JP2001352204A - 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置 - Google Patents

伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置

Info

Publication number
JP2001352204A
JP2001352204A JP2000172154A JP2000172154A JP2001352204A JP 2001352204 A JP2001352204 A JP 2001352204A JP 2000172154 A JP2000172154 A JP 2000172154A JP 2000172154 A JP2000172154 A JP 2000172154A JP 2001352204 A JP2001352204 A JP 2001352204A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
electrode
ground electrode
circuit
transmission line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000172154A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Ariga
光夫 有家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000172154A priority Critical patent/JP2001352204A/ja
Publication of JP2001352204A publication Critical patent/JP2001352204A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長を短縮して小型化を図ることのできる伝
送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用い
た電子回路およびそれを用いた電子装置を提供する。 【解決手段】 誘電体層2の一方主面2a上に、線路電
極11と、線路電極11の縁部に近接した第1のグラン
ド電極12を形成するとともに、線路電極11の縁部と
第1のグランド電極12を櫛形に対向して形成せてコプ
レーナ線路を構成する。 【効果】 線路電極11と第1のグランド電極12との
間の単位長さあたりの静電容量が大きくなり、単位長さ
あたりのインダクタンスを小さくできる。それによっ
て、線路長を短くし、コプレーナ線路10の小型化を図
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、伝送線路およびそ
れを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およ
びそれを用いた電子装置、特に小型化を図ることのでき
る伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを
用いた電子回路およびそれを用いた電子装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図15に、従来の伝送線路の1つである
コプレーナ線路の斜視図を示す。また、図16に、その
平面図を示す。
【0003】図15および図16において、従来の伝送
線路の一種であるコプレーナ線路1は、誘電体層2と、
誘電体層2の一方主面2aに設けられた線路電極3と、
同じく誘電体層2の一方主面2aにおいて、線路電極3
の縁部に近接して設けられた第1のグランド電極4から
構成されている。そして、線路電極3の一端は端子5
に、他端は端子6にそれぞれ接続されている。
【0004】このように構成されたコプレーナ線路1に
おいては、線路電極3自身の分布定数的なインダクタン
ス成分と、線路電極3と第1のグランド電極4との間に
形成される分布定数的な容量成分によって、分布定数線
路すなわち伝送線路として利用することができる。ま
た、線路電極3の一端を開放状態にしたり(オープンス
タブ)第1のグランド電極に接続したり(ショートスタ
ブ)することによって、各種の回路素子を作ることもで
きる。
【0005】なお、図15では図示していないが、誘電
体層2の他方主面2bに第2のグランド電極を設けてグ
ランデッドコプレーナ線路としても構わないもので、同
様に分布定数線路や回路素子として利用することができ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
GaAs基板を誘電体層としてMMICを構成する場合
を考えると、誘電体層の比誘電率が低いために、図15
に示したコプレーナ線路1では、コプレーナ線路1を流
れる信号の波長が長くなり、チップサイズが大きくなる
という問題がある。
【0007】また、GaAs基板よりも比誘電率の高い
基板を誘電体層として採用しても、信号の波長は、誘電
率の平方根に反比例するだけなので、十分な小型化が達
成できないという問題がある。
【0008】また、特にオープンスタブを形成する場合
に、コプレーナ線路1の一端をMIMキャパシタを介し
て接地することによって長さを短縮することもできる
が、この方法はオープンスタブにしか適用できず、しか
