JP3430060B2

JP3430060B2 - 高周波用半導体装置

Info

Publication number: JP3430060B2
Application number: JP04307099A
Authority: JP
Inventors: 敦史山田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-02-22
Filing date: 1999-02-22
Publication date: 2003-07-28
Anticipated expiration: 2019-02-22
Also published as: JP2000244209A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波・ミ
リ波通信に用いられる高周波用半導体装置に関し、コプ
レーナ線路を有するモノリシックマイクロ波集積回路
(ＭＭＩＣ(monolithic microwave integrated circui
t))が形成された高周波用半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波用半導体装置としては、コ
プレーナ線路を有するモノリシックマイクロ波集積回路
を形成したものがある。このモノリシックマイクロ波集
積回路のコプレーナ線路は、信号線路と接地導体が同一
面にあるため、バイアホールが不要で、素子の接地が容
易という特徴がある。また、上記コプレーナ線路の特性
インピーダンスは、信号線路の幅および信号線路と接地
導体との間隔で決まるので、半導体基板の厚さにかかわ
らず線路幅や特性インピーダンスを比較的自由に設定す
ることが可能である。

【０００３】上記モノリシックマイクロ波集積回路の集
積度を上げて、チップ面積を小さくするためには、特に
１／４波長線路等の長い線路をメアンダ状に折り曲げて
集積化する必要がある。このコプレーナ線路の曲げ方に
関しては、特開平１−１９８８０４号公報に開示されて
いる。上記特開平１−１９８８０４号公報では、図１０
に示すように、半導体基板１上にメアンダ状に折り曲げ
られたコプレーナ線路３を形成し、そのコプレーナ線路
３の折り曲げの位置において信号線路の両側の接地導体
をそれぞれエアーブリッジ４で接続して、同電位化する
ことにより、不要なスロットモードを抑圧している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記コ
プレーナ線路を有するモノリシックマイクロ波集積回路
が形成された高周波用半導体装置では、メアンダ状にコ
プレーナ線路を折り曲げた場合、接地導体が極端に細く
なると、接地として機能しなくなり不要なモードが発生
するため、信号線路間の接地導体の面積をある程度確保
する必要がある。また、上記信号線路間の接地導体の面
積をある程度確保した場合、モノリシックマイクロ波集
積回路上でコプレーナ線路が占有する割合が大きくな
り、高集積化の妨げとなるという問題がある。

【０００５】そこで、この発明の目的は、モノリシック
マイクロ波集積回路のチップ面積を縮小できる高周波用
半導体装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の高周波用半導体装置は、コプレーナ線路
を有するモノリシックマイクロ波集積回路が形成された
高周波用半導体装置において、所定の間隔をあけて略平
行にかつ互いの間に接地導体がないように設けられ、一
端が互いに接続された２本の信号線路と、その２本の信
号線路の外側のすべての周囲を囲むように所定の間隔を
あけて設けられた接地導体とで構成された折り返し形コ
プレーナ線路を有することを特徴としている。

【０００７】上記請求項１の高周波用半導体装置によれ
ば、所定の間隔をあけて略平行に設けられ、一端が互い
に接続された２本の信号線路と、その２本の信号線路の
外側に所定の間隔をあけて設けられた接地導体とで構成
された折り返し形コプレーナ線路では、伝送モードは奇
モードが支配的となり、２本の信号線路間の中心に電気
的壁を形成する。したがって、上記２本の信号線路間の
中心は電位ゼロとなって等価的に接地となるので、信号
線路の片側の接地導体を省くことが可能となり、信号線
路を高密度に集積化することができ、モノリシックマイ
クロ波集積回路のチップ面積を縮小することが可能とな
る。したがって、この高周波用半導体装置を小型化でき
る。

【０００８】また、請求項２の高周波用半導体装置は、
請求項１の高周波用半導体装置において、上記折り返し
形コプレーナ線路の上記２本の信号線路と上記接地導体
との間隔を上記２本の信号線路の間隔の１／２としたこ
とを特徴としている。

