FI108177B - Matkaviestinlaitteiden lähetin - Google Patents
Matkaviestinlaitteiden lähetin Download PDFInfo
- Publication number
- FI108177B FI108177B FI970024A FI970024A FI108177B FI 108177 B FI108177 B FI 108177B FI 970024 A FI970024 A FI 970024A FI 970024 A FI970024 A FI 970024A FI 108177 B FI108177 B FI 108177B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- high frequency
- power
- transistor
- voltage
- transmitter
- Prior art date
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 29
- 101710092886 Integrator complex subunit 3 Proteins 0.000 claims description 5
- 102100025254 Neurogenic locus notch homolog protein 4 Human genes 0.000 claims description 5
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 3
- 102100038804 FK506-binding protein-like Human genes 0.000 description 2
- 102100028043 Fibroblast growth factor 3 Human genes 0.000 description 2
- 101001031402 Homo sapiens FK506-binding protein-like Proteins 0.000 description 2
- 102100024061 Integrator complex subunit 1 Human genes 0.000 description 2
- 101710092857 Integrator complex subunit 1 Proteins 0.000 description 2
- 108050002021 Integrator complex subunit 2 Proteins 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/504—Indexing scheme relating to amplifiers the supply voltage or current being continuously controlled by a controlling signal, e.g. the controlling signal of a transistor implemented as variable resistor in a supply path for, an IC-block showed amplifier
Landscapes
- Transmitters (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Monitoring And Testing Of Transmission In General (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
Description
i 108177
Matkaviestinlaitteiden lähetin - Sändare för mobila teleanordningar
Nyt esillä oleva keksintö kohdistuu patenttivaatimuksen 1 johdanto-osassa esitettyyn 5 viestintälaitteiden lähettimeen sekä patenttivaatimuksen 9 johdanto-osassa esitettyyn matkaviestimeen.
Viestintälaitteiden lähettimissä on suurtaajuustehovahvistin, jossa lähetettävä signaali vahvistetaan. Suurtaajuustehovahvistimen ulostulo on kytketty antennin sovi-10 tuspiiriin, jossa antennin impedanssi sovitetaan suurtaajuustehovahvistimen ulostulon impedanssiin. Sovituksella pyritään mm. estämään heijastuvien aaltojen muodostumista antennista suurtaajuustehovahvistimeen päin. Suurtaajuustehovahvisti-met ovat kuitenkin herkkiä kuormituksen vaihteluille. Kuormituksen vaihtelut aikaansaavat mm. vahvistettavan signaalin säröytymistä. Vaikeissa kuormitusolosuh-15 teissä on lisäksi mahdollista, että suurtaajuustehovahvistin vioittuu. Erityisesti kannettavissa viestintälaitteissa suurtaajuustehovahvistimien kuormitusvaihtelut johtuvat mm. antennin ja käyttöympäristön välisestä vuorovaikutuksesta ja muutoksista käyttöolosuhteissa. Esimerkiksi antennin läheisyydessä olevat metalliesineet voivat muuttaa kannettavan viestintälaitteen antennin impedanssia merkittävästi. Tämä 20 puolestaan vaikuttaa suurtaajuustehovahvistimen pääteasteen toimintapisteeseen, jolloin transistoriin kohdistuu suuria jännite- ja virtavaihteluita. Nämä jännite- ja virtavaihtelut voivat aikaa myöten huonontaa suurtaajuustehovahvistimen pääteasteen transistorin suorituskykyä ja mahdollisesti myös lyhentää sen käyttöikää.
25 On kehitetty ratkaisuja, joissa suurtaajuustehovahvistimen muodostamaa tehosig-naalia mitataan suuntakytkimen ja diodi-ilmaisimen avulla. Esimerkiksi kuvassa 1 on esitetty eräs tunnetun tekniikan mukainen kytkentä, jossa suuntakytkin DIR1 ottaa näytteitä lähtöön syötettävästä tehosta. Näytteet ilmaistaan ilmaisindiodillaDl. Tällainen suuntakytkimeen perustuva menetelmä toimii hyvin silloin, kun kuormi-30 tusimpedanssi Z on vakio. Menetelmä antaa kuitenkin virheellistä tietoa sellaisissa : tilanteissa, joissa kuormitusimpedanssi vaihtelee, kuten kannettavien viestintälait teiden käytön aikana on tavallista. Tämän osoittamiseksi on simuloitu kuvan 1 kytkennän toimintaa. Simulointitulokset ovat nähtävissä kuvissa 2a—2e. Pääteasteen tehotransistorina Tl on käytetty tässä simuloinnissa bipolaaritransistoria, joka bia-35 soitiin luokkaan AB, ja harmonisten muodostuksessa käytettiin yliaaltoloukkua. Suuntakytkimellä DIR1 otettiin näytteitä lähtötehosta, ja näytteet ilmaistiin ilmaisin-diodilla Dl. Ilmaisindiodi Dl biasoitiin lineaariselle toiminta-alueelle, jolloin lähtö-teho on verrannollinen ilmaisindiodin Dl muodostaman jännitteen Vmeas neliöön.
2 108177
Suurtaajuusvahvistimen kuormitusvaihtelut ovat yleisiä kannettavissa viestintälaitteissa, kuten matkaviestimissä, koska ympäristön ja antennin vuorovaikutus aiheuttaa suurtaajuustehovahvistimeen kuormitusvaihteluita. Taulukossa 1 on esitetty simuloinnin yhteydessä käytettyjä erilaisia impedanssiarvoja. Ensimmäisen simu-5 loinnin yhteydessä käytettiin kuormitusimpedanssia Z, jolla saatiin optimaalinen resistiivinen kuorma simuloidulle vahvistimelle. Muissa simuloinneissa käytettiin erilaisia kuormitusimpedansseja Z, joilla sovitus ei ole oikea. Käytetyt arvot vastaavat -3 dB heijastushäviötä 6 ohmin kuormaan. Simulointituloksia eri kuormitus-impedanssien arvoilla esitetään kuvissa 2a—2e. Tehomittaus kalibroitiin siten, että 10 kahden watin lähtöteholla saatiin oikea teholukema. Kuvissa 2a—2e on esitetty sekä ilmaisindiodin Dl muodostaman jännitteen Vmeas neliö että vahvistimen lähtöteho Pout eri kuormitustilanteissa.