も多層構造のMIMキャパシタを作るためにコストが高
くなるという問題がある。
【0009】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、波長を短縮して小型化を図ることので
きる伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれら
を用いた電子回路およびそれを用いた電子装置を提供す
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の伝送線路は、誘電体層の一方主面上に、線
路電極と、該線路電極の縁部に近接した第1のグランド
電極を形成してなる伝送線路であって、前記線路電極の
縁部の少なくとも一部と前記第1のグランド電極が櫛形
に対向したことを特徴とする。
【0011】また、本発明の伝送線路は、前記誘電体層
の他方主面上に、第2のグランド電極を形成したことを
特徴とする。
【0012】また、本発明の回路素子は、上記の伝送線
路の一端を、開放状態としたことを特徴とする回路素
子。
【0013】また、本発明の回路素子は、前記伝送線路
の一端と前記第1のグランド電極が櫛形に対向したこと
を特徴とする。
【0014】また、本発明の回路素子は、上記の伝送線
路の一端を、前記第1のグランド電極に接続したことを
特徴とする。
【0015】また、本発明の電子回路は、上記の伝送線
路および回路素子の少なくとも1つを用いたことを特徴
とする。
【0016】また、本発明の電子装置は、上記電子回路
を用いたことを特徴とする。
【0017】このように構成することにより、本発明の
伝送線路およびそれを用いた回路素子においては、波長
を短縮して小型化を図ることができる。
【0018】また、本発明の電子装置においては、小型
化を図ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】図1に、本発明の伝送線路の一実
施例の平面図を示す。図1において、図15および図1
6と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その
詳細な説明は省略する。なお、以下に示す実施例におい
ては、図15に相当する斜視図は省略するが、同様に表
されるものである。
【0020】図1において、本発明の伝送線路であるコ
プレーナ線路10は、誘電体層2と、誘電体層2の一方
主面2aに設けられた線路電極11と、同じく誘電体層
2の一方主面2aにおいて、線路電極11の両側の縁部
に近接して設けられた第1のグランド電極12から構成
されている。ここで、線路電極11の縁部と第1のグラ
ンド電極12は櫛形に対向して形成されている。そし
て、線路電極11の一端は端子5に、他端は端子6にそ
れぞれ接続されている。
【0021】このように構成されたコプレーナ線路10
においては、線路電極11の縁部と第1のグランド電極
12が櫛形に対向しているために、線路電極11と第1
のグランド電極12との間の単位長さあたりの静電容量
が大きくなる。それによって、単位長さあたりのインダ
クタンスを小さくできるので、線路長を短くし、コプレ
ーナ線路10の小型化を図ることができる。
【0022】なお、図1に示したコプレーナ線路1にお
いては、線路電極11のすべての縁部が第1のグランド
電極12と櫛形に対向しているが、次の実施例に示すよ
うに、必ずしも線路電極11のすべての縁部が第1のグ
ランド電極12と櫛形に対向する必要はない。
【0023】図2および図3に、本発明の伝送線路の別
の実施例の平面図を示す。図2および図3において、図
1と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その
説明を省略する。
【0024】図2において、本発明の伝送線路であるコ
プレーナ線路14は、線路電極15の縁部の一部が第1
のグランド電極12と櫛形に対向している。また、図3
において、本発明の伝送線路であるコプレーナ線路16
は、線路電極17の片側の縁部のみが第1のグランド電
極12と櫛形に対向している。このように、線路電極の
縁部の一部が第1のグランド電極12と櫛形に対向して
いたり、あるいは線路電極の片側の縁部のみが第1のグ
ランド電極12と櫛形に対向しているものであっても構
わないもので、コプレーナ線路10の場合と同様の作用
効果を奏するものである。なお、線路電極の縁部と第1
のグランド電極が櫛形に対向している部分は、設計上の
要請に応じて任意に選択できるものである。
【0025】また、図1ないし図3に示したコプレーナ
線路10、14、16においては、誘電体層2の他方主
面に第2のグランド電極が設けられていないが、いずれ
の実施例においても他方主面に第2のグランド電極を設
けてグランデッドコプレーナ線路としても構わないもの
で、コプレーナ線路10、14、16と同様の作用効果
を奏するものである。
【0026】次に、図4に、本発明の伝送線路のさらに
別の実施例の平面図を示す。図4において、図1と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
【0027】図4において、本発明の伝送線路であるマ
イクロストリップ線路20は、誘電体層2と、誘電体層
2の一方主面2aに設けられた線路電極21と、同じく
誘電体層2の一方主面2aに設けられた第1のグランド