【０００９】上記請求項２の高周波用半導体装置によれ
ば、上記２本の信号線路と接地導体との間隔を上記２本
の信号線路の間隔の１／２とすることによって、２本の
信号線路間にあたかも間隔を隔てて接地導体があるかの
ようにふるまうので、各信号線路の両側に同じ間隔をあ
けて接地導体があるのと等しくなり、コプレーナ線路の
特性インピーダンスを保ったまま、モノリシックマイク
ロ波集積回路のチップ面積を縮小できる。

【００１０】また、請求項３の高周波用半導体装置は、
請求項２の高周波用半導体装置において、上記折り返し
形コプレーナ線路の上記２本の信号線路の他端と接地導
体との間にＭＩＭ(Metal Insulator Metal:メタル・イ
ンシュレータ・メタル)キャパシタを夫々挿入したこと
を特徴としている。

【００１１】上記請求項３の高周波用半導体装置によれ
ば、上記２本の信号線路の他端と接地導体との間にＭＩ
Ｍキャパシタを夫々挿入したことにより、特定の周波数
に対して電気長が９０°となる伝送線路と同じ機能をよ
り小さい面積で実現できる。

【００１２】また、請求項４の高周波用半導体装置は、
請求項２の高周波用半導体装置において、上記折り返し
形コプレーナ線路の特性インピーダンスが、所望の直線
状の一本の信号線路を有するコプレーナ線路の特性イン
ピーダンスとほぼ等しくなるように、上記折り返し形コ
プレーナ線路の上記信号線路の幅および上記信号線路と
上記接地導体との間の距離が決められていることを特徴
としている。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の高周波用半導体
装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。

【００１４】（第１実施形態）図１はこの発明の第１実施形態の増幅器としのＭＭＩＣ
(Monolithic Microwave Integrated Circuit:モノリシ
ックマイクロ波集積回路)が形成された高周波用半導体
装置を示している。なお、図１において斜線部は接地導
体を表している。この高周波用半導体装置は、入力ポー
ト１０１と、直流阻止用ＭＩＭキャパシタ１０２,１０
３と、整合回路用直列ＭＩＭキャパシタ１０４と、トラ
ンジスタ１０５と、コプレーナ線路１０６と、エアブリ
ッジ１０７,１０８,１２６と、抵抗１０９と、バイパス
用直列ＭＩＭキャパシタ１２０,１２１と、直流バイア
ス端子１２２,１２３と、出力ポート１２４と、折り返
し形コプレーナ線路１２５とを有している。

【００１５】また、図２は図１に示す高周波用半導体装
置の等価回路を示している。図２に示すように、入力ポ
ート１０１に信号線路１３１の一端に接続し、上記信号
線路１３１の他端を直流阻止用ＭＩＭキャパシタ１０２
の一端に接続している。上記直流阻止用ＭＩＭキャパシ
タ１０２の他端に信号線路１３２の一端を接続し、上記
信号線路１３２の他端に信号線路１３４の一端を接続し
ている。また、上記信号線路１３２の他端と接地との間
に整合回路用直列ＭＩＭキャパシタ１０４を接続すると
共に、上記信号線路１３２の他端に信号線路１３３の一
端を接続している。上記信号線路１３３の他端と直流バ
イアス端子１２２との間に抵抗１０９を接続すると共
に、上記直流バイアス端子１２２と接地との間にバイパ
ス用直列ＭＩＭキャパシタ１２０を接続している。ま
た、上記信号線路１３４の他端にトランジスタ１０５の
ベースを接続し、トランジスタ１０５のエミッタを接地
に接続している。上記トランジスタ１０５のコレクタに
コプレーナ線路１０６の一端を接続し、コプレーナ線路
１０６の他端と出力ポート１２４との間に信号線路１３
９, 直流阻止用ＭＩＭキャパシタ１０３および信号線路
１４０をコプレーナ線路１０６側から順に直列に接続し
ている。さらに、上記コプレーナ線路１０６の他端と信
号線路１３５の一端とを接続すると共に、信号線路１３
５の他端に信号線路１３６の一端を接続している。上記
信号線路１３６の他端に、信号線路１３６と平行な信号
線路１３７の一端を接続している。そして、上記信号線
路１３７の他端と直流バイアス端子１２３とを信号線路
１３８を介して接続すると共に、直流バイアス端子１２
３と接地との間にバイパス用直列ＭＩＭキャパシタ１２
１を接続している。

