JPS60153602A - コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路 - Google Patents
コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路Info
- Publication number
- JPS60153602A JPS60153602A JP1049784A JP1049784A JPS60153602A JP S60153602 A JPS60153602 A JP S60153602A JP 1049784 A JP1049784 A JP 1049784A JP 1049784 A JP1049784 A JP 1049784A JP S60153602 A JPS60153602 A JP S60153602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- slot
- coplanar
- conductor
- coplanar line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 34
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/1015—Coplanar line transitions to Slotline or finline
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロ波・ミリ波集積回路において用いら
れ、コプレーナ線路とスロット線路とを結合する変換回
路に関するものである。 ・〈従来技術〉□ マイクロ波・ミリ波集積回路を@成する伝送線・、路と
しては、不平衡線路としてマイクロストリップ線路、コ
プレーナ線路があシ、平衡線路としてスロット線路等が
ある。このうちスロット線路は逆相分配回路が容易に構
成できる利点をもつため周波数変換回路、・変調回路等
に多用されるが、この際不平衡形の他の線路との変換(
結合)が必要となる。
れ、コプレーナ線路とスロット線路とを結合する変換回
路に関するものである。 ・〈従来技術〉□ マイクロ波・ミリ波集積回路を@成する伝送線・、路と
しては、不平衡線路としてマイクロストリップ線路、コ
プレーナ線路があシ、平衡線路としてスロット線路等が
ある。このうちスロット線路は逆相分配回路が容易に構
成できる利点をもつため周波数変換回路、・変調回路等
に多用されるが、この際不平衡形の他の線路との変換(
結合)が必要となる。
第1図及び第2図にコプレーナ線路とスロット線路との
変換回路の従来例を示す。誘電体基板11上にコプレー
ナ線路12が形成され、コプレーナ線路12は外側導体
13.14と中心導体15とよシなる。外備導4”x
3及び中心導体15間のスロ?トが延長きれてスロット
線路16がi電体基板11上に形成iれ、外側導体14
及び中心導体15間のスロットが延長されてスロット線
路17が形成される。コプレーナ線路12とスロット線
路16.17との接続点で外側導体13及び14が短絡
線18で接続される。スロット線路17は4分の1波長
の長さで短絡しであるため短絡線18の接続点では開放
条件を与える。
変換回路の従来例を示す。誘電体基板11上にコプレー
ナ線路12が形成され、コプレーナ線路12は外側導体
13.14と中心導体15とよシなる。外備導4”x
3及び中心導体15間のスロ?トが延長きれてスロット
線路16がi電体基板11上に形成iれ、外側導体14
及び中心導体15間のスロットが延長されてスロット線
路17が形成される。コプレーナ線路12とスロット線
路16.17との接続点で外側導体13及び14が短絡
線18で接続される。スロット線路17は4分の1波長
の長さで短絡しであるため短絡線18の接続点では開放
条件を与える。
したがってこの従来の回路の等価回路は第2図に示すよ
うに表わすことができ、コプレーナ線゛路12とスロッ
ト線路16との変換が行なわれる。
うに表わすことができ、コプレーナ線゛路12とスロッ
ト線路16との変換が行なわれる。
しかしこの従来の回路は相反回路であるため、入出力の
分離がとれておらず、例えば線路16に接続された回路
から反射がある場合は、その・反射波はそのままコプレ
ーナ線路12へ現れる。この反射波が望ましくない場合
には史にアイソレータを設けてこの反射波を除去する必
要があるという欠点があった。また4分の1波長線路1
7を用いるため、全体の回路が大きくなりがちであった
。これらは歩留まり向上のため回路面積の小形化が要求
されるとともにアイソレータの実現が困難なモノリシッ
ク集積回路への適用に際しては特に著しい欠点となる。
分離がとれておらず、例えば線路16に接続された回路
から反射がある場合は、その・反射波はそのままコプレ
ーナ線路12へ現れる。この反射波が望ましくない場合
には史にアイソレータを設けてこの反射波を除去する必
