FI101505B - Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi p ienillä tehotasoilla - Google Patents
Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi p ienillä tehotasoilla Download PDFInfo
- Publication number
- FI101505B FI101505B FI952268A FI952268A FI101505B FI 101505 B FI101505 B FI 101505B FI 952268 A FI952268 A FI 952268A FI 952268 A FI952268 A FI 952268A FI 101505 B FI101505 B FI 101505B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- impedance
- output
- directional switch
- value
- pin diode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
- H03G3/3047—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers for intermittent signals, e.g. burst signals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/20—Modifications of basic electric elements for use in electric measuring instruments; Structural combinations of such elements with such instruments
- G01R1/24—Transmission-line, e.g. waveguide, measuring sections, e.g. slotted section
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
- G01R21/01—Arrangements for measuring electric power or power factor in circuits having distributed constants
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Monitoring And Testing Of Transmission In General (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
101505
Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi pienillä te-hotasoilla - Förfarande för förbättring av effektmätning genom en riktkopplare vid läga effektniväer 5 Esillä oleva keksintö koskee parannettua suuntakytkinjärjestelyä, jota käytetään radiotaajuisen tehon mittaamiseen, sekä menetelmää radiotaajuisen tehon mittaamiseksi parannetulla suuntakytkinjärjestelyllä.
Radiolähetinlaitteissa on yleensä tarve mitata vahvistinasteen lähdöstä tulevan 10 radiotaajuisen signaalin tehotasoa ja säätää vahvistinasteen toimintaa tämän mittauksen perusteella. Yleisesti käytetty menetelmä radiotaajuisen tehon mittaamiseksi on järjestää tehonsiirtoon käytetyn siirtolinjan yhteyteen kuvan 1 mukaisesti suunta-kytkin, joka käsittää kaksi lähekkäistä, pitkänomaista johdinelementtiä 1, 2. Mitattava teho johdetaan ensimmäisen johdinelementin 1 läpi, jolloin osa siitä siirtyy 15 sähkömagneettisen kytkennän välityksellä toiseen elementtiin 2. Sen mitattavan tehon tuloon nähden vastakkaisessa päässä on pääteimpedanssi 3 ja mitattavan tehon tulon puoleisessa päässä ilmaisin 4, joka havaitsee ja mittaa toiseen elementtiin kytkeytyneen tehon ja muuttaa sen tavallisesti jännitesignaaliksi, jonka suuruus on verrannollinen mitattavaan lähetystehoon. Pääteimpedanssin 3 ja ilmaisimen 4 sijoituk-20 sesta johtuen suuntakytkin on nimensä mukaisesti suuntaava eli se mittaa nimenomaan lähetyssuuntaan kulkevan signaalin tehoa.
Suuntakytkinjäijestelyn tuottamaa signaalia käytetään lähettimen tehotason monitorointiin ja säätöön. Säätöjärjestelmä käsittää tavallisesti erovahvistimen 5, jolla ! 25 suuntakytkinjärjestelyn tuottamaa, lähetyssignaalin tehotasoon verrannollista signaalia verrataan referenssisignaaliin 6. Erovahvistimen lähtö muodostaa lähettimen tehovahvistimeen 7 tai muuhun lähetinketjun säädettävään piensignaalivahvistimeen tai vaimentimeen suuntautuvan takaisinkytkennän, joka korjaa lähettimen tehotasoa mittauksen ja referenssivertailun perusteella.
30
Suuntakytkinjärjestelyllä on sen osien mitoituksesta riippuva dynamiikka-alue. Suurilla tehoilla käyttökelpoinen mittausalue loppuu, kun ilmaisin 4 alkaa yliohjau-tua. Pienillä tehoilla rajoittavia tekijöitä ovat ilmaisimen kohina ja lämpötilasta johtuvat muutokset, jotka alkavat näkyä ilmaisimen 4 lähdössä määräävinä tekijöinä, 35 kun mitattava teho laskee käyttökelpoisen mittausalueen alapuolelle. Tyypillisen suuntakytkinjärjestelyn tehokas mittausalue on noin 30 - 40 dB ja mittaus on sitä luotettavampi, mitä suurempi mitattava teho on.
, 101505 2
Digitaalisten tiedonsiirtojärjestelmien lähettimissä, kuten GSM-matkapuhelimissa (Groupe Special Mobile), on edullista pystyä mittaamaan hyvin suuria tehonvaihte-luita. Erityisen tärkeää on mitata tarkasti pieniä tehotasoja. Suuntakytkin aiheuttaa sitä vähemmän häviöitä lähetettävän signaalin signaalitiellä, mitä heikompi kytkentä 5 suuntakytkimen elementtien välillä on. Häviöt on pidettävä pieninä, jotta matkapuhelimen akun kapasiteettia ei kuluteta hukkaan, joten matkapuhelimissa pyritään ratkaisuihin, joissa suuntakytkimen kytkentä on heikkoja pienten tehotasojen mittauksen luotettavuutta parannetaan suuntakytkimen tai ilmaisimen yhteyteen jäljestettävillä lisäpiireillä.
