ブロックの役割を果たすものであ
り、５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定され
ている。
得制御電圧印加部１９より、直線利得制御動作範囲分だ
け高い電圧差で利得制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を印加すれ
ばよく、従来の別個の利得制御デバイスを複数用いた場
合のように複雑な電圧設定を不要とする。また、直列の
可変抵抗５１，５２のための電界効果トランジスタ２
１，２５の各ソース電極に同じ基準電圧Ｖｒｅｆ１を印
加しているため基準電圧Ｖｒｅｆ１の変動に対しても精
度良く直線的な利得制御が可能である。基準電圧印加端
子２３と直列の可変抵抗５１，５２のための電界効果ト
ランジスタ２１，２５の各ソース電極間に接続された抵
抗４１は高周波信号ブロックの役割を果たすものであ
り、５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定され
ている。
【００８９】抵抗４１が５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下
の抵抗値に設定されていることの理由について、以下に
説明する。
の抵抗値に設定されていることの理由について、以下に
説明する。
【００９０】まず、下限値が５ｋΩ程度であることにつ
いては以下のとおりである。抵抗４１と電界効果トラン
ジスタ２５は並列に接続されており、電界効果トランジ
スタ２５の可変抵抗値で利得制御される。今、抵抗４１
が５ｋΩより小さい場合、電界効果トランジスタ２５の
抵抗値を大きくしても、抵抗４１と電界効果トランジス
タ２５の並列回路の両端子間の抵抗としては５ｋΩ程度
で、それより大きくならないため、利得制御幅が小さく
なり、高精度に利得制御できない。つまり、高周波信号
の侵入を阻止できない。
いては以下のとおりである。抵抗４１と電界効果トラン
ジスタ２５は並列に接続されており、電界効果トランジ
スタ２５の可変抵抗値で利得制御される。今、抵抗４１
が５ｋΩより小さい場合、電界効果トランジスタ２５の
抵抗値を大きくしても、抵抗４１と電界効果トランジス
タ２５の並列回路の両端子間の抵抗としては５ｋΩ程度
で、それより大きくならないため、利得制御幅が小さく
なり、高精度に利得制御できない。つまり、高周波信号
の侵入を阻止できない。
【００９１】一方、上限値が１００ｋΩであることにつ
いては以下のとおりである。電界効果トランジスタのリ
ーク電流が流れ込んだ場合（１μＡ程度）、抵抗４１の
両端の電位差は Ｖ＝１μＡ×１００ｋΩ＝０．１Ｖ を超えることとなり、バイアス変化が生じ、精度良く利
得制御を行えなくなる。
いては以下のとおりである。電界効果トランジスタのリ
ーク電流が流れ込んだ場合（１μＡ程度）、抵抗４１の
両端の電位差は Ｖ＝１μＡ×１００ｋΩ＝０．１Ｖ を超えることとなり、バイアス変化が生じ、精度良く利
得制御を行えなくなる。
【００９２】同様に、図９に示すように、直列の可変抵
抗５１，５２のための電界効果トランジスタ２１，２５
の各ゲートに直線利得制御動作範囲分だけ異なる電圧が
印加できるように、それぞれバイアス抵抗３６，３７を
設けてもよい。この場合、利得制御電圧Ｖｃ１を一つ用
いるだけなので、マイコン・ロジックの設定が簡略化さ
れ、また直列の可変抵抗５１，５２のための電界効果ト
ランジスタ２１，２５の各ソース電極に同じ基準電圧を
印加しているため、基準電圧の変動に対しても精度良く
直線的な利得制御が可能である。また、基準電圧に関し
ても、バイアス抵抗４１，３９，４０により基準電圧印
加を行ってもよい。この場合、基準電圧印加端子は一つ
しか用いないため、回路の簡略化が可能である。バイア
ス抵抗４１，３９，４０は高周波信号の侵入を阻止する
役割をそれぞれ果たしている。上記のバイアス抵抗４
１，３９，４０は高周波信号の侵入を阻止するために５
ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定している。
上記の抵抗値範囲の設定理由は、図６に関して説明した
のと同じである。
抗５１，５２のための電界効果トランジスタ２１，２５
の各ゲートに直線利得制御動作範囲分だけ異なる電圧が
印加できるように、それぞれバイアス抵抗３６，３７を
設けてもよい。この場合、利得制御電圧Ｖｃ１を一つ用
いるだけなので、マイコン・ロジックの設定が簡略化さ
れ、また直列の可変抵抗５１，５２のための電界効果ト
ランジスタ２１，２５の各ソース電極に同じ基準電圧を
印加しているため、基準電圧の変動に対しても精度良く
直線的な利得制御が可能である。また、基準電圧に関し
ても、バイアス抵抗４１，３９，４０により基準電圧印
加を行ってもよい。この場合、基準電圧印加端子は一つ
しか用いないため、回路の簡略化が可能である。バイア
ス抵抗４１，３９，４０は高周波信号の侵入を阻止する
役割をそれぞれ果たしている。上記のバイアス抵抗４
１，３９，４０は高周波信号の侵入を阻止するために５
ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定している。
上記の抵抗値範囲の設定理由は、図６に関して説明した
のと同じである。
【００９３】また同様に、上記第２の実施の形態では、
直列の可変抵抗５１，５２のための電界効果トランジス
タ２１，２５の各ソース電極に異なる電圧を印加できる
ように、それぞれに基準電圧印加端子２３，２７を施し
たが、図１０および図１１に示すように、直列の可変抵
抗５１，５２のための各電界効果トランジスタ２１，２
５に対して、同基準電圧および同利得制御電圧を印加
し、各電界効果トランジスタ２１，２５に直線利得制御
動作を行う利得制御電圧範囲相当だけ異なるしきい値電
圧の電界効果トランジスタを用いてシフト動作を行わせ
てもよい（第５の実施の形態）。この場合、プロセス工
程数が多くなる反面、図１０および図１１に示すような
回路構成となり、電圧印加端子を削減することができ簡
略化が可能となる。また、直列の可変抵抗５１，５２の
ための電界効果トランジスタ２１，２５の各ソース電極
に同じ基準電圧を印加しているため、基準電圧の変動に
対しても精度良く直線的な利得制御が可能である。基準
電圧印加端子２３と直列の可変抵抗５１，５２のための
電界効果トランジスタ２１，２５の各ソース電極間に接
続された抵抗４１は高周波信号の侵入を阻止する役割を
それぞれ果たしている。
直列の可変抵抗５１，５２のための電界効果トランジス
タ２１，２５の各ソース電極に異なる電圧を印加できる
ように、それぞれに基準電圧印加端子２３，２７を施し
たが、図１０および図１１に示すように、直列の可変抵
抗５１，５２のための各電界効果トランジスタ２１，２
５に対して、同基準電圧および同利得制御電圧を印加
し、各電界効果トランジスタ２１，２５に直線利得制御
動作を行う利得制御電圧範囲相当だけ異なるしきい値電
圧の電界効果トランジスタを用いてシフト動作を行わせ
てもよい（第５の実施の形態）。この場合、プロセス工
程数が多くなる反面、図１０および図１１に示すような
回路構成となり、電圧印加端子を削減することができ簡
略化が可能となる。また、直列の可変抵抗５１，５２の
ための電界効果トランジスタ２１，２５の各ソース電極
に同じ基準電圧を印加しているため、基準電圧の変動に
対しても精度良く直線的な利得制御が可能である。基準
電圧印加端子２３と直列の可変抵抗５１，５２のための
電界効果トランジスタ２１，２５の各ソース電極間に接
続された抵抗４１は高周波信号の侵入を阻止する役割を
