JPS60173901A - ダイオ−ド回線切替器 - Google Patents
ダイオ−ド回線切替器Info
- Publication number
- JPS60173901A JPS60173901A JP2872584A JP2872584A JPS60173901A JP S60173901 A JPS60173901 A JP S60173901A JP 2872584 A JP2872584 A JP 2872584A JP 2872584 A JP2872584 A JP 2872584A JP S60173901 A JPS60173901 A JP S60173901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diodes
- high frequency
- diode
- circuit
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はマイクロ波周波数帯で使用されるダイオード
を用いた回線切替器に関し、特に。
を用いた回線切替器に関し、特に。
パイプリノドエC化に適した回線切替器に関する。
マイクロ波の回線切替器としては、従来、ラッチングサ
ーキュレータや機械的スイッチング回路が良く用いられ
ている。しかし、これらはスイッチングスピードが遅い
。このため、スピードが問題とされる場合は、従来、ダ
イオードスイッチング回路によるダイオード回線切替器
が用いられる。
ーキュレータや機械的スイッチング回路が良く用いられ
ている。しかし、これらはスイッチングスピードが遅い
。このため、スピードが問題とされる場合は、従来、ダ
イオードスイッチング回路によるダイオード回線切替器
が用いられる。
第1図は従来のダイオードを用いた回線切替器の例で、
特に大電力用として考慮された回線切替器の例である。
特に大電力用として考慮された回線切替器の例である。
ダイオードは従来パンゲージで使用することを主体に考
慮されているため。
慮されているため。
となった。
第1図において、1は高周波信号出力端子。
2及び3は高周波信号入力端子、4及び5はダイオード
バイアス信号入力端子である。このダイオード回線切替
器は、入力端子2及び6のうちの一方の高周波信号を、
入力端子4及び5へのバイアス信号の制御(二より出力
端子1に導(機能を有する。6〜9はそれぞれ使用周波
数で実質1/4波長となるストリップ線路、10〜16
はそれぞれPINダイオード、14〜19はそれぞれコ
ンデンサ、20及び21はそれぞれインダクタンス素子
である。
バイアス信号入力端子である。このダイオード回線切替
器は、入力端子2及び6のうちの一方の高周波信号を、
入力端子4及び5へのバイアス信号の制御(二より出力
端子1に導(機能を有する。6〜9はそれぞれ使用周波
数で実質1/4波長となるストリップ線路、10〜16
はそれぞれPINダイオード、14〜19はそれぞれコ
ンデンサ、20及び21はそれぞれインダクタンス素子
である。
なお、高周波信号を入力端子2から出力端子PINダイ
オード16及゛び11が順方向にバイアスされるように
バイアス電流を与え、PINダイオード16及び11を
短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子4にP工
Nダイオード12及び10が逆方向にバイアスされるよ
うにバイアス電流を与え、P工Nダイオード12及び1
0を開放状態にする。逆に、高周波信号を入力端子6か
ら出力端子1へ導く場合は、バイアス信号入力端子4に
PINダイオード12及び10が順方向にバイアスされ
るようにバイアス電流を与え、PINダイオード12及
び10を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子
5(二P工Nダイオード16及び11が逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード
13及び11を開放状態′1t6・ 才力 この様な回路ではダイオードバイアスi子4又は5への
RFリークを防ぐだめ、20゜16又は2119のり、
Cの組合せから成るローパス回路を必ず必要としだ。
オード16及゛び11が順方向にバイアスされるように
バイアス電流を与え、PINダイオード16及び11を
短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子4にP工
Nダイオード12及び10が逆方向にバイアスされるよ
うにバイアス電流を与え、P工Nダイオード12及び1
0を開放状態にする。逆に、高周波信号を入力端子6か
ら出力端子1へ導く場合は、バイアス信号入力端子4に
PINダイオード12及び10が順方向にバイアスされ
るようにバイアス電流を与え、PINダイオード12及
び10を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子
5(二P工Nダイオード16及び11が逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード
13及び11を開放状態′1t6・ 才力 この様な回路ではダイオードバイアスi子4又は5への
RFリークを防ぐだめ、20゜16又は2119のり、
Cの組合せから成るローパス回路を必ず必要としだ。
この場合、前記ローパス回路は、バイアス信号入力端子
4及び5側に接続されるバイアヌ供給回路のRFインピ
ーダンスにより特性が変化し、 RF信号伝送路の通過
特性に悪い影響を与えた。
4及び5側に接続されるバイアヌ供給回路のRFインピ
ーダンスにより特性が変化し、 RF信号伝送路の通過
