JPH03136403A - Ｔ型固定減衰器 - Google Patents
Ｔ型固定減衰器Info
- Publication number
- JPH03136403A JPH03136403A JP27444389A JP27444389A JPH03136403A JP H03136403 A JPH03136403 A JP H03136403A JP 27444389 A JP27444389 A JP 27444389A JP 27444389 A JP27444389 A JP 27444389A JP H03136403 A JPH03136403 A JP H03136403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fixed
- resistor
- chip resistor
- return loss
- fixed attenuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 101150064138 MAP1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波信号のリターンロスを改善したＴ
型固定減衰器に関する。
型固定減衰器に関する。
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
マイクロ波信号のリターンロスを改善したＴ型固定減衰
器に関し、 固定抵抗器の有するリアクタンス成分を希望の〔従来の
技術〕 第５図は従来のＴ型固定減衰器の構成例を示す図である
。図中、１１は入力端子、１２は出力端子、１３ａ、
１３ｂ、 １３ｃはそれぞれのマイクロストリップ線路
、１４は誘電体基板、また１５〜１７はチップ抵抗であ
り、１５は第一チップ抵抗、１６は第二チップ抵抗、１
７は第三チップ抵抗である。なお１８は接地用のパイヤ
ホールである。
器に関し、 固定抵抗器の有するリアクタンス成分を希望の〔従来の
技術〕 第５図は従来のＴ型固定減衰器の構成例を示す図である
。図中、１１は入力端子、１２は出力端子、１３ａ、
１３ｂ、 １３ｃはそれぞれのマイクロストリップ線路
、１４は誘電体基板、また１５〜１７はチップ抵抗であ
り、１５は第一チップ抵抗、１６は第二チップ抵抗、１
７は第三チップ抵抗である。なお１８は接地用のパイヤ
ホールである。
Ｔ型固定減衰器は、第一チップ抵抗１５〜第三チツプ抵
抗１７をＴ字形に接続したものである。そして第一チッ
プ抵抗１５の一方の端子対はマイクロストリップ線路１
３ａに接続され、かつ第一チップ抵抗１５の他の端子対
はマイクロストリップ線路１３ｂに接続されている。ま
た第二チップ抵抗１６もまた第一チップ抵抗１５と類似
の接続をとり、一方の端子対はマイクロストリップ線路
１３ｂに、また他の端子対はマイクロストリップ線ＩＩ
ｔ１３ｃにそれぞれ接続されている。なお第三チップ抵
抗１７の一方の端子対はマイクロストリップ棒路１３ｂ
に、また坤の端子対はパイヤホール１８を介して接地さ
れている。なおマイクロストリップ線路１３ａ＋ １３
ｂ＋ １３ｃは、誘電体基板１４上に設けたそれぞれの
信号線路であり、このマイクロストリップ線路１３ａ、
１３ｃの端子対には一体形状に形成された入力端子１１
と出力端子１２を設けられており、マイクロ波信号の入
力側と出力側を形成している。更にこの固定減衰器の入
力端子１１は、マイクロストリップ線路１３ａにより形
成され・るマイクロストリップ線路の特性インピーダン
スＺ０に整合しており、また同様に出力端子１２ちまた
マイクロストリップ線路１♀Ｃにより形成されるマイク
ロストリップ線路の特性インピーダンスＺ０に整合され
ている。かつそれぞれの第一チップ抵抗１５〜第三チツ
プ抵抗１７の値を組み合わせることにより所望の固定減
衰量を得るように構成している。
抗１７をＴ字形に接続したものである。そして第一チッ
プ抵抗１５の一方の端子対はマイクロストリップ線路１
３ａに接続され、かつ第一チップ抵抗１５の他の端子対
はマイクロストリップ線路１３ｂに接続されている。ま
た第二チップ抵抗１６もまた第一チップ抵抗１５と類似
の接続をとり、一方の端子対はマイクロストリップ線路
１３ｂに、また他の端子対はマイクロストリップ線ＩＩ
ｔ１３ｃにそれぞれ接続されている。なお第三チップ抵
抗１７の一方の端子対はマイクロストリップ棒路１３ｂ
に、また坤の端子対はパイヤホール１８を介して接地さ
れている。なおマイクロストリップ線路１３ａ＋ １３
ｂ＋ １３ｃは、誘電体基板１４上に設けたそれぞれの
信号線路であり、このマイクロストリップ線路１３ａ、
