JP3285010B2 - スタブ回路、スタブ回路の調整方法及び発振器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主線路のインピー
ダンス調整のために接続されるマイクロストリップ線路
からなるスタブ回路と、そのスタブ回路を利用した発振
器とに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、スタブ回路は、増幅器の入出力線
路のインピーダンス整合回路又は発振器の発振周波数を
決定するための共振回路などに利用されている。しか
し、増幅器や発振器を構成する能動素子（例えばバイポ
ーラトランジスタ、電界効果トランジスタなど）の特性
ばらつきにより、インピーダンス整合の周波数や、発振
周波数がばらつくため、スタブ回路の線路長を変化させ
て調整し、ばらつきを補正することがよく行われる。

【０００３】例えば、主線路のインピーダンス調整のた
めに接続されるマイクロストリップ線路からなるスタブ
回路としては、図９に示すものが知られている。図９に
おいて、従来例のスタブ回路は、共通接地面を有する基
板上に形成されたマイクロストリップ線路からなる主線
路１０１に接続され、同様に同基板上に形成されたマイ
クロストリップ線路からなるスタブ線路１０２と、バイ
アホール１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ，１
０６ｅと、ボンディングワイヤ１０５とから構成されて
いる。

【０００４】以上の構成において、スタブ線路１０２の
主線路１０１と反対側の一端は、バイアホール１０６ａ
により基板の共通接地面に接続され、主線路１０１に対
しショートスタブ回路として機能する。

【０００５】また、バイアホール１０６ｂ，１０６ｃ，
１０６ｄ，１０６ｅは、１列をなしてスタブ線路１０２
に対し近接して平行配置され、さらに、それぞれ基板の
共通接地面に接続され、これらのバイアホールのうちの
１つが選択され、バイアホール１０６ｄに電気的に接続
された基板上の導体パターンである電極１０６ｋと、電
極１０６ｋに対向するスタブ線路１０２の部分とが、ボ
ンディングワイヤ１０５により電気的に接続されてい
る。

【０００６】そして、主線路１０１のインピーダンス調
整は、ショートスタブ回路であるスタブ線路１０２の線
路長を変えることにより行い、そのために、ボンディン
グワイヤ１０５を接続するバイアホールを選択し、スタ
ブ線路１０２の有効長を変えていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】能動素子の特性ばらつ
きとしては、１０％〜２０％程度を見込めばよく、スタ
ブ回路の線路長の調整範囲も１０％〜２０％あれば十分
である。

【０００８】しかし、従来例のスタブ回路では、ショー
トスタブ回路であるスタブ線路１０２の線路長を直接変
えているため、広い調整範囲は得られるのであるが、逆
に、微調整が容易にできないという問題点がある。

【０００９】また、従来例のスタブ回路を利用して発振
器などを構成するときにも、発振周波数の微調整が容易
にできないという、同様の問題点がある。

【００１０】また、他の従来例として、インピーダンス
の調整を連続的に行うことができるマイクロ波整合回路
が、特開平７−３２６９０９号公報に記載されている
が、上述した従来例と同じように、伝送用マイクロスト
リップラインに接続されたスタブ用マイクロストリップ
ラインの長さを直接変えて、インピーダンスの調整を行
うものであり、微調整を容易にできるようにすることに
ついては、何もふれられていない。

【００１１】本発明の目的は、主線路のインピーダンス
調整のために接続されるマイクロストリップ線路からな
るスタブ回路であって、インピーダンスの微調整が容易
に可能となるスタブ回路を提供することにあり、また、
そのスタブ回路を利用し発振周波数の微調整が容易に可
能となる発振器を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のスタブ回路の第
１の構成は、共通接地面を有する基板上に形成された第
１のマイクロストリップ線路と、前記基板上に形成され
た第２のマイクロストリップ線路と、前記基板に形成さ
れ前記共通接地面に接続されたｎ（ｎは１以上の整数）
個のバイアホールと、前記ｎ個のバイアホールのうちの
１つと前記第２のマイクロストリップ線路とを電気的に
接続する接続体とを備えるスタブ回路であって、前記第
２のマイクロストリップ線路は前記第１のマイクロスト
リップ線路に対し近接して平行配置され、前記第２のマ
イクロストリップ線路の一方の端部は前記共通接地面に
接地され、前記ｎ個のバイアホールは、前記第２のマイ
クロストリップ線路を挟んで前記第１のマイクロストリ
ップ線路と反対側に、１列をなして前記第２のマイクロ
ストリップ線路に対し近接して平行配置されることを特
徴とする。