要があるという欠点があった。また4分の1波長線路1
7を用いるため、全体の回路が大きくなりがちであった
。これらは歩留まり向上のため回路面積の小形化が要求
されるとともにアイソレータの実現が困難なモノリシッ
ク集積回路への適用に際しては特に著しい欠点となる。
〈発明の目的〉
この発明はこれらの欠点を除去するため、電界効果、ト
ランジスタ(F E T ) ’tl” K@’fl1
5分に用いることによシ、小形で入出力の分離の工いコ
プレーナ線路・ス;ロ゛ット線路変換回路を提供するこ
とを目的とするものである。
ランジスタ(F E T ) ’tl” K@’fl1
5分に用いることによシ、小形で入出力の分離の工いコ
プレーナ線路・ス;ロ゛ット線路変換回路を提供するこ
とを目的とするものである。
く第1実施例〉
第4図はこの発明の第1実施例を示し、第1図と対応す
る部分に同一符号を付けである。コプレーナ線路12゛
及びスロット線路16の接続部において誘電体基板11
上にパッケージ人、!1)FET19が設けられる。ス
ロット線路16を構成する一方の導体はコプレーナ線路
12の一方の外側導体14と接続され、他方の導体21
は外側導体13と分離される。FET19のソース端子
22.23はそれぞれ導体13.14に接続され、ゲー
ト端子24は中心導体15に接゛続され、ドレイン端子
25は導体21に接続される。導体15..21にそれ
ぞれバイアス供給端子26.27がそれぞれ接続される
。
る部分に同一符号を付けである。コプレーナ線路12゛
及びスロット線路16の接続部において誘電体基板11
上にパッケージ人、!1)FET19が設けられる。ス
ロット線路16を構成する一方の導体はコプレーナ線路
12の一方の外側導体14と接続され、他方の導体21
は外側導体13と分離される。FET19のソース端子
22.23はそれぞれ導体13.14に接続され、ゲー
ト端子24は中心導体15に接゛続され、ドレイン端子
25は導体21に接続される。導体15..21にそれ
ぞれバイアス供給端子26.27がそれぞれ接続される
。
この構成によればコプレーナ線路12が入力線路、スロ
ット線路16が出力線路となり、その等価回路は第5図
のようになる。同図に示すようにコプレーナ線路12よ
!llFET19のゲート・ソース間に印加された信号
Vが増幅され、電流gmv(gmはFETの相互コンダ
クタンス)としてドレインeンース間に出力されてスロ
ット線路16に加えられる。このためコプレーナ線路1
2とスロット線路16との間の変換が行われるとともに
FET19によシ増幅作用があシ、またFET19によ
シ入出力の分離が良好である。
ット線路16が出力線路となり、その等価回路は第5図
のようになる。同図に示すようにコプレーナ線路12よ
!llFET19のゲート・ソース間に印加された信号
Vが増幅され、電流gmv(gmはFETの相互コンダ
クタンス)としてドレインeンース間に出力されてスロ
ット線路16に加えられる。このためコプレーナ線路1
2とスロット線路16との間の変換が行われるとともに
FET19によシ増幅作用があシ、またFET19によ
シ入出力の分離が良好である。
ゲート端子24、ドレイン端子25をそれぞれ導体21
.15に接続してもよい。この場合にはスロット線路1
6が入力線路、コプレーナ線路12が出力線路となシ、
等価回路は第6図に示すようになる。同様にスロット線
路16からの信号はFET19のゲート・ソース間に印
加され、雪の増幅出力はコプレーナ線路12に印加され
る。
.15に接続してもよい。この場合にはスロット線路1
6が入力線路、コプレーナ線路12が出力線路となシ、
等価回路は第6図に示すようになる。同様にスロット線
路16からの信号はFET19のゲート・ソース間に印
加され、雪の増幅出力はコプレーナ線路12に印加され
る。
く第2実施例〉
第7図は第2の実施例を示し、回路全体を半導体基板上
に形成し、モノリシック集積回路とじた例である。半導
体基板28上に第4図と同様にコプレーナ線路12、ス
ロット線路16が形成され、更にこれら線路12.16
の接続部において半導体基板28にFET29が形成さ
れる。F E T29のソース電極31、ゲート電極3
2、ドレイン電極33はそれぞれ導体13,14、中心
導体15、導体21にそれぞれ接続される。導体13.
14はソース電極31を通じて接続され、この接続部と
中心導体15及びゲート電極の接続部とは互に絶縁され
る。第1の実施例と同様にコプレーナ線路12よ少入力
された11号は増幅されてスロット線路16へ出力され
る。
に形成し、モノリシック集積回路とじた例である。半導
体基板28上に第4図と同様にコプレーナ線路12、ス
ロット線路16が形成され、更にこれら線路12.16
の接続部において半導体基板28にFET29が形成さ
れる。F E T29のソース電極31、ゲート電極3
2、ドレイン電極33はそれぞれ導体13,14、中心
導体15、導体21にそれぞれ接続される。導体13.
