JPS6036122B2 - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPS6036122B2 JPS6036122B2 JP54024752A JP2475279A JPS6036122B2 JP S6036122 B2 JPS6036122 B2 JP S6036122B2 JP 54024752 A JP54024752 A JP 54024752A JP 2475279 A JP2475279 A JP 2475279A JP S6036122 B2 JPS6036122 B2 JP S6036122B2
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- JP
- Japan
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- resonant element
- dielectric resonant
- output
- amplifier
- oscillator
- Prior art date
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- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/017—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a dielectric resonator
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1817—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator
- H03B5/1823—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1829—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発振器に関し、特に、たとえば誘電体共振素
子を用いてマイクロ波を発生するような発振器に関する
。
子を用いてマイクロ波を発生するような発振器に関する
。
最近では、周波数安定度の良好な譲露体共振素子をたと
えば局部発振回路に用いた通信装置が実用に供されてい
る。
えば局部発振回路に用いた通信装置が実用に供されてい
る。
第１図はこの発明の背景となる誘電体共振素子を用いた
発振器の概略図である。
発振器の概略図である。
図において、従来の発振器は、誘電体共振素子１１を挟
んで一対の励振棒１２，１３がケース１０内に配置され
る。そして、一方の励振棒１２からコネクタ（図示せず
）を介してたとえば同軸ケーブル１４によって増幅器１
５の入力側に接続される。増幅器１５の出力側からは同
軸ケーブル１６によって方向性結合器またはＴ型分岐器
の一例としてのＲＦモニタ１７を介して高周波出力が導
出される。そして、高周波出力の一部がＲＦモニ夕１７
によって分岐され、コネクタ（図示せず）を介して同軸
ケーブル１８によって他方の励振棒１３に接続される。
このように発振器を構成することによって、増幅器１５
の高周波出力は誘電体共振素子１１を介して増幅器１５
の入力端に正帰還されて発振する。
んで一対の励振棒１２，１３がケース１０内に配置され
る。そして、一方の励振棒１２からコネクタ（図示せず
）を介してたとえば同軸ケーブル１４によって増幅器１
５の入力側に接続される。増幅器１５の出力側からは同
軸ケーブル１６によって方向性結合器またはＴ型分岐器
の一例としてのＲＦモニタ１７を介して高周波出力が導
出される。そして、高周波出力の一部がＲＦモニ夕１７
によって分岐され、コネクタ（図示せず）を介して同軸
ケーブル１８によって他方の励振棒１３に接続される。
このように発振器を構成することによって、増幅器１５
の高周波出力は誘電体共振素子１１を介して増幅器１５
の入力端に正帰還されて発振する。
この増幅器１５の入力端に帰還される高周波の位相は励
振棒１２，１３間の位相差、同軸ケーブル１４，１６，
１８の長さおよび増幅器１５の入・出力位相差によって
決まり、励振棒１２と誘電体共振素子１１および励振棒
１３と誘電体共振素子１ １との結合係数は、誘電体共
振素子１ １と励振榛１２との間のギャップｇ１および
謙雷体共振素子１１と励振棒１３との間のギャップｇ２
によって決まる。したがって、位相を調整する場合には
、増幅器１５を変えたり発振周波数を変えたりする毎に