【００１３】また、本発明のスタブ回路の第２の構成
は、共通接地面を有する基板上に形成された第１のマイ
クロストリップ線路と、前記基板上に形成された第２の
マイクロストリップ線路と、前記基板上に形成された第
３のマイクロストリップ線路と、前記第２のマイクロス
トリップ線路と前記第３のマイクロストリップ線路とを
電気的に接続する接続体とを備えるスタブ回路であっ
て、前記第２のマイクロストリップ線路は前記第１のマ
イクロストリップ線路に対し近接して平行配置され、前
記第２のマイクロストリップ線路の一方の端部は前記共
通接地面に接地され、前記第３のマイクロストリップ線
路は前記第２のマイクロストリップ線路を挟んで前記第
１のマイクロストリップ線路と反対側に、前記第２のマ
イクロストリップ線路に対し近接して平行配置され、前
記第３のマイクロストリップ線路は、前記基板に形成さ
れ前記共通接地面に接続されたバイアホールを備えるこ
とを特徴とする。

【００１４】また、本発明のスタブ回路の第１又は第２
の構成では、前記接続体は、ボンディングワイヤである
ことを特徴とする。

【００１５】また、本発明のスタブ回路の第１又は第２
の構成では、前記接続体は、導体片であることを特徴と
する。

【００１６】また、本発明のスタブ回路の第１又は第２
の構成では、前記基板は、半導体基板であることを特徴
とする。

【００１７】また、本発明のスタブ回路の第１又は第２
の構成では、前記基板は、絶縁体基板であることを特徴
とする。

【００１８】また、本発明のスタブ回路の調整方法は、
本発明のスタブ回路の第１又は第２の構成に適用され、
前記第１のマイクロストリップ線路が接続された主線路
に信号が入力される第１の工程と、前記第１の工程の
後、前記主線路が有する前記信号に対する線路インピー
ダンス値が所定の値になるように、前記接続体の位置を
前記第２のマイクロストリップ線路の長さ方向に移動し
固定する第２の工程とを備えることを特徴とする。

【００１９】また、本発明の発振器の構成は、電界効果
トランジスタと、出力端子と、容量と、前記電界効果ト
ランジスタのゲート端子と接地面との間に前記容量を介
して接続された第１の線路と、前記電界効果トランジス
タのソース端子と前記接地面との間に接続された第２の
線路と、前記電界効果トランジスタのドレイン端子と前
記出力端子との間に接続された出力整合回路とを備える
発振器であって、前記第１の線路及び前記第２の線路は
請求項１又は請求項２記載の前記第１のマイクロストリ
ップ線路であり、前記接地面は請求項１又は請求項２記
載の前記共通接地面であることを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
のスタブ回路の構成を、図１を参照して説明する。本発
明の第１の実施の形態のスタブ回路は、図１に示すよう
に、主線路１と、スタブ線路２と、結合線路４と、ボン
ディングワイヤ５と、バイアホール６ａ，６ｂ，６ｃ，
６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈとから構成されている。

【００２１】主線路１は、ガリウムヒ素（以下ＧａＡｓ
という。）基板などからなる共通接地面を有する基板上
に形成されたマイクロストリップ線路からなり、入力さ
れる信号に対し特定のインピーダンスを有している。

【００２２】スタブ線路２は、主線路１と同様に、共通
接地面を有する基板上に形成されたマイクロストリップ
線路からなり、スタブ線路２の一方の端部である入力端
３は主線路１の所定の位置に接続され、スタブ線路２の
入力端３と反対側の端部は線路上に形成されたバイアホ
ール６ａにより基板の共通接地面に接続され、主線路１
に対しショートスタブ回路として機能する。

【００２３】結合線路４は、主線路１及びスタブ線路２
と同様に、共通接地面を有する基板上に形成されたマイ
クロストリップ線路からなり、スタブ線路２に対し近接
して平行配置され、スタブ線路２上のバイアホール６ａ
に対応する側の結合線路４の一方の端部は線路上に形成
されたバイアホール６ｂにより基板の共通接地面に接続
され、他方の端部は開放端になっている。