Simulointi nro Kuormitusimpedanssin Z
_arvo_ 1 _6Ω_ 2 _2_Ω_ 3 _18 Ω_ 4 _3,6+j4,8 Ω_ 5 3,6-j4,8 Ω ~ 15 Taulukko 1
Kuvasta 2a voidaan havaita se, että tehomittaus antaa tarkan tuloksen optimikuormi-: tusolosuhteissa. Kuvista 2b—2e voidaan edelleen havaita se, että vahvistimen kuor mituksen vaihdellessa ilmaistun jännitteen neliö ei enää ole sama kuin kuormaan 20 johdettu teho, jolloin mittaus ei anna oikeaa kuvaa vahvistimen kuormitustilanteesta.
Vielä eräänä epäkohtana suuntakytkimen käyttämisessä on se, että suuntakytkin aiheuttaa tehohäviöitä lähetettävään signaaliin. Käytännön toteutuksissa suuntakytkin on tyypillisesti toteutettu suoraan piirilevyyn (PCB, Printed Circuit Board) 25 muodostetulla johdotuksella, jolloin suuntakytkimen tehohäviö on tyypillisesti n. 0,5 dB. Lisäksi suoraan piirilevyyn muodostettu suuntakytkin kuluttaa tarpeettoman paljon piirilevytilaa.
Signaalitehon mittausta käytetään suurtaajuuslähettimien lähtötehon säätämiseen.
30 3 108177
Nyt esillä olevan keksinnön tarkoituksena on vähentää edellä esitettyjä epäkohtia ja aikaansaada laite tehon säätämiseksi viestintälaitteen lähettimen tehovahvistimessa ' ja matkaviestin, jossa keksintöä on edullista soveltaa. Keksintö perustuu siihen ajatukseen, että mitataan suurtaajuustehovahvistimen pääteasteessa jännite ja virta, “ 5 jolloin kuorman impedanssi pääteasteessa voidaan laskea ja säätää lähetystehoa vastaavasti. Keksinnön mukaiselle lähettimelle on tunnusomaista se, mitä on esitetty oheisen patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa. Keksinnön mukaiselle matkaviestimelle on tunnusomaista se, mitä on esitetty oheisen patenttivaatimuksen 9 tunnusmerkkiosassa.
10
Nyt esillä olevalla keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja tunnetun tekniikan mukaisiin lähettimiin ja matkaviestimiin verrattuna. Edullisesti mitataan vahvistimen läpi kulkeva suurtaajuinen virta sekä suurtaajuinen jännite vahvistimen lähdössä, jolloin kuormitusimpedanssi voidaan laskea hyvin tarkasti ja pääteaste säädettyä 15 tämän perusteella optimiin toimintapisteeseen. Suurtaajuinen virta ja suurtaajuinen jännite mitataan mahdollisimman läheltä pääteasteen lähtöä, erillään vahvistetusta lähtösignaalista, jolloin mahdolliset siirtolinjahäviöt ja muut mittaustuloksiin vaikuttavat häviöt saadaan eliminoitua ja mittausten luotettavuutta parannettua tunnetun tekniikan mukaisiin mittauksiin verrattuna. Lisäksi saadaan tarkemmin selville 20 pääteasteen transistorilla vaikuttava todellinen kuormitus lähetyksen aikana, mikä varmentaa transistorin optimaalisen toimintapisteen säätämistä vaihtelevissa käyttöolosuhteissa. Nyt esillä olevan keksinnön mukaisen lähettimen hyötysuhde paranee tunnetun tekniikan mukaisiin lähettimiin verrattuna, koska suurtaajuisen virran ja jännitteen mittaus ei aiheuta merkittävää tehohäviötä lähtösignaaliin.
25 Paremman hyötysuhteen ansiosta voidaan lähettimen lähtötehoa pienentää jonkin verran. Mittauskytkentä voidaan lisäksi toteuttaa pieneen tilaan integroimalla se samalle puolijohdepalalle kuin tehovahvistimen pääteasteen tehotransistori. Tästä on mm. se etu, että signaalien siirtotiet saadaan mahdollisimman lyhyiksi, mikä pienentää signaaliteiden välistä vuorovaikutusta. Myös piirilevytilaa säästyy ja vies-30 tintälaitteiden kokoa voidaan pienentää. Keksinnön mukaisissa mittauksissa huomioidaan myös kuormitusimpedanssin mahdolliset vaihtelut, mikä myös lisää mittauksen luotettavuutta.
Keksintöä selostetaan seuraavassa tarkemmin viitaten samalla oheisiin piirustuksiin, 35 joissa kuva 1 esittää simulointikytkentää tunnetun tekniikan mukaisesta teho- ’ mittauksesta, 108177 4 kuvat 2a—2e esittävät kuvan 1 simulointituloksia, » kuva 3 esittää keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaista mit- 5 tauskytkentää, kuvat 4a—4e esittävät kuvan 3 kytkennälle mitattuja ja laskettuja lähtötehoja eri kuormitusimpedansseilla, 10 kuvat 5a—5e esittävät kuvan 3 kytkennälle mitattuja ja laskettuja jännitteitä transistorin kollektoriemitteriliitoksen yli eri kuormitusimpedans-sin arvoilla, kuvat 6a—6e esittävät kuvan 3 mitattuja ja laskettuja transistorin emitterivirto- 15 ja kuormitusimpedanssin eri arvoilla, kuvat 7a—7e esittävät kuvan 3 kytkennälle transistorin kuormitusimpedanssin arviointituloksia, 20 kuva 8 esittää keksinnön toista edullista suoritusmuotoa, ja kuva 9 esittää keksinnön mukaista matkaviestintä.
Kuvan 3 lohkokaaviossa on esitetty keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mu-25 kaista lähettimen suurtaajuustehovahvistimen pääteastetta sekä mittauspiiriä. Pääte-asteen vahvistuselimenä voidaan käyttää edullisesti transistoria Tl tai muuta vahvistavaa komponenttia. Lähetettävä suurtaajuinen signaali johdetaan Pin-nastaan. Suurtaajuinen signaali johdetaan edelleen ensimmäisen kondensaattorin Cl läpi pääteasteen transistorin Tl kannalle vahvistettavaksi. Transistorina Tl voi olla esi-30 merkiksi bipolaaritransistori, jonka tehonkesto ja suurtaajuusominaisuudet ovat riittävät kulloinkin käytettävässä sovelluksessa. Transistorin Tl toimintapiste asetetaan oikeaksi transistorin Tl kannalle johdettavan biasointijännitteen avulla. Bia-sointijännite muodostetaan biasointijännitelähteellä Ubias ja johdetaan ensimmäisen kuristimen LI kautta. Biasointijännite Ubias voidaan muodostaa esimerkiksi vastuk-35 silla toteutetulla jännitteenjakokytkennällä, ja on alan ammattimiehen sinänsä tuntemaa tekniikkaa.