10
On tunnettua käyttää suuntakytkimen ja ilmaisimen välissä ohjattavaa vaimennin-elementtiä. Patentissa US 4 392 245 esitetään järjestely, jossa suuntakytkimen ja ilmaisimen välissä on kytkimellä ohjattu vaimenninelin, jonka kytkimen ollessa suljettuna suuntakytkimen kytkentäkerroin on noin 10 dB heikompi kuin kytkimen ol-15 lessa avoin. Tällaisella järjestelyllä voidaan laajentaa mittausaluetta lähinnä suurten tehojen suuntaan, koska suurilla tehotasoilla ilmaisimen yliohjautuminen estetään kytkemällä vaimenninelin käyttöön. Patentin esittämässä kytkennässä täytyy järjestää vaimenninelementille ohjaussignaali, mikä merkitsee ylimääräisiä komponentteja ja lisäystä tehonkulutukseen. Patentissa US 5 214 393 on muunneltu samaa ajatusta 20 järjestämällä suuntakytkimen ja ilmaisimen väliin epälineaarinen piiri, jonka vahvistus pienenee suurilla tehotasoilla. Ilmaisimen yhteyteen täytyy tällöin rakentaa kompensointipiiri, joka korjaa signaalin epälineaarisuudet.
Patentissa US 5 117 202 muutetaan suuntakytkimen kytkentäkerrointa mekaanisesti 25 ruuvilla, jonka kiertäminen vaikuttaa mikroliuskasubstraatin paksuuteen ja sen välityksellä kytkentäkertoimeen. Tällaisella ratkaisulla on luonnollisesti kaikki mekaanisten järjestelmien haittapuolet, kuten valmistustoleranssien aiheuttamat vaikeudet, kuluminen ja kiinnijuuttuminen.
30 Eräässä tekniikan tason mukaisessa ratkaisussa suuntakytkintä on täydennetty kytkemällä suuntakytkimen toinen elementti kuvan 2 mukaisesti pääteimpedanssin puoleisesta päästään kondensaattorin 8 ja ohjattavan kytkimen 9 kautta suoraan te-honsiirtolinjaan. Ratkaisun ajatus on mitata pienet tehotasot kondensaattorikytken-nän välityksellä suoraan siirtolinjasta pitämällä ohjattava kytkin 9 suljettuna. Kun 35 tehotaso kasvaa suuremmaksi, ohjausjärjestelmä avaa ohjattavan kytkimen 9, jolloin suuntakytkin toimii normaalin toimintaperiaatteen mukaisesti. Ratkaisun haittapuolia ovat erillisen ohjaussignaalin 10 tarve ja suuntakytkimen suuntaavuusominaisuu-den katoaminen, kun ohjattava kytkin 9 on suljettuna.
3 101505
Esillä olevan keksinnön tavoitteena on esittää menetelmä ja piiri, jolla parannetaan suuntakytkimellä tehdyn tehomittauksen tarkkuutta ja luotettavuutta erityisesti pienillä tehotasoilla. Jäijestelyn on säilytettävä suuntakytkimen suuntaava ominaisuus 5 ja sen on oltava yksinkertainen ja edullinen.
Tavoite saavutetaan kuvan 3 mukaisella kytkentäperiaatteella, jossa suuntakytkimen toisen elementin 2 pääteimpedanssia 12 muutetaan sähköisesti. Muutosta ohjaava ohjaussignaali saadaan ilmaisimen 4 lähdöstä, referenssisignaalista 6 tai järjestelyn 10 toimintaa ohjaavalta mikroprosessorilta (ei esitetty kuvassa).
Keksinnön mukaiselle parannetulle suuntakytkinjärjestelylle on tunnusomaista, että suuntakytkimen toisen haaran pääteimpedanssin impedanssiarvo on muutettavissa sähköisesti siihen tuodulla ohjaussignaalilla.
15
Keksinnön mukaiselle tehonmittausmenetelmälle on tunnusomaista, että suuntakytkimen toisen haaran pääteimpedanssin impedanssiarvoa muutetaan sähköisesti.
Suuntakytkimen toiminnan teoriasta on tunnettua, että jos suuntakytkimen toisen 20 elementin pääteimpedanssia kasvatetaan, myös mainittuun toiseen elementtiin saatavan signaalin huippujännite kasvaa. Keksintö perustuu oivallukseen muuttaa säädettävän pääteimpedanssin arvoa kääntäen verrannollisesti ilmaisimen antamaan lähtöjännitteeseen. Kun mitattava tehotaso pienenee ja ilmaisimen lähtöjännite vastaavasti laskee, pääteimpedanssin impedanssiarvoa kasvatetaan, mikä kasvattaa 25 suuntakytkimen toiseen elementtiin saatavan signaalin huippujännitettä, jolloin ilmaisin antaa suuremman signaalin kuin jos pääteimpedanssi olisi vakio. Pienillä tehotasoilla tämä parantaa mittauksen tarkkuutta ja luotettavuutta, koska ilmaisimesta saatavan jännitteen suhde kohinaan ja muihin häiriöihin kasvaa. Kun tehotaso te-honsiirtolinjassa nousee, pääteimpedanssia ja sen välityksellä suuntakytkimen toi-30 seen elementtiin saatavan signaalin huippujännitettä pienennetään, mikä estää ilmaisinta yliohjautumasta.