帰還ループの同軸ケーブル１４，１６，１８の線路長を
変更しなければならない。また、帰還ループの減衰量を
調節する場合には、励振棒１２，１３と譲露体共振素子
１１とのギャップｇ１，ｇ２を変える必要があるため、
ケース１０の大きさを変更する必要がある。また、誘導
体共振素子１１、位相調整用の同軸ケーブル１４，１６
，１８および増幅器１５が別々のブロックとして構成さ
れているため、形状が大きくなるという欠点があったさ
らに、増幅器１５の高周波数出力の一部を帰還用として
取出すために方向性結合器やＲＦモニタ１７が必要とな
る。このＲＦモニター７によってに帰還用の出力信号を
導出すると、帰環利得が約１０〜２ＭＢ程度減衰してし
まい、その分だけ増幅器１５の利得を大きくしなければ
ならないという問題点があった。それゆえに、この発明
の主たる目的は、上述の問題点を解消し得て、比較的構
造の簡単な発振器を提供することである。
振棒１２，１３間の位相差、同軸ケーブル１４，１６，
１８の長さおよび増幅器１５の入・出力位相差によって
決まり、励振棒１２と誘電体共振素子１１および励振棒
１３と誘電体共振素子１ １との結合係数は、誘電体共
振素子１ １と励振榛１２との間のギャップｇ１および
謙雷体共振素子１１と励振棒１３との間のギャップｇ２
によって決まる。したがって、位相を調整する場合には
、増幅器１５を変えたり発振周波数を変えたりする毎に
帰還ループの同軸ケーブル１４，１６，１８の線路長を
変更しなければならない。また、帰還ループの減衰量を
調節する場合には、励振棒１２，１３と譲露体共振素子
１１とのギャップｇ１，ｇ２を変える必要があるため、
ケース１０の大きさを変更する必要がある。また、誘導
体共振素子１１、位相調整用の同軸ケーブル１４，１６
，１８および増幅器１５が別々のブロックとして構成さ
れているため、形状が大きくなるという欠点があったさ
らに、増幅器１５の高周波数出力の一部を帰還用として
取出すために方向性結合器やＲＦモニタ１７が必要とな
る。このＲＦモニター７によってに帰還用の出力信号を
導出すると、帰環利得が約１０〜２ＭＢ程度減衰してし
まい、その分だけ増幅器１５の利得を大きくしなければ
ならないという問題点があった。それゆえに、この発明
の主たる目的は、上述の問題点を解消し得て、比較的構
造の簡単な発振器を提供することである。
この発明は要約すれば、誘電体共振素子を挟んで２本の
漏洩線路を平行に配置し、漏洩線路の対向する端部間に
増幅器の入力端側と出力端側とをそれぞれ接続し、増幅
器の出力端側から出力信号を導出するように構成する。
漏洩線路を平行に配置し、漏洩線路の対向する端部間に
増幅器の入力端側と出力端側とをそれぞれ接続し、増幅
器の出力端側から出力信号を導出するように構成する。
そして、誘電体共振素子を２本の漏洩線路に沿う方向に
移動させて発振条件を満足するように位相調整できるよ
うにしたものである。この発明の上記の目的およびその
他の目的と特徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説
明から一層明らかとなろう。
移動させて発振条件を満足するように位相調整できるよ
うにしたものである。この発明の上記の目的およびその
他の目的と特徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説
明から一層明らかとなろう。
第２図はこの発明の一実施例の構造断面図であり、特に
第２図ａは横断面図を示し、第２図ｂは第２図ａの糠Ｂ
−Ｂに沿う縦断面図であり、第２図ｃは第２図ａの線Ｃ
一Ｃに沿う縦断面図である。
第２図ａは横断面図を示し、第２図ｂは第２図ａの糠Ｂ
−Ｂに沿う縦断面図であり、第２図ｃは第２図ａの線Ｃ
一Ｃに沿う縦断面図である。
構成において、ケース２は底板２１、側板２２，２３、
仕切板２４およびカバー２５から形成される。
仕切板２４およびカバー２５から形成される。
底板２１には、誘電体共振素子１１が支持台３１に載遣
されて配置される。この議電体共振素子１１を挟んで平
行に２本の漏洩線路としての入力側ストリップライン４
１および出力側ストリップライン４２が形成されたアル
ミナ基板４３，４４が配置される。この入力側ストリッ
プライン４１の中心導体４１ １および出力側ストＩＪ
ツプラィン４２の中心導体４２１は、それぞれその一方
端がほぼ直角に曲げて形成され、曲げられた端部がそれ
ぞれ増幅器チップ５の入力機と出力端とに接続される。
増幅器チップ５はたとえば電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）によって構成され、ＦＥＴのゲートが入力側ストリ