それぞれ果たしている。
【００９４】さらに、図１２に示すように、基準電圧に
おいてバイアス抵抗４１，３９，４０により基準電圧印
加を行ってもよい。この場合、基準電圧印加端子は一つ
しか用いないため、回路の簡略化がさらに可能である。
バイアス抵抗４１，３９，４０は基準電圧のバイアス抵
抗および高周波信号の侵入を阻止する役割をそれぞれ果
たしている。
おいてバイアス抵抗４１，３９，４０により基準電圧印
加を行ってもよい。この場合、基準電圧印加端子は一つ
しか用いないため、回路の簡略化がさらに可能である。
バイアス抵抗４１，３９，４０は基準電圧のバイアス抵
抗および高周波信号の侵入を阻止する役割をそれぞれ果
たしている。
【００９５】なお、上記実施の形態では、電界効果トラ
ンジスタによる入力側の直列の可変抵抗５１と出力側の
直列の可変抵抗５２の２個の可変抵抗を多段接続した構
成を用いたが、それ以上の複数個の可変抵抗を多段接続
してもよく、直列多段接続する可変抵抗の数を多くすれ
ばする程、直列の可変抵抗の線形動作範囲をそれぞれ足
しあわせることができるため、制御電圧に対するリニア
な信号制御範囲の拡大が可能である。
ンジスタによる入力側の直列の可変抵抗５１と出力側の
直列の可変抵抗５２の２個の可変抵抗を多段接続した構
成を用いたが、それ以上の複数個の可変抵抗を多段接続
してもよく、直列多段接続する可変抵抗の数を多くすれ
ばする程、直列の可変抵抗の線形動作範囲をそれぞれ足
しあわせることができるため、制御電圧に対するリニア
な信号制御範囲の拡大が可能である。
【００９６】また、上記実施の形態では、各可変抵抗５
１，５２，５３，５４のための各電界効果トランジスタ
２１，２５，１６，２８のドレイン−ソース電極間には
並列に何も接続せずに用いたが、各電界効果トランジス
タ２１，２５，１６，２８の固有の抵抗値のバラツキを
抑制するためおよび、可変抵抗範囲を制御するために、
電界効果トランジスタ２１，２５，１６，２８のドレイ
ン−ソース電極間に並列に抵抗等を接続して用いてもよ
い。このことにより各可変抵抗のもつ利得制御量が安定
し、極めて高精度な利得制御が可能となる。
１，５２，５３，５４のための各電界効果トランジスタ
２１，２５，１６，２８のドレイン−ソース電極間には
並列に何も接続せずに用いたが、各電界効果トランジス
タ２１，２５，１６，２８の固有の抵抗値のバラツキを
抑制するためおよび、可変抵抗範囲を制御するために、
電界効果トランジスタ２１，２５，１６，２８のドレイ
ン−ソース電極間に並列に抵抗等を接続して用いてもよ
い。このことにより各可変抵抗のもつ利得制御量が安定
し、極めて高精度な利得制御が可能となる。
【００９７】また、上記実施の形態では、各可変抵抗５
１，５２，５３，５４のための各電界効果トランジスタ
２１，２５，１６，２８のゲートの本数をそれぞれ一本
で構成しているが、それ以上の複数本のゲート（マルチ
ゲートタイプ）を用いてもよく、用いるゲートの本数を
多くすればする程、利得制御幅が広くなり、また高い入
力信号であっても歪み特性の劣化を抑えた利得制御が可
能となる。
１，５２，５３，５４のための各電界効果トランジスタ
２１，２５，１６，２８のゲートの本数をそれぞれ一本
で構成しているが、それ以上の複数本のゲート（マルチ
ゲートタイプ）を用いてもよく、用いるゲートの本数を
多くすればする程、利得制御幅が広くなり、また高い入
力信号であっても歪み特性の劣化を抑えた利得制御が可
能となる。
【００９８】また、可変抵抗５１，５２，５３，５４を
構成する電界効果トランジスタ２１，２５，１６，２８
がすべてシングルゲート型である場合において、各電界
効果トランジスタ２１，２５，１６，２８のゲート幅は
同一に設定する必要はないが、同一にした場合には、２
個の並列の可変抵抗５３，５４の合成の利得制御特性と
直列の各可変抵抗５１，５２の各々の利得制御特性とを
合致させることが可能であり、利得制御の直線性を極め
て良好とすることができる。
構成する電界効果トランジスタ２１，２５，１６，２８
がすべてシングルゲート型である場合において、各電界
効果トランジスタ２１，２５，１６，２８のゲート幅は
同一に設定する必要はないが、同一にした場合には、２
個の並列の可変抵抗５３，５４の合成の利得制御特性と
直列の各可変抵抗５１，５２の各々の利得制御特性とを
合致させることが可能であり、利得制御の直線性を極め
て良好とすることができる。
【００９９】さらに、上記実施の形態では、各可変抵抗
５１，５２，５３，５４のために各電界効果トランジス
タ２１，２５，１６，２８を用いた場合を示したが、本
発明はこれに限ることなく、たとえばダイオード等の素
子であってもよい。
５１，５２，５３，５４のために各電界効果トランジス
タ２１，２５，１６，２８を用いた場合を示したが、本
発明はこれに限ることなく、たとえばダイオード等の素
子であってもよい。
【０１００】なお、これらの減衰器は、ＣＤＭＡ方式だ
けでなく、様々な移動体通信方式（ＰＤＣ，ＧＳＭ，Ｐ
ＣＳ，Ｗｉｄｅｂａｎｄ−ＣＤＭＡ，ＤＣＳ，ＰＨＳな
ど）に用いることができる。
けでなく、様々な移動体通信方式（ＰＤＣ，ＧＳＭ，Ｐ
ＣＳ，Ｗｉｄｅｂａｎｄ−ＣＤＭＡ，ＤＣＳ，ＰＨＳな
ど）に用いることができる。
【０１０１】
【発明の効果】本発明の携帯電話端末装置によれば、減
衰器として、多段接続した少なくとも２個以上の電界効
果トランジスタによる直列可変抵抗を有し、さらに並列
の可変抵抗を有するものを用い、この減衰器において、
各可変抵抗の利得を制御して、利得制御器が電力増幅器
からの出力を実質的に連続で、かつ直線的に制御するの
で、ステップ状の利得切り替えに伴う問題が解消し、高
品質の通話が可能となる。また、高周波部における利得
制御のみを行うだけでよく、利得制御を簡略化できる。
さらに、中間周波部での可変利得中間周波増幅器を省く
ことが可能となり、省スペースを実現し、小型化を実現
することができる。
衰器として、多段接続した少なくとも２個以上の電界効
果トランジスタによる直列可変抵抗を有し、さらに並列
の可変抵抗を有するものを用い、この減衰器において、
各可変抵抗の利得を制御して、利得制御器が電力増幅器
からの出力を実質的に連続で、かつ直線的に制御するの
で、ステップ状の利得切り替えに伴う問題が解消し、高
品質の通話が可能となる。また、高周波部における利得
制御のみを行うだけでよく、利得制御を簡略化できる。
さらに、中間周波部での可変利得中間周波増幅器を省く
ことが可能となり、省スペースを実現し、小型化を実現
することができる。
【０１０２】また、本発明の携帯電話端末装置によれ
ば、減衰器として、多段接続した少なくとも２個以上の
電界効果トランジスタによる直列可変抵抗を有し、さら
に並列の可変抵抗を有するものを用い、この減衰器にお
いて、多段接続した少なくとも２個以上の電界効果トラ
ンジスタによる直列可変抵抗の動作を、直線利得制御動
作範囲分だけシフトし直列可変抵抗の線形動作範囲をそ
れぞれ足しあわせ、かつ並列可変抵抗の線形動作範囲と
直列可変抵抗の線形動作範囲とを実質的に連続させ、各
モードの切り替えを１種類の利得制御電圧のみで行うこ
とにより、利得の差違をなくし制御電圧に対するリニア
な利得制御動作を７０ｄＢ以上の広範囲にわたって極め
て高精度に行うことが可能である。
ば、減衰器として、多段接続した少なくとも２個以上の
電界効果トランジスタによる直列可変抵抗を有し、さら
に並列の可変抵抗を有するものを用い、この減衰器にお
いて、多段接続した少なくとも２個以上の電界効果トラ
ンジスタによる直列可変抵抗の動作を、直線利得制御動
