JPS6213113A - マイクロ波半導体増幅器 - Google Patents
マイクロ波半導体増幅器Info
- Publication number
- JPS6213113A JPS6213113A JP60153422A JP15342285A JPS6213113A JP S6213113 A JPS6213113 A JP S6213113A JP 60153422 A JP60153422 A JP 60153422A JP 15342285 A JP15342285 A JP 15342285A JP S6213113 A JPS6213113 A JP S6213113A
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- JP
- Japan
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- matching circuit
- power supply
- capacitor
- transmission line
- semiconductor amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波集積回略基板（ Ｍｉｃｒｏ−
ｗｖｅ Ｉ Ｃ基板、以下ＭＩＣ基板という）上へ半導
体素子を装着したマイクロ波半導体増幅器に開するもの
である。
ｗｖｅ Ｉ Ｃ基板、以下ＭＩＣ基板という）上へ半導
体素子を装着したマイクロ波半導体増幅器に開するもの
である。
第２図は従来のマイクロ波半導体増幅器の構成を示す平
面図で，１はマイクμ波帝において，低誘電体損失を有
するセラミック等からなるＭＩＣ基板、２は前記ＭＩＣ
基板１上の回路と裏面とを接続するスルーホール，３は
前記ＭＩＣ基板１上へ装着された電界効果トランジスタ
（以下ＦＥＴという）、４は前記ＭＩＣ基板１上に形成
されたソース電極、５はＨ記ＭＩＣ基板１上に形成され
ＦＥＴ３の入力インピーダンス整合回路を構成するゲー
ト電極伝送線路、６は前記グー｝Ｘ極伝送線略５と同様
にＭＩＣ基板１上に形成されＦＥＴ３の出力インピーダ
ンス整合回路を構成するドＶイン電極伝送線路、１はｌ
Ｉｌ記ＦＥＴ３に電源を供給するためにゲート電極伝送
Ｉｉ！ｉｌ略５に接続されマィクｐ波特性に影響を与え
ないように構成されたゲート電源回路、８は前記ＦＥＴ
３に電源を供給するためにトンイン電極伝送線路６に
接続されマイクロ波特性に影響を与えないように構成さ
れたド／イン電源回路、９は電源回路に起因するノイズ
や発振を防ぐバイパスコンデンサである。
面図で，１はマイクμ波帝において，低誘電体損失を有
するセラミック等からなるＭＩＣ基板、２は前記ＭＩＣ
基板１上の回路と裏面とを接続するスルーホール，３は
前記ＭＩＣ基板１上へ装着された電界効果トランジスタ
（以下ＦＥＴという）、４は前記ＭＩＣ基板１上に形成
されたソース電極、５はＨ記ＭＩＣ基板１上に形成され
ＦＥＴ３の入力インピーダンス整合回路を構成するゲー
ト電極伝送線路、６は前記グー｝Ｘ極伝送線略５と同様
にＭＩＣ基板１上に形成されＦＥＴ３の出力インピーダ
ンス整合回路を構成するドＶイン電極伝送線路、１はｌ
Ｉｌ記ＦＥＴ３に電源を供給するためにゲート電極伝送
Ｉｉ！ｉｌ略５に接続されマィクｐ波特性に影響を与え
ないように構成されたゲート電源回路、８は前記ＦＥＴ
３に電源を供給するためにトンイン電極伝送線路６に
接続されマイクロ波特性に影響を与えないように構成さ
れたド／イン電源回路、９は電源回路に起因するノイズ
や発振を防ぐバイパスコンデンサである。
従来のマイクロ波半導体増幅器は上記のように構成され
、ゲート電源回路７．トンイン電源回路８によりＦＥＴ
３に電源を印加することにより動作させることができる
。このとき、ＦＥＴ３の入出力インピーダンスはゲート
電極伝送線路５．トノイン電極伝送線路６により１％定
のインピーダンス（通常マイクロ波帯では５０オームが
用いられる）に整合される。
、ゲート電源回路７．トンイン電源回路８によりＦＥＴ
３に電源を印加することにより動作させることができる
。このとき、ＦＥＴ３の入出力インピーダンスはゲート
電極伝送線路５．トノイン電極伝送線路６により１％定
のインピーダンス（通常マイクロ波帯では５０オームが
用いられる）に整合される。
上記のような従来のマイクロ波半導体増幅器では、整合
回路を形成するゲート電極伝送線路５゜トノイン電極伝
送線路６．ゲート電源回路７およびトンイン電源回路８
があるため、小型化、高密度化が困難となり、用途が長
波長低周波の場合には特に小型化、高密度化が困難にな
るという問題点があった。
回路を形成するゲート電極伝送線路５゜トノイン電極伝
送線路６．ゲート電源回路７およびトンイン電源回路８
があるため、小型化、高密度化が困難となり、用途が長
波長低周波の場合には特に小型化、高密度化が困難にな
るという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、用途が長波長低周波の場合にも。
ので、用途が長波長低周波の場合にも。
小型化、高密度化が可能なマイクロ波半導体増幅器を得
ることを目的とする。
ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波半導体増幅器は、整合回路を
コンデンサとマイクロストリップ線路からなるショート
スタブで構成し、かつこの整合回路を電源回路としたも
のである。
コンデンサとマイクロストリップ線路からなるショート
スタブで構成し、かつこの整合回路を電源回路としたも
のである。
この発明においては、コンデンサとマイク−ストリップ
線路からなるショートスタブがインピーダンスの整合を
とると同時に電源回路を兼用する。
線路からなるショートスタブがインピーダンスの整合を
とると同時に電源回路を兼用する。
第１図はこの発明のマイクロ波半導体増幅器の一実施例
の構成を示す平面図で、第２図と同一符号は同一部分を
示し、１０は前記νＩＩｃ基板１上に形成されＦＥＴ３
の入力インピーダンス整合回路を構成するゲート電極伝
送線路、１１はｏ１ｆ記ＭＩＣ基板１上に形成されＦＥ
Ｔ３の出力インピーダンス整合回路を構成するドレイン
電極伝送線路、１２は■「記ゲート電極伝送ｆｉｌ略１
０をショートスタブとして動作させるためのゲートコン
デンサ、１３は前記ドレイン電極伝送線路１１をショー
トスタブとして動作させるためのドレインコンデンサで
ある。
の構成を示す平面図で、第２図と同一符号は同一部分を
示し、１０は前記νＩＩｃ基板１上に形成されＦＥＴ３
の入力インピーダンス整合回路を構成するゲート電極伝
送線路、１１はｏ１ｆ記ＭＩＣ基板１上に形成されＦＥ
Ｔ３の出力インピーダンス整合回路を構成するドレイン
電極伝送線路、１２は■「記ゲート電極伝送ｆｉｌ略１
０をショートスタブとして動作させるためのゲートコン
デンサ、１３は前記ドレイン電極伝送線路１１をショー
トスタブとして動作させるためのドレインコンデンサで
ある。
上記のように構成されたマイクロ波半導体増幅器におい