14はソース電極31を通じて接続され、この接続部と
中心導体15及びゲート電極の接続部とは互に絶縁され
る。第1の実施例と同様にコプレーナ線路12よ少入力
された11号は増幅されてスロット線路16へ出力され
る。
く第3実施例〉
第8図はこの発明の第3の実施例を示し、スロット線路
16を入力線路とした例である。FET29のソース電
極31.ゲート電極32、ドレイン電極33はそれぞれ
導体13,14、導体21、中心導体33に接続される
。これらの例においても入出力の分離が良好であるとと
もに極めて小形にでき、モノリシック集積回路に適して
いる。
16を入力線路とした例である。FET29のソース電
極31.ゲート電極32、ドレイン電極33はそれぞれ
導体13,14、導体21、中心導体33に接続される
。これらの例においても入出力の分離が良好であるとと
もに極めて小形にでき、モノリシック集積回路に適して
いる。
く効 果〉
以上説明したようにこの発明によれば、入出力の分離が
よく、増幅作用をもつコプレーナ線路・スロット線路変
換回路を実現できる。この発明の回路は入力と出力との
アイソレータの機能をあわせもち、かつ極めて小形にで
きるため、特に平衡形層波数変換器、平衡形変調器等、
スロット線路を用いた各種モノリシック、マイクロ波・
ミリ波集積回路への応用に際して有効である。
よく、増幅作用をもつコプレーナ線路・スロット線路変
換回路を実現できる。この発明の回路は入力と出力との
アイソレータの機能をあわせもち、かつ極めて小形にで
きるため、特に平衡形層波数変換器、平衡形変調器等、
スロット線路を用いた各種モノリシック、マイクロ波・
ミリ波集積回路への応用に際して有効である。
第1図は従来のコプレーナ線路・スロット線路変換回路
を示す平面図、第2図は第1図のAA’線断面図、第3
図はその等価101路図、第4図はこの発明の第1の実
施例を示す平面図、第5図はその等価回路図、第6図は
第4図においてゲート端子24とドレイン端子25とを
接続換えした場合の等価回路図、第7図はこの発明の第
2の実施例を示す平面図、第8図はこの発明′の第3の
実施例を示す平面図である。 11:誘電体基板、12:コプレーナ線路、13.14
:コプレーナ線路外側導体、1′5:コプレーナ線路中
心尋体、16:スロット線路、18:短絡線、19:パ
ッケージ入シ電界効果トランジスタ(FET )、22
,23:ソース端子、24:ゲート端子、25ニドレイ
ン端子、26.27:バイアス印加端子、28二半纏体
基板、29:半導体基&28に形成されたFET、31
:ソース電極、32:ゲート電極、33ニドレイン電極
。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人草野 卓 第1 図 72図 73 図 オ 4 図 86 図
を示す平面図、第2図は第1図のAA’線断面図、第3
図はその等価101路図、第4図はこの発明の第1の実
施例を示す平面図、第5図はその等価回路図、第6図は
第4図においてゲート端子24とドレイン端子25とを
接続換えした場合の等価回路図、第7図はこの発明の第
2の実施例を示す平面図、第8図はこの発明′の第3の
実施例を示す平面図である。 11:誘電体基板、12:コプレーナ線路、13.14
:コプレーナ線路外側導体、1′5:コプレーナ線路中
心尋体、16:スロット線路、18:短絡線、19:パ
ッケージ入シ電界効果トランジスタ(FET )、22
,23:ソース端子、24:ゲート端子、25ニドレイ
ン端子、26.27:バイアス印加端子、28二半纏体
基板、29:半導体基&28に形成されたFET、31
:ソース電極、32:ゲート電極、33ニドレイン電極
。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人草野 卓 第1 図 72図 73 図 オ 4 図 86 図
Claims (1)
- (1)基板上にコプレーナ線路及びスロット線路がそれ
ぞれその一端を互に近接して形成され、そのコプレーナ
線路の外側2導体と上記スロット線路を構成する門導体
のうちの一方の導体とが互に接続され、上記コプレーナ
線路及びスロット線路の近接点に電界効果トランジスタ
が設けられ、その電界効果トランジスタのソース電極が
上記外側2導体に接続され、ゲート電極゛が上記コプレ
ーナ線路の中心導体又は上記スロット線路を構成す乙2
・導体の他方の導体に接続され、ドレイン電極が上記ス
ロット線路を構成する2導体の他方の導体又は上記コプ
レーナ線路の中心導体に接続されて成るコプレーナ線路
・スロット線路変換回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1049784A JPS60153602A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1049784A JPS60153602A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60153602A true JPS60153602A (ja) | 1985-08-13 |
JPS6349402B2 JPS6349402B2 (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=11751826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1049784A Granted JPS60153602A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60153602A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63164504A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | 半導体装置 |
JPS63240102A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-05 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波線路変換装置 |
JPS63309001A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波集積回路装置 |
EP0749175A2 (en) * | 1995-06-12 | 1996-12-18 | Endgate Corporation | Miniature active conversion between microstrip and coplanar wave guide |
WO1998013894A1 (en) * | 1996-09-25 | 1998-04-02 | Endgate Corporation | Miniature active conversion between slotline and coplanar waveguide |
EP0862215A2 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
EP0862216A2 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
EP0880194A1 (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-25 | Ulrich D. Dr. Keil | Stripline transition device |
EP0885468A1 (en) * | 1995-11-08 | 1998-12-23 | Endgate Corporation | Slotline-to-coplanar waveguide transition |
US5978666A (en) * | 1994-09-26 | 1999-11-02 | Endgate Corporation | Slotline-mounted flip chip structures |
US5983089A (en) * | 1994-09-26 | 1999-11-09 | Endgate Corporation | Slotline-mounted flip chip |
US6094114A (en) * | 1994-09-26 | 2000-07-25 | Endgate Corporation | Slotline-to-slotline mounted flip chip |