１３ｃの端子対には一体形状に形成された入力端子１１
と出力端子１２を設けられており、マイクロ波信号の入
力側と出力側を形成している。更にこの固定減衰器の入
力端子１１は、マイクロストリップ線路１３ａにより形
成され・るマイクロストリップ線路の特性インピーダン
スＺ０に整合しており、また同様に出力端子１２ちまた
マイクロストリップ線路１♀Ｃにより形成されるマイク
ロストリップ線路の特性インピーダンスＺ０に整合され
ている。かつそれぞれの第一チップ抵抗１５〜第三チツ
プ抵抗１７の値を組み合わせることにより所望の固定減
衰量を得るように構成している。
このようなＴ型固定減衰器は、ただ三つの固定抵抗であ
るチップ抵抗を組み合わせた固定減衰器を形成してマイ
クロストリップ線路に接続した回路であり、構成が簡単
でかつ減衰特性が優れているため広く使われるが、使用
周波数帯がＩＧＨｚ以上の準マイクロ波帯以上の回路に
なると、固定抵抗であるチップ抵抗の寸法等の物理形状
にもとすくリアクタンスが生じるようになり、リターン
ロスを劣化させるようになる。例えば第４図（Ｂ）には
従来例の固定減衰器のリターンロスを本発明と対比して
示している。第４図（Ｂ）に示すように、１．５〜４．
５ＧＨｚでのリターンロスの値は約１０〜１５ｄＢ程度
である。なおここでのリターンロスとは、つぎのごとく
定義される値である。
るチップ抵抗を組み合わせた固定減衰器を形成してマイ
クロストリップ線路に接続した回路であり、構成が簡単
でかつ減衰特性が優れているため広く使われるが、使用
周波数帯がＩＧＨｚ以上の準マイクロ波帯以上の回路に
なると、固定抵抗であるチップ抵抗の寸法等の物理形状
にもとすくリアクタンスが生じるようになり、リターン
ロスを劣化させるようになる。例えば第４図（Ｂ）には
従来例の固定減衰器のリターンロスを本発明と対比して
示している。第４図（Ｂ）に示すように、１．５〜４．
５ＧＨｚでのリターンロスの値は約１０〜１５ｄＢ程度
である。なおここでのリターンロスとは、つぎのごとく
定義される値である。
用抵抗の第一固定抵抗３と第二固定抵抗４と第三固定抵
抗５とをＴ字型に配置して形成されたマイクロ波固定減
衰器において、前記マイクロ波固定減衰器のＴ分岐点に
、前記の第一固定抵抗３と第二固定抵抗４と第三固定抵
抗５のそれぞれが有するリアクタンス成分を打ち消すた
めの容量性素子６を、並列に接続した構成とするもので
ある。
抗５とをＴ字型に配置して形成されたマイクロ波固定減
衰器において、前記マイクロ波固定減衰器のＴ分岐点に
、前記の第一固定抵抗３と第二固定抵抗４と第三固定抵
抗５のそれぞれが有するリアクタンス成分を打ち消すた
めの容量性素子６を、並列に接続した構成とするもので
ある。
このような従来例のＴ型固定減衰器では、高周波回路に
使用する固定抵抗の物理形状にもとすくリアクタンスが
リターンロスを劣化させるという問題がある。
使用する固定抵抗の物理形状にもとすくリアクタンスが
リターンロスを劣化させるという問題がある。
本発明は、固定抵抗器の有するリアクタンス成分を希望
の周波数で打ち消し、かつマイクロ波帯で大きなリター
ンロスを有するＴ型固定減衰器を提供することを目的と
する。
の周波数で打ち消し、かつマイクロ波帯で大きなリター
ンロスを有するＴ型固定減衰器を提供することを目的と
する。
本発明では第１図に示すように 三つの高周波〔作 用
〕′ 本発明では第１図に示す構成において、第一固定抵抗３
と第二固定抵抗４と第三固定抵抗５とを配置したＴ分岐
点に容量性素子６を並列に接続するようにしている。
〕′ 本発明では第１図に示す構成において、第一固定抵抗３
と第二固定抵抗４と第三固定抵抗５とを配置したＴ分岐
点に容量性素子６を並列に接続するようにしている。
従って前記第一固定抵抗３と第二固定抵抗４と第三固定
抵抗５のそれぞれが有するリアクタンス成分を打ち消す
ことが可能とな・す、入力端子ｌおよび出力端子２にお
いてのリターンロスを改善することが可能となる。
抵抗５のそれぞれが有するリアクタンス成分を打ち消す
ことが可能とな・す、入力端子ｌおよび出力端子２にお
いてのリターンロスを改善することが可能となる。
〔実 施 例］
第２図は本発明の一実施例のＴ型固定減衰器の構成を示
す図である。図中、１１は入力端子、１２は出力端子、
１３ａ＋ １３ｂ、 １３ｃはそれぞれのマイクロスト
リップ線路、１４は誘電体基板である。また１５〜１７
は高周波用小型形状のチップ抵抗であり、１５は第一チ
ップ抵抗、１６は第二チップ抵抗、１７は第三チップ抵
抗であるなお１８は接地用のパイヤホールである。なお
１９は本発明の容量性のオープンスタブである。