• * 5 108177
Transistorin Tl kannalle johdettu suurtaajuinen lähetettävä signaali vahvistetaan transistorissa Tl, jolloin kollektorilta saadaan vahvistettu suurtaajuinen lähtösig-naali, joka johdetaan toisen kondensaattorin C2 kautta kuormitusimpedanssiin Z. Kuormitusimpedanssi Z käsittää edullisesti antennin sekä sovituselimet kollektori-' 5 piirin ja antennin välisen optimaalisen sovituksen aikaansaamiseksi. Lisäksi sovitus- piiri voi käsittää kaistanpäästösuodattimen, jolla vaimennetaan harhalähetteitä.
Transistorin Tl tarvitsema käyttöjännite johdetaan transistorin Tl kollektorille toisen kuristimen L2 kautta.
10
Transistorin Tl emitteripiiri käsittää edullisesti tasausvastuksen Rl sekä maadoitus-haj ainduktanssin L3.
Transistorin Tl kollektoriemitteriliitoksen suurtaajuinen vaihtojännite mitataan 15 edullisesti siten, että kollektorilta johdetaan jännitesignaali kolmannen kondensaattorin C3 kautta ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI positiiviseen tulolinjaan ja transistorin Tl emitterin vaihtojännite johdetaan neljännen kondensaattorin C4 kautta ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI negatiiviseen tulolinjaan. Tällöin ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI ulostulosta saadaan suurtaajuiseen kol-20 lektoriemitterijännitteeseen VcE verrannollinen jännite Vrf.
Transistorin Tl suurtaajuinen emitterivirta IE voidaan selvittää mittaamalla tasaus-vastuksen Rl yli oleva jännite. Koska tasausvastuksen Rl vastusarvo tiedetään, voidaan tasausvastuksen läpi kulkeva virta Ibai laskea Ohmin lain mukaisesti kaa-.· 25 vasta Ibal = UbaJ / Rl, missä Ubaj on tasausvastuksen päiden välillä oleva jännite.
Kuvan 3 mukaisessa kytkennässä emitterivirta IE on oleellisesti sama kuin tasaus-vastuksen Rl läpi kulkeva virta Ibaj. Tämä jännite mitataan johtamalla transistorin emitterijännite neljännen kondensaattorin C4 kautta toisen differentiaalivahvistimen A2 negatiiviseen tulolinjaan ja tasausvastuksen Rl maadoitushajainduktanssin L3 30 puolen jännite viidennen kondensaattorin C5 kautta toisen differentiaalivahvistimen A2 positiiviseen tulolinjaan. Toinen differentiaalivahvistin A2 muodostaa siis transistorin Tl emitterivirtaan verrannollisen jännitesignaalin, jota tässä merkitään tunnuksella Irf.
35 Jännitteeseen verrannollisesta signaalista V,f muodostetaan itseisarvo |Vrf| ensimmäisessä tasasuuntaajassa RECT1 ja integroidaan ensimmäisessä integraattorissa \ INT1, jolloin saadaan transistorin Tl kollektoriemitterijännitteen keskiarvoon ver rannollinen jännite Vmeas. Emitterivirtaan verrannollisesta jännitteestä Irf muodos- 6 108177 tetaan itseisarvo |lrf| toisessa tasasuuntaajassa RECT2. Tasasuunnattu jännite edelleen integroidaan toisessa integraattorissa INT2, jolloin toisen integraattorin lähdöstä saadaan emitterivirran keskiarvoon verrannollinen jännite Imeas.
5 Transistorin Tl muodostama todellinen keskimääräinen teho saadaan selville, kun kerrotaan jännite- ja virta-arvot. Kuvan 3 kytkennässä tämä on toteutettu siten, että johdetaan ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI lähtösignaali sekä toisen differentiaalivahvistimen A2 lähtösignaali kertojapiirille Ml, kuten sekoittimelle. Kerto-japiiri Ml muodostaa kulloiseenkin hetkelliseen tehoon verrannollisen signaalin, 10 joka integroidaan kolmannessa integraattorissa INT3 todellisen tehon keskiarvoon verrannollisen jännitteen Pdc muodostamiseksi.
Keksinnön mukaiset mittaukset muodostetaan mahdollisimman lähellä pääteasteen tehotransistoria Tl olevista signaaleista, jolloin mahdolliset siirtolinjahäviöt ja muut 15 mittaustuloksiin vaikuttavat häviöt saadaan eliminoitua ja mittausten luotettavuutta parannettua tunnetun tekniikan mukaisiin mittauksiin verrattuna. Lisäksi saadaan tarkemmin selville pääteasteen transistorilla vaikuttava todellinen kuormitus lähetyksen aikana, mikä varmentaa transistorin optimaalisen toimintapisteen säätämistä vaihtelevissa käyttöolosuhteissa.
20
Kuvissa 4a—4e on esitetty eräitä simulointituloksia kuvan 3 mukaisella keksinnön edullisen suoritusmuodon simulointikytkennällä. Kuvissa katkoviivoilla on esitetty mitattua lähtötehoa Pdc ja yhtenäisellä viivalla teoreettista laskettua lähtötehoa Pout perustaajuudella. Tehot on esitetty syöttötehon Pin funktiona. Eri kuvien välisenä 25 erona on simuloinnissa käytetty kuormitusimpedanssi Z, jonka arvot eri simuloinneissa ovat taulukon 1 mukaiset. Kuvista voidaan havaita selkeästi se, että sekä mitattu että laskettu teho vastaavat hyvin toisiaan. Erot johtuvat lähinnä siitä, että mitattu teho Pdc on kokonaisteho sisältäen harmoniset taajuudet, joita taas ei ole lasketussa teoreettisessa tehoarvossa Pout.