ップライン４１の中心導体４１１に接続され、ソースは
図示しないが抵抗とコンデンサとの並列回路によって接
地される。
されて配置される。この議電体共振素子１１を挟んで平
行に２本の漏洩線路としての入力側ストリップライン４
１および出力側ストリップライン４２が形成されたアル
ミナ基板４３，４４が配置される。この入力側ストリッ
プライン４１の中心導体４１ １および出力側ストＩＪ
ツプラィン４２の中心導体４２１は、それぞれその一方
端がほぼ直角に曲げて形成され、曲げられた端部がそれ
ぞれ増幅器チップ５の入力機と出力端とに接続される。
増幅器チップ５はたとえば電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）によって構成され、ＦＥＴのゲートが入力側ストリ
ップライン４１の中心導体４１１に接続され、ソースは
図示しないが抵抗とコンデンサとの並列回路によって接
地される。
また、ＦＥＴのドレィンには、出力側ストリップライン
４２の中心導体４２１が接続されるとともに、側板２２
に設けられた電源端子６から電源が供給される。入力側
ストリップライン４１の中心導体４．１１の他方端は５
０の整合抵抗４５を介して接地端子４６に接続される。
この整合抵抗４５は入力側ストリップライン４１と誘電
体共振素子１１とを結合したときに、この入力側ストリ
ップライン４１に反射波がのって定在波を生じさせない
ようにするためのものである。また、出力側ストリップ
ライン４２の中心導体４２１の他方端は側板２３に設け
られた出力コネク夕７に接続される。カバー２５の内面
には、誘電体共振素子１１を覆う隔壁２５１が形成され
る。この間隔２５１の底板２１側の両端部には、このカ
バー２５を底板２１に装置したとき、底板２１と隔壁２
５１との間に所定の幅を有する結合用間隙２５２，２５
３がそれぞれ形成される。一方の結合用間隙２５２は入
力側ストリップライン４１と誘電体共振素子１１とを電
磁結合させるためのものであり、他方の結合用間隙２５
３は出力側ストリップライン４２と誘電体共振素子１１
とを電磁結合させるためのものである。なお、より好ま
しくは、カバー２５の誘電体共振素子１１に対向する上
部の位置に周波数調整ねじ８を設けてもよい。このよう
にして構成した発振器に、電源端子６を介して増幅器チ
ップ５に電源を供給すると、増幅器チップ５の高周波出
力は、出力側ストリップライン４２を介して出力コネク
タ７から導出されるが、その高周波出力の一部が結合用
間隙２５３から洩れて誘電体共振素子１１に電磁結合す
る。
４２の中心導体４２１が接続されるとともに、側板２２
に設けられた電源端子６から電源が供給される。入力側
ストリップライン４１の中心導体４．１１の他方端は５
０の整合抵抗４５を介して接地端子４６に接続される。
この整合抵抗４５は入力側ストリップライン４１と誘電
体共振素子１１とを結合したときに、この入力側ストリ
ップライン４１に反射波がのって定在波を生じさせない
ようにするためのものである。また、出力側ストリップ
ライン４２の中心導体４２１の他方端は側板２３に設け
られた出力コネク夕７に接続される。カバー２５の内面
には、誘電体共振素子１１を覆う隔壁２５１が形成され
る。この間隔２５１の底板２１側の両端部には、このカ
バー２５を底板２１に装置したとき、底板２１と隔壁２
５１との間に所定の幅を有する結合用間隙２５２，２５
３がそれぞれ形成される。一方の結合用間隙２５２は入
力側ストリップライン４１と誘電体共振素子１１とを電
磁結合させるためのものであり、他方の結合用間隙２５
３は出力側ストリップライン４２と誘電体共振素子１１
とを電磁結合させるためのものである。なお、より好ま
しくは、カバー２５の誘電体共振素子１１に対向する上
部の位置に周波数調整ねじ８を設けてもよい。このよう
にして構成した発振器に、電源端子６を介して増幅器チ
ップ５に電源を供給すると、増幅器チップ５の高周波出
力は、出力側ストリップライン４２を介して出力コネク
タ７から導出されるが、その高周波出力の一部が結合用
間隙２５３から洩れて誘電体共振素子１１に電磁結合す
る。
さらに、結合用間隙２５２を介して譲電体共振素子１１
と入力側ストリップライン４１とが電磁結合する。この
ようにして、出力側ストリップライン４２から洩れた高
周波出力が誘電体共振素子１１に電磁結合しかつ誘電体
共振素子１ １と入力側ストリップライン４１とが電磁
結合し、洩れた出力が増幅器チップ５の入力に帰還され
る。それによって、発振器は発振動作を行う。第３図は
この発明の一実施例の発振器の位相を調整する方法を説