Ilman keksinnön mukaista pääteimpedanssin muutosta pienillä tehotasoilla suunta-kytkin olisi oleellisesti lineaarinen järjestely, eli ilmaisimen antaman signaalin taso 35 olisi suoraan verrannollinen mitattavaan lähetystehoon. Koska keksinnön mukainen pääteimpedanssin kasvattaminen ja sen välityksellä suuntakytkimen toiseen elementtiin saatavan jännitesignaalin kasvattaminen kasvattaa ilmaisimesta saatavan jännitteen arvoa enemmän pienillä tehotasoilla kuin suurilla tehotasoilla, järjestely 4 101505 muuttuu epälineaariseksi. Tämä on otettava huomioon suunniteltaessa ohjaussil-mukkaa, joka ohjaa suuntakytkinmittauksen perusteella lähettimen tehovahvistimen toimintaa.
5 Keksinnön mukaisen kytkentäjärjestelyn edullisessa suoritusmuodossa ei tarvita ulkopuolisia ohjaussignaaleja, koska pääteimpedanssia ohjaava signaali saadaan suoraan ilmaisimen lähdöstä. Tehonsiirtolinjaan ei tarvitse tehdä ylimääräisiä kytkentöjä, jotka aiheuttaisivat häviöitä. Jäljempänä esitetyt edulliset suoritusmuodot osoittavat, että takaisinkytkentäpiiri ja säädettävä pääteimpedanssi ovat helposti ιοί 0 teutettavissa tavanomaisilla komponenteilla. Lisäkomponentit eivät lisää merkittävästi tehonmittausjärjestelyn virrankulutusta.
Keksintöä selostetaan seuraavassa tarkemmin kuvaamalla kahta edullista suoritusmuotoa. Selostuksessa viitataan oheisiin kuviin, joissa 15 kuva 1 esittää tunnettua suuntakytkimen yleistä periaatetta, kuva 2 esittää erästä tunnettua järjestelyä suuntakytkimen mittaustarkkuuden parantamiseksi pienillä tehotasoilla, 20 kuva 3a esittää erästä esillä olevan keksinnön mukaista kytkentäperiaatetta, kuva 3b esittää erästä toista esillä olevan keksinnön mukaista kytkentäperiaatetta, 25 kuva 3c esittää erästä kolmatta esillä olevan keksinnön mukaista kytkentäperiaatetta, kuva 4 esittää esillä olevan keksinnön erästä edullista suoritusmuotoa, ja 30 kuva 5 esittää esillä olevan keksinnön erästä toista edullista suoritusmuotoa.
Kuvia 1 ja 2 selostettiin edellä tekniikan tason kuvauksen yhteydessä, joten seuraavassa keksinnön kuvauksessa viitataan lähinnä kuviin 3a - 5. Kuvissa käytetään toisiaan vastaavista osista samoja viitenumerolta.
35
Kuvassa 3a on suuntakytkin, jossa lähettimeltä tuleva RP-teho kulkee tehonsiirtolin-. jaa pitkin ja ensimmäisen elementin 1 kautta kuvassa vasemmalta oikealle. Suunta-kytkimen toisen elementin 2 oikeassa päässä eli mitattavan tehon tuloon nähden 5 101505 vastakkaisessa päässä on säädettävä pääteimpedanssi 12 ja mitattavan tehon tulon puoleisessa päässä ilmaisin 4, joka havaitsee ja mittaa toiseen elementtiin 2 kytkeytyneen tehon ja muuttaa sen jännitesignaaliksi, jonka suuruus on verrannollinen mitattavaan lähetystehoon. Ilmaisimen 4 lähtöön on kytketty takaisinkytkentäpiiri 11, 5 joka ohjaa säädettävää pääteimpedanssia 12 siten, että ilmaisimen 4 lähtöjännitteen kasvaessa takaisinkytkentäpiiri 11 pienentää pääteimpedanssin 12 arvoa ja päinvastoin.
Kuvassa 3b on muuten edellisen kaltainen kytkentäjärjestely, mutta säädettävän 10 pääteimpedanssin 12 impedanssiarvoa muutetaan referenssisignaalilla 6, jonka pääasiallinen käyttö suuntakytkinjäijestelyssä on sen vertaaminen ilmaisimen 4 lähtö-jännitteeseen lähetystehon säätämistä ohjaavan signaalin tuottamiseksi erovahvisti-mella, jota ei ole esitetty kuvassa 3a. Vertailun periaate on samanlainen kuin kuvan 1 esittämässä, tekniikan tason mukaisessa järjestelyssä eikä se ole esillä olevan kek-15 sinnön kannalta oleellinen. Oleellista tässä suoritusmuodossa on kuitenkin järjestelyyn jo valmiiksi sisältyvän referenssisignaalin 6 käyttö, jolloin muita ulkopuolisia ohjaussignaaleja ei tarvita.
Kuvassa 3c on muuten edellisen kaltainen kytkentäjärjestely, mutta säädettävän 20 pääteimpedanssin 12 impedanssiarvoa muutetaan signaalilla, jonka tuottaa koko järjestelmän toimintaa ohjaava mikroprosessri μΡ.
