JPS6110327Y2 - - Google Patents

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JPS6110327Y2
JPS6110327Y2 JP1980001542U JP154280U JPS6110327Y2 JP S6110327 Y2 JPS6110327 Y2 JP S6110327Y2 JP 1980001542 U JP1980001542 U JP 1980001542U JP 154280 U JP154280 U JP 154280U JP S6110327 Y2 JPS6110327 Y2 JP S6110327Y2
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    • H04W52/04TPC
    • H04W52/52TPC using AGC [Automatic Gain Control] circuits or amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers

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  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は分布結合型方向性結合器に関する。
周知の通り、分布結合型方向性結合器(以下、
方向性結合器と呼ぶ)の結合度は、主線路と、こ
れに平行な副線路との間隔で決定される。これら
の平行2線路は薄膜あるいは厚膜技術を用いて基
板上に形成される。このため一たん線路導体が形
成された後で、結合度を変える場合には、可変減
衰器等を外部に付加することが必要であり、装置
構成が複雑となる欠点があつた。
本考案の目的は、上記の欠点を改善し簡単な構
成で結合度を可変できる方向性結合器を提供する
ことにある。
本考案によれば、主線路と、前記主線路と結合
する副線路と、接地導体とを基板上に形成してな
る分布結合型方向性結合器において、前記副線路
の主線路との結合部の一出力端子と、前記接地導
体との間に集中定数型可変容量素子を設け、この
可変容量素子の容量を可変することにより前記結
合器の結合度を変えることを特徴とする分布結合
型方向性結合器が得られる。
以下、図面を用いてこの考案を詳細に説明す
る。
第1図はこの考案の一実施例を示す図で、アル
ミナ基板1上にマイクロストリツプ線路構造の主
線路2と副線路3が設けらている。副線路3の結
合出力を取り出す一端4と接地用端子5との間に
バラクタダイオード等の集中定数型可変容量素子
6が設けられ、この考案の特徴をなしている。こ
こで、接地用端子5はスルーホール7によつて基
板1の裏面接地導体8に接続されている。
第2図の点線で示された特性は、使用中心周波
=920MHzにおいて主線路と副線路との結
合長を1=λ/10(λgは管内波長)として設計さ
れ た第1図に示す構造の方向性結合器の集中定数型
容量を除去した場合の結合度の実測値である。結
合度はλ/10の結合長1が、ほぼ4分の1管内波長 となる周波数、すなわち、2.5f0(=2300M
Hz)付近で最大となり使用中心周波数付近で
は、ほぼ+4dB/オクターブの傾きを示す。この
ような特性を示す方向性結合器の副線路の結合出
力を取り出す一端4に、可変容量素子6を第1図
のように附加すると、副線路の一端4に現われる
結合出力は減衰量 L=1/{1+(Z0of)2} 但し Z0:方向性結合器の入出力特性インピダンス o :可変容量のキヤパシタンス値 :周波数 だけ減少する。減衰量Lはほぼ−6dB/オクター
ブの変化を示すので、前述の+4dB/オクターブ
の特性が略々補償され、可変容量を附加したとき
に得られる結合度は第2図の実線で表わされた特
性を示す。ここで、容量値は10pFと15pFとの場
合について示した。
このようにして本考案によれば主線路と副線路
との間隔を変えることなく、可変容量素子の容量
値を適当に定めることによつて結合量を任意に選
ぶことができ装置構成の簡単化、小型化に効果的
である。
なお、第1図の実施例では可変容量の場合につ
いて示したが、チツプコンデンサーのように集中
定数型固定容量を用いても、同様の効果が得られ
ることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す図、第2図
はこの考案によつて得られた結合度の周波数特性
を示す図である。 図において、1……基板、2……主線路、3…
…副線路、4……結合出力を取り出す一端、5…
…接地端子、6……集中定数可変容量、7……ス
ルーホール、8……裏面導体である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 主線路と、前記主線路と結合する副線路と、接
    地導体とを基板上に形成してなる分布結合型方向
    性結合器において、前記副線路の主線路との結合
    部の一出力端子と、前記施地導体との間に集中定
    数型可変容量素子を設け、この可変容量素子の容
    量を可変することにより前記結合器の結合度を変
    えることを特徴とする分布結合型方向性結合器。
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