明するための図である。
と入力側ストリップライン４１とが電磁結合する。この
ようにして、出力側ストリップライン４２から洩れた高
周波出力が誘電体共振素子１１に電磁結合しかつ誘電体
共振素子１ １と入力側ストリップライン４１とが電磁
結合し、洩れた出力が増幅器チップ５の入力に帰還され
る。それによって、発振器は発振動作を行う。第３図は
この発明の一実施例の発振器の位相を調整する方法を説
明するための図である。
この発明による発振器は、帰還された入力の位相に増幅
器チップ６の遅延位相を加えた位相が出力コネクタ７か
ら出力される位相と同相になるようにすることが発振条
件の１つになる。つまり正帰還ルーフ。が形成されなけ
ればならない。そのため、この発振器では、誘電体共振
素子１１の位置を、ストリップライン４１，４２に平行
に移動させ、増幅器チップ５に近づけたり遠ざけたりし
て帰還ループの一部であるストリップライン４１，４２
の線路長を変えることにより位相を合わせる。すなわち
、第３図ａに示すように誘電体共振素子１１を増幅器チ
ップ５に近づけると、ストリップライン４１，４２の線
路長が短かくなるため、位相を進めることができ、第３
図ｂに示すように誘電体共振素子１１を増幅器チップ５
から遠ざけることによって、ストリップライン４１，４
２の線路長が長くなり位相を遅らせることができる。そ
して、誘電体共振素子１１の位置を最適位相となるよう
に調整しかつ増幅器チップ５の増幅度が帰還ループの減
衰度以上であれば発振する。この帰還ループの減衰度は
、誘電体共振素子１１の固有の中心周波数で最小となる
。この最小減衰度を増幅器チップ５の増幅度より若干小
さくなるように結合用間隙２５２，２５３を調節するこ
とによって発振器の発振条件を満足する周波数の幅を狭
く限定することができる。したがって、この発振器は誘
電体共振素子１１の固有の共振周波数付近で発振する。
なお、上述の実施例では、入力側ストリップライン４１
の他方端を整合用抵抗４５によって接地するようにした
が、整合抵抗４５によって入力側ストリップライン４１
を接地すると、利得が約Ｘ旧程度低下してしまうため、
増幅器チップ５の利得が低い場合には入力側ストリップ
ライン４１の他方端を開放するかまたは直接接地するよ
うにしてもよい。
器チップ６の遅延位相を加えた位相が出力コネクタ７か
ら出力される位相と同相になるようにすることが発振条
件の１つになる。つまり正帰還ルーフ。が形成されなけ
ればならない。そのため、この発振器では、誘電体共振
素子１１の位置を、ストリップライン４１，４２に平行
に移動させ、増幅器チップ５に近づけたり遠ざけたりし
て帰還ループの一部であるストリップライン４１，４２
の線路長を変えることにより位相を合わせる。すなわち
、第３図ａに示すように誘電体共振素子１１を増幅器チ
ップ５に近づけると、ストリップライン４１，４２の線
路長が短かくなるため、位相を進めることができ、第３
図ｂに示すように誘電体共振素子１１を増幅器チップ５
から遠ざけることによって、ストリップライン４１，４
２の線路長が長くなり位相を遅らせることができる。そ
して、誘電体共振素子１１の位置を最適位相となるよう
に調整しかつ増幅器チップ５の増幅度が帰還ループの減
衰度以上であれば発振する。この帰還ループの減衰度は
、誘電体共振素子１１の固有の中心周波数で最小となる
。この最小減衰度を増幅器チップ５の増幅度より若干小
さくなるように結合用間隙２５２，２５３を調節するこ
とによって発振器の発振条件を満足する周波数の幅を狭
く限定することができる。したがって、この発振器は誘
電体共振素子１１の固有の共振周波数付近で発振する。
なお、上述の実施例では、入力側ストリップライン４１
の他方端を整合用抵抗４５によって接地するようにした
が、整合抵抗４５によって入力側ストリップライン４１
を接地すると、利得が約Ｘ旧程度低下してしまうため、
増幅器チップ５の利得が低い場合には入力側ストリップ
ライン４１の他方端を開放するかまたは直接接地するよ
うにしてもよい。
また、上述の実施例では、入力側ストリップライン４１
と誘電体共振素子１１および出力側ストリップライン４
２と誘電体共振素子１ １とをそれぞれ電磁結合させる
ために結合用間隙２５２，２５３を形成したが、これは
一方のみを設けるようにしてもよいし、また両方とも設
けなくてもよい。
と誘電体共振素子１１および出力側ストリップライン４
２と誘電体共振素子１ １とをそれぞれ電磁結合させる
ために結合用間隙２５２，２５３を形成したが、これは
一方のみを設けるようにしてもよいし、また両方とも設
けなくてもよい。