US6737687B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Field-effect transistor device having a uniquely arranged gate electrode |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07217868A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Takemori Toyonaga | 自動式ガスコンロ調節システム |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP1049784A patent/JPS60153602A/ja active Granted
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63164504A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | 半導体装置 |
JPS63240102A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-05 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波線路変換装置 |
JPS63309001A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波集積回路装置 |
US6094114A (en) * | 1994-09-26 | 2000-07-25 | Endgate Corporation | Slotline-to-slotline mounted flip chip |
US5983089A (en) * | 1994-09-26 | 1999-11-09 | Endgate Corporation | Slotline-mounted flip chip |
US5978666A (en) * | 1994-09-26 | 1999-11-02 | Endgate Corporation | Slotline-mounted flip chip structures |
EP0749175A2 (en) * | 1995-06-12 | 1996-12-18 | Endgate Corporation | Miniature active conversion between microstrip and coplanar wave guide |
EP0749175A3 (en) * | 1995-06-12 | 1997-06-11 | Endgate Technology Corp | Miniature active transition between a microstrip line and a coplanar waveguide |
USRE35869E (en) * | 1995-06-12 | 1998-08-11 | Endgate Corporation | Miniature active conversion between microstrip and coplanar wave guide |
EP0885468A1 (en) * | 1995-11-08 | 1998-12-23 | Endgate Corporation | Slotline-to-coplanar waveguide transition |
EP0885468A4 (en) * | 1995-11-08 | 1999-12-22 | Endgate Technology Corp | TRANSITION BETWEEN A SLOT LADDER AND A COPLANAR WAVE GUIDE |
WO1998013894A1 (en) * | 1996-09-25 | 1998-04-02 | Endgate Corporation | Miniature active conversion between slotline and coplanar waveguide |
US5821815A (en) * | 1996-09-25 | 1998-10-13 | Endgate Corporation | Miniature active conversion between slotline and coplanar waveguide |
EP0862215A3 (en) * | 1997-02-27 | 1999-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
EP0862216A3 (en) * | 1997-02-27 | 1999-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
EP0862216A2 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
EP0862215A2 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
US6169301B1 (en) | 1997-02-27 | 2001-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
US6445255B1 (en) | 1997-02-27 | 2002-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Planar dielectric integrated circuit |
EP0880194A1 (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-25 | Ulrich D. Dr. Keil | Stripline transition device |
US6737687B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Field-effect transistor device having a uniquely arranged gate electrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6349402B2 (ja) | 1988-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60153602A (ja) | コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路 | |
JP3045074B2 (ja) | 誘電体線路、電圧制御発振器、ミキサーおよび回路モジュール | |
JP2001501066A (ja) | スロットラインとコプレーナ導波路との間の小型能動変換器 | |
JP2001519975A (ja) | モノリシック・マイクロ波集積回路のための高性能ミクサ構造 | |
US6094114A (en) | Slotline-to-slotline mounted flip chip | |
EP0817275B1 (en) | High-frequency FET | |
JP3430060B2 (ja) | 高周波用半導体装置 | |
JPH03211870A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
JP3448833B2 (ja) | 伝送線路及び半導体装置 | |
JPS6349923B2 (ja) | ||
JP2001044717A (ja) | マイクロ波用半導体装置 | |
JPS6349922B2 (ja) | ||
JPH0376301A (ja) | インピーダンス変換回路 | |
JP3176667B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
JP3051430B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
JPS60106202A (ja) | モノリシツクマイクロ波集積回路 | |
JPH0817291B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
JPH02226901A (ja) | マイクロ波回路 | |
JPH04188904A (ja) | 共平面アンテナ | |
JPH08237010A (ja) | ハイブリッド集積回路 | |
JPS60106205A (ja) | モノリシツクfet発振器 | |
JPS5849042B2 (ja) | マイクロ波トランジスタ回路装置 | |
JPS61145850A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
JPS6327859B2 (ja) | ||
JPH0529850A (ja) | 電界効果トランジスタ増幅器 |