【００２４】また、バイアホール６ｃ，６ｄ，６ｅ，６
ｆ，６ｇ，６ｈは、結合線路４を挟んでスタブ線路２と
反対側に、１列をなして結合線路４に対し近接して平行
配置され、さらに、それぞれ基板の共通接地面に接続さ
れ、これらのバイアホールのうちの１つ（例えばバイア
ホール６ｅ）が選択され、バイアホール６ｅに電気的に
接続された基板上の導体パターンである電極６ｋと、電
極６ｋに対向する結合線路４の部分とが、ボンディング
ワイヤ５により電気的に接続されている。 ボンディン
グワイヤ５をバイアホール６ｅの周囲の電極６ｋの部分
にボンディングするのは、バイアホール６ｅの導体が、
穴部の内側側面に形成された中空の筒状導体であった
り、バイアホール６ｅの内部に導体が充填されていると
してもボンディングの際の圧力に対して一般的に機械的
強度が不足することがあるためである。

【００２５】次に、本発明の第１の実施の形態のスタブ
回路の動作を図１、図２、図３、図４、図５、図６を参
照して詳細に説明する。

【００２６】図２は一般的なマイクロストリップ線路の
等価回路図であり、図３は本発明の第１の実施の形態の
スタブ回路の等価回路図であり、図４、図５及び図６は
本発明の第１の実施の形態のスタブ回路のシミュレーシ
ョン説明図である。

【００２７】図１に示すように、結合線路４は、ボンデ
ィングワイヤ５とバイアホール６ｅとにより基板の共通
接地面に接続されているため、ボンディングワイヤ５に
よりバイアホール６ｅと接続された線路上の位置から、
バイアホール６ｂにより基板の共通接地面に接続された
位置までの部分が、両端が基板の共通接地面に短絡され
たマイクロストリップ線路となっている。

【００２８】このように、結合線路４のボンディングワ
イヤ５によりバイアホール６ｅと接続された線路上の位
置からバイアホール６ｂにより基板の共通接地面に接続
された位置までの部分が、別のマイクロストリップ線路
であるスタブ線路２に近接して平行に配置されると、両
者の間に電磁界結合が生じ、スタブ線路２を伝搬する信
号により、結合線路４のボンディングワイヤ５によりバ
イアホール６ｅと接続された線路上の位置からバイアホ
ール６ｂにより基板の共通接地面に接続された位置まで
の部分にも電磁界が励振される。

【００２９】さらに等価回路で説明すると、図２に示す
ように、一般にマイクロストリップ線路の等価回路は、
伝搬する信号が平面波で扱える周波数帯であれば、単位
量であるインダクタンス（Ｌ）と、単位量である容量
（Ｃ）とを用いた分布定数回路により表すことができ
る。但し、マイクロストリップ線路の導体損、基板の誘
電体損による抵抗、コンダクタンスは省略している。

【００３０】図２に示す等価回路と同様に、図１に示す
本発明の第１の実施の形態のスタブ回路は、単位量のイ
ンダクタンスと単位量の容量とにより図３のように表す
ことができ、Ｌ１及びＣ１はスタブ線路２を構成するイ
ンダクタンス及び容量であり、Ｌ２及びＣ２は結合線路
４の両端が接地された区間を構成するインダクタンス及
び容量であり、また、Ｌ１２及びＣ１２は、スタブ線路
２と結合線路４の両端が接地された区間との電磁界結合
により生じた相互インダクタンス及び線路間容量であ
る。

【００３１】図３において、スタブ線路２の入力端３に
信号が入力されると、結合線路４の両端が接地された区
間と電磁界結合しているスタブ線路２の一部区間のイン
ダクタンス（Ｌ１）は、相互インダクタンス（Ｌ１２）
の分だけ値が小さくなる。即ち、インダクタンス（Ｌ
１）はインダクタンス（Ｌ１−Ｌ１２）に変化し、これ
により、入力端３から見たスタブ線路２のマイクロスト
リップ線路の位相遅延は小さくなる。

【００３２】マイクロストリップ線路の位相遅延は、線
路を構成する基板（材質、厚み等）及び線路幅が同じで
あれば、線路長に比例する。したがって、スタブ線路２
を構成するマイクロストリップ線路の位相遅延が小さく
なることは、入力端３から見たスタブ線路２の線路長が
短くなることと等価である。

