JPS63279608A - 増幅器集積回路 - Google Patents
増幅器集積回路Info
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- JPS63279608A JPS63279608A JP11524087A JP11524087A JPS63279608A JP S63279608 A JPS63279608 A JP S63279608A JP 11524087 A JP11524087 A JP 11524087A JP 11524087 A JP11524087 A JP 11524087A JP S63279608 A JPS63279608 A JP S63279608A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000010754 BS 2869 Class F Substances 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はパッケージ内に増幅用半導体素子と入、出力
整合回路とを具備し、特に高周波帯で高い効率で動作す
る電力増幅器集積回路に関するものである。
整合回路とを具備し、特に高周波帯で高い効率で動作す
る電力増幅器集積回路に関するものである。
「従来の技術」
従来高周波帯で高い効率を達成できる増幅器として、F
級増幅器が知られている。第4図はF級増幅器の一構成
例を示すもので、FET11の出力回路として、増幅し
ようとする周波数成分(基本波)についての整合回路1
2と、基本波についての4分の1波長で、かつその末端
にコンデンサで構成された高周波短絡回路13を具備し
た2次高調波終端回路14とを具備している。F B
T 11のゲートに、その出力が飽和するレベル以上の
振幅で基本波信号を入力端子15より入力整合回路16
を介して入力すると、FETIIのドレン端での出力電
圧はあるレベル以上がクリップされるため、その波形は
矩形波に近づき、かつ電流は、2次高調波終端回路14
のドレン端でのインピダンスがゼロになっていることか
ら2次高調波電流が極めて流れ易い状態となっているた
め、2次高調波の支配的な正弦波の半波波形に近づく。
級増幅器が知られている。第4図はF級増幅器の一構成
例を示すもので、FET11の出力回路として、増幅し
ようとする周波数成分(基本波)についての整合回路1
2と、基本波についての4分の1波長で、かつその末端
にコンデンサで構成された高周波短絡回路13を具備し
た2次高調波終端回路14とを具備している。F B
T 11のゲートに、その出力が飽和するレベル以上の
振幅で基本波信号を入力端子15より入力整合回路16
を介して入力すると、FETIIのドレン端での出力電
圧はあるレベル以上がクリップされるため、その波形は
矩形波に近づき、かつ電流は、2次高調波終端回路14
のドレン端でのインピダンスがゼロになっていることか
ら2次高調波電流が極めて流れ易い状態となっているた
め、2次高調波の支配的な正弦波の半波波形に近づく。
このとき2次高調波終端回路14の基本周波数に関する
インピダンスは、その線路長が4分の1彼長であること
から、はぼ開放のインビダンスに一致するので、基本波
出力には影響することがない。
インピダンスは、その線路長が4分の1彼長であること
から、はぼ開放のインビダンスに一致するので、基本波
出力には影響することがない。
755因はこのような動作条件下でのドレン電圧V (
t)とドレン電流1(t)とを示したものである。同図
から分かるように、入力信号レベルが増大し、電圧波形
が矩形波に近づくにつれて、電圧と電流の積、つまり電
圧波形と電流波形との重なり部分の面積は減少し、従っ
てFETIIで消費される電力も減少し、その結果極め
て高い電力効率が得られる。以上が高周波帯で高い電力
効率で動作するF級増幅器の動作原理である。
t)とドレン電流1(t)とを示したものである。同図
から分かるように、入力信号レベルが増大し、電圧波形
が矩形波に近づくにつれて、電圧と電流の積、つまり電
圧波形と電流波形との重なり部分の面積は減少し、従っ
てFETIIで消費される電力も減少し、その結果極め
て高い電力効率が得られる。以上が高周波帯で高い電力
効率で動作するF級増幅器の動作原理である。
一方、マイクロ波帯等の極めて周波数の高い動作領域で
は−FETIIの入出力インピダンスが低下するため、
出来る限りFETIIの素子に近接した位置で入出力回
路の整合をとることがFET11を効率よく動作させる
ために必要となる。このため所謂内部整合回路と称する
入出力整合回路を、集積回路パッケージ内部のFETI
Iに極めて近い位置に配置した増幅器集積回路が作られ
。
は−FETIIの入出力インピダンスが低下するため、
出来る限りFETIIの素子に近接した位置で入出力回
路の整合をとることがFET11を効率よく動作させる
ために必要となる。このため所謂内部整合回路と称する
入出力整合回路を、集積回路パッケージ内部のFETI
Iに極めて近い位置に配置した増幅器集積回路が作られ
。
各種のマイクロ波電力増幅器に応用されている。
第6図はこのような内部整合回路付増幅器集積回路の等
価回路を示す。すなわちパンケージ21の内部にFET
IIが配され、そのゲート、ドレイン(=それぞれ入力
整合回路16.出力整合回路12がパッケージ21内に
配される。
価回路を示す。すなわちパンケージ21の内部にFET
IIが配され、そのゲート、ドレイン(=それぞれ入力
整合回路16.出力整合回路12がパッケージ21内に
配される。
その具体的回路構成の一例を第7図C二示すものである
。第7因において入、出力整合回路16゜12はストリ