作範囲分だけシフトし直列可変抵抗の線形動作範囲をそ
れぞれ足しあわせ、かつ並列可変抵抗の線形動作範囲と
直列可変抵抗の線形動作範囲とを実質的に連続させ、各
モードの切り替えを１種類の利得制御電圧のみで行うこ
とにより、利得の差違をなくし制御電圧に対するリニア
な利得制御動作を７０ｄＢ以上の広範囲にわたって極め
て高精度に行うことが可能である。
【０１０３】その結果、上記のような減衰器を用いて構
成した携帯電話端末装置は、ステップ状の利得切り替え
に伴う問題が解消し、高品質の通話が可能となる。ま
た、高周波部における利得制御のみを行うだけでよく、
利得制御を簡略化できる。さらに、中間周波部での可変
利得中間周波増幅器を省くことが可能となり、省スペー
スを実現し、小型化を実現することができる。
成した携帯電話端末装置は、ステップ状の利得切り替え
に伴う問題が解消し、高品質の通話が可能となる。ま
た、高周波部における利得制御のみを行うだけでよく、
利得制御を簡略化できる。さらに、中間周波部での可変
利得中間周波増幅器を省くことが可能となり、省スペー
スを実現し、小型化を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における携帯電話端
末装置の構成を示すブロック図である。
末装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の携帯電話端末装置における減衰器の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図３】図２の減衰器の具体的な構成を示す回路図であ
る。
る。
【図４】図３の減衰器における利得制御電圧に対する利
得制御の特性図である。
得制御の特性図である。
【図５】図３の減衰器における利得制御電圧に対する９
００ｋＨｚ隣接チャンネル漏洩電力の特性図である。
００ｋＨｚ隣接チャンネル漏洩電力の特性図である。
【図６】図３において、各可変抵抗に基準電圧を印加で
きるように、それぞれにバイアス抵抗３８，３９，４０
を設けた減衰器の具体的な構成を示す回路図である。
きるように、それぞれにバイアス抵抗３８，３９，４０
を設けた減衰器の具体的な構成を示す回路図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の携帯電話端末装置
における減衰器の構成を示すブロック図である。
における減衰器の構成を示すブロック図である。
【図８】図７の減衰器の具体的な構成を示す回路図であ
る。
る。
【図９】図８において、直列可変抵抗のための電界効果
トランジスタ２１，２５の各制御電極に異なる電圧が印
加できるように、バイアス抵抗３６，３７を設け、さら
に各可変抵抗に基準電圧を印加できるように、それぞれ
にバイアス抵抗４１，３９，４０を設けた増幅器の具体
的な構成を示す回路図である。
トランジスタ２１，２５の各制御電極に異なる電圧が印
加できるように、バイアス抵抗３６，３７を設け、さら
に各可変抵抗に基準電圧を印加できるように、それぞれ
にバイアス抵抗４１，３９，４０を設けた増幅器の具体
的な構成を示す回路図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の携帯電話端末装
置における減衰器の構成を示すブロック図である。
置における減衰器の構成を示すブロック図である。
【図１１】図１０の減衰器の具体的な構成を示す回路図
である。
である。
【図１２】図１０において、各可変抵抗に基準電圧を印
加できるように、それぞれにバイアス抵抗４１，３９，
４０を設けた減衰器の具体的な構成を示す回路図であ
る。
加できるように、それぞれにバイアス抵抗４１，３９，
４０を設けた減衰器の具体的な構成を示す回路図であ
る。
【図１３】基地局と携帯電話端末装置の位置関係を示す
模式図である。
模式図である。
【図１４】基地局における各チャンネル毎の受信信号の
強度を示す説明図である。
強度を示す説明図である。
【図１５】従来の携帯電話端末装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１６】図１５の携帯電話端末装置に用いられる減衰
器の構成を示す回路図である。
器の構成を示す回路図である。
【図１７】図１６の減衰器における利得制御電圧に対す
る利得制御の特性図である。
る利得制御の特性図である。
【図１８】利得制御電圧に対する利得制御器の出力レベ
ルの特性図である。
ルの特性図である。
【図１９】利得制御電圧に対する可変利得中間周波増幅
器の出力レベルの特性図である。
器の出力レベルの特性図である。
【図２０】従来例の問題を説明するための説明図であ
る。
る。
１６ 電界効果トランジスタ １７ コンデンサ １８ コンデンサ １９ 利得制御電圧入力端子 ２０ 抵抗 ２１ 電界効果トランジスタ ２２ 抵抗 ２３ 基準電圧印加端子 ２４ コンデンサ ２５ 電界効果トランジスタ ２６ 抵抗 ２７ 基準電圧印加端子 ２８ 電界効果トランジスタ ２９ コンデンサ ３０ コンデンサ ３１ 基準電圧印加端子 ３２ 抵抗 ３３ 基準電圧印加端子 ３４ 入力端子 ３５ 出力端子 ３６ 抵抗 ３７ 抵抗 ３８ 抵抗 ３９ 抵抗 ４０ 抵抗 ４１ 抵抗 ５１ 可変抵抗 ５２ 可変抵抗 ５３ 可変抵抗 ５４ 可変抵抗 １０１ ベースバンド部 １２０ 制御部 ２０１ 無線部 ２２０ 受信部 ２３１ 変調器 ２３３ ミキサ ２４２ 電力増幅器 ２４３ 前置増幅器 ２５０ 送信部 ２６０ 中間周波部 ２７０ 高周波部 ２７１ 利得制御器 ２７４ 減衰器 ５１〜５４ 可変抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多良 勝司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J026 AA08 5K060 AA02 BB00 BB07 CC04 DD04 HH00 HH06 HH09 JJ00 JJ02 JJ08 LL01 5K067 AA23 BB04 CC10 EE02 GG08
Claims (19)
- 【請求項１】 音声信号を処理するベースバンド部（１
０１）と、前記ベースバンド部（１０１）で処理された
音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部
（２０１）とからなり、前記無線部（２０１）が前記基
地局への送信信号を生成する送信部（２５０）と、前記
基地局からの送信信号を受信する受信部（２２０）とか
らなり、前記送信部（２５０）が前記ベースバンド部
（１０１）から与えられる音声信号の変調および周波数
変換のための混合を行う中間周波部（２６０）と、前記
中間周波部（２６０）から出力される高周波信号を増幅
してアンテナへ供給する高周波部（２７０）とからな
り、前記高周波部（２７０）が前記中間周波部（２６
０）から出力される高周波信号の利得を制御する利得制
御器（２７１）と、前記利得制御器（２７１）の出力を
電力増幅する電力増幅器（２４２）とからなり、 前記ベースバンド部（１０１）が制御部を含み、前記制
御部が、前記受信部（２２０）による受信信号の信号強
度を検出するとともに、前記電力増幅器（２４２）の出
力レベルを検出し、前記受信信号の信号強度に対応して
前記電力増幅器（２４２）の出力レベルの目標値を設定
し、前記電力増幅器（２４２）の出力レベルと前記電力
増幅器（２４２）の出力レベルの目標値とを比較し、そ
の比較結果に応じた利得制御電圧を前記利得制御器（２
７１）に加えることにより、前記電力増幅器（２４２）
の出力レベルが前記電力増幅器（２４２）の出力レベル
