JPS63198408A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
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- JPS63198408A JPS63198408A JP62030553A JP3055387A JPS63198408A JP S63198408 A JPS63198408 A JP S63198408A JP 62030553 A JP62030553 A JP 62030553A JP 3055387 A JP3055387 A JP 3055387A JP S63198408 A JPS63198408 A JP S63198408A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/605—Distributed amplifiers
- H03F3/607—Distributed amplifiers using FET's
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波通信等に用いる広帯域増幅器０
発振器に所望のバイア、スミ圧を供給するためのバイア
ス回路に関するものである。
発振器に所望のバイア、スミ圧を供給するためのバイア
ス回路に関するものである。
第５図は特開昭６０−２３３９１２号公報の分布増幅器
に用いられている従来のバイアス回路の等価回路である
０図において、１．２は分布定数線路、３は抵抗、４，
５．６はキャパシタ、７はバイアス電源端子、８は入力
端子である。
に用いられている従来のバイアス回路の等価回路である
０図において、１．２は分布定数線路、３は抵抗、４，
５．６はキャパシタ、７はバイアス電源端子、８は入力
端子である。
このバイアス回路は、バイアス電源端子７と入力端子８
との間に２個の分布定数線路１．２を配置し、分布定数
線路１の入力端子８側の端子を抵抗３とキャパシタ４と
の直列接続回路で接地するとともに、分布定数線路１の
他の端子および分布定数線路２のバイアス電源端子７側
の端子をそれぞれキャパシタ５．６で接地して構成して
いる。
との間に２個の分布定数線路１．２を配置し、分布定数
線路１の入力端子８側の端子を抵抗３とキャパシタ４と
の直列接続回路で接地するとともに、分布定数線路１の
他の端子および分布定数線路２のバイアス電源端子７側
の端子をそれぞれキャパシタ５．６で接地して構成して
いる。
このように構成されているため、分布定数線路１゜２と
キャパシタ５，６とで構成される低域通過フィルタの入
力端子８側の一端を抵抗３とキャパシタ４との直列接続
回路で接地した回路構成と見なすことができる。なお、
図中では示していないが、バイアス電源端子７にはバイ
アス電源が、入力端子８には分布型増幅器等の広帯域増
幅器がそれぞれ接続されている。
キャパシタ５，６とで構成される低域通過フィルタの入
力端子８側の一端を抵抗３とキャパシタ４との直列接続
回路で接地した回路構成と見なすことができる。なお、
図中では示していないが、バイアス電源端子７にはバイ
アス電源が、入力端子８には分布型増幅器等の広帯域増
幅器がそれぞれ接続されている。
低域通過フィルタを構成する分布定数線路１゜２および
キャパシタ５，６の各定数は低域通過フィルタの遮断周
波数が所要周波数帯よりも低い周波数となるように選ば
れており、またキャパシタ４は所要周波数帯で十分小さ
なインピーダンスとなるように選ばれている。このため
、Ａ点からバイアス電源端子７側を見たインピーダンス
は所要周波数帯でほぼ無限大となり、また入力端子８か
らバイアス電源端子７側を見たインピーダンスは抵抗３
の値にほぼ等しくなる。
キャパシタ５，６の各定数は低域通過フィルタの遮断周
波数が所要周波数帯よりも低い周波数となるように選ば
れており、またキャパシタ４は所要周波数帯で十分小さ
なインピーダンスとなるように選ばれている。このため
、Ａ点からバイアス電源端子７側を見たインピーダンス
は所要周波数帯でほぼ無限大となり、また入力端子８か
