JPS60173901A - ダイオ−ド回線切替器 - Google Patents
ダイオ−ド回線切替器Info
- Publication number
- JPS60173901A JPS60173901A JP2872584A JP2872584A JPS60173901A JP S60173901 A JPS60173901 A JP S60173901A JP 2872584 A JP2872584 A JP 2872584A JP 2872584 A JP2872584 A JP 2872584A JP S60173901 A JPS60173901 A JP S60173901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diodes
- high frequency
- diode
- circuit
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はマイクロ波周波数帯で使用されるダイオード
を用いた回線切替器に関し、特に。
を用いた回線切替器に関し、特に。
パイプリノドエＣ化に適した回線切替器に関する。
マイクロ波の回線切替器としては、従来、ラッチングサ
ーキュレータや機械的スイッチング回路が良く用いられ
ている。しかし、これらはスイッチングスピードが遅い
。このため、スピードが問題とされる場合は、従来、ダ
イオードスイッチング回路によるダイオード回線切替器
が用いられる。
ーキュレータや機械的スイッチング回路が良く用いられ
ている。しかし、これらはスイッチングスピードが遅い
。このため、スピードが問題とされる場合は、従来、ダ
イオードスイッチング回路によるダイオード回線切替器
が用いられる。
第１図は従来のダイオードを用いた回線切替器の例で、
特に大電力用として考慮された回線切替器の例である。
特に大電力用として考慮された回線切替器の例である。
ダイオードは従来パンゲージで使用することを主体に考
慮されているため。
慮されているため。
となった。
第１図において、１は高周波信号出力端子。
２及び３は高周波信号入力端子、４及び５はダイオード
バイアス信号入力端子である。このダイオード回線切替
器は、入力端子２及び６のうちの一方の高周波信号を、
入力端子４及び５へのバイアス信号の制御（二より出力
端子１に導（機能を有する。６〜９はそれぞれ使用周波
数で実質１／４波長となるストリップ線路、１０〜１６
はそれぞれＰＩＮダイオード、１４〜１９はそれぞれコ
ンデンサ、２０及び２１はそれぞれインダクタンス素子
である。
バイアス信号入力端子である。このダイオード回線切替
器は、入力端子２及び６のうちの一方の高周波信号を、
入力端子４及び５へのバイアス信号の制御（二より出力
端子１に導（機能を有する。６〜９はそれぞれ使用周波
数で実質１／４波長となるストリップ線路、１０〜１６
はそれぞれＰＩＮダイオード、１４〜１９はそれぞれコ
ンデンサ、２０及び２１はそれぞれインダクタンス素子
である。
なお、高周波信号を入力端子２から出力端子ＰＩＮダイ
オード１６及゛び１１が順方向にバイアスされるように
バイアス電流を与え、ＰＩＮダイオード１６及び１１を
短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子４にＰ工
Ｎダイオード１２及び１０が逆方向にバイアスされるよ
うにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１２及び１
０を開放状態にする。逆に、高周波信号を入力端子６か
ら出力端子１へ導く場合は、バイアス信号入力端子４に
ＰＩＮダイオード１２及び１０が順方向にバイアスされ
るようにバイアス電流を与え、ＰＩＮダイオード１２及
び１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子
５（二Ｐ工Ｎダイオード１６及び１１が逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード
１３及び１１を開放状態′１ｔ６・ 才力 この様な回路ではダイオードバイアスｉ子４又は５への
ＲＦリークを防ぐだめ、２０゜１６又は２１１９のり、
Ｃの組合せから成るローパス回路を必ず必要としだ。
オード１６及゛び１１が順方向にバイアスされるように
バイアス電流を与え、ＰＩＮダイオード１６及び１１を
短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子４にＰ工
Ｎダイオード１２及び１０が逆方向にバイアスされるよ
うにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１２及び１
０を開放状態にする。逆に、高周波信号を入力端子６か
ら出力端子１へ導く場合は、バイアス信号入力端子４に
ＰＩＮダイオード１２及び１０が順方向にバイアスされ
るようにバイアス電流を与え、ＰＩＮダイオード１２及
び１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子
５（二Ｐ工Ｎダイオード１６及び１１が逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード
１３及び１１を開放状態′１ｔ６・ 才力 この様な回路ではダイオードバイアスｉ子４又は５への
ＲＦリークを防ぐだめ、２０゜１６又は２１１９のり、
Ｃの組合せから成るローパス回路を必ず必要としだ。
この場合、前記ローパス回路は、バイアス信号入力端子
４及び５側に接続されるバイアヌ供給回路のＲＦインピ
ーダンスにより特性が変化し、 ＲＦ信号伝送路の通過
特性に悪い影響を与えた。
４及び５側に接続されるバイアヌ供給回路のＲＦインピ
ーダンスにより特性が変化し、 ＲＦ信号伝送路の通過
特性に悪い影響を与えた。
また、ＲＦ信号遮断時には、被切替高周波端子２又は乙
に接続される回路の電力モニタ回路等に反射電力を送出
するだめにこれら回路が誤動作する等の不都合を生じる
ことがあり、その場合にはこれら端子にアイソレータを
接続しなければならない等の不都合があった。
に接続される回路の電力モニタ回路等に反射電力を送出
するだめにこれら回路が誤動作する等の不都合を生じる
ことがあり、その場合にはこれら端子にアイソレータを
