JPS60160201A - 減衰器 - Google Patents
減衰器Info
- Publication number
- JPS60160201A JPS60160201A JP1489084A JP1489084A JPS60160201A JP S60160201 A JPS60160201 A JP S60160201A JP 1489084 A JP1489084 A JP 1489084A JP 1489084 A JP1489084 A JP 1489084A JP S60160201 A JPS60160201 A JP S60160201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- attenuator
- resistors
- distributed constant
- nearly
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は、減衰器に係り、特に、マイクロ波帯域の回路
における半導体装置間に一人する減衰器の構成に関す。
における半導体装置間に一人する減衰器の構成に関す。
ｆｂｌ 技術の背景
半導体装置は、その高周波対応の進歩により、マイクロ
波を媒体とする通信回線の無線中継やレーダなどの装置
にも使用されるようになって来た。
波を媒体とする通信回線の無線中継やレーダなどの装置
にも使用されるようになって来た。
本発明に係る減衰器は、マイクロ波帯域の回路において
カスケードに接続される半導体装置間に挿入され、レベ
ルの適正比とアイソレーションを図るデバイスである。
カスケードに接続される半導体装置間に挿入され、レベ
ルの適正比とアイソレーションを図るデバイスである。
（Ｃ） 従来技術と問題点
第１図は従来の一減衰器の一実施例の構成を示した図で
、１は分布定数線路、Ａは入力線路１．Ｂは出力線路、
Ｒは抵抗、Ｒ１は分路抵抗、Ｌｌは長さをそれぞれ示す
。
、１は分布定数線路、Ａは入力線路１．Ｂは出力線路、
Ｒは抵抗、Ｒ１は分路抵抗、Ｌｌは長さをそれぞれ示す
。
図示の減衰器は、入力線路Ａと出力線路Ｂとの間に直列
に接続する二個の抵抗Ｒ１二個の抵抗Ｒの接続端に一端
を接続する分路抵抗Ｒ１、分路抵抗Ｒ１の他端に接続す
る分布定数線路ｌからなっている。
に接続する二個の抵抗Ｒ１二個の抵抗Ｒの接続端に一端
を接続する分路抵抗Ｒ１、分路抵抗Ｒ１の他端に接続す
る分布定数線路ｌからなっている。
ここで、分路抵抗Ｒ１の前記他端は、回路上では接地す
る端であるが、マイクロ波程度の周波数の場合は接地線
路がインピーダンスを有するため、接地線路に接続して
も有効な接地とならないので、長さＬｌがλ／４（λは
波長）となる周波数で接地と等価になる分布定数線路１
に接続している。
る端であるが、マイクロ波程度の周波数の場合は接地線
路がインピーダンスを有するため、接地線路に接続して
も有効な接地とならないので、長さＬｌがλ／４（λは
波長）となる周波数で接地と等価になる分布定数線路１
に接続している。
この構成でなる減衰器は、構成が単純で例えばセラミッ
クなどの基板上に膜技術で容易に形成可能な利点がある
が、減衰量および定在波比が周波数により異なり、減衰
器として使用可能な周波数帯域は、減衰量が最大値、定
在波比が最小値を示す周波数、即ち分布定数線路１の長
さＬｌがλ／４となる周波数の近傍に限られ、近年例え
ばレーダなどで望まれてきた広帯域回路には使用出来な
い欠点を有する。
クなどの基板上に膜技術で容易に形成可能な利点がある
が、減衰量および定在波比が周波数により異なり、減衰
器として使用可能な周波数帯域は、減衰量が最大値、定
在波比が最小値を示す周波数、即ち分布定数線路１の長
さＬｌがλ／４となる周波数の近傍に限られ、近年例え
ばレーダなどで望まれてきた広帯域回路には使用出来な
い欠点を有する。
このような広帯域回路においては、従来例えば同軸型の
減衰器が使用されているが、該同軸型減衰器は上記減衰
器に比較して形状が大きく且つ高価である問題がある。
減衰器が使用されているが、該同軸型減衰器は上記減衰
器に比較して形状が大きく且つ高価である問題がある。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、マイクロ波帯域
の回路における半導体装置間に挿入する減衰器において
、従来の減衰器の１うに構成が単純で然も使用可能な周
波数帯域の広い減衰器の構成を提供するにある。
の回路における半導体装置間に挿入する減衰器において
、従来の減衰器の１うに構成が単純で然も使用可能な周
波数帯域の広い減衰器の構成を提供するにある。
２（ｅ） 発明の構成
上記目的は、信号の人出方端を接続する抵抗に分路して
複数の分路抵抗の一端を接続し、該分路抵抗の他端のそ
れぞれに長さの異なる分布定数線路を接続してなること
を特徴とする減衰器によって達成される。
複数の分路抵抗の一端を接続し、該分路抵抗の他端のそ
れぞれに長さの異なる分布定数線路を接続してなること
を特徴とする減衰器によって達成される。
複数の分布定数線路のそれぞれの長さに対応した周波数
