JPH05259709A - 高比誘電率基板整合回路 - Google Patents
高比誘電率基板整合回路Info
- Publication number
- JPH05259709A JPH05259709A JP8652692A JP8652692A JPH05259709A JP H05259709 A JPH05259709 A JP H05259709A JP 8652692 A JP8652692 A JP 8652692A JP 8652692 A JP8652692 A JP 8652692A JP H05259709 A JPH05259709 A JP H05259709A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高帯域化と低損失化が図れるとともに、設計
精度の向上が図れる高比誘電率基板整合回路を提供す
る。 【構成】 高周波増幅用トランジスタ１の入力または出
力と外部信号線路５ａ，５ｂとの間を、使用周波数の４
分の１波長の電気長Ｌに形成された比誘電率２０以上の
高比誘電率基板２ａ，２ｂで接続する。
精度の向上が図れる高比誘電率基板整合回路を提供す
る。 【構成】 高周波増幅用トランジスタ１の入力または出
力と外部信号線路５ａ，５ｂとの間を、使用周波数の４
分の１波長の電気長Ｌに形成された比誘電率２０以上の
高比誘電率基板２ａ，２ｂで接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波回路の整合を行な
う整合回路に関し、特にマイクロ波帯でトランジスタの
入出力側と外部信号線路間の整合を行なう高比誘電率基
板整合回路に関する。
う整合回路に関し、特にマイクロ波帯でトランジスタの
入出力側と外部信号線路間の整合を行なう高比誘電率基
板整合回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波帯高出力増幅器では、
図２に示すように高周波増幅用トランジスタ７の信号入
力側と外部信号線路１０ａとの間に、高比誘電率基板８
と導体パターンＰからなる単板型電極構造のコンデンサ
Ｃ１を接続し、ボンディングワイヤ３の有するインダク
タとで集中定数型整合回路を形成していた。
図２に示すように高周波増幅用トランジスタ７の信号入
力側と外部信号線路１０ａとの間に、高比誘電率基板８
と導体パターンＰからなる単板型電極構造のコンデンサ
Ｃ１を接続し、ボンディングワイヤ３の有するインダク
タとで集中定数型整合回路を形成していた。
【０００３】この回路では、接続用ワイヤ３のインダク
タンスとコンデンサＣ１、それに膜回路基板（誘電体基
板）９ａ，９ｂ上のマイクロストリップ線路１０ａ，１
０ｂの種々の特性インピーダンスを組み合わせること
で、整合回路を構成し、広帯域および低損失の電気特性
を得ている。なお、１０ａ，１０ｂはマイクロストリッ
プラインによる整合用オープンスタブである。
タンスとコンデンサＣ１、それに膜回路基板（誘電体基
板）９ａ，９ｂ上のマイクロストリップ線路１０ａ，１
０ｂの種々の特性インピーダンスを組み合わせること
で、整合回路を構成し、広帯域および低損失の電気特性
を得ている。なお、１０ａ，１０ｂはマイクロストリッ
プラインによる整合用オープンスタブである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の集中定
数型整合回路では、電力増幅用トランジスタなどの整合
を行なう場合、コンデンサに高比誘電率基板を用いると
電気的波長が著しく短くなり、特にマイクロ波帯領域以
上で使用すると、コンデンサ上の波長が無視できなくな
り、設計値と実際の特性が大きく異なるという問題が生
じるようになる。
数型整合回路では、電力増幅用トランジスタなどの整合
を行なう場合、コンデンサに高比誘電率基板を用いると
電気的波長が著しく短くなり、特にマイクロ波帯領域以
上で使用すると、コンデンサ上の波長が無視できなくな
り、設計値と実際の特性が大きく異なるという問題が生
じるようになる。
【０００５】本発明は、このような従来の技術が有する
課題を解決するために提案されたものであり、高帯域化
と低損失化が図れるとともに、設計精度を向上できる高
比誘電率基板整合回路を提供することを目的とする。
課題を解決するために提案されたものであり、高帯域化
と低損失化が図れるとともに、設計精度を向上できる高
比誘電率基板整合回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明による整合回路は、高周波増幅用トランジスタ
の入力または出力と外部信号線路との間に、使用周波数
の４分の１波長を持つ比誘電率２０以上の高比誘電率基
板で接続する構成としてある。
に本発明による整合回路は、高周波増幅用トランジスタ
の入力または出力と外部信号線路との間に、使用周波数
の４分の１波長を持つ比誘電率２０以上の高比誘電率基
板で接続する構成としてある。
【０００７】
【作用】上述した構成によれば、高周波増幅用トランジ
スタの入力または出力と外部信号線路との間に接続され
るコンデンサを、マイクロストリップ線路として設計で
きることから、設計精度を向上でき、所望の特性の整合
回路を容易に実現できる。
スタの入力または出力と外部信号線路との間に接続され
るコンデンサを、マイクロストリップ線路として設計で
きることから、設計精度を向上でき、所望の特性の整合
回路を容易に実現できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明による高比誘電率基板整合回路
の具体的な実施例を図面に基づき詳細に説明する。図１
に、この整合回路の一実施例を示す。なお、図示の例で
はバイアス回路が省略されている。この図で、機能素子
である高周波増幅用トランジスタ１の信号入力側と信号
出力側は、使用周波数の４分の１波長の電気長Ｌを有す
るマイクロストリップラインＰ１，Ｐ２を形成した高比
誘電率基板２ａ，２ｂにボンディングワイヤ３によって
接続されている。この高比誘電率基板２ａ，２ｂには、
比誘電率が２０以上のものが用いられる。また高比誘電
率基板２ａ，２ｂの幅および厚さは、入出力の特性イン
ピーダンスに応じて決まってくる。
の具体的な実施例を図面に基づき詳細に説明する。図１