【００３３】この線路長の短縮効果は、スタブ線路２が
ショートスタブ回路であるときだけでなく、通常の伝送
線路であるときにも得られるが、特にショートスタブ回
路である場合、入力端３から接地に短絡された先端へ向
かう進行波と、先端から反射して入力端３へ戻る反射波
の両方に効果があるので、通常の伝送線路であるときの
２倍の短縮効果があることになる。

【００３４】この効果を利用して、スタブ線路２の線路
長を変更するには、結合線路４の両端が接地された区間
の長さを変更すれば良いわけで、そのために、結合線路
４に隣接してバイアホール６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６
ｇ，６ｈが１列をなして平行して配置され、適当な位置
のバイアホール（例えば６ｅ）が選択され、ボンディン
グワイヤ５により結合線路４に接続される。

【００３５】結合線路４の両端が接地された区間の線路
長の最大変化量に対し、スタブ線路２の等価的な線路長
即ち有効長の変化量は、電磁界結合による相互インダク
タンス（Ｌ１２）及び容量（Ｃ１２）により決定され、
平行するスタブ線路２と結合線路４との近接距離を調整
することにより、相互インダクタンス（Ｌ１２）をあま
り大きな値とせずに、スタブ線路２が等価的に有する線
路全体のインダクタンス（Ｌ１）に換算して、僅か１０
％〜２０％程度とすることができる。

【００３６】したがって、スタブ線路２の線路長を等価
的に変化できる範囲は、−１０％〜−２０％程度とな
り、従来例のように、スタブ線路長を直接変更するスタ
ブ回路に比較し、微調整が容易に可能となる。

【００３７】図４は、図１の構成をもとに、具体的に数
値を用いて、スタブ線路２の線路長の変化を電磁界シミ
ュレータを用いて解析するためのスタブ回路の構成を示
す。図４におけるスタブ線路７、入力端８、結合線路
９、バイアホール１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１
１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈは、それぞれ、図１にお
けるスタブ線路２、入力端３、結合線路４、バイアホー
ル６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈに
対応し、図４における導体１０は図１におけるボンディ
ングワイヤ５の代用であり、幅は３０μｍであり、バイ
アホール１１ｃの電極１１ｋと結合線路９とを接続して
いる。

【００３８】スタブ線路７の線路長は３００μｍであ
り、スタブ線路７の線路幅は１０μｍであり、結合線路
９の線路長は２９５μｍであり、結合線路９の線路幅は
４０μｍであり、結合線路９はスタブ線路７から５μｍ
離れて平行に配置され、全てのバイアホールの電極面積
は４０μｍｘ４０μｍであり、全てのバイアホールの穴
直径は３０μｍである。また、基板としてはＧａＡｓ基
板を想定し、基板厚は４０μｍである。

【００３９】図５により、図４に示したスタブ回路にお
いて、結合線路９とバイアホール１１ｃ，１１ｅ，１１
ｈのうちの１つとを導体１０により接続したときの、ス
タブ線路７の入力端８から見た入力信号に対する反射波
（ＳパラメータのＳ１１）の位相即ち反射位相を電磁界
シミュレータによりシミュレーション解析した結果を説
明する。図５の横軸は入力信号の周波数を示し、縦軸は
反射波の反射位相を示し、反射位相の値が大きい程反射
波の位相遅れが小さいことを意味し、その周波数に対す
るスタブ線路７の有効長は短縮される。

【００４０】トレースＡは結合線路９が存在しないとき
のスタブ線路７における反射位相を示し、トレースＢは
結合線路９がバイアホール１１ｃと接続されたときのス
タブ線路７における反射位相を示し、トレースＣは結合
線路９がバイアホール１１ｅと接続されたときのスタブ
線路７における反射位相を示し、トレースＤは結合線路
９がバイアホール１１ｈと接続されたときのスタブ線路
７における反射位相を示し、トレースＡに比べトレース
Ｄの方が反射波の位相遅れが小さく、トレースＤに比べ
トレースＣの方が反射波の位相遅れが小さく、トレース
Ｃに比べトレースＢの方が反射波の位相遅れが小さいこ
とがわかる。したがって、結合線路９への導体１０の接
続位置がバイアホール１１ｈからバイアホール１１ｃに
向けて移動するにつれ、スタブ線路７の有効長は短縮さ
れていくことになる。