の目標値に一致するように前記利得制御器（２７１）の
利得を追従制御し、 前記利得制御器（２７１）が高周波信号の信号入力部
（３４）と信号出力部（３５）とを接続する少なくとも
２個以上の直列の可変抵抗（５１），（５２）よりなる
信号ライン（５５）と、前記信号入力部（３４）および
前記信号出力部（３５）と接地ライン（５７）との間の
各々に接続された並列の可変抵抗（５３），（５４）と
からなり、利得制御電圧印加部（１９）に印加された前
記利得制御電圧により、前記可変抵抗（５１），（５
２），（５３），（５４）の各々の利得を制御して、前
記利得制御器（２７１）が前記電力増幅器（２４２）か
らの出力を実質的に連続で、かつ直線的に制御すること
を特徴とする携帯電話端末装置。 - 【請求項２】 音声信号を処理するベースバンド部（１
０１）と、前記ベースバンド部（１０１）で処理された
音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部
（２０１）とからなり、前記無線部（２０１）が前記基
地局への送信信号を生成する送信部（２５０）と、前記
基地局からの送信信号を受信する受信部（２２０）とか
らなり、前記送信部（２５０）が前記ベースバンド部
（１０１）から与えられる音声信号の変調および周波数
変換のための混合を行う中間周波部（２６０）と、前記
中間周波部（２６０）から出力される高周波信号を増幅
してアンテナへ供給する高周波部（２７０）とからな
り、前記高周波部（２７０）が前記中間周波部（２６
０）から出力される高周波信号の利得を制御する利得制
御器（２７１）と、前記利得制御器（２７１）の出力を
電力増幅する電力増幅器（２４２）とからなり、 前記ベースバンド部（１０１）が制御部を含み、前記制
御部が、前記受信部（２２０）による受信信号の信号強
度を検出するとともに、前記電力増幅器（２４２）の出
力レベルを検出し、前記受信信号の信号強度に対応して
前記電力増幅器（２４２）の出力レベルの目標値を設定
し、前記電力増幅器（２４２）の出力レベルと前記電力
増幅器（２４２）の出力レベルの目標値とを比較し、そ
の比較結果に応じた利得制御電圧を前記利得制御器（２
７１）に加えることにより、前記電力増幅器（２４２）
の出力レベルが前記電力増幅器（２４２）の出力レベル
の目標値に一致するように前記利得制御器（２７１）の
利得を追従制御し、 前記利得制御器（２７１）が高周波信号の信号入力部
（３４）と信号出力部（３５）とを接続する少なくとも
２個以上の直列の可変抵抗（５１），（５２）よりなる
信号ライン（５５）と、前記信号入力部（３４）および
前記信号出力部（３５）と接地ライン（５７）との間の
各々に接続された並列の可変抵抗（５３），（５４）
と、前記可変抵抗（５１），（５２），（５３），（５
４）に接続された利得制御ライン（５６）と、前記可変
抵抗（５１），（５２），（５３），（５４）の各々に
接続された基準電圧印加部（２３），（２７），（３
１），（３３）と、前記可変抵抗（５１），（５２），
（５３），（５４）の各々に前記利得制御ライン（５
６）を介して接続されて前記利得制御電圧が加えられる
利得制御電圧印加部（１９）とで構成されていることを
特徴とする携帯電話端末装置。 - 【請求項３】 前記可変抵抗（５１），（５２），（５
３），（５４）が少なくとも電界効果トランジスタ（２
１），（２５），（１６），（２８）のゲートに抵抗
（２２），（２６），（２０），（３２）が接続された
構成で、前記可変抵抗（５１），（５２）の各々の前記
電界効果トランジスタ（２１），（２５）のゲートが前
記抵抗（２２），（２６）と前記利得制御ライン（５
６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接続さ
れ、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界
効果トランジスタ（１６），（２８）のゲートが前記抵
抗（２０），（３２）を介してそれぞれ前記基準電圧印
加部（３１），（３３）に接続され、前記可変抵抗（５
１），（５２）の各々の前記電界効果トランジスタ（２
１），（２５）のソースに前記基準電圧印加部（２
３），（２７）がそれぞれ接続され、前記可変抵抗（５
１），（５２）間が容量（２４）を介して直列接続さ
れ、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界
効果トランジスタ（１６），（２８）のソースが前記利
得制御ライン（５６）を介して前記利得制御電圧印加部
（１９）に接続され、前記可変抵抗（５３），（５４）
の各々の前記電界効果トランジスタ（１６），（２８）
のドレインが容量（１７），（２９）を介して前記信号
入力部（３４）および前記信号出力部（３５）にそれぞ
れ接続され、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の
前記電界効果トランジスタ（１６），（２８）のソース
が容量（１８），（３０）と前記接地ライン（５７）を
介して基本電位部（ＧＮＤ）に接続された請求項２記載
の携帯電話端末装置。 - 【請求項４】 前記基準電圧印加部（２７）に印加され
る電圧よりも前記基準電圧印加部（２３）に印加される
電圧の方が高い請求項２記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項５】 前記基準電圧印加部（２７）に印加され
る電圧よりも前記基準電圧印加部（２３）に印加される
電圧の方が前記可変抵抗（５２）が直線利得制御動作を
行う利得制御電圧範囲に相当する値だけ高い請求項２記
載の携帯電話端末装置。 - 【請求項６】 前記基準電圧印加部（３１），（３３）
に印加される電圧値が、前記可変抵抗（５１），（５
２）が直線利得制御動作を行う利得制御電圧範囲に前記
可変抵抗（５３），（５４）が直線利得制御動作を行う
利得制御電圧範囲が連続するように設定されている請求
項２記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項７】 前記可変抵抗（５１），（５２），（５
３），（５４）が少なくとも電界効果トランジスタ（２
１），（２５），（１６），（２８）のゲートに抵抗
（２２），（２６），（２０），（３２）が接続された
構成で、前記可変抵抗（５１），（５２）の各々の前記
電界効果トランジスタ（２１），（２５）のゲートが前
記抵抗（２２），（２６）と前記利得制御ライン（５
６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接続さ
れ、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界
効果トランジスタ（１６），（２８）のゲートが前記抵
抗（２０），（３２）を介して共通接続され、前記可変
抵抗（５１），（５２）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（２１），（２５）のソース間に抵抗（３８）が挿
入接続され、前記可変抵抗（５２）の前記電界効果トラ
ンジスタ（２５）のソースと前記可変抵抗（５３），
（５４）の各々の前記電界効果トランジスタ（１６），
（２８）のゲートに前記抵抗（２０），（３２）を介し
て接続される部分（６１）との間に抵抗（３９）が挿入
接続され、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前
記電界効果トランジスタ（１６），（２８）のゲートに