【００１６】図１に示すように、上記２本の信号線路１
３６,１３７の外側を囲むように接地導体１００を設け
ている。上記２本の信号線路１３６,１３７と接地導体
１００とで折り返し形コプレーナ線路１２５を構成して
いる。上記信号線路１３６,１３７と接地導体との間隔
を２本の信号線路１３６,１３７の間隔の１／２として
いる。

【００１７】上記構成の高周波用半導体装置において、
図１,図２に示すように、入力ポート１０１から入力さ
れた高周波信号は、直流阻止用ＭＩＭキャパシタ１０２
および整合回路用直列ＭＩＭキャパシタ１０４等で機能
する整合回路を経て、トランジスタ１０５により増幅さ
れる。このトランジスタ１０５により増幅された信号
は、コプレーナ線路１０６,折り返し形コプレーナ線路
１２５および直流阻止用ＭＩＭキャパシタ１０３等で機
能する整合回路を経て、出力ポート１２４から出力され
る。また、上記直流バイアス端子１２２,１２３に入力
された直流バイアスは、バイパス用直列ＭＩＭキャパシ
タ１２０,１２１にて高周波的に接地して、トランジス
タ１０５の入出力端(ベースとコレクタ)に印加する。

【００１８】ここで、上記折り返し形コプレーナ線路１
２５はショートスタブとして機能しており、一本のコプ
レーナ線路で形成したショートスタブと回路的に等価で
ある。

【００１９】さらに、上記折り返し形コプレーナ線路１
２５について以下に詳細に説明する。

【００２０】上記折り返し形コプレーナ線路１２５で
は、伝送モードは奇モードが支配的となり、２本の信号
線路１３６,１３７間の中心に電気的壁が形成される。
したがって、２本の信号線路１３６,１３７間の中心は
電位ゼロとなって等価的に接地となる。

【００２１】図６は直線状の１本の信号線路を有するコ
プレーナ線路の断面図を示し、図７はこの発明の高周波
用半導体装置の折り返し形コプレーナ線路の断面図を示
している。図６に示すように、コプレーナ線路の場合、
信号線路４０４の幅Ｗと信号線路４０４と接地導体４０
２(４０３)との間隔Ｇにより、特性インピーダンスが決
まる。一方、図７に示すように、折り返し形コプレーナ
線路では、２本の信号線路４０８,４０９の間隔Ｓを、
信号線路４０８と接地導体４０６の間隔Ｇおよび信号線
路４０９と接地導体４０７の間隔Ｇの２倍とすることに
より、各信号線路４０８,４０９間にあたかも間隔Ｇを
隔てて接地導体があるかのようにふるまうため、折り返
し形コプレーナ線路の特性インピーダンスは、直線状の
１本の信号線路を有するコプレーナ線路の特性インピー
ダンスとほぼ等しくなる。この結果、コプレーナ線路の
特性インピーダンスを保ったまま、線路を高密度に集積
化することができるため、モノリシックマイクロ波集積
回路のチップ面積を縮小することが可能となる。

【００２２】例えば、ガリウム砒素基板上に厚さ１０μ
ｍの金で信号線路幅１０μｍ、信号線路と接地導体間を
１５μｍとしてコプレーナ線路を形成した場合、特性イ
ンピーダンスがほぼ５０Ωとなる。図８,図９は、線路
幅１０μｍの２本の信号線路の間隔を３０μｍ、信号線
路と接地導体間の距離を１５μｍとし、２本の信号線路
の片方の一端をお互いに接続した折り返し形コプレーナ
線路のＳ21特性およびＳ11特性を夫々示している。図９
に示すように、入力反射損失は２０ｄＢ以上であり、特
性インピーダンスはほぼ５０Ωとみなすことができる。
これは、この発明の高周波用半導体装置の折り返し形コ
プレーナ線路が回路的に一本のコプレーナ線路と等価で
あることを意味する。ここでは、特性インピーダンスが
５０Ωの場合を取り上げて説明したが、他の特性インピ
ーダンスの場合でも同じようにして、直線状の一本の信
号線路を有するコプレーナ線路を折り返し形コプレーナ
線路に置き換えが可能である。