【００４１】さらに、図６により、図５に示された結果
をスタブ線路７の線路長の短縮率に換算するためのシミ
ュレーション解析の結果を説明する。図６の横軸は入力
信号の周波数を示し、縦軸は反射波の反射位相を示す。

【００４２】トレースＥは結合線路９が存在しないとき
のスタブ線路７における反射位相を示し、トレースＦは
結合線路９がバイアホール１１ｃと接続されたときのス
タブ線路７における反射位相を示し、トレースＧは比較
のために結合線路９が存在せず線路長を２４０μｍとし
たスタブ線路７における反射位相を示す。

【００４３】図６によれば、線路長が３００μｍである
スタブ線路７の有効長が最も短縮されるときの反射位相
を示すトレースＦと、結合線路９が存在せず線路長が２
４０μｍであるスタブ線路７における反射位相を示すト
レースＧとは、４０ＧＨｚ以下の範囲で一致しており、
これはスタブ線路７の線路長が３００μｍから２４０μ
ｍに約２０％短縮されたことを示し、これよりバイアホ
ール１１ｃからバイアホール１１ｈまでを適宜選択する
ことにより、スタブ線路７の線路長を約２０％を限度に
微調整できることがわかる。

【００４４】以上のシミュレーション結果を、図１に示
すスタブ回路について適用すれば、バイアホール６ｃ，
６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈを選択して結合線路４と
接続することにより、スタブ線路２の線路長を約２０％
を限度に微調整できることになり、直接スタブ線路長を
調整することに比べはるかに線路長の変化率が小さいた
め、微調整が容易に可能となるという効果が得られる。

【００４５】また、本実施の形態のスタブ回路は、調整
用として、６個のバイアホール６ｃ〜６ｈを備えるが、
バイアホール個数は何個でもよく、製品量産時などにス
タブ線路２の微調整位置が一旦決定してしまえば必要な
バイアホール個数は１個であり、残りのバイアホールは
省略することもできる。

【００４６】次に、本発明の第２の実施の形態のスタブ
回路の構成を説明する。本発明の第２の実施の形態のス
タブ回路は、図７に示すように、主線路１と、スタブ線
路２と、結合線路４と、ボンディングワイヤ５と、バイ
アホール６ａ，６ｂ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２
ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇと、接地線路１２ｋとから
構成されている。

【００４７】図７では図１と同一要素には同一符号を付
しており、同一要素については本発明の第１の実施の形
態のスタブ回路と構成及び動作が同じであるため説明を
省略する。

【００４８】本実施の形態のスタブ回路は、本発明の第
１の実施の形態のスタブ回路が備えるバイアホール６
ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈの代わりに、共通接
地面を有する基板上に形成されたマイクロストリップ線
路である接地線路１２ｋが、結合線路４を挟んでスタブ
線路２と反対側に、結合線路４に対し近接して平行配置
され、さらに、接地線路１２ｋに設けられたバイアホー
ル１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，
１２ｇのそれぞれが基板の共通接地面に接続され、ボン
ディングワイヤ５により接地線路１２ｋ上の任意の位置
の部分と結合線路４上の対向する部分とが接続される。
ここで、バイアホールについては、接地線路１２ｋが共
通接地面の電位を保てるように適当な個数が設けられ
る。

【００４９】この構成により、ボンディングワイヤ５の
接続点を接地線路１２ｋの全長にわたって連続的に選択
できるため、本発明の第１の実施の形態のスタブ回路よ
りも、さらに容易に微調整が可能となるという効果が得
られる。

【００５０】また、本発明の第１及び第２の実施の形態
のスタブ回路では、バイアホール６ｃ〜６ｈ又は接地線
路１２ｋと、結合線路４との接続には、ボンディングワ
イヤの他に、断面が薄板状の導体片なども適用でき、寄
生効果を抑えて、より高周波特性が向上する。

【００５１】また、本発明の第１及び第２の実施の形態
のスタブ回路では、共通接地面を有しマイクロストリッ
プ線路が形成される基板としては、半絶縁性の半導体基
板であるＧａＡｓ基板の他に、表面に絶縁膜が形成され
たシリコン基板などの半導体基板であっても、セラミッ
ク基板などの絶縁体基板であってもよい。