らバイアス電源端子７側を見たインピーダンスは抵抗３
の値にほぼ等しくなる。
従って、入力端子８が所要周波数帯で抵抗３で終端され
るため、広帯域増幅器の安定化を図ることができるとと
もに、バイアス電源端子７に所望の直流バイアス電圧を
印加することにより、電圧降下されることなく分布定数
線路１，２を介して入力端子８から広帯域増幅器にバイ
アス電圧を供給することもできる。
るため、広帯域増幅器の安定化を図ることができるとと
もに、バイアス電源端子７に所望の直流バイアス電圧を
印加することにより、電圧降下されることなく分布定数
線路１，２を介して入力端子８から広帯域増幅器にバイ
アス電圧を供給することもできる。
しかし従来のバイアス回路は以上のように構成されてい
るので、低域通過フィルタの段数が十分に多く、所要周
波数においてＡ点からバイアス電源端子７側を見たイン
ピーダンスが無限大とならないかぎり、該インピーダン
スはバイアス電源端子７に接続されるバイアス電源のイ
ンピーダンスに大きく依存することとなる。従って入力
端子８からバイアス電源端子７側を見たインピーダンス
はバイアス電源のインピーダンスによって変化するため
、使用するバイアス電源によって増幅器特性が変化した
り、広帯域増幅器が不安定になるなどの問題点があった
。
るので、低域通過フィルタの段数が十分に多く、所要周
波数においてＡ点からバイアス電源端子７側を見たイン
ピーダンスが無限大とならないかぎり、該インピーダン
スはバイアス電源端子７に接続されるバイアス電源のイ
ンピーダンスに大きく依存することとなる。従って入力
端子８からバイアス電源端子７側を見たインピーダンス
はバイアス電源のインピーダンスによって変化するため
、使用するバイアス電源によって増幅器特性が変化した
り、広帯域増幅器が不安定になるなどの問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、入力端子からバイアス電源端子側を見たイン
ピーダンスを、バイアス電源のインピーダンスに関係な
く常に一定にすることができるバイアス回路を得ること
を目的とする。
たもので、入力端子からバイアス電源端子側を見たイン
ピーダンスを、バイアス電源のインピーダンスに関係な
く常に一定にすることができるバイアス回路を得ること
を目的とする。
この発明に係るバイアス回路は、一方の端子がキャパシ
タを介して接地され、かつバイアス電源端子に接続され
た第１の分布定数線路と、一方の端子が開放され、他方
の端子が上記第１の分布定数線路の他方の端子と接続さ
れ、かつ入力端子に接続された第２の分布定数線路とを
、−箇所又は数箇所で抵抗を含む回路を介して接続した
ものである。
タを介して接地され、かつバイアス電源端子に接続され
た第１の分布定数線路と、一方の端子が開放され、他方
の端子が上記第１の分布定数線路の他方の端子と接続さ
れ、かつ入力端子に接続された第２の分布定数線路とを
、−箇所又は数箇所で抵抗を含む回路を介して接続した
ものである。
この発明においては、入力端子に接続された増幅器等か
らバイアス回路側へ漏れ込んだマイクロ波は第１．第２
の分布定数線路間を接続する抵抗を含む回路により吸収
され、また、第１の分布定数線路のバイアス電源端子側
の端子はキャパシタによりマイクロ波的に短絡されてい
るため、入力端子からバイアス電源端子側を見たインピ
ーダンスを、バイアス電源のインピーダンスに関係なく
常に一定にすることができる。
らバイアス回路側へ漏れ込んだマイクロ波は第１．第２
の分布定数線路間を接続する抵抗を含む回路により吸収
され、また、第１の分布定数線路のバイアス電源端子側
の端子はキャパシタによりマイクロ波的に短絡されてい
るため、入力端子からバイアス電源端子側を見たインピ
ーダンスを、バイアス電源のインピーダンスに関係なく
常に一定にすることができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１実施例によるバイアス回路の等
価回路を示す。図において、９，１ｏはそれぞれ第１．
第２の分布定数線路、１１．１２は抵抗、１３はキャパ