電極22と、誘電体層2の他方主面2bのほぼ全面に設
けられた第2のグランド電極23から構成されている。
ここで、第1のグランド電極22は線路電極21の一部
において、線路電極21の両側の縁部と櫛形に対向して
いる。そして、線路電極21の一端は端子5に、他端は
端子6にそれぞれ接続されている。
【0028】このように構成されたマイクロストリップ
線路20においては、線路電極21の縁部の一部と第1
のグランド電極22が櫛形に対向しているために、その
部分において線路電極21と第1のグランド電極22と
の間の単位長さあたりの静電容量が大きくなり、単位長
さあたりのインダクタンスを小さくできるので、線路長
を短くすることができる。また、線路電極21とグラン
ド電極との間の容量が部分的に大きくなることから、線
路電極の一部とグランド電極との間に集中定数的な容量
が設けられた回路素子としての働きをさせることもでき
る。
【0029】このように、通常は誘電体層の他方主面側
にグランド電極を設けたマイクロストリップ線路におい
ても、誘電体層の一方主面側にグランド電極を設けて、
線路電極の一部と櫛形に対向させることによって、コプ
レーナ線路の場合と同様の作用効果を奏するものであ
る。
【0030】次に、このような伝送線路を用いて作成し
た回路素子について具体的に示して説明する。
【0031】図5に、本発明の回路素子の一実施例を示
す。図5において、図1と同一もしくは同等の部分には
同じ記号を付し、その説明を省略する。
【0032】図5において、本発明の回路素子であるオ
ープンスタブ30は、誘電体層2と、誘電体層2の一方
主面2aに設けられた線路電極31と、同じく誘電体層
2の一方主面2aにおいて、線路電極31の縁部に近接
して設けられた第1のグランド電極32から構成されて
いる。ここで、線路電極31の縁部と第1のグランド電
極32は櫛形に対向して形成されている。そして、線路
電極31の一端は開放端すなわちどこにも接続されてい
ない状態となっており、他端は端子33に接続されてい
る。なお、ここでは、線路電極31の長さはL、線路電
極31の第1のグランド電極32と櫛形に対向している
部分の幅はD、櫛形に対向している部分以外の部分の幅
もD、線路電極31と第1のグランド電極32との間隔
はGとする。
【0033】ここで、図6に、線路電極の縁部と第1の
グランド電極との間が櫛形に対向していないオープンス
タブを比較のために示す。図6において、図5と同一も
しくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略
する。
【0034】図6において、オープンスタブ35は、線
路電極36と、線路電極36の縁部に近接して設けられ
た第1のグランド電極32から構成されている。そし
て、線路電極36の一端は開放状態となっており、他端
は端子33に接続されている。なお、線路電極36の長
さはL、線路電極41の幅はD×3、線路電極41と第
1のグランド電極32との間隔はGとする。
【0035】ここで、図7(a)に、図5に示したオー
プンスタブ30と図6に示したオープンスタブ35の共
振特性の計算結果を示す。図7(a)において、aはオ
ープンスタブ30の共振特性を、bはオープンスタブ3
5の共振特性を示している。なお、ここでは、誘電体層
2の厚みを300μm、比誘電率を38、電極厚みを5
μm、Lを1000μm、Dを100μm、Gを10μ
mとしている。図7(a)より分かるように、オープン
スタブ30は約7.1GHzに最初の共振点があるのに
対して、オープンスタブ35は12.8GHzに最初の
共振点がある。同じ長さにも関わらずオープンスタブ3
0の方がオープンスタブ35より共振点が低いというこ
とは、共振周波数が同じになるようにした場合に、オー
プンスタブ30の方をオープンスタブ35より大幅に短
くできることを意味している。
【0036】このように、本発明のオープンスタブ30
においては、線路電極31の縁部と第1のグランド電極
32が櫛形に対向しているために、線路電極31と第1
のグランド電極32との間の単位長さあたりの静電容量
が大きくなり、単位長さあたりのインダクタンスを小さ
くできる。それによって、オープンスタブ全体の長さを
短くすることができる。
【0037】また、図7(b)に、オープンスタブ30
とオープンスタブ35における、オープンスタブの幅W
tと共振周波数との関係を示す。図7(b)において、
cはオープンスタブ30の共振周波数を、dはオープン
スタブ35の共振周波数を示している。図7(b)より
分かるように、オープンスタブ40においては幅Wtを
変えても共振周波数があまり変化しないのに対して、オ
ープンスタブ30では幅Wtが大きくなると、それにつ
れて線路電極と第1のグランド電極との間の容量も増え
るために、共振周波数がさらに低下するという傾向を示
す。
【0038】このように、本発明のオープンスタブ30
においては、線路電極31の幅を大きくすることによっ
て、オープンスタブ全体の長さをさらに短くすることが
できる。
【0039】なお、オープンスタブ30においては、線
路電極31の縁部全体が第1のグランド電極32と櫛形
に対向するように形成されているが、図2や図3に示し
たコプレーナ線路14や16と同様に、線路電極31の
縁部の一部や片側の縁部のみが第1のグランド電極32
と櫛形に対向するように形成されていてもかまわないも
ので、線路電極31の縁部全体が第1のグランド電極3