す図である。図中、１１は入力端子、１２は出力端子、
１３ａ＋ １３ｂ、 １３ｃはそれぞれのマイクロスト
リップ線路、１４は誘電体基板である。また１５〜１７
は高周波用小型形状のチップ抵抗であり、１５は第一チ
ップ抵抗、１６は第二チップ抵抗、１７は第三チップ抵
抗であるなお１８は接地用のパイヤホールである。なお
１９は本発明の容量性のオープンスタブである。
第２図に示すように本発明例は従来例と同様に、第一チ
ップ抵抗１５〜第三チツプ抵抗１７を丁字形に接続して
おり、第一チップ抵抗１５はマイクロストリップ線路１
３ａとマイクロストリップ線路１３ｂにそれぞれ接続し
、また第二チップ抵抗１６はマイクロストリップ線路１
３ｂとマイクロストリップ線路１３ｃに接続している。
ップ抵抗１５〜第三チツプ抵抗１７を丁字形に接続して
おり、第一チップ抵抗１５はマイクロストリップ線路１
３ａとマイクロストリップ線路１３ｂにそれぞれ接続し
、また第二チップ抵抗１６はマイクロストリップ線路１
３ｂとマイクロストリップ線路１３ｃに接続している。
そして第三チップ抵抗１７はパイヤホール１８を介して
接地されている。なおマイクロストリップ線路１３ａ、
１３ｂ、 １３ｃは、誘電体基板１４上に設けたそれ
ぞれの信号線路であり、その端部には一体形状に形成し
た入力端子１１と出力端子１２を設けている。なおここ
までは第５図の従来例の構成と同様である。
接地されている。なおマイクロストリップ線路１３ａ、
１３ｂ、 １３ｃは、誘電体基板１４上に設けたそれ
ぞれの信号線路であり、その端部には一体形状に形成し
た入力端子１１と出力端子１２を設けている。なおここ
までは第５図の従来例の構成と同様である。
本発明では、丁字形の第一チップ抵抗１５〜第三チツプ
抵抗１７に接続したマイクロストリップ線路１３ｂの中
央において、先端開放の容量性スタブであるオープンス
タブ１９を接続している。このオープンスタブ１９は容
量性であるため、高周波において第一チップ抵抗１５と
第二チップ抵抗１６と第三チップ抵抗１７が保有してい
る物理形状にもとすくインダクタンス分を打ち消し、入
力端子１１および出力端子１２で整合条件を作り、リタ
ーンロスの改善をするように働く。またこのオープンス
タブ１９を接続して整合を取り、それぞれの第一チップ
抵抗１５〜第三チツプ抵抗１７の値を組み合わせること
により所望の固定減衰量を得ることが可能となる。
抵抗１７に接続したマイクロストリップ線路１３ｂの中
央において、先端開放の容量性スタブであるオープンス
タブ１９を接続している。このオープンスタブ１９は容
量性であるため、高周波において第一チップ抵抗１５と
第二チップ抵抗１６と第三チップ抵抗１７が保有してい
る物理形状にもとすくインダクタンス分を打ち消し、入
力端子１１および出力端子１２で整合条件を作り、リタ
ーンロスの改善をするように働く。またこのオープンス
タブ１９を接続して整合を取り、それぞれの第一チップ
抵抗１５〜第三チツプ抵抗１７の値を組み合わせること
により所望の固定減衰量を得ることが可能となる。
第３図は本発明の他の実施例のＴ型固定減衰器の構成を
示す図である。図中の１１〜１８は第２図と同一構成で
あり、第２図に示したオープンスタブ１９の代わりにチ
ップコンデンサ２０を設けて更に固定減衰器を小型の構
成にしている。
示す図である。図中の１１〜１８は第２図と同一構成で
あり、第２図に示したオープンスタブ１９の代わりにチ
ップコンデンサ２０を設けて更に固定減衰器を小型の構
成にしている。
第４図は本発明と従来例のＴ型固定減衰器のリターンロ
スの特性を示す図であり、第４図（Ａ）の特性は、第３
図の発明の構成に対応している。
スの特性を示す図であり、第４図（Ａ）の特性は、第３
図の発明の構成に対応している。
第４図（Ｂ）に示すように従来例のリターンロスは、０
．５ＧＨｚでは約２５ ｄ Ｂ、 ２．５ ＧＨｚでは
約１２ｄＢであり、また４、５ ＧＨｚで約１１ｄＢ程
度である。−力木発明の場合は第４図（Ａ）に示すよう
に、約１．３ＧＨｚにおいて２５ｄＢ以上、２．５ＧＨ
ｚでは約２０ ｄ Ｂ、 ４．５ ＧＨｚで約１６ｄＢ
であり、少なくとも５ｄＢ以上の改善が得られている。
．５ＧＨｚでは約２５ ｄ Ｂ、 ２．５ ＧＨｚでは
約１２ｄＢであり、また４、５ ＧＨｚで約１１ｄＢ程
度である。−力木発明の場合は第４図（Ａ）に示すよう
に、約１．３ＧＨｚにおいて２５ｄＢ以上、２．５ＧＨ
ｚでは約２０ ｄ Ｂ、 ４．５ ＧＨｚで約１６ｄＢ
であり、少なくとも５ｄＢ以上の改善が得られている。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、高周波