ップ線路を用いた分布定数回路で構[151hでおり1
図はその回路基板上でのパターンを現している。同図に
示すようにパッケージ21内部のFETチップ22に近
接して入2出力整合回路16.12がそれぞれ設けられ
ているのが特徴である。このためFETチップ22と入
、出力整合回路16.12を接続する各ワイヤボンティ
ングのワイヤ23を短くすることができ、その結果とし
て増幅動作に及ぼすワイヤボンディングの悪影響を抑え
ることができる。しかしこの内部整合回路を有する増幅
器集積回路は、増幅しようとする特定の周波数f。につ
いてのみ整合がとられるため、その出力成分中の高調波
成分が抑圧されるのが1m常であり、このためF級増幅
器を実現しようとして、集積回路の出力端子17に第4
図に示したようなF級動作のための高調波終端回路14
を設けても、高効率なF級動作を実現できない問題があ
った。
。第7因において入、出力整合回路16゜12はストリ
ップ線路を用いた分布定数回路で構[151hでおり1
図はその回路基板上でのパターンを現している。同図に
示すようにパッケージ21内部のFETチップ22に近
接して入2出力整合回路16.12がそれぞれ設けられ
ているのが特徴である。このためFETチップ22と入
、出力整合回路16.12を接続する各ワイヤボンティ
ングのワイヤ23を短くすることができ、その結果とし
て増幅動作に及ぼすワイヤボンディングの悪影響を抑え
ることができる。しかしこの内部整合回路を有する増幅
器集積回路は、増幅しようとする特定の周波数f。につ
いてのみ整合がとられるため、その出力成分中の高調波
成分が抑圧されるのが1m常であり、このためF級増幅
器を実現しようとして、集積回路の出力端子17に第4
図に示したようなF級動作のための高調波終端回路14
を設けても、高効率なF級動作を実現できない問題があ
った。
この発明の目的は、F級増幅器の構成乞適用することが
可能な内部整合回路を具備した増幅器集積回路を提供す
ることにある。
可能な内部整合回路を具備した増幅器集積回路を提供す
ることにある。
「問題点を解決するための手段」
この発明によれば集積回路バヅヶージ内部に増幅半導体
素子と入、出力整合回路とを具備する内部整合形増幅器
集積回路において、その集積回路パッケージ内の出力整
合回路は基本周波数とその2次高調波成分の両方につい
て整合するようにされている。
素子と入、出力整合回路とを具備する内部整合形増幅器
集積回路において、その集積回路パッケージ内の出力整
合回路は基本周波数とその2次高調波成分の両方につい
て整合するようにされている。
この発明は基本周波数成分とその2次高調波成分の両方
が増幅器集積回路出力として得られるようにした点で従
来の技術と異なっている。
が増幅器集積回路出力として得られるようにした点で従
来の技術と異なっている。
「実施例」
第1因はこの発明の第1の実施例を説明する図であって
、第1図中第7図と対応する部分には同一符号を付けて
あり、出力整合回路12には基本波整合用スタブ回路3
1と2次高調波整合用スタブ回路32が付加されている
。基本波整合用スタブ回路31と2次高調波整合用スタ
ブ回路32は適当な距離をおいてストリップ回路上に設
置されている。このためそれらの長さを適当に設計する
ことにより、基本波とその2次高調波の二つの周波数点
でFETチップ22の出力インピダンスと整合をとるこ
とが可能である。これらスタブ回路31.32の位置し
11L2は4分の1波長以内の所にインピダンスが整合
することがあり、これはFETチップ22の特性などに
より異なり、実際に計算機シミュレーションにより決め
る。またスタブ回路31.32の各長さ!、、J2はほ
ぼ4分の17&長、8分の1波長より僅か短かい値とさ
れる。
、第1図中第7図と対応する部分には同一符号を付けて
あり、出力整合回路12には基本波整合用スタブ回路3
1と2次高調波整合用スタブ回路32が付加されている
。基本波整合用スタブ回路31と2次高調波整合用スタ
ブ回路32は適当な距離をおいてストリップ回路上に設
置されている。このためそれらの長さを適当に設計する
ことにより、基本波とその2次高調波の二つの周波数点
でFETチップ22の出力インピダンスと整合をとるこ
とが可能である。これらスタブ回路31.32の位置し
11L2は4分の1波長以内の所にインピダンスが整合
することがあり、これはFETチップ22の特性などに
より異なり、実際に計算機シミュレーションにより決め
る。またスタブ回路31.32の各長さ!、、J2はほ
ぼ4分の17&長、8分の1波長より僅か短かい値とさ
れる。
第2図は第1図の集積回路の等価回路であって。
この発明では出力整合回路が回路31.32により基本
’t&foとその2次高調波3foの画周波数について
整合がとられているのが特徴である。
’t&foとその2次高調波3foの画周波数について
整合がとられているのが特徴である。
この発明はこのようC二構成されているため、FETチ
ップ22の出力信号中の基本波成分と2次高調波成分は
そのレベルが低下することなく、ICパッケージ21の
出力端子17(二給電されることになる。そこで第4図
に示したような2次高調波終端回路14と基本波伝送線
路(出力整合回路)12との並列回路を出力端子17に
設けることによって、F級増幅動作を実現することが可
能となる。
ップ22の出力信号中の基本波成分と2次高調波成分は
そのレベルが低下することなく、ICパッケージ21の
出力端子17(二給電されることになる。そこで第4図
に示したような2次高調波終端回路14と基本波伝送線
路(出力整合回路)12との並列回路を出力端子17に
設けることによって、F級増幅動作を実現することが可
能となる。
第3図はこの発明の第2の実施例を示すものであって、