30
Kuten edellä kuvan 3 kytkentää selostettaessa esitettiin, mitataan tehon lisäksi myös transistorin Tl suurtaajuusvirrat ja jännitteet. Transistorin jännitteiden ja virtojen mittauksilla on suuri merkitys transistorin optimaalisten toimintaolosuhteiden ylläpitämisen kannalta. Erityisesti tehotransistoreissa kuormituksen vaihtelut vaikuttavat 35 suoraan virtojen ja jännitteiden heilahteluina. Voimakkaat jännite- ja virtavaihtelut aiheuttavat signaaliin säröä ja voivat jopa tuhota transistorin.
« · 108177 7
Eräs esimerkki, jossa pääteasteen tehotransistoriin voi muodostua voimakkaita jännite- ja virtavaihteluita, on tilanne, jossa ilman akkua oleva matkaviestin on kyt-' ketty latauslaitteeseen ja antenni on mahdollisesti vielä huonosti asennettu pai koilleen. Nyt esillä olevan keksinnön mukaisessa lähettimessä voidaan transistorin 5 jännitteen ja virran mittaustietoa käyttää transistorin toimintapisteen säätämisessä, jolloin signaalin säröytyminen on huomattavasti pienempää ja voidaan välttyä pääteasteen transistorin tuhoutumiselta.
Toinen esimerkkitilanne, jossa suuret jännite- ja virtavaihtelut ovat mahdollisia on 10 se, kun bipolaaritransistoria kuormitetaan pieni-impedanssisella kuormituksella. Tällöin transistorissa muodostuu erittäin voimakkaita virtavaihteluita, jotka pitkällä aikavälillä huonontavat transistorin luotettavuutta. Myös tällaisissa tilanteissa keksinnön mukainen mittausmenetelmä ehkäisee mainitut epäkohdat.
15 Kuvissa 5 a—5 e on esitetty teoreettiset sekä mitatut transistorin kollektoriemitterilii- toksen jännitearvot kuvan 3 mukaisessa kytkennässä. Kuvissa on yhtenäisellä viivalla esitetty transistorin Tl kollektoriemitteriliitoksen suurtaajuusjännitteen laskennallista tehollisarvoa Vcaic (RMS-arvo). Katkoviivalla on esitetty tasasuunnattu ja alipäästösuodatettu jännite Vmeas, joka on transistorin Tl kollektoriemitteriliitoksen 20 suurtaajuusjännitteen hyvä estimaatti. Vastaavat mittaustulokset voitaisiin muodostaa myös käyttämällä huippuilmaisinta (Peak Detector) tasasuuntaajan RECTI sijasta. Kuvista 5a—5e voidaan havaita se, että mitatut arvot vastaavat hyvin tarkasti laskettuja arvoja, eli mittaus on hyvin luotettava. Kuvista on nähtävissä myös se, että suuri-impedanssisilla ja aktiivisilla kuormituksilla transistorin kollektoriemitte-25 rijännite kasvaa verrattuna optimaaliseen resistiiviseen 6 Ω:η kuormaan.
Transistorin Tl suurtaajuisen emitterivirran simulointituloksia on vastaavasti esitetty kuvissa 6a—6e, joissa yhtenäisellä viivalla on merkitty laskennallista virtaa Icaic ja katkoviivalla mitattua virtaa Imeas. Käytetyt impedanssiarvot ovat samat kuin 30 edellä olleissa kuvissa, eli taulukon 1 mukaiset. Suuria virtavaihteluita on havaittavissa kuvassa 6b, jolloin käytetty impedanssi oli resistiivinen 2 Ω:η kuorma sekä kuvassa 6e, jolloin kuormitusimpedanssina oli 3,6+j4,8 Ω.
Keksinnöllä saavutetaan vielä se etu, että suurtaajuisen virran ja jännitteen 35 mittaustuloksia voidaan käyttää arvioitaessa pääteasteen transistorin Tl todellista kuormitusimpedanssia. Kuormitusimpedanssin itseisarvo on verrannollinen mitatun " jännitteen ja virran suhteeseen: Vmeas/Imeas, ja cos (φ) -termi on verrannollinen kaavaan Pdc/(Imeas x Vmeas). Nämä tulokset on esitetty kuvissa 7a—7e.
8 108177
Aikaisemmin tässä selityksessä esitetyn kuvan 3 mukaisen keksinnön edullisen suoritusmuodon lohkokaavion lohkot ovat sinänsä tunnettuja ja niistä löytyy lukuisia esimerkkejä alan kirjallisuudesta.
5 Joissakin käytännön sovelluksissa voidaan pääteasteen transistori Tl toteuttaa useista rinnankytketyistä transistoreista riittävän lähtötehon aikaansaamiseksi. Tällöin jännite mitataan kuten edellä on esitetty, ja virta mitataan jonkin transistorin emitteriltä. Tällöin virtamittaustulos on kerrottava rinnankytkettyjen transistorien määrällä. Tämä voidaan sopivimmin toteuttaa siten, että asetetaan toisen differenti-10 aalivahvistimen A2 vahvistus vastaavasti, esimerkiksi kolmea transistoria käytettäessä vahvistus asetetaan kolminkertaiseksi yhdellä transistorilla toteutettuun sovellukseen verrattuna.
Kuvassa 8 on esitetty keksinnön toinen edullinen suoritusmuoto pelkistettynä 15 lohkokaaviona. Erona kuvan 3 mukaiseen suoritusmuotoon on lähinnä se, että virta-mittaus suoritetaan pääteasteen ulostulolinjaan kytketyn toisen vastuksen R2 avulla. Jännite-ja virtamittaustuloksia käsitellään, kuten kuvan 3 suoritusmuodon yhteydessä on esitetty.
20 Kuten jo edellä mainittiin, voidaan tasasuuntaajien RECTI, RECT2 tilalla käyttää huippuilmaisimia.
Edellä esitetyt mittaukset on pyrittävä sijoittamaan mahdollisimman lähelle pääte-asteen tehotransistoria Tl, jolloin mittauskytkentä edullisimmin integroidaan sa-.· 25 malle puolijohdepalalle kuin tehotransistori. Tästä on mm. se etu, että signaalien siirtotiet saadaan, mahdollisimman lyhyiksi, mikä pienentää signaaliteiden välistä vuorovaikutusta. Sellaisissa sovelluksissa, joissa käytettävien suurtaajuisten signaalien taajuudet eivät ole kovin korkeita, voidaan käyttää myös erillisiä komponentteja mittauskytkennän toteutuksessa.