2と櫛形に対向するものと同様の作用効果を奏するもの
である。
【0040】図8(a)、(b)に、本発明の回路素子
の別の実施例を示す。図8において、図5と同一もしく
は同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略す
る。
【0041】図8(a)において、本発明の回路素子で
あるオープンスタブ40は、線路電極41の一端(開放
端)側約半分の縁部と第1のグランド電極32が櫛形に
対向して形成されている。また、図8(b)において、
本発明の回路素子であるオープンスタブ42は、線路電
極43の他端側約半分の縁部と第1のグランド電極32
が櫛形に対向して形成されている。
【0042】ここで、図9に、図5に示したオープンス
タブ30、図6に示したオープンスタブ35、図8に示
したオープンスタブ40および42の共振周波数を比較
した比較図を示す。Aはオープンスタブ30、Bはオー
プンスタブ40、Cはオープンスタブ42、Dはオープ
ンスタブ35の共振周波数である。
【0043】図9より分かるように、線路電極と第1の
グランド電極が櫛形に対向している面積の多いオープン
スタブ30の共振周波数が最も低く、櫛形に対向してい
る部分のないオープンスタブ35の共振周波数が最も高
い。また、櫛形に対向している面積がほぼ等しいオープ
ンスタブ40と42では、線路電極の開放端に近い位置
で櫛形に対向しているオープンスタブ40の方が共振周
波数が低くなっている。このように、オープンスタブに
おいては、線路電極と第1のグランド電極の櫛形に対向
している部分が多いほど、また櫛形に対向している部分
が線路電極の開放端に近いほど共振周波数が低くなるこ
とが分かる。
【0044】図10に、本発明の回路素子のさらに別の
実施例を示す。図10において、図5と同一もしくは同
等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【0045】図10において、本発明の回路素子である
オープンスタブ45は、線路電極46の一端、すなわち
開放端においても、第1のグランド電極32との間で櫛
形に対向して形成されている。オープンスタブ45の開
放端をこのように形成することによって、開放端と第1
のグランド電極32との間の容量が増加する。これは、
オープンスタブでは開放端に近づくほど電界の集中が大
きく、容量が増えることの効果が大きくなるためであ
る。
【0046】図11に、本発明の回路素子のさらに別の
実施例を示す。図11において、図5と同一もしくは同
等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【0047】図11において、本発明の回路素子である
ショートスタブ50は、線路電極の一端が第1のグラン
ド電極32と接続されている。
【0048】このように、ショートスタブ50において
も、線路電極51の縁部と第1のグランド電極32が櫛
形に対向しているために、線路電極51と第1のグラン
ド電極32との間の単位長さあたりの信号の波長が短く
なり、ショートスタブ全体の長さを短くすることができ
る。
【0049】なお、図5、8、10、11に示したオー
プンスタブ30、40、42、45、ショートスタブ5
0においては、誘電体層2の他方主面に第2のグランド
電極が設けられていないが、いずれの実施例においても
他方主面に第2のグランド電極を設けてグランデッドコ
プレーナ線路によるオープンスタブとしても構わないも
ので、オープンスタブ30、40、42、45、ショー
トスタブ50と同様の作用効果を奏するものである。
【0050】図12に、本発明の電子回路の一実施例と
して高周波用の増幅回路を示す。図12において、増幅
回路60は、FET61と、本発明の伝送線路63、6
5と、同じく本発明の回路素子であるオープンスタブ6
2、64、66とを備えている。
【0051】ここで、FET61のゲートは入力端子I
nに、ドレインは出力端子Outに接続され、ソースは
接地されている。FET61のドレインには高調波処理
用にオープンスタブ62が接続されている。また、FE
T61のドレインと電源端子Vdとの間には、チョーク
用の伝送線路63が直列に、オープンスタブ64が並列
に接続されている。そして、FET61のゲートとバイ
アス端子Vgとの間には、チョーク用の伝送線路65が
直列に、オープンスタブ66が並列に接続されている。
【0052】このように構成された増幅回路60におい
ては、高調波処理やチョーク用に本発明の伝送線路や回
路素子を用いているため。回路全体の小型化を図ること
ができる。
【0053】図13に、本発明の電子回路の別の実施例
として高周波用のミキサ回路を示す。図13において、
ミキサ回路70は、ダイオード71、72と、本発明の
回路素子であるオープンスタブ73、ショートスタブ7
4とを備えている。
【0054】ここで、RF信号入力端子RFはダイオー
ド71のカソードとダイオード72のアノードに接続さ
れるとともに、IF信号出力端子IFに接続されてい
る。また、ローカル信号入力端子LOはダイオード71
のアノードとダイオード72のカソードに接続されてい
る。そして、ダイオード71のカソードとアノードに
は、それぞれ高調波処理用にオープンスタブ73および
ショートスタブ74が接続されている。
【0055】このように構成されたミキサ回路70にお