前記抵抗（２０），（３２）を介して接続される前記部
分（６１）と基本電位部（ＧＮＤ）との間に抵抗（４
０）が挿入接続され、前記可変抵抗（５１）の前記電界
効果トランジスタ（２１）のソースに前記基準電圧印加
部（２３）が接続され、前記可変抵抗（５１），（５
２）間が容量（２４）を介して直列接続され、前記可変
抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（１６），（２８）のソースが前記利得制御ライン
（５６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接
続され、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記
電界効果トランジスタ（１６），（２８）のドレインが
容量（１７），（２９）を介して前記信号入力部（３
４）および前記信号出力部（３５）にそれぞれ接続さ
れ、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界
効果トランジスタ（１６），（２８）のソースが容量
（１８），（３０）と前記接地ライン（５７）を介して
基本電位部（ＧＮＤ）に接続された請求項２記載の携帯
電話端末装置。 - 【請求項８】 音声信号を処理するベースバンド部（１
０１）と、前記ベースバンド部（１０１）で処理された
音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部
（２０１）とからなり、前記無線部（２０１）が前記基
地局への送信信号を生成する送信部（２５０）と、前記
基地局からの送信信号を受信する受信部（２２０）とか
らなり、前記送信部（２５０）が前記ベースバンド部
（１０１）から与えられる音声信号の変調および周波数
変換のための混合を行う中間周波部（２６０）と、前記
中間周波部（２６０）から出力される高周波信号を増幅
してアンテナへ供給する高周波部（２７０）とからな
り、前記高周波部（２７０）が前記中間周波部（２６
０）から出力される高周波信号の利得を制御する利得制
御器（２７１）と、前記利得制御器（２７１）の出力を
電力増幅する電力増幅器（２４２）とからなり、 前記ベースバンド部（１０１）が制御部を含み、前記制
御部が、前記受信部（２２０）による受信信号の信号強
度を検出するとともに、前記電力増幅器（２４２）の出
力レベルを検出し、前記受信信号の信号強度に対応して
前記電力増幅器（２４２）の出力レベルの目標値を設定
し、前記電力増幅器（２４２）の出力レベルと前記電力
増幅器（２４２）の出力レベルの目標値とを比較し、そ
の比較結果に応じた第１および第２の利得制御電圧を前
記利得制御器（２７１）に加えることにより、前記電力
増幅器（２４２）の出力レベルが前記電力増幅器（２４
２）の出力レベルの目標値に一致するように前記利得制
御器（２７１）の利得を追従制御し、 前記利得制御器（２７１）が高周波信号の信号入力部
（３４）と信号出力部（３５）とを接続する少なくとも
２個以上の直列の可変抵抗（５１），（５２）よりなる
信号ライン（５５）と、前記信号入力部（３４）および
前記信号出力部（３５）と接地ライン（５７）との間の
各々に接続された並列の可変抵抗（５３），（５４）
と、前記可変抵抗（５１）に接続された第１利得制御ラ
イン（５８）と、前記可変抵抗（５１）に前記第１利得
制御ライン（５８）を介して接続されて前記第１の利得
制御電圧が加えられる利得制御電圧印加部（４２）と、
前記可変抵抗（５２），（５３），（５４）に接続され
た第２利得制御ライン（５９）と、前記可変抵抗（５
２），（５３），（５４）に前記第２利得制御ライン
（５９）を介して接続されて前記第２の利得制御電圧が
加えられる利得制御電圧印加部（１９）と、前記可変抵
抗（５１），（５２）に接続された基準電圧印加部（２
３）と、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々に接続
された基準電圧印加部（３１），（３３）とで構成され
ていることを特徴とする携帯電話端末装置。 - 【請求項９】 前記可変抵抗（５１），（５２），（５
３），（５４）が少なくとも電界効果トランジスタ（２
１），（２５），（１６），（２８）のゲートに抵抗
（２２），（２６），（２０），（３２）が接続された
構成で、前記可変抵抗（５１）の前記電界効果トランジ
スタ（２１）のゲートが前記抵抗（２２）と前記第１利
得制御ライン（５８）を介して前記利得制御電圧印加部
（４２）に接続され、前記可変抵抗（５２）の前記電界
効果トランジスタ（２５）のゲートが前記抵抗（２６）
と前記第２利得制御ライン（５９）を介して前記利得制
御電圧印加部（１９）に接続され、前記可変抵抗（５
３），（５４）の各々の前記電界効果トランジスタ（１
６），（２８）のゲートが前記抵抗（２０），（３２）
を介してそれぞれ前記基準電圧印加部（３１），（３
３）に接続され、前記可変抵抗（５１），（５２）の各
々の前記電界効果トランジスタ（２１），（２５）のソ
ース間に抵抗（４１）が挿入接続され、前記可変抵抗
（５２）のソースに前記基準電圧印加部（２３）が接続
され、前記可変抵抗（５１），（５２）間が容量（２
４）を介して直列接続され、前記可変抵抗（５３），
（５４）の各々の前記電界効果トランジスタ（１６），
（２８）のソースが前記第２利得制御ライン（５９）を
介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接続され、前
記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果ト
ランジスタ（１６），（２８）のドレインが容量（１
７），（２９）を介して前記信号入力部（３４）および
前記信号出力部（３５）にそれぞれ接続され、前記可変
抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（１６），（２８）のソースが容量（１８），（３
０）と前記接地ライン（５７）を介して基本電位部（Ｇ
ＮＤ）に接続された請求項８記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１０】 前記利得制御電圧印加部（４２）に印
加される電圧よりも前記利得制御電圧印加部（１９）に
印加される電圧の方が高い請求項８記載の携帯電話端末
装置。 - 【請求項１１】 前記利得制御電圧印加部（４２）に印
加される電圧よりも前記利得制御電圧印加部（１９）に
印加される電圧の方が前記可変抵抗（５２）が直線利得
制御動作を行う利得制御電圧範囲に相当する値だけ高い
請求項８記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１２】 前記基準電圧印加部（３１），（３
３）に印加される電圧値が、前記可変抵抗（５１），
（５２）が直線利得制御動作を行う利得制御電圧範囲に
前記可変抵抗（５３），（５４）が直線利得制御動作を
行う利得制御電圧範囲が連続するように設定されている
請求項８記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１３】 前記可変抵抗（５１），（５２），
（５３），（５４）が少なくとも電界効果トランジスタ
（２１），（２５），（１６），（２８）のゲートに抵
抗（２２），（２６），（２０），（３２）が接続され
た構成で、前記可変抵抗（５１）の前記電界効果トラン
ジスタ（２１）のゲートが前記抵抗（２２）と前記第１
利得制御ライン（５８）を介して前記利得制御電圧印加