ては、ゲート電極伝送線路１０およびトノイン電極伝送
線路１１により入出力整合を取り、電源を印加して動作
させる点は従来例と同様であるが、この実施例の場合特
にゲート電極伝送線路１０およびドレイン電極伝送線路
１１は、それぞれゲートコンデンサ１２およびドレイン
コンデンサ１３によって高周波的に接地されることによ
り整合回路を構成し、かつこの整合回路を電源回路とし
てＦＥＴ３へ電源を供給している。
ては、ゲート電極伝送線路１０およびトノイン電極伝送
線路１１により入出力整合を取り、電源を印加して動作
させる点は従来例と同様であるが、この実施例の場合特
にゲート電極伝送線路１０およびドレイン電極伝送線路
１１は、それぞれゲートコンデンサ１２およびドレイン
コンデンサ１３によって高周波的に接地されることによ
り整合回路を構成し、かつこの整合回路を電源回路とし
てＦＥＴ３へ電源を供給している。
したがって、従来のように整合回路と電源回路を別々に
形成していた場合に比較して、小型化。
形成していた場合に比較して、小型化。
高密度化が可能となる。
なお、上記実施例では半導体素子として電界効果トラン
ジスタを用いた場合について説明したが、バイポーラ形
トランジスタを用いても上記実施例と同様である。
ジスタを用いた場合について説明したが、バイポーラ形
トランジスタを用いても上記実施例と同様である。
この発明は以上説明したとおり、マイクロ波半導体増幅
器にコンデンサとマイクロストリップ線路とからなるシ
ョートスタブにより整合回路を構成し、かつこの整合回
路をｉＩ電源回路したので、小型、高密度なマイクロ波
半導体増幅器が得られるという効果がある。
器にコンデンサとマイクロストリップ線路とからなるシ
ョートスタブにより整合回路を構成し、かつこの整合回
路をｉＩ電源回路したので、小型、高密度なマイクロ波
半導体増幅器が得られるという効果がある。
第１図はこの発明のマイクロ波半導体増幅器の一実施例
の構成を示す平面図、第２図は従来のマイクロ波半導体
増幅器の構成を示す平面図である。 図において、１０はゲート電極伝送線路、１１はトノイ
ン電極伝送線路、１２はゲートコンデンサ、１３はドレ
インコンデンサである。 なお、各図中の同一符号は同一または相肖部分を示す。 代理人 大 岩 増雄 （外２名） 第１図 ４１］ ］３．ドレインコンテ°ンサ
の構成を示す平面図、第２図は従来のマイクロ波半導体
増幅器の構成を示す平面図である。 図において、１０はゲート電極伝送線路、１１はトノイ
ン電極伝送線路、１２はゲートコンデンサ、１３はドレ
インコンデンサである。 なお、各図中の同一符号は同一または相肖部分を示す。 代理人 大 岩 増雄 （外２名） 第１図 ４１］ ］３．ドレインコンテ°ンサ
Claims (3)
- （１）マイクロ波を増幅する半導体素子と、この半導体
素子に接続するマイクロストリップ線路と、前記半導体
素子の入力および出力インピーダンスを整合する整合回
路と、前記半導体素子へ電源を供給するための電源回路
とを備えたマイクロ波半導体増幅器において、コンデン
サとマイクロストリップ線路とからなるショートスタブ
で前記整合回路を構成し、かつこの整合回路を電源回路
としたことを特徴とするマイクロ波半導体増幅器。 - （２）半導体素子は、電界効果トランジスタであること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のマイクロ
波半導体増幅器。 - （３）半導体素子は、バイポーラ形トランジスタである
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のマイ
クロ波半導体増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153422A JPS6213113A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | マイクロ波半導体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153422A JPS6213113A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | マイクロ波半導体増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213113A true JPS6213113A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15562157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153422A Pending JPS6213113A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | マイクロ波半導体増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213113A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224503A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Fujitsu General Ltd | マイクロストリツプライン回路 |
| JPS63309001A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波集積回路装置 |
| JP2008131382A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Ministry Of National Defense Chung Shan Inst Of Science & Technology | 電磁補償付き結合装置 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60153422A patent/JPS6213113A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224503A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Fujitsu General Ltd | マイクロストリツプライン回路 |
| JPS63309001A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波集積回路装置 |
| JP2008131382A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Ministry Of National Defense Chung Shan Inst Of Science & Technology | 電磁補償付き結合装置 |
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