【００２３】このように、上記折り返し形コプレーナ線
路１２５をＭＭＩＣ上で用いることにより、信号線路の
片側の接地導体を省くことが可能となり、性能を損なう
ことなく高集積化が可能となる。

【００２４】（第２実施形態）図３はこの発明の第２実施形態の周波数２逓倍器のＭＭ
ＩＣを形成した高周波用半導体装置を示している。な
お、図３において斜線部は接地導体を表している。上記
高周波用半導体装置は、入力ポート２０１と、直流阻止
用ＭＩＭキャパシタ２０２,２０３と、整合回路用直列
ＭＩＭキャパシタ２０４と、トランジスタ２０５と、コ
プレーナ線路２０６と、エアブリッジ２０７,２０８,２
０９と、抵抗２２８と、バイパス用直列ＭＩＭキャパシ
タ２２０,２２１と、直流バイアス端子２２２,２２３
と、出力ポート２２４と、ショートスタブ２２９と、折
り返し形コプレーナ線路２２５とを有している。

【００２５】また、図４は図３に示す高周波用半導体装
置の等価回路を示している。図４に示すように、入力ポ
ート２０１に信号線路２３１の一端を接続し、上記信号
線路２３１の他端を直流阻止用ＭＩＭキャパシタ２０２
の一端に接続している。上記直流阻止用ＭＩＭキャパシ
タ２０２の他端に信号線路２３２の一端を接続し、上記
信号線路２３２の他端に信号線路２３４の一端を接続し
ている。また、上記信号線路２３２の他端と接地との間
に整合回路用直列ＭＩＭキャパシタ２０４を接続すると
共に、上記信号線路２３２の他端に信号線路２３３の一
端を接続している。上記信号線路２３３の他端と直流バ
イアス端子２２２との間に抵抗２２８を接続すると共
に、上記直流バイアス端子２２２と接地との間にバイパ
ス用直列ＭＩＭキャパシタ２２０を接続している。ま
た、上記信号線路２３４の他端にトランジスタ２０５の
ベースを接続し、トランジスタ２０５のエミッタを接地
に接続している。上記トランジスタ２０５のコレクタに
コプレーナ線路２０６の一端を接続し、コプレーナ線路
２０６の他端と出力ポート２２４との間に信号線路２３
８,信号線路２３９,直流阻止用ＭＩＭキャパシタ２０３
および信号線路２４０をコプレーナ線路２０６側から順
に直列に接続している。さらに、上記コプレーナ線路２
０６の他端と信号線路２３５の一端とを接続すると共
に、信号線路２３５の他端に信号線路２３６の一端を接
続している。また、上記信号線路２３５の他端と接地と
の間に直列ＭＩＭキャパシタ２２７を接続している。上
記信号線路２３６の他端に、信号線路２３６と略平行な
信号線路２３７の一端を接続している。そして、上記信
号線路２３７の他端と接地との間に直列ＭＩＭキャパシ
タ２２６を接続している。また、上記信号線路２３８,
２３９との接続点と直流バイアス端子２２３との間にシ
ョートスタブ２２９を接続すると共に、直流バイアス端
子２２３と接地との間にバイパス用直列ＭＩＭキャパシ
タ２２１を接続している。

【００２６】図３に示すように、上記２本の信号線路２
３６,２３７の外側を囲むように接地導体２００(図３に
示す)を設けている。上記２本の信号線路２３６,２３７
と接地導体２００とで折り返し形コプレーナ線路２２５
を構成している。上記信号線路１３６,１３７と接地導
体との間隔を２本の信号線路２３６,２３７の間隔の１
／２としている。

【００２７】ここで、図５(A)〜(C)を参照して、上記折
り返し形コプレーナ線路２２５およびＭＩＭキャパシタ
２２６,２２７の機能について説明する。

【００２８】ある周波数ｆ0に対して電気長が９０°と
なる特性インピーダンスＺ0の伝送線路３０１(図５(A)
に示す)は、電気長θ°,特性インピーダンスＺ＝Ｚ0／s
inθの伝送線路３０２およびωＣ＝(１／Ｚ0)cosθのキ
ャパシタ３０３,３０４で等価的に置き換えることがで
きる(図５(B)に示す)。この伝送線路３０２の代わりに
折り返し形コプレーナ線路３０５(図５(C)に示す)を用
いることが可能であり、もとの伝送線路３０１と同じ性
能を等価的により小さく置き換えることができる。つま
り、折り返し形コプレーナ線路３０５およびＭＩＭキャ
パシタ３０３,３０４で構成されるものは、周波数ｆ0に
対して電気長９０°,特性インピーダンスＺ0の伝送線路
と等価になる。