この回路は第1図に示したこの発明の第1の実施例の回
路にさら(二出力整合回路12に基本波通過ろ波器33
及び2次高調波通過ろ波器34をそれぞれ通じて基本波
出力端子35及び2次高調波出力端子36が具備された
構成をしている。
この回路は第1図に示したこの発明の第1の実施例の回
路にさら(二出力整合回路12に基本波通過ろ波器33
及び2次高調波通過ろ波器34をそれぞれ通じて基本波
出力端子35及び2次高調波出力端子36が具備された
構成をしている。
第1図の回路について説明したように、出力整合回路1
2の出力中には基本波成分のみならず2次高調波も高い
レベルで含まれているので、この出力に帯域通過ろ波器
33.34から成る分波器を設けたことによって、出力
端子35と36から独立(二基本波出力成分と2次高調
波成分とを出力することができる。そこで2次高調波出
力端子36C:m4図に示したような2次高調波終端回
路を接続して2次高調波についての短絡負荷条件を設定
し、基本波出力端子35を増幅器の出力端子とすること
によってF級増幅器を容易(二構成することが可能とな
る。
2の出力中には基本波成分のみならず2次高調波も高い
レベルで含まれているので、この出力に帯域通過ろ波器
33.34から成る分波器を設けたことによって、出力
端子35と36から独立(二基本波出力成分と2次高調
波成分とを出力することができる。そこで2次高調波出
力端子36C:m4図に示したような2次高調波終端回
路を接続して2次高調波についての短絡負荷条件を設定
し、基本波出力端子35を増幅器の出力端子とすること
によってF級増幅器を容易(二構成することが可能とな
る。
また第3図の回路構成において、帯域阻止ろ波器を帯域
通過ろ波器にかえた構成、及び高域通過ろ波器を2次高
調波の分離のために、また低域通過ろ波器を基本波の分
離のために使用する構成≦二よっても同様に基本波出力
と2次高調波成分を二つの出力端子35.36に分離出
力することができるので、同様(=・F級増幅器を容易
に構成することが可能になる。尚、マイクロストリップ
線路を用いた帯域通過ろ波器、帯域阻止ろ波器、低域通
過ろ波器及び高域通過ろ波器け、スタブ、結合線路等を
組合わせて構成することができ、その設計法が確立され
ている(例えば宮内、山本著6通信用マイクロ波回路”
、電子通信学会、昭和56年)。
通過ろ波器にかえた構成、及び高域通過ろ波器を2次高
調波の分離のために、また低域通過ろ波器を基本波の分
離のために使用する構成≦二よっても同様に基本波出力
と2次高調波成分を二つの出力端子35.36に分離出
力することができるので、同様(=・F級増幅器を容易
に構成することが可能になる。尚、マイクロストリップ
線路を用いた帯域通過ろ波器、帯域阻止ろ波器、低域通
過ろ波器及び高域通過ろ波器け、スタブ、結合線路等を
組合わせて構成することができ、その設計法が確立され
ている(例えば宮内、山本著6通信用マイクロ波回路”
、電子通信学会、昭和56年)。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば内部整合回路を
具備した増幅器集積回路乞用いて、高い電力効率を有す
るF級増幅器を構成することが可能になるため、マイク
ロ波帯等の高周波数帯で高効率な増幅器を構成すること
が容易(二できるようになる。この発明の集積回路を用
いることにより小形な増幅器を実現できるため、移動無
線通信(二おける移動体用無線装置を始め、衛星通信用
搭載中継装置、固定無線用中継装置等の各種の無線装置
に適用し、これらt小形化・経済化・低消費電力化でき
る利点がある。
具備した増幅器集積回路乞用いて、高い電力効率を有す
るF級増幅器を構成することが可能になるため、マイク
ロ波帯等の高周波数帯で高効率な増幅器を構成すること
が容易(二できるようになる。この発明の集積回路を用
いることにより小形な増幅器を実現できるため、移動無
線通信(二おける移動体用無線装置を始め、衛星通信用
搭載中継装置、固定無線用中継装置等の各種の無線装置
に適用し、これらt小形化・経済化・低消費電力化でき
る利点がある。
第1図はこの発明の第1の実施例を示す図、第2図は第
1の実施例の等価回路図、第3因はこの発明の第2の実
施例を示す図、第4図はF級増幅器の一構成例を示す図
、第5図はF級増幅器の動作を説明するためのドレン電
圧・電流波形例を示す図、第6図は内部整合回路付増幅
器集積回路の等価回路図、第7図は内部整合回路付増幅
器集積回路の具体的ICパッケージ内部回路を示す図で
ある。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 草 野 卓オ 17 牙 3 図 才4 図 士 5 図 才 6 図 A77図 FETチ・ンア ボ゛ンデイングワイヤ
1の実施例の等価回路図、第3因はこの発明の第2の実
施例を示す図、第4図はF級増幅器の一構成例を示す図
、第5図はF級増幅器の動作を説明するためのドレン電
圧・電流波形例を示す図、第6図は内部整合回路付増幅
器集積回路の等価回路図、第7図は内部整合回路付増幅
器集積回路の具体的ICパッケージ内部回路を示す図で
ある。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 草 野 卓オ 17 牙 3 図 才4 図 士 5 図 才 6 図 A77図 FETチ・ンア ボ゛ンデイングワイヤ
Claims (1)
- (1)集積回路パッケージ内部に増幅用半導体素子と入
、出力整合回路とを具備する内部整合形増幅器集積回路
において、 入力信号の基本周波数とその2次高周波成分に関して整
合するインピダンス特性を有するように上記出力整合回