部（４２）に接続され、前記可変抵抗（５２）の前記電
界効果トランジスタ（２５）のゲートが前記抵抗（２
６）と前記第２利得制御ライン（５９）を介して前記利
得制御電圧印加部（１９）に接続され、前記可変抵抗
（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジスタ
（１６），（２８）のゲートが前記抵抗（２０），（３
２）を介して共通接続され、前記可変抵抗（５１），
（５２）の各々の前記電界効果トランジスタ（２１），
（２５）のソース間に抵抗（４１）が挿入接続され、前
記可変抵抗（５２）の前記電界効果トランジスタ（２
５）のソースと前記可変抵抗（５３），（５４）の各々
の前記電界効果トランジスタ（１６），（２８）のゲー
トに前記抵抗（２０），（３２）を介して接続される部
分（６１）との間に抵抗（３９）が挿入接続され、前記
可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トラ
ンジスタ（１６），（２８）のゲートに前記抵抗（２
０），（３２）を介して接続される前記部分（６１）と
基本電位部（ＧＮＤ）との間に抵抗（４０）が挿入接続
され、前記可変抵抗（５２）の前記電界効果トランジス
タ（２５）のソースに前記基準電圧印加部（２３）が接
続され、前記可変抵抗（５１），（５２）間が容量（２
４）を介して直列接続され、前記可変抵抗（５３），
（５４）の各々の前記電界効果トランジスタ（１６），
（２８）のソースが前記第２利得制御ライン（５９）を
介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接続され、前
記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果ト
ランジスタ（１６），（２８）のドレインが容量（１
７），（２９）を介して前記信号入力部（３４）および
前記信号出力部（３５）にそれぞれ接続され、前記可変
抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（１６），（２８）のソースが容量（１８），（３
０）と前記接地ライン（５７）を介して基本電位部（Ｇ
ＮＤ）に接続された請求項８記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１４】 音声信号を処理するベースバンド部
（１０１）と、前記ベースバンド部（１０１）で処理さ
れた音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無
線部（２０１）とからなり、前記無線部（２０１）が前
記基地局への送信信号を生成する送信部（２５０）と、
前記基地局からの送信信号を受信する受信部（２２０）
とからなり、前記送信部（２５０）が前記ベースバンド
部（１０１）から与えられる音声信号の変調および周波
数変換のための混合を行う中間周波部（２６０）と、前
記中間周波部（２６０）から出力される高周波信号を増
幅してアンテナへ供給する高周波部（２７０）とからな
り、前記高周波部（２７０）が前記中間周波部（２６
０）から出力される高周波信号の利得を制御する利得制
御器（２７１）と、前記利得制御器（２７１）の出力を
電力増幅する電力増幅器（２４２）とからなり、 前記ベースバンド部（１０１）が制御部を含み、前記制
御部が、前記受信部（２２０）による受信信号の信号強
度を検出するとともに、前記電力増幅器（２４２）の出
力レベルを検出し、前記受信信号の信号強度に対応して
前記電力増幅器（２４２）の出力レベルの目標値を設定
し、前記電力増幅器（２４２）の出力レベルと前記電力
増幅器（２４２）の出力レベルの目標値とを比較し、そ
の比較結果に応じた利得制御電圧を前記利得制御器（２
７１）に加えることにより、前記電力増幅器（２４２）
の出力レベルが前記電力増幅器（２４２）の出力レベル
の目標値に一致するように前記利得制御器（２７１）の
利得を追従制御し、 前記利得制御器（２７１）が高周波信号の信号入力部
（３４）と信号出力部（３５）とを接続する少なくとも
２個以上の直列の可変抵抗（５１），（５２）よりなる
信号ライン（５５）と、前記信号入力部（３４）および
前記信号出力部（３５）と接地ライン（５７）との間の
各々に接続された並列の可変抵抗（５３），（５４）
と、前記可変抵抗（５１），（５２），（５３），（５
４）を接続する利得制御ライン（５６）と、前記可変抵
抗（５１），（５２），（５３），（５４）に前記利得
制御ライン（５６）を介して接続されて前記利得制御電
圧が加えられる利得制御電圧印加部（１９）と、前記可
変抵抗（５１），（５２）に接続された基準電圧印加部
（２３）と、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々に
接続された基準電圧印加部（３１），（３３）とで構成
されていることを特徴とする携帯電話端末装置。 - 【請求項１５】 前記可変抵抗（５１），（５２），
（５３），（５４）が少なくとも電界効果トランジスタ
（２１），（２５），（１６），（２８）のゲートに抵
抗（２２），（２６），（２０），（３２）が接続され
た構成で、前記可変抵抗（５１），（５２）の各々の前
記電界効果トランジスタ（２１），（２５）のゲートが
前記抵抗（２２），（２６）と前記利得制御ライン（５
６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接続さ
れ、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界
効果トランジスタ（１６），（２８）のゲートが前記抵
抗（２０），（３２）を介してそれぞれ前記基準電圧印
加部（３１），（３３）に接続され、前記可変抵抗（５
１），（５２）の各々の前記電界効果トランジスタ（２
１），（２５）のソース間に抵抗（４１）が挿入接続さ
れ、前記可変抵抗（５２）のソースに前記基準電圧印加
部（２３）が接続され、前記可変抵抗（５１），（５
２）間が容量（２４）を介して直列接続され、前記可変
抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（１６），（２８）のソースが前記利得制御ライン
（５６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接
続され、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記
電界効果トランジスタ（１６），（２８）のドレインが
容量（１７），（２９）を介して前記信号入力部（３
４）および信号出力部（３５）に接続され、前記可変抵
抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジス
タ（１６），（２８）のソースが容量（１８），（３
０）と前記接地ライン（５７）を介して基本電位部（Ｇ
ＮＤ）に接続された請求項１４記載の携帯電話端末装
置。 - 【請求項１６】 前記可変抵抗（５２）の前記電界効果
トランジスタ（２５）のしきい値電圧より前記可変抵抗
（５１）の前記電界効果トランジスタ（２１）のしきい
値電圧の方が高い請求項１４記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１７】 前記可変抵抗（５２）の前記電界効果
トランジスタ（２５）のしきい値電圧より前記可変抵抗
（５１）の前記電界効果トランジスタ（２１）のしきい
値電圧の方が前記可変抵抗（５２）が直線利得制御動作