なお、各ストリップライン４１，４２が位置する内空間
の高さをかえることによっても結合度合をかえることが
できる。
の高さをかえることによっても結合度合をかえることが
できる。
ただし、高さが低くなるとストリップラインの特性イン
ピーダンスも下るので、結合用間隙によって結合度合を
かえる方が好ましい。以上のように、この発明によれば
、位相調整をする場合には、誘電体共振素子の取付位置
を変えるだけでよいため、外形寸法を統一することがで
き発振周波数の異なる発振器を少量生産する場合であっ
ても有利になる。
ピーダンスも下るので、結合用間隙によって結合度合を
かえる方が好ましい。以上のように、この発明によれば
、位相調整をする場合には、誘電体共振素子の取付位置
を変えるだけでよいため、外形寸法を統一することがで
き発振周波数の異なる発振器を少量生産する場合であっ
ても有利になる。
また、帰還ループの減衰量を調整する場合には、結合用
間隙の長さを若干変えるだけで簡単に調整することがで
きる。また、誘電体共振素子、増幅器、結合用間隙など
を一体化してケースに収納したため容易に小型化するこ
とができる。さらに、出力側ストリップラインと誘電体
共振素子とを結合用間隙を介して電磁結合させるように
しているため、従来の発振器のような方向性結合器やＲ
Ｆモニタなどを用いる必要がなくなる。また、ＲＦモニ
タを用いていないため、ＲＦモニ外こよる帰還利得の減
少が少なくなり、増幅器の利得の小さいものでも用いる
ことができる。
間隙の長さを若干変えるだけで簡単に調整することがで
きる。また、誘電体共振素子、増幅器、結合用間隙など
を一体化してケースに収納したため容易に小型化するこ
とができる。さらに、出力側ストリップラインと誘電体
共振素子とを結合用間隙を介して電磁結合させるように
しているため、従来の発振器のような方向性結合器やＲ
Ｆモニタなどを用いる必要がなくなる。また、ＲＦモニ
タを用いていないため、ＲＦモニ外こよる帰還利得の減
少が少なくなり、増幅器の利得の小さいものでも用いる
ことができる。
第１図はこの発明の背景となる誘電体共振素子を用いた
発振器の概略を説明するための図である。 第２図はこの発明の一実施例の構造断面図である。第３
図はこの発明の一実施例によって位相を調整するために
誘電体共振素子の取付位置を変えた状態を示す図である
。図において、２はケース、１１は譲露体共振素子、４
１は入力側ストリップライン、４２は出力側ストリップ
ライン、４３，４４はアルミナ基板、５は増幅器チップ
、６は電源端子、７は出力コネクタ、２５２，２５３は
結合用間隙を示す。 孝’図孝２図 孝３図
発振器の概略を説明するための図である。 第２図はこの発明の一実施例の構造断面図である。第３
図はこの発明の一実施例によって位相を調整するために
誘電体共振素子の取付位置を変えた状態を示す図である
。図において、２はケース、１１は譲露体共振素子、４
１は入力側ストリップライン、４２は出力側ストリップ
ライン、４３，４４はアルミナ基板、５は増幅器チップ
、６は電源端子、７は出力コネクタ、２５２，２５３は
結合用間隙を示す。 孝’図孝２図 孝３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 前記誘電体共振素子を挾んで平行に配置される２本
の漏洩線路、前記漏洩線路の対向する端部間に入力端側
および出力端側がそれぞれ接続される増幅器、および前
記増幅器の出力端側から出力信号を導出する出力導出手
段を備え、前記誘電体共振素子を前記２本の漏洩線路に
沿う方向に移動させて、発振条件を満足させるように位
相調整を行うようにした発振器。 ２ さらに、前記誘電体共振素子と前記２本の漏洩線路
のうち少なくとも一方の漏洩線路との間にスリツト状の
間隙が設けられ、前記間隙によつて当該漏洩線路と前記
誘電体共振素子との間に所定の結合係数が得られるよう
にした特許請求の範囲第１項記載の発振器。 ３ 前記２本の漏洩線路のうち前記増幅器の入力側に接
続された漏洩線路の端部は、整合抵抗を介して接地され
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の発振器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54024752A JPS6036122B2 (ja) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | 発振器 |
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