30
Kuvassa 9 on esitetty eräs nyt esillä olevan keksinnön mukainen matkaviestin 1 pelkistettynä lohkokaaviona. Matkaviestin 1 on esimerkiksi GSM-matkaviestin. Lähettimen 2 modulointilohkossa 3 muodostetaan suurtaajuinen signaali, johon lähetettävä signaali, kuten mikrofonin 11 signaali, on moduloitu. Suurtaajuinen signaali 35 johdetaan pääteasteen 4 Pin-nastaan. Pääteaste 4 tässä esimerkissä vastaa kuvan 3 mukaista pääteastetta. Suurtaajuinen signaali johdetaan edelleen ensimmäisen kondensaattorin Cl läpi pääteasteen transistorin Tl kannalle vahvistettavaksi. Transistorina Tl voi olla esimerkiksi bipolaaritransistori, jonka tehonkesto ja suurtaajuus- 9 108177 ominaisuudet ovat riittävät kulloinkin käytettävässä sovelluksessa. Transistorin Tl toimintapiste asetetaan oikeaksi transistorin Tl kannalle johdettavan biasointijännit-‘ teen avulla. Biasointijännite muodostetaan biasointijännitelähteellä Ubias ja johde taan ensimmäisen kuristimen LI kautta.
5
Transistorin Tl kannalle johdettu suurtaajuinen lähetettävä signaali vahvistetaan transistorissa Tl, jolloin kollektorilta saadaan vahvistettu suurtaajuinen lähtösignaa-li, joka johdetaan toisen kondensaattorin C2 kautta kuormitusimpedanssiin Z. Kuormitusimpedanssi Z käsittää edullisesti antennin sekä sovituselimet kollektori-10 piirin ja antennin välisen optimaalisen sovituksen aikaansaamiseksi. Lisäksi sovi-tuspiiri voi käsittää kaistanpäästösuodattimen, jolla vaimennetaan harhalähetteitä.
Transistorin Tl tarvitsema käyttöjännite johdetaan transistorin Tl kollektorille toisen kuristimen L2 kautta.
15
Transistorin Tl emitteripiiri käsittää edullisesti tasausvastuksen Rl sekä maadoitus-hajainduktanssin L3.
Transistorin Tl kollektoriemitteriliitoksen suurtaajuinen vaihtojännite mitataan 20 edullisesti siten, että kollektorilta johdetaan jännitesignaali kolmannen kondensaattorin C3 kautta ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI positiiviseen tulo-linjaan ja transistorin Tl emitterin vaihtojännite johdetaan neljännen kondensaattorin C4 kautta ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI negatiiviseen tulolinjaan. Tällöin ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI ulostulosta saadaan suurtaa-25 juiseen kollektoriemitterijännitteeseen VCE verrannollinen jännite Vrf.
Transistorin Tl suurtaajuinen emitterivirta IE voidaan selvittää mittaamalla tasaus-vastuksen Rl yli oleva jännite, kuten edellä kuvan 3 selityksen yhteydessä on esitetty. Tämä jännite niitataan johtamalla transistorin emitterijännite neljännen kon-30 densaattorin C4 kautta toisen differentiaalivahvistimen A2 negatiiviseen tulolinjaan ja tasausvastuksen Rl maadoitushajainduktanssin L3 puolen jännite viidennen kondensaattorin C5 kautta toisen differentiaalivahvistimen A2 positiiviseen tulolinjaan. Toinen differentiaalivahvistin A2 muodostaa siis transistorin Tl emitterivirtaan verrannollisen jännitesignaalin, jota tässä merkitään tunnuksella Irf.
35 Jännitteeseen verrannollisesta signaalista Vrf muodostetaan itseisarvo |Vrf| ensim-·; mäisessä tasasuuntaajassa RECT1 ja integroidaan ensimmäisessä integraattorissa INT1, jolloin saadaan transistorin Tl kollektoriemitterijännitteen keskiarvoon 10. 108177 verrannollinen jännite Vmeas. Emitterivirtaan verrannollisesta jännitteestä Irf muodostetaan itseisarvo |lrf| toisessa tasasuuntaajassa RECT2. Tasasuunnattu jännite edelleen integroidaan toisessa integraattorissa INT2, jolloin toisen integraattorin lähdöstä saadaan emitterivirran keskiarvoon verrannollinen jännite Imeas.
5
Transistorin Tl muodostama todellinen keskimääräinen teho saadaan selville, kun kerrotaan jännite- ja virta-arvot edullisesti siten, että johdetaan ensimmäisen differentiaalivahvistimen AI lähtösignaali sekä toisen differentiaalivahvistimen A2 lähtösignaali kertojapiirille Ml, kuten sekoittimelle. Kertojapiiri Ml muodostaa 10 kulloiseenkin hetkelliseen tehoon verrannollisen signaalin, joka integroidaan kolmannessa integraattorissa INT3 todellisen tehon keskiarvoon verrannollisen jännitteen Pdc muodostamiseksi.
Mittaustulokset muunnetaan analogia/digitaalimuuntimilla 5a, 5b, 5c digitaaliseen 15 muotoon ja johdetaan matkaviestimen kontrolliyksikölle 6, kuten mikro-ohjaimelle. Kontrolliyksikön 6 sovellusohjelmistoon on tehty ohjelma, jossa mittaustuloksia käsitellään mm. sen selvittämiseksi, onko lähetystehoa pienennettävä esim. ympäristöolosuhteiden aiheuttamasta pääteasteen 4 kuormitusimpedanssin muutoksesta johtuen.
20
Mikäli lähetystehon säätäminen on tarpeen, muodostaa kontrolliyksikkö 6 säätö-signaalin lähettimen modulointilohkolle 3, jolloin modulointilohkon 3 lähtösignaalin tehoa pienennetään, mikä vastaavasti pienentää pääteasteen 4 lähtötehoa.
25 Pääteasteelta 4 suurtaajuinen, vahvistettu signaali johdetaan duplex-suodattimen 7 kautta antennille 8. Kunkin matkaviestinjärjestelmän käyttöön on varattu tietty taajuusalue. Tämä taajuusalue on tavallisesti jaettu uplink- ja downlink-taajuusaluei-siin, eli matkaviestimen 1 lähetys tukiasemalle (ei esitetty) tapahtuu eri taajuudella kuin tukiaseman lähetys matkaviestimelle 1. Duplex-suodattimessa 7 on ensimmäi-30 nen kaistanpäästösuodatin 7a, jonka päästökaista käsittää matkaviestinjärjestelmän lähetystaajuusalueen, sekä toinen kaistanpäästösuodatin 7b, jonka päästökaista käsittää matkaviestinjärjestelmän vastaanottotaajuusalueen. Tällöin lähettimestä lähetettävät suurtaajuiset signaalit eivät häiritse vastaanottimen toimintaa, koska ne eivät merkittävässä määrin läpäise toista kaistanpäästösuodatinta 7b.