接続しなければならない等の不都合があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、バイアス信号入力
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子に接続される外部回路に影響を与え
ない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切替
器を提供することにある。
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子に接続される外部回路に影響を与え
ない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切替
器を提供することにある。
以下余日
〔発明の構成〕
本発明によれば、それぞれの一端が高周波的に接地され
た２個の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質１／４波長となる２個の第１のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続することを少なく
とも一回行ない、該２個の第１のストリップ線路の他端
を共通に接続して第１の高周波信号端子とし、さらに前
記２個の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質１７４波長となる２個の第２のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続し、該２個の第２
のストリップ線路のそれぞれの他端に、それぞれの一端
が所定のインピーダンスを有する終端抵抗をそれぞれ介
して高周波的に接地された２個の第２のダイオードのそ
れぞれの他端を接続し、該２個の第２のダイオードの該
他端をそれぞれ第２及び第６の高周波端子とし、また、
前記第２のダイオードと前記第１のダイオードとのペア
の各々のバイアス電流を前記終端抵抗゛を通して供給す
るようにしたことを、特徴とするダイオード回線切０替
器が得られる。
た２個の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質１／４波長となる２個の第１のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続することを少なく
とも一回行ない、該２個の第１のストリップ線路の他端
を共通に接続して第１の高周波信号端子とし、さらに前
記２個の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質１７４波長となる２個の第２のス
トリップ線路のそれぞれの一端に接続し、該２個の第２
のストリップ線路のそれぞれの他端に、それぞれの一端
が所定のインピーダンスを有する終端抵抗をそれぞれ介
して高周波的に接地された２個の第２のダイオードのそ
れぞれの他端を接続し、該２個の第２のダイオードの該
他端をそれぞれ第２及び第６の高周波端子とし、また、
前記第２のダイオードと前記第１のダイオードとのペア
の各々のバイアス電流を前記終端抵抗゛を通して供給す
るようにしたことを、特徴とするダイオード回線切０替
器が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図を参照すると１本発明の一実施例によるダイオー
ド回線切替器は、破線６０の内部が膜回路基板上に構成
されている。ＰＩＮダイオード１０．１２及び１１．１
３はそれぞれ端子２及び６のうちの一方の高周波信号を
端子１に導くためのＰＩＮダイオードである。ダイオー
ド１０及び１２間と、ダイオード１１及び１３間は、実
質１／４波長のストリップ線路７及び９でそれぞれ接続
されている。ダイオード１０及び１１は、実質１／４波
長のストリップ線路６，８の２本とＲＦバイパスコンデ
ンサ１４．１７とを介し実質１／２波長の距離におかれ
、その中点は端子１に接続されている。またダイオード
１２゜１６は、ストリップ線路６〜９と同一基板上に構
成された終端抵抗４１及び４２によってそれぞれ高櫂波
的に終端されている。終端抵抗４１及び４２の各々は、
ストリップ線路７及び９の各々のインピーダンス値から
ダイオード１２及び１３の各ＡＮ時のインピーダンス値
を減じた値に等しい。
ド回線切替器は、破線６０の内部が膜回路基板上に構成
されている。ＰＩＮダイオード１０．１２及び１１．１
３はそれぞれ端子２及び６のうちの一方の高周波信号を
端子１に導くためのＰＩＮダイオードである。ダイオー
ド１０及び１２間と、ダイオード１１及び１３間は、実
質１／４波長のストリップ線路７及び９でそれぞれ接続
されている。ダイオード１０及び１１は、実質１／４波
長のストリップ線路６，８の２本とＲＦバイパスコンデ
ンサ１４．１７とを介し実質１／２波長の距離におかれ
、その中点は端子１に接続されている。またダイオード
１２゜１６は、ストリップ線路６〜９と同一基板上に構
成された終端抵抗４１及び４２によってそれぞれ高櫂波
的に終端されている。終端抵抗４１及び４２の各々は、
ストリップ線路７及び９の各々のインピーダンス値から
ダイオード１２及び１３の各ＡＮ時のインピーダンス値
を減じた値に等しい。
なお、高周波信号を入力端子２から出力端子１へ導く場
合、第１図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子５
にＰＩＮダイオード１３及び１１が順方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１３
及び１１を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端
子４にＰＩＮダイオード１２及び１ｏが逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え。
合、第１図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子５
にＰＩＮダイオード１３及び１１が順方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１３
及び１１を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端