特性に悪い影響を与えた。
また、RF信号遮断時には、被切替高周波端子2又は乙
に接続される回路の電力モニタ回路等に反射電力を送出
するだめにこれら回路が誤動作する等の不都合を生じる
ことがあり、その場合にはこれら端子にアイソレータを
接続しなければならない等の不都合があった。
に接続される回路の電力モニタ回路等に反射電力を送出
するだめにこれら回路が誤動作する等の不都合を生じる
ことがあり、その場合にはこれら端子にアイソレータを
接続しなければならない等の不都合があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、バイアス信号入力
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子に接続される外部回路に影響を与え
ない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切替
器を提供することにある。
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子に接続される外部回路に影響を与え
ない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切替
器を提供することにある。
以下余日
〔発明の構成〕
本発明によれば、それぞれの一端が高周波的に接地され
た2個の第1のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質1/4波長となる2個の第1のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続することを少なく
とも一回行ない、該2個の第1のストリップ線路の他端
を共通に接続して第1の高周波信号端子とし、さらに前
記2個の第1のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質174波長となる2個の第2のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続し、該2個の第2
のストリップ線路のそれぞれの他端に、それぞれの一端
が所定のインピーダンスを有する終端抵抗をそれぞれ介
して高周波的に接地された2個の第2のダイオードのそ
れぞれの他端を接続し、該2個の第2のダイオードの該
他端をそれぞれ第2及び第6の高周波端子とし、また、
前記第2のダイオードと前記第1のダイオードとのペア
の各々のバイアス電流を前記終端抵抗゛を通して供給す
るようにしたことを、特徴とするダイオード回線切0替
器が得られる。
た2個の第1のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質1/4波長となる2個の第1のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続することを少なく
とも一回行ない、該2個の第1のストリップ線路の他端
を共通に接続して第1の高周波信号端子とし、さらに前
記2個の第1のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質174波長となる2個の第2のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続し、該2個の第2
のストリップ線路のそれぞれの他端に、それぞれの一端
が所定のインピーダンスを有する終端抵抗をそれぞれ介
して高周波的に接地された2個の第2のダイオードのそ
れぞれの他端を接続し、該2個の第2のダイオードの該
他端をそれぞれ第2及び第6の高周波端子とし、また、
前記第2のダイオードと前記第1のダイオードとのペア
の各々のバイアス電流を前記終端抵抗゛を通して供給す
るようにしたことを、特徴とするダイオード回線切0替
器が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第2図を参照すると1本発明の一実施例によるダイオー
ド回線切替器は、破線60の内部が膜回路基板上に構成
されている。PINダイオード10.12及び11.1
3はそれぞれ端子2及び6のうちの一方の高周波信号を
端子1に導くためのPINダイオードである。ダイオー
ド10及び12間と、ダイオード11及び13間は、実
質1/4波長のストリップ線路7及び9でそれぞれ接続
されている。ダイオード10及び11は、実質1/4波
長のストリップ線路6,8の2本とRFバイパスコンデ
ンサ14.17とを介し実質1/2波長の距離におかれ
、その中点は端子1に接続されている。またダイオード
12゜16は、ストリップ線路6〜9と同一基板上に構
成された終端抵抗41及び42によってそれぞれ高櫂波
的に終端されている。終端抵抗41及び42の各々は、
ストリップ線路7及び9の各々のインピーダンス値から
ダイオード12及び13の各AN時のインピーダンス値
を減じた値に等しい。
ド回線切替器は、破線60の内部が膜回路基板上に構成
されている。PINダイオード10.12及び11.1
3はそれぞれ端子2及び6のうちの一方の高周波信号を
端子1に導くためのPINダイオードである。ダイオー
ド10及び12間と、ダイオード11及び13間は、実
質1/4波長のストリップ線路7及び9でそれぞれ接続
されている。ダイオード10及び11は、実質1/4波
長のストリップ線路6,8の2本とRFバイパスコンデ
ンサ14.17とを介し実質1/2波長の距離におかれ
、その中点は端子1に接続されている。またダイオード
12゜16は、ストリップ線路6〜9と同一基板上に構