において、最大の減衰量、最小の定在波比が形成される
ので、これらを組合せて使用可能な周波数帯域を広（す
ることが可能になる。
において、最大の減衰量、最小の定在波比が形成される
ので、これらを組合せて使用可能な周波数帯域を広（す
ることが可能になる。
ｆｆｌ 発明の実施例
以下本発明の実施例を図により説明する。全図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第２図は本発明による減衰器の一実施例の構成を示した
図、第３図は第１図図示の減衰器を第２図図示の構成に
より広帯域化した場合の一実施例の周波数特性図で、２
．３は分布定数線路、Ｒ２、Ｒ３は分路抵抗、Ｌ２、Ｌ
３は長さをそれぞれ示す。
図、第３図は第１図図示の減衰器を第２図図示の構成に
より広帯域化した場合の一実施例の周波数特性図で、２
．３は分布定数線路、Ｒ２、Ｒ３は分路抵抗、Ｌ２、Ｌ
３は長さをそれぞれ示す。
第２図図示の減衰器は、入力線路Ａと出力線路Ｂとの間
に直列に接続する二個の抵抗Ｒ１二個の抵抗Ｒの接続端
に一端を接続する二個の分路抵抗Ｒ２、Ｒ３、分路抵抗
Ｒ２、Ｒ３それぞれの他端に接続する分布定数線路２．
３がらなっている。
に直列に接続する二個の抵抗Ｒ１二個の抵抗Ｒの接続端
に一端を接続する二個の分路抵抗Ｒ２、Ｒ３、分路抵抗
Ｒ２、Ｒ３それぞれの他端に接続する分布定数線路２．
３がらなっている。
ここで、例えば第１図図示の減衰器の周波数帯域を両側
に広げる場合には、分布定数線路２．３の長さＬ２、Ｌ
３の一方を分布定数線路１の長さＬｌより短く、他方を
長くすればよい。
に広げる場合には、分布定数線路２．３の長さＬ２、Ｌ
３の一方を分布定数線路１の長さＬｌより短く、他方を
長くすればよい。
この一実施例の周波数特性を第３図に示すが、許容減衰
量変動を０．５ｄＢとして、第１図図示の構成の場合に
周波数帯域が６±０．５１０Ｈｚであったものが第２図
図示の構成にすることにより６±２．０Ｇｌｌｚと３倍
に広がっている。なお、６２．０Ｃｄｌｚにおいて定在
波比が若干大きり１．２になっているが実用上の問題は
ない。
量変動を０．５ｄＢとして、第１図図示の構成の場合に
周波数帯域が６±０．５１０Ｈｚであったものが第２図
図示の構成にすることにより６±２．０Ｇｌｌｚと３倍
に広がっている。なお、６２．０Ｃｄｌｚにおいて定在
波比が若干大きり１．２になっているが実用上の問題は
ない。
そして、この減衰器をセラミック基板（短縮率−約０．
４）上に形成する際の諸元は、Ａ、Ｂは特性インピーダ
ンスが５０Ωのストリップライン、Ｒ１Ｒ１，Ｒ２、Ｒ
３の抵抗値はそれぞれ３５．０Ω、１８．２Ω、２０．
０Ω、２４．０Ω、分布定数線路１．２．３は特性イン
ピーダンスが５０Ωでその長さＬｌ、Ｌ２、Ｌ３はそれ
ぞれ約５．０ｍｍ、約４．０ｆｉ、約６．４１１１１
（自由空間での長さがそれぞれ１２．５ｍ、１０．０璽
婁、１６．０顛）であって、極めて小型になり然も膜技
術で形成することが可能である。
４）上に形成する際の諸元は、Ａ、Ｂは特性インピーダ
ンスが５０Ωのストリップライン、Ｒ１Ｒ１，Ｒ２、Ｒ
３の抵抗値はそれぞれ３５．０Ω、１８．２Ω、２０．
０Ω、２４．０Ω、分布定数線路１．２．３は特性イン
ピーダンスが５０Ωでその長さＬｌ、Ｌ２、Ｌ３はそれ
ぞれ約５．０ｍｍ、約４．０ｆｉ、約６．４１１１１
（自由空間での長さがそれぞれ１２．５ｍ、１０．０璽
婁、１６．０顛）であって、極めて小型になり然も膜技
術で形成することが可能である。
上記の実施例は中心周波数を６ＧＨｚ、許容減衰量変動
を０．５ｄＢとし、分路抵抗および分布定数線路を二組
にした場合であるが、これらの条件は固定されたもので
はなく、回路の必要条件に対応して、本発明の構成によ
り種々の減衰器を形成することが可能であることは、上
述の説明から容易に類推可能である。
を０．５ｄＢとし、分路抵抗および分布定数線路を二組
にした場合であるが、これらの条件は固定されたもので
はなく、回路の必要条件に対応して、本発明の構成によ
り種々の減衰器を形成することが可能であることは、上
述の説明から容易に類推可能である。
（８）発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によれば、マ
イクロ波帯域の回路における半導体装置間に挿入する減
衰器において、従来の減衰器のように構成が単純で然も
使用可能な周波数帯域の広い減衰器の構成を提供するこ
とが出来て、例えば従来使用されていた大型で高価な同
軸型減衰器を本減衰器に置換して、例えばレーダ装置な
どの回路の小型化、経済化を可能にさせる効果がある。
イクロ波帯域の回路における半導体装置間に挿入する減
衰器において、従来の減衰器のように構成が単純で然も
使用可能な周波数帯域の広い減衰器の構成を提供するこ
とが出来て、例えば従来使用されていた大型で高価な同
軸型減衰器を本減衰器に置換して、例えばレーダ装置な
どの回路の小型化、経済化を可能にさせる効果がある。
第１図は従来の減衰器の一実施例の構成を示した図、第
２図は本発明による減衰器の一実施例の構成を示した図