Kuvassa 4 on esitetty kuvan 3a mukaisen kytkennän eräs edullinen suoritusmuoto. Siinä säädettävä pääteimpedanssi 12 koostuu kytkennästä, jossa vastus Rl ja PIN-25 diodin Dl ja kondensaattorin C2 muodostama sarjakytkentä on kytketty rinnan suuntakytkimen toisen elementin 2 pään ja maapotentiaalin välille. PIN-diodi Dl ja kondensaattori C2 on kytketty siten, että PIN-diodin D1 katodi on kytketty suunta-kytkinelementin päähän ja sen anodi on kytketty kondensaattorin C2 kautta maapo-tentiaaliin. Takaisinkytkentäpiirin 11 muodostavat NPN-transistori Ql, vastus R2ja 30 kuristin LI. Transistorin Ql kollektori on kytketty positiiviseen jännitteeseen Vcc, sen kanta on kytketty ilmaisimen lähtöön jäsen emitteri on kytketty vastuksen R2 ja kuristimen LI kautta PIN-diodin Dl anodille eli PIN-diodin Dl ja kondensaattorin C2 väliin.
35 Kuvan 4 kytkennässä vastus Rl, PIN-diodi Dl ja kondensaattori C2 on mitoitettu siten, että kun PIN-diodi Dl biasoidaan myötäsuuntaisesti, senja kondensaattorin : C2 muodostaman signaalitien impedanssi on pienempi kuin vastuksen Rl muodos taman signaalitien impedanssi. Kun PIN-diodia D1 ei biasoida myötäsuuntaisesti, 6 101505 senja kondensaattorin C2 muodostaman signaalitien impedanssi on vastaavasti suurempi kuin vastuksen Rl muodostaman signaalitien impedanssi. Biasointi tapahtuu transistorin Ql, vastuksen R2 ja kuristimen LI välityksellä.
5 Kun ilmaisimen 4 lähtöjännite on suuri, transistori Ql on johtavassa tilassa ja PIN-diodi Dl on biasoitu myötäsuuntaisesti. Tällöin senja kondensaattorin C2 muodostaman signaalitien impedanssi määrää suurimmaksi osaksi suuntakytkimen toisen elementin pääteimpedanssin 12 arvon. Kun ilmaisimen 4 lähtöjännite on pieni, transistori Ql ei ole johtavassa tilassa ja PIN-diodi Dl ei ole biasoitu myötäsuuntai-10 sesti, jolloin pääteimpedanssin arvon määrää pääasiassa vastus Rl. Edellä esitetyn mitoituksen mukaisesti pääteimpedanssin 12 arvo on jälkimmäisessä tilanteessa suurempi, jolloin suuntakytkimen toiseen elementtiin 2 saatava huippujännite ja siten myös ilmaisimelta 4 saatava jännite on suurempi ja järjestely vahvistaa heikkotasoista mittaussignaalia keksinnön tavoitteen mukaisesti.
15
Kuvassa 5 on esitetty kuvan 3a mukaisen kytkennän eräs toinen edullinen suoritusmuoto. Siinä säädettävä pääteimpedanssi 12 koostuu kytkennästä, jossa vastus Rl ja PIN-diodi Dl on kytketty rinnan suuntakytkimen toisen elementin 2 pään ja maapo-tentiaalin välille. PIN-diodi Dl on kytketty siten, että sen anodi on kytketty suunta-20 kytkinelementin päähän ja katodi on kytketty maapotentiaaliin. Takaisinkytkentä-piirin 11 muodostavat NPN-transistori Ql, vastus R2 ja kuristin LI. Transistorin Ql kollektori on kytketty positiiviseen jännitteeseen Vcc, sen kanta on kytketty ilmaisimen lähtöön ja sen emitteri on kytketty vastuksen R2 ja kuristimen LI kautta PIN-diodin Dl anodille.
: 25
Kuvan 5 kytkennässä vastus Rl ja PIN-diodi Dl on mitoitettu siten, että kun PIN-diodi Dl biasoidaan myötäsuuntaisesti, sen muodostaman signaalitien impedanssi on pienempi kuin vastuksen Rl muodostaman signaalitien impedanssi. Kun PIN-diodia Dl ei biasoida myötäsuuntaisesti, sen muodostaman signaalitien impedanssi 30 on vastaavasti suurempi kuin vastuksen Rl muodostaman signaalitien impedanssi. Biasointi tapahtuu transistorin Ql, vastuksen R2 ja kuristimen LI välityksellä.
Kun ilmaisimen 4 lähtöjännite on suuri, transistori Ql on johtavassa tilassa ja PIN-diodi Dl on biasoitu myötäsuuntaisesti. Tällöin sen muodostaman signaalitien im-35 pedanssi määrää suurimmaksi osaksi suuntakytkimen toisen elementin pääteimpe-danssin arvon. Kun ilmaisimen 4 lähtöjännite on pieni, transistori Ql ei ole johta-; vassa tilassa ja PIN-diodi Dl ei ole biasoitu myötäsuuntaisesti, jolloin pääteimpe-danssin arvon määrää pääasiassa vastus Rl. Edellä esitetyn mitoituksen mukaisesti 7 101505 pääteimpedanssin 12 arvo on jälkimmäisessä tilanteessa suurempi, jolloin myös suuntakytkimen toiseen elementtiin 2 saatava huippujännite ja siten myös ilmaisimelta 4 saatava jännite on suurempi ja järjestely vahvistaa heikkotasoista mittaussignaalia keksinnön tavoitteen mukaisesti.