Vastaanotettavat suurtaajuiset signaalit johdetaan antennista 8 duplex-suodattimen 7 toisen kaistanpäästösuodattimen 7b kautta vastaanottimeen 9, joka on esim. tunne- 35 11 108177 tun tekniikan mukainen matkaviestimen vastaanotin. Vastaanottimessa 9 vastaanotettu signaali demoduloidaan ja johdetaan kuulokkeelle 12.
Lähettimen 2 ja vastaanottimen 9 paikallisoskillaattoritaajuudet muodostetaan pai-5 kallisoskillaattorilla 10, jonka taajuutta kontrolleri 6 ohjaa. Kuvan 9 matkaviestin 1 käsittää lisäksi näppäimistön 13 ja näyttöelimen 14.
Nyt esillä olevaa keksintöä ei ole rajoitettu ainoastaan edellä esitettyihin suoritusmuotoihin, vaan sitä voidaan muunnella oheisten patenttivaatimusten puitteissa.
• · • ·
Claims (10)
1. Matkaviestinlaitteiden lähetin (2), joka käsittää: suurtaajuustehovahvistimen lähetettävän suurtaajuussignaalin vahvistamiseksi, joka suurtaajuustehovahvistin käsittää pääteasteen (4) vahvistetun suurtaajuus- 5 signaalin antamiseksi, ja mittauselimet suurtaajuussignaalin tehon (Pdc) mittaamiseksi, tunnettu siitä, että mittauselimet käsittävät elimet (AI, RECTI, INTI, A2, RECT2, INT2) suurtaajuustehovahvistimen vahvistaman suurtaajuussignaalin jännitteen (Vce) Ja virran (IE) mittaamiseksi oleellisen välittömästi mainitussa pääteasteessa 10 (4) ja välineet (Ml, INT3) suurtaajuussignaalin tehon laskemiseksi mitatun suurtaa- juusjännitteen (Vmeas) ja suurtaajuusvirran (Imeas) perusteella.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että se käsittää kuormitusimpedanssin (Z), jonne vahvistettu suurtaajuussignaali on järjestetty joh- 15 dettavaksi, sekä välineet (Ml, INT3) kuormitusimpedanssin laskemiseksi mitatun suurtaajuusjännitteen (Vmeas) ja suurtaajuusvirran (Imeas) perusteella.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että pääteaste (4) käsittää vahvistuselimen (Tl), jossa suurtaajuussignaali on järjestetty vahvistetta- 20 vaksi, sekä välineet (Ml, INT3) suurtaajuussignaalin tehon laskemiseksi mitatun suurtaajuusjännitteen (Vmeas) ja suurtaajuusvirran (Imeas) perusteella.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että pääteasteen (4) vahvistuselin on toteutettu yhdellä transistorilla (Tl), jolloin suurtaajuusjännite 25 (Vce) on järjestetty niitattavaksi transistorin (Tl) kollektorin ja emitterin väliltä ja suurtaajuus virta (IE) on järjestetty mitattavaksi transistorin (Tl) emitteripiiristä.
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että pääteasteen (4) vahvistuselin on toteutettu kahdella tai useammalla transistorilla (Tl), jolloin suur- 30 taajuusjännite (Vce) on järjestetty mitattavaksi transistorin (Tl) kollektorin ja emitterin väliltä ja suurtaajuusvirta (IE) on järjestetty mitattavaksi yhden transistorin (Tl) emitteripiiristä, jolloin sopivimmin toisen differentiaalivahvistimen (A2) vahvistus on järjestetty vahvistuselimessä käytettyjen transistorien (Tl) lukumäärään verrannolliseksi. 35
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1—5 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että suurtaajuusjännitteen mittauselimet käsittävät ensimmäisen differentiaalivahvistimen (AI) suurtaajuiseen kollektoriemitterijännitteeseen (Vce) verrannolli- 13 108177 sen mittaussignaalin (Vrf) muodostamiseksi, ensimmäisen tasasuuntaajan (RECTI) kollektoriemitterijännitteeseen verrannollisen mittaussignaalin itseisarvon (|Vrf|) muodostamiseksi ja ensimmäisen integraattorin (INT1) transistorin (Tl) koUektoriemitterijännitteen keskiarvoon verrannollisen mittaussig-5 naalin (Vmeas) muodostamiseksi, suurtaajuusvirran mittauselimet käsittävät toisen differentiaalivahvistimen (A2) suurtaajuiseen emitterivirtaan (IE) verrannollisen mittaussignaalin (Irf) muodostamiseksi, toisen tasasuuntaajan (RECT2) emitterivirtaan verrannollisen mittaussignaalin itseisarvon (|lrf|) muodostamiseksi ja toisen integraattorin 10 (INT2) transistorin (Tl) emitterivirran keskiarvoon verrannollisen mittaussig naalin (Imeas) muodostamiseksi, ja suurtaajuustehon mittauselimet käsittävät kertojapiirin (Ml) kulloiseenkin hetkelliseen tehoon verrannollisen mittaussignaalin muodostamiseksi kertomalla suurtaajuinen kollektoiiemitteiijännitteeseen verrannollinen mittaussignaali 15 (VCE) ja suurtaajuinen emitterivirtaan verrannollinen mittaussignaali (IE), ja kolmannen integraattorin (INT3) tehon keskiarvoon verrannollisen mittaussignaalin (Pdc) muodostamiseksi.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että mittaussignaa-20 lit (Vrf, Irf, Vmeas, Imeas, Pdc) ovat analogiasignaaleita.