子４にＰＩＮダイオード１２及び１ｏが逆方向にバイア
スされるようにバイアス電流を与え。
ＰＩＮダイオード１２及び１０を開放状態にする。逆に
、高周波信号を入力端子３がら出力端子１へ導く場合、
第１図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子４にＰ
ＩＮダイオード１２及び１０が順方向にバイアスさせる
ようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１２及び
１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子５
にＰ工Ｎダイオード１３及び１１が逆方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１６
及び１１を開放状態にする。
、高周波信号を入力端子３がら出力端子１へ導く場合、
第１図の切替器と同様に、バイアス信号入力端子４にＰ
ＩＮダイオード１２及び１０が順方向にバイアスさせる
ようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１２及び
１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入力端子５
にＰ工Ｎダイオード１３及び１１が逆方向にバイアスさ
れるようにバイアス電流を与え、Ｐ工Ｎダイオード１６
及び１１を開放状態にする。
本実施例はこのように構成されているから。
ダイオード１０．１１及び１２．１３はそれぞれ抵抗器
４１又は４２を通してバイアス電流を供給され、ローパ
ス回路２０．１６及び２１．１９以後のバイアス回路の
影響はこれら抵抗４１．４２によって軽減されるのみな
らず、特にこれら影響の大きいダイオードがＯＦＦの状
態では上述のバイアス回路をＲ’Ｆ的に切り離すことが
出来るためその効果はさらに大きい。またＲＦ的にもこ
れら抵抗器４１．４２が終端するため、被切替高周波端
子２及び３に接続される外部回路に与える影響も少なく
なる。このように、簡単な回路構成で高周波伝送特性を
改善したダイオード回線切替器を実現できる。 。
４１又は４２を通してバイアス電流を供給され、ローパ
ス回路２０．１６及び２１．１９以後のバイアス回路の
影響はこれら抵抗４１．４２によって軽減されるのみな
らず、特にこれら影響の大きいダイオードがＯＦＦの状
態では上述のバイアス回路をＲ’Ｆ的に切り離すことが
出来るためその効果はさらに大きい。またＲＦ的にもこ
れら抵抗器４１．４２が終端するため、被切替高周波端
子２及び３に接続される外部回路に与える影響も少なく
なる。このように、簡単な回路構成で高周波伝送特性を
改善したダイオード回線切替器を実現できる。 。
さらに、第２図の破線３０内の部分はダイオードの接地
等を除き一枚の膜回路基板上に構成され、ハイブリッド
マイクロ波集積回路として構成されているから、小形２
で低コストの切替器となる。
等を除き一枚の膜回路基板上に構成され、ハイブリッド
マイクロ波集積回路として構成されているから、小形２
で低コストの切替器となる。
なお、第２図において、ストリップ線路６とＰ工Ｎダイ
オード１０とのペアーの代りに、該ペアーを互に直列に
接続した複数ペアーに置きかえると共に、ストリップ線
路８とＰＩＮダイオード１１とのペアーの代りに、該ペ
アーな互に直列に接続した複数ペアーに置きがえること
もできる。
オード１０とのペアーの代りに、該ペアーを互に直列に
接続した複数ペアーに置きかえると共に、ストリップ線
路８とＰＩＮダイオード１１とのペアーの代りに、該ペ
アーな互に直列に接続した複数ペアーに置きがえること
もできる。
〔発明の効果〕 、
以上説明したように本発明によれば、バイアス信号入力
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子（ヒ接続される外部回路に影響を与
えない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切
替器を簡単な回路構成で得ることができるという効果が
ある。
端子に接続される外部回路の影響を受けず、しかも、被
切替高周波信号端子（ヒ接続される外部回路に影響を与
えない、高周波信号伝送特性の良好なダイオード回線切
替器を簡単な回路構成で得ることができるという効果が
ある。
以下余日
第１図は従来のダイオード回線切替器の回路図、第２図
は本発明の一実施例によるダイオード回線切替器の回路
図である。 １ ・高周波信号出力端子、２及び５・高周波信号入力
端子（被切替高周波端子）、４及び５・・ダイオードバ
イアス信号入力端子、６〜９・・実質１／４波長のスト
リップ線画、１０〜１３・・・Ｐ工Ｎダイオード、１４
〜１９・・・コンデンサ、２０及び２１・・インダクタ
ンヌ素子、４１及び４２・・終端抵抗。 代理人Ｃ７１２７’） ；・′に一：Ｚ′：爪９洋介第
１図
は本発明の一実施例によるダイオード回線切替器の回路
図である。 １ ・高周波信号出力端子、２及び５・高周波信号入力
端子（被切替高周波端子）、４及び５・・ダイオードバ
イアス信号入力端子、６〜９・・実質１／４波長のスト
リップ線画、１０〜１３・・・Ｐ工Ｎダイオード、１４
〜１９・・・コンデンサ、２０及び２１・・インダクタ
ンヌ素子、４１及び４２・・終端抵抗。 代理人Ｃ７１２７’） ；・′に一：Ｚ′：爪９洋介第
１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、それぞれの一端が高周波的に接地された２＼ 個の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞれが
使用周波数で実質１／４波長となる２個の第１のストリ
ップ線路のそれぞれの一端に接続することを少なくとも
一回行ない、該２個の第１のストリップ線路の他端を共
通に接続して第１の高周波信号端子とし、さらに前記２
個の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞれが
使用周波数で実質１／４波長となる２個の第２のストリ
ップ線路のそれぞれの一端に接続し。 該２個の第２のストリップ線路のそれぞれの他端に、そ
れぞれの一端が所定のインピーダンスを有する終端抵抗