5
Esitetyissä suoritusmuodoissa on käytetty säädettävänä pääteimpedanssina 12 rin-nankytkentää, jonka toinen haara käsittää PIN-diodin ja toinen haara vastuksen. Impedanssin säätö tapahtuu tällöin biasoimalla PIN-diodi myötäsuuntaisesti, ei ollenkaan tai vastasuuntaisesti. Tämä järjestely on erityisen edullinen, koska biasointi 10 voidaan tehdä yksinkertaisella piirillä, jonka tilan määrää ilmaisimen lähtöjännite. Esillä olevan keksinnön keksinnöllinen ajatus ei kuitenkaan rajoitu esitettyihin suoritusmuotoihin, vaan säädettävä impedanssi voidaan toteuttaa myös muilla alan ammattimiehen tuntemilla tavoilla. Myös takasinkytkentäpiirin 11 toteutuksessa on esitettyjen suoritusmuotojen lisäksi useita mahdollisuuksia, jotka sinänsä ovat alan 15 ammattimiehelle ilmeisiä.
Keksinnön mukainen menetelmä ja piiri on yksinkertainen ja sen valmistuskustannukset ovat pienet. Sitä voidaan soveltaa kaikissa radiotaajuussovellutuksissa, joissa halutaan mitata siirtolinjassa kulkevaa tehoa erityisesti pienillä tehotasoilla. Esi-20 merkinomainen sovellutuskohde on digitaaliseen tiedonsiirtoverkkoon tarkoitettu matkapuhelin, jossa lähetystehon mittaukselta vaaditaan pienihäviöisyyttä ja erityisen suurta dynamiikka-aluetta.
Claims (15)
1. Suuntakytkinjärjestely radiotaajuisen tehon mittaamiseksi, joka suuntakytkin-järjestely käsittää - suuntakytkimen, joka käsittää ensimmäisen johdinelementin (1) ja toisen johdin-5 elementin (2), joista kumpikin käsittää ensimmäisen pään ja toisen pään, - ilmaisinelimen (4) ensimmäisestä johdinelementistä (1) toiseen johdinelementtiin (2) kytkeytyneen tehotason ilmaisemiseksi ja lähtösignaalin antamiseksi vasteena mainittuun tehotasoon, joka ilmaisinelin käsittää tuloportin ja lähtöportin ja jonka tuloportti on kytketty toisen johdinelementin (2) ensimmäiseen päähän, ja 10. pääteimpedanssin (12), joka on kytketty toisen johdinelementin (2) toisen pään ja maapotentiaalin välille, tunnettu siitä, että - mainitun pääteimpedanssin (12) impedanssiarvo on muutettavissa sähköisesti siihen tuodulla ohjaussignaalilla. 15
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että se käsittää säätöpiirin (11) mainitun ilmaisinelimen (4) ja mainitun pääteimpedanssin (12) välissä mainitun ohjaussignaalin muodostamiseksi ilmaisinelimen lähtösignaalin perusteella. 20
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että mainittu pääteimpedanssi (12) käsittää kaksi rinnankytkettyä haaraa, joista ensimmäisen haaran impedanssi on muutettavissa mainitulla ohjaussignaalilla pienemmäksi tai suuremmaksi kuin toisen haaran impedanssi. 25
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen haara käsittää PIN-diodin (Dl), jonka biasjännite on mainittu ohjaussignaali.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että mainittu säätöpiiri käsittää transistorin (Ql) mainitun PIN-diodin (Dl) biasjännit-teen säätämiseksi.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että 35 mainittu transistori (Q1) on bipolaaritransistori ja sen kanta on kytketty mainitun ilmaisinelimen (4) lähtöporttiin, kollektori on kytketty positiiviseen potentiaaliin (Vcc) ja emitteri on kytketty mainitun PIN-diodin (D1) anodiin. 101505
7. Jonkin patenttivaatimuksen 4-6 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että se käsittää kondensaattorin (C2) ja mainitun PIN-diodin (Dl) katodi on kytketty suuntakytkimen toisen elementin (2) toiseen päähän ja sen anodi on kytketty mainitun kondensaattorin (C2) kautta maapotentiaaliin. 5
8. Jonkin patenttivaatimuksen 4-6 mukainen suuntakytkinjärjestely, tunnettu siitä, että mainitun PIN-diodin (Dl) anodi on kytketty suuntakytkimen toisen elementin (2) toiseen päähän ja sen katodi on kytketty maapotentiaaliin.