を行う利得制御電圧範囲に相当する値だけ高い請求項１
４記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１８】 前記基準電圧印加部（３１），（３
３）に印加される電圧値が、前記可変抵抗（５１），
（５２）が直線利得制御動作を行う利得制御電圧範囲に
前記可変抵抗（５３），（５４）が直線利得制御動作を
行う利得制御電圧範囲が連続するように設定されている
請求項１４記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１９】 前記可変抵抗（５１），（５２），
（５３），（５４）が少なくとも電界効果トランジスタ
（２１），（２５），（１６），（２８）のゲートに抵
抗（２２），（２６），（２０），（３２）が接続され
た構成で、前記可変抵抗（５１），（５２）の各々の前
記電界効果トランジスタ（２１），（２５）のゲートが
前記抵抗（２２），（２６）と前記利得制御ライン（５
６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接続さ
れ、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界
効果トランジスタ（１６），（２８）のゲートが前記抵
抗（２０），（３２）を介して共通接続され、前記可変
抵抗（５１），（５２）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（２１），（２５）のソース間に抵抗（４１）が挿
入接続され、前記可変抵抗（５２）の前記電界効果トラ
ンジスタ（２５）のソースと前記可変抵抗（５３），
（５４）の各々の前記電界効果トランジスタ（１６），
（２８）のゲートに前記抵抗（２０），（３２）を介し
て接続される部分（６１）との間に抵抗（３９）が挿入
接続され、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前
記電界効果トランジスタ（１６），（２８）のゲートに
前記抵抗（２０），（３２）を介して接続される前記部
分（６１）と基本電位部（ＧＮＤ）との間に抵抗（４
０）が挿入接続され、前記可変抵抗（５２）の前記電界
効果トランジスタ（２５）のソースに前記基準電圧印加
部（２３）が接続され、前記可変抵抗（５１），（５
２）間が容量（２４）を介して直列接続され、前記可変
抵抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジ
スタ（１６），（２８）のソースが前記利得制御ライン
（５６）を介して前記利得制御電圧印加部（１９）に接
続され、前記可変抵抗（５３），（５４）の各々の前記
電界効果トランジスタ（１６），（２８）のドレインが
容量（１７），（２９）を介して前記信号入力部（３
４）および信号出力部（３５）に接続され、前記可変抵
抗（５３），（５４）の各々の前記電界効果トランジス
タ（１６），（２８）のソースが容量（１８），（３
０）と前記接地ライン（５７）を介して基本電位部（Ｇ
ＮＤ）に接続された請求項１４記載の携帯電話端末装
置。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002171177A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-06-14 | Alcatel | 中間周波数がゼロである構造の送信機で、ｈｔｂ技術によるパワー増幅器を使用可能にする制御方法および回路 |
| US7239205B2 (en) | 2003-07-03 | 2007-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency amplifier circuit and mobile communication terminal using the same |
| US7245170B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Attenuator and portable telephone terminal apparatus using the same |
| US7741895B2 (en) | 2006-11-20 | 2010-06-22 | Panasonic Corporation | Semiconductor switch circuit having MOS transistors with low current consumption |
| CN110022598A (zh) * | 2018-01-08 | 2019-07-16 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 一种功率控制方法、终端和计算机可读存储介质 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7471935B2 (en) * | 2000-10-23 | 2008-12-30 | Intel Corporation | Automatic level control |
| JP5036109B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2012-09-26 | 日本電気株式会社 | 無線送信装置および移動局装置 |
| JP4246149B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2009-04-02 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 光受信機回路 |
| US7418244B2 (en) * | 2003-08-04 | 2008-08-26 | Analog Devices, Inc. | Radio transmitter with accurate power control |
| CN1864372B (zh) * | 2003-08-06 | 2012-02-01 | 高通股份有限公司 | 用于分布式通信系统的协作的自主和调度资源分配 |
| US7340229B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency amplification circuit and mobile communication terminal using the same |
| US8280425B2 (en) * | 2004-09-16 | 2012-10-02 | Motorola Mobility Llc | Wireless transmitter configuration |
| US7477085B2 (en) * | 2006-05-26 | 2009-01-13 | Microtune (Texas), L.P. | Digital attenuator circuits and methods for use thereof |
| US7853227B2 (en) * | 2006-05-26 | 2010-12-14 | Microtune (Texas), L.P. | AGC system and method for broadband tuners |
| US20110025396A1 (en) * | 2006-05-26 | 2011-02-03 | Microtune (Texas), L.P. | Digital Attenuator Circuits and Methods for Use thereof |