に、この整合回路の一実施例を示す。なお、図示の例で
はバイアス回路が省略されている。この図で、機能素子
である高周波増幅用トランジスタ１の信号入力側と信号
出力側は、使用周波数の４分の１波長の電気長Ｌを有す
るマイクロストリップラインＰ１，Ｐ２を形成した高比
誘電率基板２ａ，２ｂにボンディングワイヤ３によって
接続されている。この高比誘電率基板２ａ，２ｂには、
比誘電率が２０以上のものが用いられる。また高比誘電
率基板２ａ，２ｂの幅および厚さは、入出力の特性イン
ピーダンスに応じて決まってくる。
【０００９】また、信号入力側と信号出力側に設けてあ
る誘電体基板４ａ，４ｂ上には、マイクロスリップライ
ンにより外部信号線路５ａ，５ｂと整合用オープンスタ
ブ６ａ，６ｂがそれぞれ形成されている。高比誘電率基
板２ａ，２ｂが、誘電体基板４ａ，４ｂ上のこれら外部
信号線路５ａ，５ｂにボンディングワイヤ３によってそ
れぞれ接続されることにより、整合回路が形成される。
る誘電体基板４ａ，４ｂ上には、マイクロスリップライ
ンにより外部信号線路５ａ，５ｂと整合用オープンスタ
ブ６ａ，６ｂがそれぞれ形成されている。高比誘電率基
板２ａ，２ｂが、誘電体基板４ａ，４ｂ上のこれら外部
信号線路５ａ，５ｂにボンディングワイヤ３によってそ
れぞれ接続されることにより、整合回路が形成される。
【００１０】なお、本発明は上述した実施例に限定され
ず、要旨の範囲内で種々の変更実施が可能である。
ず、要旨の範囲内で種々の変更実施が可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、入
力または主力に使用周波数の４分の１波長を持つ高比誘
電率基板を設けることにより、高帯域化と低損失化が図
れるとともに、整合回路の設計精度を向上することがで
きる。
力または主力に使用周波数の４分の１波長を持つ高比誘
電率基板を設けることにより、高帯域化と低損失化が図
れるとともに、整合回路の設計精度を向上することがで
きる。
【図１】本発明による高比誘電率基板整合回路の一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】従来の集中定数型整合回路の例を示す図であ
る。
る。
１ 高周波増幅トランジスタ ２ａ，２ｂ 高比誘電率基板 ３ ボンディングワイヤ ４ａ，４ｂ 誘電体基板 ５ａ，５ｂ 外部信号線路 ６ａ，６ｂ 整合用オープンスタブ
Claims (1)
- 【請求項１】 トランジスタなどの機能素子の入力また
は出力と外部線路との間を高比誘電率基板上に形成した
マイクロストリップ線路で接続することによって整合を
とる整合回路において、 上記マイクロストリップ線路の電気長を使用周波数の４
分の１波長にすることにより、所望の整合特性を得るこ
とを特徴とする高比誘電率基板整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8652692A JPH05259709A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 高比誘電率基板整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8652692A JPH05259709A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 高比誘電率基板整合回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259709A true JPH05259709A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13889440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8652692A Pending JPH05259709A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 高比誘電率基板整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259709A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208671A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール用パッケージ |
| JP2014116783A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 整流器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529809B2 (ja) * | 1974-10-08 | 1980-08-06 | ||
| JPH03131102A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子と回路基板又はキャリヤとの接続方法 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP8652692A patent/JPH05259709A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529809B2 (ja) * | 1974-10-08 | 1980-08-06 | ||
| JPH03131102A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子と回路基板又はキャリヤとの接続方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208671A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール用パッケージ |
| JP2014116783A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 整流器 |
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