8 101505
9. Menetelmä radiotaajuisen tehon mittaamiseksi suuntakytkinjärjestelyllä, joka järjestely käsittää suuntakytkimen, joka suuntakytkin käsittää ensimmäisen johdin-elementin ja toisen johdinelementin, jossa menetelmässä suuntakytkimen toinen haara päätetään pääteimpedanssilla ja suuntakytkimen ensimmäisestä haarasta toiseen haaraan kytkeytynyt tehotaso ilmaistaan ilmaisinelimellä, joka muodostaa 15 mainitun tehotason perusteella lähtösignaalin, tunnettu siitä, että mainitun suunta-kytkimen toisen haaran pääteimpedanssin impedanssiarvoa muutetaan sähköisesti.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainitun lähtösignaalin perusteella muodostetaan ohjaussignaali ja sen välityksellä muutetaan 20 sähköisesti suuntakytkimen toisen haaran pääteimpedanssin impedanssiarvoa.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kun mainitun lähtösignaalin arvo kasvaa, mainitun pääteimpedanssin impedanssiarvoa muutetaan pienemmäksi, ja kun mainitun lähtösignaalin arvo pienenee, mainitun pääteimpe- 25 danssin impedanssiarvoa muutetaan suuremmaksi.
12. Patenttivaatimuksen 10 tai 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu pääteimpedanssi (12) käsittää PIN-diodin (Dl) ja kun mainitun lähtösignaalin arvo kasvaa, mainittu PIN-diodi (Dl) biasoidaan myötäsuuntaisesti, ja kun 30 mainitun lähtösignaalin arvo pienenee, mainitun PIN-diodin (Dl) myötäsuuntaista biasointia pienennetään kohti nollabiasointia.
13. Patenttivaatimuksen 10 tai 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu pääteimpedanssi (12) käsittää PIN-diodin (Dl) ja kun mainitun lähtösig- 35 naalin arvo kasvaa, mainittu PIN-diodi (Dl) biasoidaan myötäsuuntaisesti, ja kun mainitun lähtösignaalin arvo pienenee, mainittu PIN-diodi (Dl) biasoidaan vasta-suuntaisesti. 101505
14. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu suun-takytkinjärjestely käsittää referenssisignaalin mainitun tehotason säätämistä varten ja mainitun referenssisignaalin välityksellä muutetaan sähköisesti suuntakytkimen toisen haaran pääteimpedanssin impedanssiarvoa. 5
15. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainitun pääteimpedanssin impedanssiarvoa muutetaan jäijestelyn toimintaa ohjaavan suorittimen muodostaman sähköisen signaalin välityksellä.
10 Patentkrav
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI952268A FI101505B1 (fi) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi pienillä tehotasoilla |
EP96660007A EP0742649A3 (en) | 1995-05-10 | 1996-03-26 | Directional coupler arrangement for the measurement of power |
JP11171396A JPH08335809A (ja) | 1995-05-10 | 1996-05-02 | 方向性結合器装置およびそれにおける電力測定方法 |
US08/644,037 US5745016A (en) | 1995-05-10 | 1996-05-09 | Method for improving power measurement implemented with a directional coupler at low power levels |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI952268A FI101505B1 (fi) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi pienillä tehotasoilla |
FI952268 | 1995-05-10 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI952268A0 FI952268A0 (fi) | 1995-05-10 |
FI952268A FI952268A (fi) | 1996-11-11 |
FI101505B true FI101505B (fi) | 1998-06-30 |
FI101505B1 FI101505B1 (fi) | 1998-06-30 |
Family
ID=8543388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI952268A FI101505B1 (fi) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi pienillä tehotasoilla |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5745016A (fi) |
EP (1) | EP0742649A3 (fi) |
JP (1) | JPH08335809A (fi) |
FI (1) | FI101505B1 (fi) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6148220A (en) | 1997-04-25 | 2000-11-14 | Triquint Semiconductor, Inc. | Battery life extending technique for mobile wireless applications |
FR2766272B1 (fr) * | 1997-07-15 | 1999-10-15 | Moulinex Sa | Dispositif et procede de reflectometrie hyperfrequences, et four a micro-ondes ainsi equipe |
FI105611B (fi) * | 1998-03-13 | 2000-09-15 | Nokia Mobile Phones Ltd | Radiotajuusvahvistimet |
US6066994A (en) * | 1998-05-18 | 2000-05-23 | Amplifier Research Corporation | Broadband directional coupler including amplifying, sampling and combining circuits |
GB9811382D0 (en) | 1998-05-27 | 1998-07-22 | Nokia Mobile Phones Ltd | A transmitter |
GB9811381D0 (en) | 1998-05-27 | 1998-07-22 | Nokia Mobile Phones Ltd | Predistortion control for power reduction |
GB2339113B (en) | 1998-06-30 | 2003-05-21 | Nokia Mobile Phones Ltd | Data transmission in tdma system |
US6307364B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-10-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Power sensor for RF power amplifier |
US6329809B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-12-11 | Rf Micro Devices, Inc. | RF power amplifier output power sensor |
US6265943B1 (en) | 2000-01-27 | 2001-07-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Integrated RF power sensor that compensates for bias changes |
DE10039665A1 (de) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Rohde & Schwarz | Leistungssensor |