、第３図は第１図図示の減衰器を第２図図示の構成によ
り広帯域イヒした場合の一実施例の周波数特性図である
。 図面において、１．２．３番よ分布定数１泉路、Ａは入
力線路、Ｂは出力線路、Ｒ＆よ抵抗、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
は分路抵抗、Ｌｌ、Ｌ２、Ｌ３は長さをそれぞれ示す。 草３図 ｐ１′液、署ｇ【（θ〃Ｚン
２図は本発明による減衰器の一実施例の構成を示した図
、第３図は第１図図示の減衰器を第２図図示の構成によ
り広帯域イヒした場合の一実施例の周波数特性図である
。 図面において、１．２．３番よ分布定数１泉路、Ａは入
力線路、Ｂは出力線路、Ｒ＆よ抵抗、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
は分路抵抗、Ｌｌ、Ｌ２、Ｌ３は長さをそれぞれ示す。 草３図 ｐ１′液、署ｇ【（θ〃Ｚン
Claims (1)
- 信号の入出力端を接続する抵抗に分路して複数の分路抵
抗の一端を接続しミ該分路抵抗の他端のそれぞれに長さ
の異なる分布定数線路を接続してなることを特徴とする
減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489084A JPS60160201A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489084A JPS60160201A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160201A true JPS60160201A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11873599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1489084A Pending JPS60160201A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160201A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039961A (en) * | 1989-12-21 | 1991-08-13 | Hewlett-Packard Company | Coplanar attenuator element having tuning stubs |
| US5453721A (en) * | 1994-06-09 | 1995-09-26 | Motorola, Inc. | Attenuator |
| US5506550A (en) * | 1994-08-15 | 1996-04-09 | Pearson Electronics, Inc. | Attenuator for use with current transformer |
| CN103972625A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-08-06 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种应用于dc至特高频的mic衰减器 |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP1489084A patent/JPS60160201A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039961A (en) * | 1989-12-21 | 1991-08-13 | Hewlett-Packard Company | Coplanar attenuator element having tuning stubs |
| US5453721A (en) * | 1994-06-09 | 1995-09-26 | Motorola, Inc. | Attenuator |
| US5506550A (en) * | 1994-08-15 | 1996-04-09 | Pearson Electronics, Inc. | Attenuator for use with current transformer |
| CN103972625A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-08-06 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种应用于dc至特高频的mic衰减器 |
| CN103972625B (zh) * | 2014-05-21 | 2016-06-29 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种应用于低频至特高频的mic衰减器 |
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