回路において充分なリターンロスを有するＴ型固定減衰
器を得ることが可能となる。
回路において充分なリターンロスを有するＴ型固定減衰
器を得ることが可能となる。
第１図は本発明の原理構成を示す図、
第２図は本発明の一実施例のＴ型固定減衰器の構成を示
す図 第３図は本発明の他の実施例のＴ型固定減衰器の構成を
示す図 第４図は本発明例と従来例のＴ型固定減衰器のリターン
ロスを示す図、 第５図は従来のＴ型固定減衰器の構成例を示す図、 である。 図において、 １は入力端子、 ２は出力端子、 ３は第一固定抵抗 ４は第二固定抵抗、 ５は第三固定抵抗、 ６は容量性素子、 を示す。 才必明／１犀理をネ↑店戊図 第１図 第 図
す図 第３図は本発明の他の実施例のＴ型固定減衰器の構成を
示す図 第４図は本発明例と従来例のＴ型固定減衰器のリターン
ロスを示す図、 第５図は従来のＴ型固定減衰器の構成例を示す図、 である。 図において、 １は入力端子、 ２は出力端子、 ３は第一固定抵抗 ４は第二固定抵抗、 ５は第三固定抵抗、 ６は容量性素子、 を示す。 才必明／１犀理をネ↑店戊図 第１図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 三つの高周波用抵抗の第一固定抵抗（３）と第二固定
抵抗（４）と第三固定抵抗（５）とをＴ字型に配置して
形成されたマイクロ波固定減衰器において、前記マイク
ロ波固定減衰器のＴ分岐点に、前記第一固定抵抗（３）
と第二固定抵抗（４）と第三固定抵抗（５）のそれぞれ
が有するリアクタンス成分を打ち消すための容量性素子
（６）を、 並列に接続したことを特徴とするＴ型固定減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27444389A JPH03136403A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | Ｔ型固定減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27444389A JPH03136403A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | Ｔ型固定減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136403A true JPH03136403A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17541756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27444389A Pending JPH03136403A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | Ｔ型固定減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03136403A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007060084A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Yokogawa Electric Corp | 減衰器 |
| JP2009124072A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波モジュール |
| JPWO2022091192A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27444389A patent/JPH03136403A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007060084A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Yokogawa Electric Corp | 減衰器 |
| JP2009124072A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波モジュール |
| JPWO2022091192A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 |
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