US20030054780A1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-03-20 | Hitachi, Ltd. | High frequency power amplifying circuit, and mobile communication apparatus using it |
US6753734B2 (en) | 2001-06-06 | 2004-06-22 | Anadigics, Inc. | Multi-mode amplifier bias circuit |
US6842075B2 (en) * | 2001-06-06 | 2005-01-11 | Anadigics, Inc. | Gain block with stable internal bias from low-voltage power supply |
DE10205359A1 (de) * | 2002-02-08 | 2003-08-21 | Rohde & Schwarz | Leistungsdetektor mit Gleichspannungsentkopplung |
US6624702B1 (en) | 2002-04-05 | 2003-09-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Automatic Vcc control for optimum power amplifier efficiency |
US7010284B2 (en) | 2002-11-06 | 2006-03-07 | Triquint Semiconductor, Inc. | Wireless communications device including power detector circuit coupled to sample signal at interior node of amplifier |
US20040072554A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Automatic-bias amplifier circuit |
US20040070454A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Continuous bias circuit and method for an amplifier |
US7177370B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-02-13 | Triquint Semiconductor, Inc. | Method and architecture for dual-mode linear and saturated power amplifier operation |
JP3900433B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-04-04 | ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 | 通信端末 |
US20070176665A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Analog Devices, Inc. | Variable voltage attenuator circuits |
JP2009055117A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Agc回路 |
US8175554B2 (en) * | 2008-05-07 | 2012-05-08 | Intel Mobile Communications GmbH | Radio frequency communication devices and methods |
CN101626103B (zh) * | 2008-07-07 | 2012-12-12 | 华为技术有限公司 | 耦合器及信号收发系统 |
US20110298435A1 (en) | 2010-06-07 | 2011-12-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and method for voltage distribution |
JP2012213108A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Nec Corp | 検波回路、検波方法およびマイクロ波無線通信装置 |
KR101399902B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2014-05-29 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 방향성 결합기 센서 장치 |
US9755670B2 (en) | 2014-05-29 | 2017-09-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Adaptive load for coupler in broadband multimode multiband front end module |
GB2542057B (en) | 2014-06-12 | 2021-09-29 | Skyworks Solutions Inc | Devices and methods related to directional couplers |
US9553617B2 (en) | 2014-07-24 | 2017-01-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for reconfigurable directional couplers in an RF transceiver with controllable capacitive coupling |
US9685687B2 (en) * | 2014-09-15 | 2017-06-20 | Infineon Technologies Ag | System and method for a directional coupler |
EP3026441A1 (en) * | 2014-11-27 | 2016-06-01 | Nxp B.V. | Apparatus for measuring RF power and associated methods |
US9614269B2 (en) * | 2014-12-10 | 2017-04-04 | Skyworks Solutions, Inc. | RF coupler with adjustable termination impedance |
US9947985B2 (en) * | 2015-07-20 | 2018-04-17 | Infineon Technologies Ag | System and method for a directional coupler |
CN108292793B (zh) | 2015-09-10 | 2021-03-09 | 天工方案公司 | 用于多频功率检测的电磁耦合器 |
TWI716539B (zh) | 2016-02-05 | 2021-01-21 | 美商天工方案公司 | 具有多波段濾波的電磁耦合器 |
US9960747B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-05-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Integrated filter and directional coupler assemblies |
TW201801360A (zh) | 2016-03-30 | 2018-01-01 | 天工方案公司 | 用於耦合器線性改良及重組態的可調主動矽 |
WO2017189825A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Tunable electromagnetic coupler and modules and devices using same |
US10084224B2 (en) | 2016-04-29 | 2018-09-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Compensated electromagnetic coupler |
CN109417215B (zh) | 2016-05-09 | 2021-08-24 | 天工方案公司 | 具有自动频率检测的自调节电磁耦合器 |
US10164681B2 (en) | 2016-06-06 | 2018-12-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Isolating noise sources and coupling fields in RF chips |
US10403955B2 (en) | 2016-06-22 | 2019-09-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Electromagnetic coupler arrangements for multi-frequency power detection, and devices including same |
US10742189B2 (en) | 2017-06-06 | 2020-08-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Switched multi-coupler apparatus and modules and devices using same |
CN111699359B (zh) * | 2018-01-26 | 2022-07-08 | 线性视觉公司 | 用于功率传输线路监测的系统和方法 |
CN110632533B (zh) * | 2019-08-08 | 2022-09-27 | 苏州博维仪器科技有限公司 | 一种rf射频电源的功率检测系统 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2833203A1 (de) * | 1978-07-27 | 1980-02-07 | Siemens Ag | Messwandler mit einer von einem zu messenden strom durchflossenen primaerwicklung |
JPS6110327Y2 (fi) * | 1980-01-10 | 1986-04-03 | ||
JPH0630031B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1994-04-20 | 日本電気株式会社 | 自動電力制御回路 |
US4967159A (en) * | 1989-02-23 | 1990-10-30 | Abbott Laboratories | Self-balancing reflectometer |
FI87030C (fi) * | 1989-03-29 | 1992-11-10 | Nokia Mobira Oy | Analog pulsformare |