いても、高調波処理用に本発明の回路素子を用いている
ため。回路全体の小型化を図ることができる。
【0056】図14に、本発明の電子装置の一実施例と
して、無線通信装置を示す。図14において、無線通信
装置80は、信号処理回路81と、フィルタ82、8
6、90、94と、本発明の電子回路である増幅回路8
3、87、91、95と、同じく本発明の電子回路であ
るミキサ回路85、93と、ローカル発振器84、92
と、デュプレクサ88と、アンテナ89から構成されて
いる。
【0057】ここで、信号処理回路81はフィルタ82
と増幅回路83を順に介してミキサ回路85に接続され
ている。ローカル発振器84もミキサ回路85に接続さ
れている。ミキサ回路85はフィルタ86と増幅回路8
7を順に介してデュプレクサ88に接続されている。デ
ュプレクサ88はアンテナ89に接続されるとともに、
フィルタ90と増幅回路91を順に介してミキサ回路9
3に接続されている。ローカル発振器92もミキサ回路
93に接続されている。ミキサ回路93はフィルタ94
と増幅回路95を順に介して信号処理回路81に接続さ
れている。
【0058】このように構成された無線通信装置80に
おいては、本発明の電子回路である増幅回路83、8
7、91、95やミキサ回路85、93を用いているた
め、装置全体の小型化を図ることができる。
【0059】
【発明の効果】本発明の伝送線路およびそれを用いた回
路素子によれば、線路電極の縁部の少なくとも一部と第
1のグランド電極を櫛形に対向させることによって、線
路電極と第1のグランド電極との間の単位長さあたりの
静電容量が大きくなり、単位長さあたりのインダクタン
スを小さくできるので、線路長を短くすることができ
る。
【0060】また、本発明の電子回路においては、本発
明の伝送線路や回路素子を用いることによって小型化を
図ることができる。
【0061】また、本発明の電子装置においては、本発
明の電子回路を用いることによって小型化を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の伝送線路の一実施例を示す平面図であ
る。
【図2】本発明の伝送線路の別の実施例を示す平面図で
ある。
【図3】本発明の伝送線路のさらに別の実施例を示す平
面図である。
【図4】本発明の伝送線路のさらに別の実施例を示す平
面図である。
【図5】本発明の回路素子の一実施例を示す平面図であ
る。
【図6】従来の回路素子を示す平面図である。
【図7】図5と図6に示した回路素子の共振特性を示す
特性図である。
【図8】本発明の回路素子の別の実施例を示す平面図で
ある。
【図9】図5と図6と図8に示した回路素子の共振周波
数を比較する比較図である。
【図10】本発明の回路素子のさらに別の実施例を示す
平面図である。
【図11】本発明の回路素子のさらに別の実施例を示す
平面図である。
【図12】本発明の電子回路の一実施例を示す平面図で
ある。
【図13】本発明の電子回路の別の実施例を示す平面図
である。
【図14】本発明の電子装置の一実施例を示す平面図で
ある。
【図15】従来の伝送線路を示す斜視図である。
【図16】図15の伝送線路を示す平面図である。
【符号の説明】
2…誘電体層 10、14、16、20…伝送線路 11、15、17、21、31、41、43、46、5
1…線路電極 12、22、32…第1のグランド電極 23…第2のグランド電極 30、40、42、45…オープンスタブ 50…ショートスタブ 60、70…電子回路 80…電子装置

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体層の一方主面上に、線路電極と、
    該線路電極の縁部に近接した第1のグランド電極を形成
    してなる伝送線路であって、 前記線路電極の縁部の少なくとも一部と前記第1のグラ
    ンド電極が櫛形に対向したことを特徴とする伝送線路。
  2. 【請求項2】 前記誘電体層の他方主面上に、第2のグ
    ランド電極を形成したことを特徴とする、請求項1に記
    載の伝送線路。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の伝送線路の一
    端を、開放状態としたことを特徴とする回路素子。
  4. 【請求項4】 前記伝送線路の一端と前記第1のグラン
    ド電極が櫛形に対向したことを特徴とする、請求項3に
    記載の回路素子。
  5. 【請求項5】 請求項1または2に記載の伝送線路の一
    端を、前記第1のグランド電極に接続したことを特徴と
    する回路素子。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の伝
    送線路または回路素子の少なくとも1つを用いたことを
    特徴とする電子回路。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の電子回路を用いたこと
    を特徴とする電子装置。