8. Jonkin patenttivaatimuksen 1—7 mukainen lähetin (2), tunnettu siitä, että mittaussignaalit (Vrf, Irf, Vmeas, Ws, Pdc) on järjestetty käytettäväksi pääteasteen (4) toimintapisteen säätämisessä. 25
9. Matkaviestin (1), jossa on lähetin (2) signaalien lähettämiseksi, joka lähetin (2) käsittää suurtaajuustehovahvistimen lähetettävän suurtaajuussignaalin vahvistamiseksi, joka suurtaajuustehovahvistin käsittää pääteasteen (4) vahvistetun suurtaajuus-30 signaalin antamiseksi, ja mittauselimet suurtaajuussignaalin tehon (Pdc) mittaamiseksi, tunnettu siitä, että mittauselimet käsittävät elimet (AI, RECTI, INTI, A2, RECT2, INT2) suurtaajuustehovahvistimen vahvistaman suurtaajuussignaalin jännitteen (Vce) ja virran (IE) mittaamiseksi oleellisen välittömästi mainitussa pääteasteessa 35 (4), ja välineet (Ml, INT3) suurtaajuussignaalin tehon laskemiseksi mitatun suurtaa- juusjännitteen (Vmeas) ja suurtaajuusvirran (Imeas) perusteella.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen matkaviestin (1), tunnettu siitä, että se on GSM-matkaviestin. 14 108177
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI970024A FI108177B (fi) | 1997-01-03 | 1997-01-03 | Matkaviestinlaitteiden lähetin |
| DE69736218T DE69736218T2 (de) | 1997-01-03 | 1997-12-22 | Sender mit einem HochfrequenzLeistungsverstärker für eine Übertragungseinrichtung |
| EP97310416A EP0852434B1 (en) | 1997-01-03 | 1997-12-22 | Transmitter with high-frequency power amplifier for a communication device |
| JP9361362A JPH10247880A (ja) | 1997-01-03 | 1997-12-26 | 通信機の送信装置および移動局 |
| US09/000,752 US6289205B1 (en) | 1997-01-03 | 1997-12-30 | Transmitter for communication devices |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI970024A FI108177B (fi) | 1997-01-03 | 1997-01-03 | Matkaviestinlaitteiden lähetin |
| FI970024 | 1997-01-03 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI970024A0 FI970024A0 (fi) | 1997-01-03 |
| FI970024A FI970024A (fi) | 1998-07-04 |
| FI108177B true FI108177B (fi) | 2001-11-30 |
Family
ID=8547426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI970024A FI108177B (fi) | 1997-01-03 | 1997-01-03 | Matkaviestinlaitteiden lähetin |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6289205B1 (fi) |
| EP (1) | EP0852434B1 (fi) |
| JP (1) | JPH10247880A (fi) |
| DE (1) | DE69736218T2 (fi) |
| FI (1) | FI108177B (fi) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI108177B (fi) * | 1997-01-03 | 2001-11-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Matkaviestinlaitteiden lähetin |
| DE19934502A1 (de) * | 1999-07-22 | 2001-01-25 | Siemens Ag | Funksende- und -empfangsgerät |
| US6842075B2 (en) * | 2001-06-06 | 2005-01-11 | Anadigics, Inc. | Gain block with stable internal bias from low-voltage power supply |
| US6753734B2 (en) | 2001-06-06 | 2004-06-22 | Anadigics, Inc. | Multi-mode amplifier bias circuit |
| US7512386B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-03-31 | Nokia Corporation | Method and apparatus providing integrated load matching using adaptive power amplifier compensation |
| US7433658B1 (en) | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Marvell International Ltd. | System and method for controlling true output power of a transmitter |
| EP1776756B1 (en) | 2004-08-06 | 2012-06-13 | Nxp B.V. | Rf power sensing circuit |
| DE102005061572B4 (de) * | 2005-06-28 | 2008-05-29 | Infineon Technologies Ag | Leistungsverstärkeranordnung, insbesondere für den Mobilfunk, und Verfahren zum Ermitteln eines Performanceparameters |
| US7392021B2 (en) * | 2005-08-03 | 2008-06-24 | M/A-Com, Inc. | Apparatus, system, and method for measuring power delivered to a load |
| US7279979B2 (en) * | 2005-09-12 | 2007-10-09 | Nokia Corporation | Method and arrangement for adjusting an output impedance of a power amplifier |
| DE102010051432A1 (de) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg | Thermisch stabilisierter Leistungssensor |
| US9367502B1 (en) * | 2011-06-14 | 2016-06-14 | Maxim Integrated Products, Inc. | Communication methods and apparatus and power supply controllers using the same |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4312032A (en) * | 1977-05-02 | 1982-01-19 | Gte Products Corporation | RF Power control apparatus |
| GB2163311A (en) * | 1984-08-17 | 1986-02-19 | Philips Electronic Associated | Bipolar transistor rf power amplifier |
| US4602218A (en) * | 1985-04-30 | 1986-07-22 | Motorola, Inc. | Automatic output control circuitry for RF power amplifiers with wide dynamic range |
| GB2211045B (en) * | 1987-10-10 | 1991-08-21 | Marconi Co Ltd | Linearity adjusting circuit |
| FI87030C (fi) | 1989-03-29 | 1992-11-10 | Nokia Mobira Oy | Analog pulsformare |
| US5214372A (en) | 1989-05-11 | 1993-05-25 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Linearizing circuit for dectection of a RF-power sensor |
| FI82796C (fi) | 1989-05-12 | 1991-04-10 | Nokia Mobira Oy | Koppling foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. |
| FI81931C (fi) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Nokia Mobira Oy | Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. |
| FI85316C (fi) | 1989-05-12 | 1992-03-25 | Nokia Mobira Oy | Koppling foer utvidgning av effektomraodet hos en saendare. |
| FI83717C (fi) | 1989-09-25 | 1991-08-12 | Nokia Mobile Phones Ltd | Foerfarande foer intrimning och kompensation av effektnivaoer i en radiotelefon. |
| US4994757A (en) * | 1989-11-01 | 1991-02-19 | Motorola, Inc. | Efficiency improvement of power amplifiers |
| FI87028C (fi) | 1989-12-22 | 1992-11-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Metod foer att reglera effekt hos en spaenningsstyrd effektfoerstaerkare och koppling foer anvaendning i metoden |
| US5182527A (en) * | 1990-03-30 | 1993-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Power amplifying apparatus for wireless transmitter |
| KR960000775B1 (ko) * | 1990-10-19 | 1996-01-12 | 닛본덴기 가부시끼가이샤 | 고주파 전력 증폭기의 출력레벨 제어회로 |
| JP3086512B2 (ja) * | 1990-11-14 | 2000-09-11 | エリクソン−ジーイー モービル コミュニケーションズ ホールディング インコーポレイテッド | 送信機及びその電力増幅回路 |