【００２９】以上の関係より、図３において、折り返し
形コプレーナ線路２２５と直列ＭＩＭキャパシタ２２
６,２２７によって、ある周波数ｆ0に対して電気長９０
°の伝送線路と等価になるように設定することができ、
周波数ｆ0に対して電気長９０°のオープンスタブとし
て機能する。

【００３０】上記構成の高周波用半導体装置において、
上記入力ポート２０１から入力された周波数ｆ0の高周
波信号は、直流阻止用ＭＩＭキャパシタ２０２および整
合回路用直列ＭＩＭキャパシタ２０４等で機能する整合
回路を経て、トランジスタ２０５に入力される。トラン
ジスタ２０５から出力した基本波は、コプレーナ線路２
０６を通り、折り返し形コプレーナ線路２２５,ＭＩＭ
キャパシタ２２６,２２７で等価的に構成された９０°
オープンスタブで再びトランジスタ２０５側に反射す
る。これによりトランジスタ２０５は大きく歪み、２倍
波を出力する。この２倍波はショートスタブ２２６,直
流阻止用ＭＩＭキャパシタ２０３等で機能する整合回路
を経て、出力ポート２２４から出力される。直流バイア
スは直流バイアス端子２２２,２２３より、バイパス用
直列ＭＩＭキャパシタ２２０,２２１にて高周波的に接
地して、トランジスタ２０５の入出力端(ベースとコレ
クタ)に印加する。

【００３１】以上のように、上記折り返し形コプレーナ
線路２２５と直列ＭＩＭキャパシタ２２６,２２７を用
いることにより、特定の周波数に対して電気長９０°の
伝送線路と同じ機能をより小さい面積で実現でき、性能
を損なうことなく高集積化が可能となる。

【００３２】上記第１,第２実施形態では、ここでＭＭ
ＩＣとして増幅器および周波数２逓倍器について説明し
たが、これに限るものではなく、この発明はコプレーナ
線路を有するＭＭＩＣが形成される全ての高周波用半導
体装置に適用することが可能である。

【００３３】また、上記第２実施形態では、電気長９０
°の伝送線路を用いる回路として周波数２逓倍器につい
て説明したが、電気長９０°の伝送線路は、バイアス供
給回路,インピーダンス変換器およびブランチラインハ
イブリッド等にも煩雑に用いられ、それらの回路全てに
この発明を適用することができる。

【００３４】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の高周波用半導体装置は、コプレーナ線路を有するモ
ノリシックマイクロ波集積回路が形成された高周波用半
導体装置において、所定の間隔をあけて略平行にかつ互
いの間に接地導体がないように設けられ、一端が互いに
接続された２本の信号線路と、その２本の信号線路の外
側のすべての周囲を囲むように所定の間隔をあけて設け
られた接地導体とで構成された折り返し形コプレーナ線
路を有するものである。

【００３５】したがって、請求項１の発明の高周波用半
導体装置によれば、上記折り返し形コプレーナ線路の２
本の信号線路間の中心は電位ゼロとなって等価的に接地
となるので、信号線路の片側の接地導体を省くことが可
能となるので、コプレーナ線路の特性インピーダンスを
保ったまま、信号線路を高密度に集積化することがで
き、モノリシックマイクロ波集積回路のチップ面積を縮
小することが可能となる。したがって、この高周波用半
導体装置を小型化することができる。

【００３６】また、請求項２の発明の高周波用半導体装
置は、請求項１の高周波用半導体装置において、上記折
り返し形コプレーナ線路の２本の信号線路と接地導体と
の間隔を２本の信号線路の間隔の１／２としたので、２
本の信号線路間にあたかも間隔を隔てて接地導体がある
かのようにふるまい、したがって、各信号線路の両側に
同じ間隔をあけて接地導体が存在するのと等しくなり、
コプレーナ線路の特性インピーダンスを保ったまま、モ
ノリシックマイクロ波集積回路の面積を縮小することが
できる。