をそれぞれ介して高周波的に接地された２個の第２のダ
イオードのそれぞれの他端を接続し、゛該２個の第２の
ダイオードの該他端をそれぞれ第２及び第３の高周波端
子とし、また、前記第２のダイ−オードと前記第１のダ
イオードとのペアの各々のバイアス電流を前記終端抵抗
を通して供給するようにしたことを特徴とするダイオー
ド回線切替器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2872584A JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2872584A JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173901A true JPS60173901A (ja) | 1985-09-07 |
| JPH0133961B2 JPH0133961B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=12256413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2872584A Granted JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0294117A2 (en) * | 1987-06-04 | 1988-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic variable attenuation switched limiter |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8390394B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-03-05 | Soshin Electric Co., Ltd. | High frequency switch |
| JP5049886B2 (ja) | 2008-06-06 | 2012-10-17 | 双信電機株式会社 | 高周波スイッチ |
| JP5261119B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-08-14 | 双信電機株式会社 | 高周波スイッチ |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2872584A patent/JPS60173901A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0294117A2 (en) * | 1987-06-04 | 1988-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic variable attenuation switched limiter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0133961B2 (ja) | 1989-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4902983A (en) | Nonlinear signal generating circuit and nonlinear compensating device using the same | |
| US4721929A (en) | Multi-stage power divider | |
| US6504449B2 (en) | Phase compensated switched attenuation pad | |
| US5119050A (en) | Low loss 360 degree x-band analog phase shifter | |
| US5079527A (en) | Recombinant, in-phase, 3-way power divider | |
| Tajima et al. | GaAs monolithic wideband (2-18 GHz) variable attenuators | |
| US5455546A (en) | High power radio frequency divider/combiner | |
| JPS60173901A (ja) | ダイオ−ド回線切替器 | |
| US4980654A (en) | Transmission line transformer | |
| US4800343A (en) | DC cutting circuit | |
| US4251784A (en) | Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices | |
| JPH0923101A (ja) | 高周波スイッチ装置 | |
| US5440283A (en) | Inverted pin diode switch apparatus | |
| JPH04127701A (ja) | マイクロストリップ線路減衰器 | |
| US3784932A (en) | Parallel transmission line matching network for connecting together a plurality of r.f. amplifier transistors | |
| JPS6126302A (ja) | 電力分配器 | |
| JPH05235677A (ja) | リミッター回路 | |
| JPH11317606A (ja) | Ｐｉｎダイオードスイッチ | |
| JPS64841B2 (ja) | ||
| JPS6295002A (ja) | ミリ波終端器 | |
| JPS60160201A (ja) | 減衰器 | |
| JPS62247602A (ja) | 固定抵抗減衰器 | |
| JP3157547B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH039363Y2 (ja) | ||
| JP2896011B2 (ja) | 高調波ミクサ |