| FI88564C (fi) | 1991-01-14 | 1993-05-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Styrbar hoegfrekvensdaempare |
| US5128629A (en) * | 1991-04-22 | 1992-07-07 | Hughes Aircraft Company | Method for controlling the output power of digital cellular telephones |
| JPH04350573A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | インピーダンス測定装置 |
| FI92531C (fi) * | 1991-07-23 | 1994-11-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Suurtaajuusilmaisin laajalla dynamiikalla |
| FI89110C (fi) | 1991-09-19 | 1993-08-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Effektdetektor |
| US5239696A (en) * | 1991-10-15 | 1993-08-24 | Sensormatic Electronics Corporation | Linear power amplifier utilizing current feedback |
| US5276917A (en) | 1991-10-22 | 1994-01-04 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Transmitter switch-on in a dual-mode mobile phone |
| DE4138960A1 (de) | 1991-11-27 | 1993-06-03 | Telefunken Sendertechnik | Differentialschutzeinrichtung fuer einen modularen verstaerker |
| FI96554C (fi) | 1993-02-05 | 1996-07-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Aikajakoinen solukkoradiopuhelinjärjestelmä ja radiopuhelin sitä varten |
| FI930632A (fi) | 1993-02-12 | 1994-08-13 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kytkentä lähetinvahvistimen tehon säätämiseksi |
| GB2279779B (en) * | 1993-06-02 | 1997-03-05 | Vtech Communications Ltd | Amplifier power control system |
| US5432473A (en) | 1993-07-14 | 1995-07-11 | Nokia Mobile Phones, Limited | Dual mode amplifier with bias control |
| US5392464A (en) | 1993-08-19 | 1995-02-21 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Directional detector for power level control |
| US5412341A (en) * | 1993-10-28 | 1995-05-02 | Motorola, Inc. | Power control apparatus and method for a radio frequency amplifier |
| US5426641A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-20 | Bell Communications Research, Inc. | Adaptive class AB amplifier for TDMA wireless communications systems |
| US5530923A (en) | 1994-03-30 | 1996-06-25 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Dual mode transmission system with switched linear amplifier |
| EP0679041A3 (de) * | 1994-04-21 | 1999-04-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Notrufsystem für Mobilfunksystem |
| FI97179C (fi) | 1994-06-15 | 1996-10-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Pulssitetun lähettimen lähtötehon säätö ja tehon verhokäyrän muotoilu |
| US5548616A (en) | 1994-09-09 | 1996-08-20 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Spread spectrum radiotelephone having adaptive transmitter gain control |
| US5652542A (en) * | 1994-11-09 | 1997-07-29 | Crest Audio, Inc. | Digital signal processor for amplifier |
| US5493255A (en) | 1995-03-21 | 1996-02-20 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Bias control circuit for an RF power amplifier |
| US5697074A (en) | 1995-03-30 | 1997-12-09 | Nokia Mobile Phones Limited | Dual rate power control loop for a transmitter |
| US5613229A (en) * | 1995-05-17 | 1997-03-18 | Motorola, Inc. | Voltage and current mode power regulator |
| US5673001A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-30 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for amplifying a signal |
| US5652547A (en) * | 1995-06-20 | 1997-07-29 | Motorola, Inc. | Current comparator automatic output control |
| FI108177B (fi) * | 1997-01-03 | 2001-11-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Matkaviestinlaitteiden lähetin |
| US5905407A (en) * | 1997-07-30 | 1999-05-18 | Motorola, Inc. | High efficiency power amplifier using combined linear and switching techniques with novel feedback system |
-
1997
- 1997-01-03 FI FI970024A patent/FI108177B/fi active
- 1997-12-22 DE DE69736218T patent/DE69736218T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-22 EP EP97310416A patent/EP0852434B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-26 JP JP9361362A patent/JPH10247880A/ja not_active Withdrawn
- 1997-12-30 US US09/000,752 patent/US6289205B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6289205B1 (en) | 2001-09-11 |
| FI970024A0 (fi) | 1997-01-03 |
| DE69736218T2 (de) | 2006-11-23 |
| EP0852434A3 (en) | 2001-01-31 |
| FI970024A (fi) | 1998-07-04 |
| EP0852434B1 (en) | 2006-06-28 |
| JPH10247880A (ja) | 1998-09-14 |
| EP0852434A2 (en) | 1998-07-08 |
| DE69736218D1 (de) | 2006-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7821273B2 (en) | Circuit for detecting the impedance of a load | |
| US7482873B2 (en) | Preserving linearity of a rf power amplifier | |
| US7598805B2 (en) | Load insensitive balanced power amplifier and related operating method | |
| US20070069820A1 (en) | Electronic parts for high frequency power amplifier | |
| US7440731B2 (en) | Power amplifier with VSWR detection and correction feature | |
| CN102098006B (zh) | 多尔蒂放大器 | |
| CN101257329B (zh) | 发射器中的控制方法和控制系统 | |
| FI108177B (fi) | Matkaviestinlaitteiden lähetin | |
| JP2006013753A (ja) | 無線通信システムおよび半導体集積回路 | |
| US8521114B2 (en) | PIN-diode linearized automatic gain control circuits | |
| KR20060069481A (ko) | 적응형 파워 증폭기 보상을 이용하여 집적 부하 정합을제공하는 방법 및 장치 | |
| EP0735670A2 (en) | Transmit power level detection circuit with enhanced gain characteristics | |
| US6825715B2 (en) | Temperature compensated, high efficiency diode detector | |
| US7010284B2 (en) | Wireless communications device including power detector circuit coupled to sample signal at interior node of amplifier | |
| Leferink | Fast, broadband, and high-dynamic range 3-D field strength probe | |
| KR100389074B1 (ko) | 온도보상검파기를갖춘송신기및검파기 | |
| CN208723878U (zh) | 射频识别发射功率控制电路 | |
| CN1719827B (zh) | 基于射频的差分信号传输的耦合配置 | |
| Zaidi et al. | A GMSK VHF-uplink/UHF-downlink transceiver for the CubeSat missions: Thermo-functional performance | |
| US20040203543A1 (en) | RFIC envelope power detection | |
| KR100526293B1 (ko) | 자동 전력 제어 장치 | |
| KR20200059063A (ko) | 공급 전압 변조 장치 및 이를 구비하는 전력 증폭기 | |
| CN1898861B (zh) | 射频(rf)和/或微波功率放大设备及相应无线电通信终端 | |
| Smithers | Power amplifier design | |
| GB2259777A (en) | R.F. Power detector |