成された終端抵抗41及び42によってそれぞれ高櫂波
的に終端されている。終端抵抗41及び42の各々は、
ストリップ線路7及び9の各々のインピーダンス値から
ダイオード12及び13の各AN時のインピーダンス値
を減じた値に等しい。
なお、高周波信号を入力端子2から出力端子1へ導く場
合、第1図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子5
にPINダイオード13及び11が順方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード13
及び11を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端
子4にPINダイオード12及び1oが逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え。
合、第1図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子5
にPINダイオード13及び11が順方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード13
及び11を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端
子4にPINダイオード12及び1oが逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え。
PINダイオード12及び10を開放状態にする。逆に
、高周波信号を入力端子3がら出力端子1へ導く場合、
第1図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子4にP
INダイオード12及び10が順方向にバイアスさせる
ようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード12及び
10を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子5
にP工Nダイオード13及び11が逆方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード16
及び11を開放状態にする。
、高周波信号を入力端子3がら出力端子1へ導く場合、
第1図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子4にP
INダイオード12及び10が順方向にバイアスさせる
ようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード12及び
10を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子5
にP工Nダイオード13及び11が逆方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、P工Nダイオード16
及び11を開放状態にする。
本実施例はこのように構成されているから。
ダイオード10.11及び12.13はそれぞれ抵抗器
41又は42を通してバイアス電流を供給され、ローパ
ス回路20.16及び21.19以後のバイアス回路の
影響はこれら抵抗41.42によって軽減されるのみな
らず、特にこれら影響の大きいダイオードがOFFの状
態では上述のバイアス回路をR’F的に切り離すことが
出来るためその効果はさらに大きい。またRF的にもこ
れら抵抗器41.42が終端するため、被切替高周波端
子2及び3に接続される外部回路に与える影響も少なく
なる。このように、簡単な回路構成で高周波伝送特性を
改善したダイオード回線切替器を実現できる。 。
41又は42を通してバイアス電流を供給され、ローパ
ス回路20.16及び21.19以後のバイアス回路の
影響はこれら抵抗41.42によって軽減されるのみな
らず、特にこれら影響の大きいダイオードがOFFの状
態では上述のバイアス回路をR’F的に切り離すことが
出来るためその効果はさらに大きい。またRF的にもこ
れら抵抗器41.42が終端するため、被切替高周波端
子2及び3に接続される外部回路に与える影響も少なく
なる。このように、簡単な回路構成で高周波伝送特性を
改善したダイオード回線切替器を実現できる。 。
さらに、第2図の破線30内の部分はダイオードの接地
等を除き一枚の膜回路基板上に構成され、ハイブリッド
マイクロ波集積回路として構成されているから、小形2
で低コストの切替器となる。
等を除き一枚の膜回路基板上に構成され、ハイブリッド
マイクロ波集積回路として構成されているから、小形2
で低コストの切替器となる。
なお、第2図において、ストリップ線路6とP工Nダイ
オード10とのペアーの代りに、該ペアーを互に直列に
接続した複数ペアーに置きかえると共に、ストリップ線
路8とPINダイオード11とのペアーの代りに、該ペ
アーな互に直列に接続した複数ペアーに置きがえること
もできる。
オード10とのペアーの代りに、該ペアーを互に直列に
接続した複数ペアーに置きかえると共に、ストリップ線
路8とPINダイオード11とのペアーの代りに、該ペ
アーな互に直列に接続した複数ペアーに置きがえること
もできる。
〔発明の効果〕 、
以上説明したように本発明によれば、バイアス信号入力
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子(ヒ接続される外部回路に影響を与
えない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切
