JP5257303B2 - 方向性結合器 - Google Patents
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図1は、本発明の実施の形態1に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図1(a)は上面透視図、図1(b)は図1(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図1(c)は図1(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
図5は、本発明の実施の形態2に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図5(a)は上面透視図、図5(b)は図5(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図5(c)は図5(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
図6は、本発明の実施の形態3に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図6(a)は上面透視図、図6(b)は図6(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図6(c)は図6(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
図7は、本発明の実施の形態4に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図7(a)は上面透視図、図7(b)は図7(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図7(c)は図7(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
図8は、本発明の実施の形態5に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図8(a)は上面透視図、図8(b)は図8(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図8(c)は図8(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
図9は、本発明の実施の形態6に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図9(a)は上面透視図、図9(b)は図9(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図9(c)は図9(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
図10は、本発明の実施の形態7に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図10(a)は上面透視図、図10(b)は図10(a)におけるA1−A1’面についての断面図、図10(c)は図10(a)におけるB1−B1’面についての断面図である。
Claims (9)
- 2つの信号線導体と、
前記2つの信号線導体に対応する接地導体と、
前記2つの信号線導体の一部を近接配置して形成され、信号線導体間の単位面積当たりの静電容量を他の部分と比べ大きくした静電容量増大部と、
前記静電容量増大部から少なくとも使用周波数帯高域における約1/4波長離れた前記2つの信号線導体の1または複数の部分に近接または接続して設けられ、前記2つの信号線導体のうち少なくとも一方の信号線導体と前記接地導体との間に発生する静電容量を増加させ、前記静電容量増大部により生じる反射波を低減する静電容量増加素子と、
を備えたことを特徴とする方向性結合器。 - 第1の端部および第2の端部を有する第1の主信号線導体と、
前記第1の主信号線導体と電磁的に結合するように近接して配置され、前記第1の端部に近接する第3の端部と前記第2の端部に近接する第4の端部とを有する第1の副信号線導体と、
前記第1の主信号線導体および前記第1の副信号線導体に対向するように配置された接地導体と、
前記第1の端部に接続された第2の主信号線導体と、
前記第3の端部に接続され、一部が前記第2の主信号線導体に近接された第2の副信号線導体と、
前記第2の端部に接続された第3の主信号線導体と、
前記第4の端部に接続され、前記第3の主信号線導体と交差する交差部を有する第3の副信号線導体と、
前記第2の主信号線導体または前記第2の副信号線導体の少なくとも一方に近接または接続され、前記第2の主信号線導体と前記接地導体との間に生じる静電容量、または、前記第2の副信号線導体と前記接地導体との間に生じる静電容量のうち少なくとも一方の静電容量を増加させる静電容量増加素子と、
を備えたことを特徴とする方向性結合器。 - 第1の端部および第2の端部を有する第1の主信号線導体と、
前記第1の主信号線導体と電磁的に結合するように近接して配置され、前記第1の端部と近接する第3の端部と前記第2の端部と近接する第4の端部とを有する第1の副信号線導体と、
前記第1の主信号線導体および前記第1の副信号線導体に対向するように配置された接地導体と、
前記第1の端部に接続された第2の主信号線導体と、
前記第3の端部に接続され、一部が前記第2の主信号線導体と近接された第2の副信号線導体と、
前記第2の端部に接続された第3の主信号線導体と、
前記第4の端部に接続され、前記第3の主信号線導体と交差する交差部を有する第3の副信号線導体と、
前記第1の主信号線導体および前記第1の副信号線導体の1または複数の部分であって、前記交差部から少なくとも設計周波数帯高域における1/4波長離れた部分に近接または接続され、前記第1の主信号線導体と接地導体との間に生じる静電容量、または、前記第1の副信号線導体と接地導体との間に生じる静電容量のうち少なくとも一方の静電容量を増加させる静電容量増加素子と
を備えたことを特徴とする方向性結合器。 - 前記第1の主信号線導体、または、前記第1の副信号線導体の少なくともいずれか一方が、インピーダンスステップを有し、前記静電容量増加素子が前記インピーダンスステップ部近傍に配置されたことを特徴とする請求項3記載の方向性結合器。
- 前記第1の主信号線導体もしくは前記第1の副信号線導体の少なくともいずれか一方が、特性インピーダンスが連続的に変化する信号線導体であることを特徴とする請求項3に記載の方向性結合器。
- 前記静電容量増加素子は、
前記接地導体と電気的に接続された柱状導体を備えることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の方向性結合器。 - 前記静電容量増加素子は、
前記柱状導体と電気的に接続された面状導体を備えることを特徴とする請求項6に記載の方向性結合器。 - 前記静電容量増加素子は、
スタブ状導体を備えることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の方向性結合器。 - 第1の端部および第2の端部を有する第1の主信号線導体と、
前記第1の主信号線導体と電磁的に結合するように近接して配置され、前記第1の端部と近接する第3の端部と前記第2の端部と近接する第4の端部とを有する第1の副信号線導体と、
前記第1の主信号線導体および前記第1の副信号線導体に対向するように配置された接地導体と、
前記第1の端部に接続された第2の主信号線導体と、
前記第3の端部に接続され、一部が前記第2の主信号線導体と近接された第2の副信号線導体と、
前記第2の端部に接続された第3の主信号線導体と、
前記第4の端部に接続され、前記第3の主信号線導体と交差する交差部を有する第3の副信号線導体とを備え、
前記第2の主信号線導体、前記第3の主信号線導体、前記第2の副信号線導体、および、前記第3の副信号線導体は曲げ部を有し、前記第3の主信号線導体の曲げ部と前記接地導体との対向面積に比べて、前記第2の主信号線導体の曲げ部と前記接地導体との対向面積が大きくなるように構成されたこと、または、前記第3の副信号線導体の曲げ部と前記接地導体との対向面積に比べて、前記第2の副信号線導体の曲げ部と前記接地導体との対向面積が大きくなるように構成されたことを特徴とする方向性結合器。
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