【００５２】また、本発明の第１及び第２の実施の形態
のスタブ回路では、スタブ線路２はショートスタブ線路
になっているが、オープンスタブ線路であっても同様の
効果が得られる。

【００５３】また、本発明の第１の実施の形態のスタブ
回路の調整は、まず、スタブ線路２の入力端３が接続さ
れた主線路１に所定の信号を入力し、次に、主線路１が
有する入力信号に対する線路インピーダンス値が所定の
値になるように、測定器により信号を測定しながら、結
合線路４とバイアホール６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６
ｇ，６ｈのうちの何れかとを適当な導通手段により暫定
的に短絡し、結合線路４の長さ方向に適宜移動して最適
なボンディングワイヤ５などを接続すべきバイアホール
を決定し、ボンディングワイヤ５などにより固定的に接
続することにより達成でき、本発明の第２の実施の形態
のスタブ回路の調整も同様に、まず、スタブ線路２が接
続された主線路１に所定の信号を入力し、次に、主線路
１が有する入力信号に対する線路インピーダンス値が所
定の値になるように、測定器により信号を測定しなが
ら、結合線路４と接地線路１２ｋとを適当な導通手段に
より暫定的に短絡し、結合線路４の長さ方向に適宜移動
して最適なボンディングワイヤ５などを接続すべき位置
を決定し、ボンディングワイヤ５などにより固定的に接
続することにより達成できる。

【００５４】次に、本発明の第３の実施の形態の発振器
の構成を説明する。本発明の第３の実施の形態の発振器
は、図８に示すように、電界効果トランジスタ１３と、
スタブ回路１４，１６と、容量１５と、出力整合回路１
７と、出力端子１８とから構成されている。

【００５５】電界効果トランジスタ１３はＧａＡｓ系ヘ
テロ接合型電界効果トランジスタであり、電界効果トラ
ンジスタ１３のソース端子と接地面との間に負性抵抗発
生用のスタブ回路１６が備えるマイクロストリップ線路
が接続され、電界効果トランジスタ１３のゲート端子と
接地面との間に容量１５を介してスタブ回路１４が備え
るマイクロストリップ線路が接続され、容量１５とスタ
ブ回路１４が備えるマイクロストリップ線路のリアクタ
ンスとにより発振周波数を決定する共振回路が形成さ
れ、電界効果トランジスタ１３のドレイン端子から出力
整合回路１７を介して出力端子１８から出力が取り出さ
れる直列帰還型発振器である。なお、図示していない電
源電圧などの直流バイアスは適宜印加される。

【００５６】この構成において、スタブ回路１４とスタ
ブ回路１６には本発明の第１又は第２の実施の形態のス
タブ回路が適用され、スタブ回路１４及びスタブ回路１
６が備えるマイクロストリップ線路は、本発明の第１又
は第２の実施の形態のスタブ回路が備えるスタブ線路２
である。但し、スタブ回路１４ではスタブ線路２の両端
とも接地されておらず、スタブ回路１６ではスタブ線路
２の接地端側が接地面に接続される。また、この構成に
おいて、接地面は本発明の第１又は第２の実施の形態の
スタブ回路が備える共通接地面と同じである。

【００５７】発振周波数の調整は共振回路を形成するス
タブ回路１４のスタブ線路長を調整しリアクタンスを変
化させることで行なわれるが、本発明の第１又は第２の
実施の形態のスタブ回路であることにより、発振周波数
の微調整が容易に可能となるという効果が得られる。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
主線路のインピーダンス調整のために接続されるマイク
ロストリップ線路からなるスタブ回路のインピーダンス
の微調整が容易に可能となり、また、そのスタブ回路を
利用した発振器の発振周波数の微調整が容易に可能とな
るという効果が得られる。さらに、線路長の調整手段と
してワイヤボンディングを使用することにより、一般的
な半導体装置の製造設備を流用することができるため安
価に実現が可能となるという効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のスタブ回路の構成
図である。

【図２】一般的なマイクロストリップ線路の等価回路図
である。

【図３】本発明の第１の実施の形態のスタブ回路の等価
回路図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態のスタブ回路のシミ
ュレーション説明図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態のスタブ回路のシミ
ュレーション説明図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態のスタブ回路のシミ
ュレーション説明図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態のスタブ回路の構成
図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態の発振器の構成図で
ある。