替器を簡単な回路構成で得ることができるという効果が
ある。
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子(ヒ接続される外部回路に影響を与
えない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切
替器を簡単な回路構成で得ることができるという効果が
ある。
以下余日
第1図は従来のダイオード回線切替器の回路図、第2図
は本発明の一実施例によるダイオード回線切替器の回路
図である。 1 ・高周波信号出力端子、2及び5・高周波信号入力
端子(被切替高周波端子)、4及び5・・ダイオードバ
イアス信号入力端子、6〜9・・実質1/4波長のスト
リップ線画、10〜13・・・P工Nダイオード、14
〜19・・・コンデンサ、20及び21・・インダクタ
ンヌ素子、41及び42・・終端抵抗。 代理人C7127’) ;・′に一:Z′:爪9洋介第
1図
は本発明の一実施例によるダイオード回線切替器の回路
図である。 1 ・高周波信号出力端子、2及び5・高周波信号入力
端子(被切替高周波端子)、4及び5・・ダイオードバ
イアス信号入力端子、6〜9・・実質1/4波長のスト
リップ線画、10〜13・・・P工Nダイオード、14
〜19・・・コンデンサ、20及び21・・インダクタ
ンヌ素子、41及び42・・終端抵抗。 代理人C7127’) ;・′に一:Z′:爪9洋介第
1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、それぞれの一端が高周波的に接地された2\ 個の第1のダイオードのそれぞれの他端を、それぞれが
使用周波数で実質1/4波長となる2個の第1のストリ
ップ線路のそれぞれの一端に接続することを少なくとも
一回行ない、該2個の第1のストリップ線路の他端を共
通に接続して第1の高周波信号端子とし、さらに前記2
個の第1のダイオードのそれぞれの他端を、それぞれが
使用周波数で実質1/4波長となる2個の第2のストリ
ップ線路のそれぞれの一端に接続し。 該2個の第2のストリップ線路のそれぞれの他端に、そ
れぞれの一端が所定のインピーダンスを有する終端抵抗
をそれぞれ介して高周波的に接地された2個の第2のダ
イオードのそれぞれの他端を接続し、゛該2個の第2の
ダイオードの該他端をそれぞれ第2及び第3の高周波端
子とし、また、前記第2のダイ−オードと前記第1のダ
イオードとのペアの各々のバイアス電流を前記終端抵抗
を通して供給するようにしたことを特徴とするダイオー
ド回線切替器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2872584A JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2872584A JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60173901A true JPS60173901A (ja) | 1985-09-07 |
JPH0133961B2 JPH0133961B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=12256413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2872584A Granted JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60173901A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0294117A2 (en) * | 1987-06-04 | 1988-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic variable attenuation switched limiter |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8390394B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-03-05 | Soshin Electric Co., Ltd. | High frequency switch |
JP5049886B2 (ja) | 2008-06-06 | 2012-10-17 | 双信電機株式会社 | 高周波スイッチ |
JP5261119B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-08-14 | 双信電機株式会社 | 高周波スイッチ |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2872584A patent/JPS60173901A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0294117A2 (en) * | 1987-06-04 | 1988-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic variable attenuation switched limiter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0133961B2 (ja) | 1989-07-17 |
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