JP2000172154A 2000-06-08 2000-06-08 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置 Pending JP2001352204A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000172154A JP2001352204A (ja) 2000-06-08 2000-06-08 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000172154A JP2001352204A (ja) 2000-06-08 2000-06-08 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001352204A true JP2001352204A (ja) 2001-12-21

Family

ID=18674599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000172154A Pending JP2001352204A (ja) 2000-06-08 2000-06-08 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001352204A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009048095A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Nec Corporation 伝送線路を有する回路装置及びプリント回路基板
KR100990548B1 (ko) 2008-09-11 2010-10-29 도루 스가마 전송 매체
JP2018085398A (ja) * 2016-11-22 2018-05-31 本田技研工業株式会社 回路基板
CN108172958A (zh) * 2017-12-22 2018-06-15 重庆邮电大学 一种基于共面波导的周期性慢波传输线单元

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009048095A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Nec Corporation 伝送線路を有する回路装置及びプリント回路基板
KR100990548B1 (ko) 2008-09-11 2010-10-29 도루 스가마 전송 매체
JP2018085398A (ja) * 2016-11-22 2018-05-31 本田技研工業株式会社 回路基板
CN108172958A (zh) * 2017-12-22 2018-06-15 重庆邮电大学 一种基于共面波导的周期性慢波传输线单元
CN108172958B (zh) * 2017-12-22 2020-05-26 重庆邮电大学 一种基于共面波导的周期性慢波传输线单元

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7495529B2 (en) Phase shift circuit, high frequency switch, and phase shifter
JP2000114870A (ja) マイクロ波発振器
US7463111B2 (en) Semiconductor device
US3764938A (en) Resonance suppression in interdigital capacitors useful as dc bias breaks in diode oscillator circuits
US20020089385A1 (en) Planar dielectric integrated circuit
JP2627113B2 (ja) 高周波電力増幅器
JP2001352204A (ja) 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置
EP1351300A2 (en) Semiconductor device and transceiver apparatus
US6208214B1 (en) Multifunction high frequency integrated circuit structure
JP3005416B2 (ja) マイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路
WO2006065305A1 (en) Monolithic microwave integrated circuit compatible fet structure
JPH04298105A (ja) 半導体増幅器
JPS63279608A (ja) 増幅器集積回路
US5656874A (en) High-frequency component and high-frequency circuit
JPH10256850A (ja) 半導体装置及び高周波電力増幅器
JP2923851B2 (ja) マイクロ波・ミリ波発振器
JPH01279612A (ja) 高周波増幅回路
JPH11274853A (ja) 高周波集積回路装置
JP3450721B2 (ja) 半導体装置
JPH07321130A (ja) 半導体装置
JPH07240645A (ja) マイクロ波集積回路
JPS6040726B2 (ja) 超高周波発振回路
JPH06276038A (ja) 高周波低雑音増幅器
JP2518544B2 (ja) マイクロ波集積回路
JPH03261202A (ja) マイクロ波半導体装置