【図９】従来例のスタブ回路の構成図である。

【符号の説明】

１，１０１ 主線路 ２，７，１０２ スタブ線路 ３，８ 入力端 ４，９ 結合線路 ５，１０５ ボンディングワイヤ ６ａ〜６ｈ，１１ａ〜１１ｈ，１２ａ〜１２ｇ，１０６
ａ〜１０６ｅ バイアホール ６ｋ，１１ｋ，１０６ｋ 電極 １０ 導体 １２ｋ 接地線路 １３ 電界効果トランジスタ １４，１６ スタブ回路 １５ 容量 １７ 出力整合回路 １８ 出力端子

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 共通接地面を有する基板上に形成された
   第１のマイクロストリップ線路と、前記基板上に形成さ
   れた第２のマイクロストリップ線路と、前記基板に形成
   され前記共通接地面に接続されたｎ（ｎは１以上の整
   数）個のバイアホールと、前記ｎ個のバイアホールのう
   ちの１つと前記第２のマイクロストリップ線路とを電気
   的に接続する接続体とを備えるスタブ回路であって、前
   記第２のマイクロストリップ線路は前記第１のマイクロ
   ストリップ線路に対し近接して平行配置され、前記第２
   のマイクロストリップ線路の一方の端部は前記共通接地
   面に接地され、前記ｎ個のバイアホールは、前記第２の
   マイクロストリップ線路を挟んで前記第１のマイクロス
   トリップ線路と反対側に、１列をなして前記第２のマイ
   クロストリップ線路に対し近接して平行配置されること
   を特徴とするスタブ回路。
2. 【請求項２】 共通接地面を有する基板上に形成された
   第１のマイクロストリップ線路と、前記基板上に形成さ
   れた第２のマイクロストリップ線路と、前記基板上に形
   成された第３のマイクロストリップ線路と、前記第２の
   マイクロストリップ線路と前記第３のマイクロストリッ
   プ線路とを電気的に接続する接続体とを備えるスタブ回
   路であって、前記第２のマイクロストリップ線路は前記
   第１のマイクロストリップ線路に対し近接して平行配置
   され、前記第２のマイクロストリップ線路の一方の端部
   は前記共通接地面に接地され、前記第３のマイクロスト
   リップ線路は前記第２のマイクロストリップ線路を挟ん
   で前記第１のマイクロストリップ線路と反対側に、前記
   第２のマイクロストリップ線路に対し近接して平行配置
   され、前記第３のマイクロストリップ線路は、前記基板
   に形成され前記共通接地面に接続されたバイアホールを
   備えることを特徴とするスタブ回路。
3. 【請求項３】 前記接続体は、ボンディングワイヤであ
   ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のスタブ
   回路。
4. 【請求項４】 前記接続体は、導体片であることを特徴
   とする請求項１又は請求項２記載のスタブ回路。
5. 【請求項５】 前記基板は、半導体基板であることを特
   徴とする請求項１又は請求項２記載のスタブ回路。
6. 【請求項６】 前記基板は、絶縁体基板であることを特
   徴とする請求項１又は請求項２記載のスタブ回路。
7. 【請求項７】 前記第１のマイクロストリップ線路が接
   続された主線路に信号が入力される第１の工程と、前記
   第１の工程の後、前記主線路が有する前記信号に対する
   線路インピーダンス値が所定の値になるように、前記接
   続体の位置を前記第２のマイクロストリップ線路の長さ
   方向に移動し固定する第２の工程とを備えることを特徴
   とする請求項１又は請求項２記載のスタブ回路に適用す
   るスタブ回路の調整方法。
8. 【請求項８】 電界効果トランジスタと、出力端子と、
   容量と、前記電界効果トランジスタのゲート端子と接地
   面との間に前記容量を介して接続された第１の線路と、
   前記電界効果トランジスタのソース端子と前記接地面と
   の間に接続された第２の線路と、前記電界効果トランジ
   スタのドレイン端子と前記出力端子との間に接続された
   出力整合回路とを備える発振器であって、前記第１の線
   路及び前記第２の線路は請求項１又は請求項２記載の前
   記第１のマイクロストリップ線路であり、前記接地面は
   請求項１又は請求項２記載の前記共通接地面であること
   を特徴とする発振器。