路が構成されていることを特徴とする増幅器集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11524087A JPS63279608A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 増幅器集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11524087A JPS63279608A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 増幅器集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63279608A true JPS63279608A (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=14657815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11524087A Pending JPS63279608A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 増幅器集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63279608A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0411919A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Matching circuit for high frequency transistor |
US6018726A (en) * | 1992-12-10 | 2000-01-25 | Ricos Co., Ltd. | Method of billing for information services in conjunction with utilities service |
US6060951A (en) * | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP2009094921A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
JP2012231506A (ja) * | 2005-02-10 | 2012-11-22 | Raytheon Co | 広帯域マイクロ波増幅器 |
US8558622B2 (en) | 2009-07-14 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | Radio frequency power amplifier |
KR20210072403A (ko) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 한국전자기술연구원 | 비대칭 전송선로에 의한 파워매칭을 이용한 mmic 전력증폭기 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60109310A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電力増幅回路 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11524087A patent/JPS63279608A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60109310A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電力増幅回路 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0411919A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Matching circuit for high frequency transistor |
US6018726A (en) * | 1992-12-10 | 2000-01-25 | Ricos Co., Ltd. | Method of billing for information services in conjunction with utilities service |
US6060951A (en) * | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP2012231506A (ja) * | 2005-02-10 | 2012-11-22 | Raytheon Co | 広帯域マイクロ波増幅器 |
JP2009094921A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
US8558622B2 (en) | 2009-07-14 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | Radio frequency power amplifier |
KR20210072403A (ko) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 한국전자기술연구원 | 비대칭 전송선로에 의한 파워매칭을 이용한 mmic 전력증폭기 |
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