US5214372A (en) * | 1989-05-11 | 1993-05-25 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Linearizing circuit for dectection of a RF-power sensor |
FI82796C (fi) * | 1989-05-12 | 1991-04-10 | Nokia Mobira Oy | Koppling foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. |
FI81931C (fi) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Nokia Mobira Oy | Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. |
FI83717C (fi) * | 1989-09-25 | 1991-08-12 | Nokia Mobile Phones Ltd | Foerfarande foer intrimning och kompensation av effektnivaoer i en radiotelefon. |
FI87028C (fi) * | 1989-12-22 | 1992-11-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Metod foer att reglera effekt hos en spaenningsstyrd effektfoerstaerkare och koppling foer anvaendning i metoden |
JPH03219714A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-27 | Fujitsu Ltd | 自動レベル制御回路 |
US5109532A (en) * | 1990-01-30 | 1992-04-28 | General Instrument Corporation | Elimination of phase noise and drift incident to up and down conversion in a broadcast communication system |
US5214393A (en) * | 1990-08-20 | 1993-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transmission output control circuit |
FR2667999B1 (fr) * | 1990-10-10 | 1996-11-22 | Alcatel Espace | Dispositif micro-onde correcteur de pente, notamment dans le domaine spatial. |
FI88564C (fi) * | 1991-01-14 | 1993-05-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Styrbar hoegfrekvensdaempare |
TW225619B (fi) * | 1991-07-19 | 1994-06-21 | Nippon Electric Co | |
FI92531C (fi) * | 1991-07-23 | 1994-11-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Suurtaajuusilmaisin laajalla dynamiikalla |
JPH0555936A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 送信電力制御装置 |
US5212815A (en) * | 1991-09-03 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Radio equipment directional coupler |
FI89845C (fi) * | 1991-09-04 | 1993-11-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Koppling foer alstring av saendningssignal i en radiotelefon |
FI89110C (fi) * | 1991-09-19 | 1993-08-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Effektdetektor |
US5276917A (en) * | 1991-10-22 | 1994-01-04 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Transmitter switch-on in a dual-mode mobile phone |
US5304961A (en) * | 1992-03-30 | 1994-04-19 | Motorola, Inc. | Impedance transforming directional coupler |
FI91201C (fi) * | 1992-06-05 | 1994-05-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Boosteri |
FI930632A (fi) * | 1993-02-12 | 1994-08-13 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kytkentä lähetinvahvistimen tehon säätämiseksi |
US5432473A (en) * | 1993-07-14 | 1995-07-11 | Nokia Mobile Phones, Limited | Dual mode amplifier with bias control |
US5392464A (en) * | 1993-08-19 | 1995-02-21 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Directional detector for power level control |
US5493255A (en) * | 1995-03-21 | 1996-02-20 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Bias control circuit for an RF power amplifier |
-
1995
- 1995-05-10 FI FI952268A patent/FI101505B1/fi active
-
1996
- 1996-03-26 EP EP96660007A patent/EP0742649A3/en not_active Withdrawn
- 1996-05-02 JP JP11171396A patent/JPH08335809A/ja active Pending
- 1996-05-09 US US08/644,037 patent/US5745016A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI952268A0 (fi) | 1995-05-10 |
EP0742649A3 (en) | 1999-01-07 |
US5745016A (en) | 1998-04-28 |
EP0742649A2 (en) | 1996-11-13 |
FI952268A (fi) | 1996-11-11 |
FI101505B1 (fi) | 1998-06-30 |
JPH08335809A (ja) | 1996-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI101505B (fi) | Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi p ienillä tehotasoilla | |
US5392464A (en) | Directional detector for power level control | |
US5678209A (en) | Transmit power level detection circuit with enhanced gain characteristics | |
US9209754B2 (en) | Amplifier with adjustable load | |
US20060240788A1 (en) | Transmission output control circuit, and wireless device using the same | |
US20070069820A1 (en) | Electronic parts for high frequency power amplifier | |
JPS61210728A (ja) | 送信機の出力電力制御装置 | |
KR20000005825A (ko) | 전력증폭회로와안정화회로를구비하는무선주파수장치와,이러한장치를구비하는이동트랜시버단말기 | |
KR100389074B1 (ko) | 온도보상검파기를갖춘송신기및검파기 | |
FI108177B (fi) | Matkaviestinlaitteiden lähetin | |
JP2007525901A (ja) | 負荷不感性電力増幅器 | |
US6571087B1 (en) | Radio transmitter apparatus | |
US7268618B2 (en) | Power amplifiers | |
US5296825A (en) | Bias circuit having signal output to detector portion | |
FI82333B (fi) | Radiosaendares hoegfrekvensfoerstaerkare. | |
CN112688653B (zh) | 一种双极性大功率可调衰减器 | |
EP0456921A1 (en) | Attenuator | |
JP3351067B2 (ja) | 検波回路 | |
JP3872002B2 (ja) | 送信出力制御回路 | |
JP2005252847A (ja) | 可変電力分配方法、可変電力分配器及び送信電力制御回路 | |
CN216599558U (zh) | 一种agc温度补偿电路 | |
KR900001068B1 (ko) | 전력 증폭기의 자동보호장치 | |
US5955927A (en) | RF power transistor control using collector current | |
JP2638923B2 (ja) | 送信機出力制御回路 | |
US6329862B1 (en) | Reference frequency signal switching circuit capable of adjusting level of external reference frequency signal and outputting resultant signal |