【００３７】また、請求項３の発明の高周波用半導体装
置は、請求項２の高周波用半導体装置において、上記折
り返し形コプレーナ線路の上記２本の信号線路の他端と
接地導体との間にＭＩＭキャパシタを夫々挿入したの
で、特定の周波数に対して電気長が９０°となる伝送線
路と同じ機能をより小さい面積で実現することができ
る。

【００３８】また、請求項４の発明の高周波用半導体装
置は、請求項２の高周波用半導体装置において、上記折
り返し形コプレーナ線路の特性インピーダンスが、所望
の直線状の一本の信号線路を有するコプレーナ線路の特
性インピーダンスとほぼ等しくなるように、上記折り返
し形コプレーナ線路の信号線路の幅および信号線路と接
地導体との間の距離が決められている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はこの発明の第１実施形態の高周波用半
導体装置の平面図である。

【図２】図２は上記高周波用半導体装置の等価回路図
である。

【図３】図３はこの発明の第２実施形態の高周波用半
導体装置の平面図である。

【図４】図４は上記高周波用半導体装置の等価回路図
である。

【図５】図５は上記高周波用半導体装置を補足して説
明するための図である。

【図６】図６はコプレーナ線路の断面図である。

【図７】図７はこの発明の高周波用半導体装置に用い
られる折り返し形コプレーナ線路の断面図である。

【図８】図８は上記折り返し形コプレーナ線路のＳ21
特性を示す図である。

【図９】図９は上記折り返し形コプレーナ線路のＳ11
特性を示す図である。

【図１０】図１０は従来の高周波用半導体装置の要部
の斜視図である。

【符号の説明】

１０１,２０１…入力ポート、１０２,１０３,２０２,２
０３…直流阻止用ＭＩＭキャパシタ、１０４,２０４…
整合回路用直列ＭＩＭキャパシタ、１０５,２０５…ト
ランジスタ、１０６,２０６…コプレーナ線路、１０７,
１０８,１２６,２０７,２０８,２０９…エアブリッジ、
１０９,２２８…抵抗、１２０,１２１,２２０,２２１…
バイパス用直列ＭＩＭキャパシタ、１２２,１２３,２２
２,２２３…直流バイアス端子、１２４,２２４…出力ポ
ート、１２５,２２５…折り返し形コプレーナ線路、２
２６,２２７…直列ＭＩＭキャパシタ、２２９…ショー
トスタブ、３０１,３０２,３０６,３０７…伝送線路、
３０３,３０４…キャパシタ、３０５…折り返し形コプ
レーナ線路、４０１,４０５…半導体基板、４０２,４０
３,４０６,４０７…接地導体、４０４,４０８,４０９…
信号線路、４１０…電気的壁。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】コプレーナ線路を有するモノリシックマ
イクロ波集積回路が形成された高周波用半導体装置にお
いて、所定の間隔をあけて略平行にかつ互いの間に接地導体が
ないように設けられ、一端が互いに接続された２本の信
号線路と、その２本の信号線路の外側のすべての周囲を
囲むように所定の間隔をあけて設けられた接地導体とで
構成された折り返し形コプレーナ線路を有することを特
徴とする高周波用半導体装置。
【請求項２】請求項１に記載の高周波用半導体装置に
おいて、上記折り返し形コプレーナ線路の上記２本の信号線路と
上記接地導体との間隔を上記２本の信号線路の間隔の１
／２としたことを特徴とする高周波用半導体装置。
【請求項３】請求項２に記載の高周波用半導体装置に
おいて、上記折り返し形コプレーナ線路の上記２本の信号線路の
他端と接地導体との間にＭＩＭキャパシタを夫々挿入し
たことを特徴とする高周波用半導体装置。
【請求項４】請求項２に記載の高周波用半導体装置に
おいて、上記折り返し形コプレーナ線路の特性インピーダンス
が、所望の直線状の一本の信号線路を有するコプレーナ
線路の特性インピーダンスとほぼ等しくなるように、上
記折り返し形コプレーナ線路の上記信号線路の幅および
上記信号線路と上記接地導体との間の距離が決められて
いることを特徴とする高周波用半導体装置。