| US7760003B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-07-20 | Mediatek Inc. | Controllable resistive circuit for providing a continuous variable resistance |
| US7848450B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus to pre-compensate for I/Q distortion in quadrature transmitters |
| US8710899B2 (en) * | 2008-09-17 | 2014-04-29 | Lockheed Martin Corporation | Stepped delay control of integrated switches |
| US8750813B2 (en) * | 2009-05-21 | 2014-06-10 | Broadcom Corporation | Method and system for a dynamic transmission gain control using a dedicated power amplifier driver in a radio frequency transmitter |
| US20110057715A1 (en) * | 2009-09-08 | 2011-03-10 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. | High bandwidth switch design |
| US8594583B2 (en) * | 2010-12-09 | 2013-11-26 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for radio frequency reception with temperature and frequency independent gain |
| US8571511B2 (en) | 2011-06-10 | 2013-10-29 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for a wideband RF mixer |
| CN103647565B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-10-21 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 具有宽温工作增益自动控制功能的cmos射频接收前端 |
| JP2018078721A (ja) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 富士電機株式会社 | ゲート駆動回路およびスイッチング電源装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110327Y2 (ja) * | 1980-01-10 | 1986-04-03 | ||
| US5129098A (en) * | 1990-09-24 | 1992-07-07 | Novatel Communication Ltd. | Radio telephone using received signal strength in controlling transmission power |
| US5281928A (en) * | 1992-10-26 | 1994-01-25 | M/A-Com, Inc. | Electronic attenuator |
| US5345123A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | Motorola, Inc. | Attenuator circuit operating with single point control |
| JP3425235B2 (ja) | 1994-09-13 | 2003-07-14 | 株式会社東芝 | 可変減衰器 |
| US5903178A (en) * | 1994-12-16 | 1999-05-11 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| US5689815A (en) * | 1995-05-04 | 1997-11-18 | Oki Telecom, Inc. | Saturation prevention system for radio telephone with open and closed loop power control systems |
| DE69939359D1 (de) * | 1998-04-24 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verstärker |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15173899A patent/JP3605314B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-26 US US09/578,468 patent/US6337974B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-30 CN CNB001179225A patent/CN1282378C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-30 EP EP00111568A patent/EP1058405A3/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002171177A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-06-14 | Alcatel | 中間周波数がゼロである構造の送信機で、ｈｔｂ技術によるパワー増幅器を使用可能にする制御方法および回路 |
| JP4722342B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-07-13 | アイピージー エレクトロニクス ５０４ リミテッド | 中間周波数がゼロである構造の送信機で、ｈｔｂ技術によるパワー増幅器を使用可能にする制御方法および回路 |
| US7245170B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Attenuator and portable telephone terminal apparatus using the same |
| US7239205B2 (en) | 2003-07-03 | 2007-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency amplifier circuit and mobile communication terminal using the same |
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