シタ、１４はＴ分岐回路、ａ点、ｂ点およびａ′点、ｂ
′点はそれぞれ第１の分布定数線路９と第２の分布定数
線路１０との所定の位置を示す、このバイアス回路は、
第１の分布定数線路９．第２の分布定数線路１０．抵抗
１１．１２およびキャパシタ１３とで構成されており、
第１の分布定数線路９の一方の端子はキャパシタ１３を
介して接地されるとともに、バイアス電源端子７に接続
されており、他方の端子はＴ分岐回路１４を介してバイ
アス電圧を必要とするデバイスのバイアス端子に接続す
るための入力端子８へ接続されている。また、第２の分
布定数線路１０の一方の端子は開放となっており、他方
の端子はＴ分岐回路１４を介して入力端子８に接続され
ている。さらに、第１の分布定数線路９の所゛定の位置
ａ点と第２の分布定数線路１０の所定の位置ａ′点、及
び第１の分布定数線路９の所定の位置す点と第２の分布
定数線路１０の所定の位置ｂ′はそれぞれ抵抗１１．１
２で接続されている。
価回路を示す。図において、９，１ｏはそれぞれ第１．
第２の分布定数線路、１１．１２は抵抗、１３はキャパ
シタ、１４はＴ分岐回路、ａ点、ｂ点およびａ′点、ｂ
′点はそれぞれ第１の分布定数線路９と第２の分布定数
線路１０との所定の位置を示す、このバイアス回路は、
第１の分布定数線路９．第２の分布定数線路１０．抵抗
１１．１２およびキャパシタ１３とで構成されており、
第１の分布定数線路９の一方の端子はキャパシタ１３を
介して接地されるとともに、バイアス電源端子７に接続
されており、他方の端子はＴ分岐回路１４を介してバイ
アス電圧を必要とするデバイスのバイアス端子に接続す
るための入力端子８へ接続されている。また、第２の分
布定数線路１０の一方の端子は開放となっており、他方
の端子はＴ分岐回路１４を介して入力端子８に接続され
ている。さらに、第１の分布定数線路９の所゛定の位置
ａ点と第２の分布定数線路１０の所定の位置ａ′点、及
び第１の分布定数線路９の所定の位置す点と第２の分布
定数線路１０の所定の位置ｂ′はそれぞれ抵抗１１．１
２で接続されている。
さらに、第１の分布定数線路９と第２の分布定数線路１
０とは同じ長さに選ばれており、入力端子８からａ点ま
での電気長とａ′点までの電気長、及びｂ点までの電気
長とｂ′点までの電気長もそれぞれ同じに選ばれている
。また、−キャパシタ１３は所要周波数帯で十分小さな
インピーダンスとなるように選ばれている。
０とは同じ長さに選ばれており、入力端子８からａ点ま
での電気長とａ′点までの電気長、及びｂ点までの電気
長とｂ′点までの電気長もそれぞれ同じに選ばれている
。また、−キャパシタ１３は所要周波数帯で十分小さな
インピーダンスとなるように選ばれている。
このような構成になるバイアス回路では、入力端子８か
ら入射したマイクロ波はＴ分岐回路１４で等分され、等
分されたマイクロ波は第１の分布定数線路９と第２の分
布定数線路ｌＯとをそれぞれ同振幅、同位相でバイアス
電源端子７方向に向かって抵抗１１．１２で消費される
ことなく進む。
ら入射したマイクロ波はＴ分岐回路１４で等分され、等
分されたマイクロ波は第１の分布定数線路９と第２の分
布定数線路ｌＯとをそれぞれ同振幅、同位相でバイアス
電源端子７方向に向かって抵抗１１．１２で消費される
ことなく進む。
これらのマイクロ波は第１の分布定数線路９および第２
の分布定数線路１０のバイアス電源端子７側の各端子で
それぞれ全反射され、逆に入力端子８側へ向かって進む
ようになる。しかし、第１の分布定数線路９のバイアス
電源端子７側の端子はキャパシタ１３により短絡され、
第２の分布定数線路１０の端子は開放となっているため
、反射されたマイクロ波はそれぞれ同振幅、逆位相の関
係となる。このため、ａ点とａ′点、ｂ点とｂ′点にお
ける反射されたマイクロ波の位相は１８０ °異なり、
反射されたマイクロ波は抵抗１１．１２に消費され、入
力端子８へはもどらない、従って、入力端子８からバイ
アス電源端子７側を見たインピーダンスは所要周波数帯
で抵抗１１．１２．第１の分布定数線路９および第２の
分布定数線路１０とで決まる等価的な抵抗に等しくなる
。また、このインピーダンスは第１の分布定数線路９の
バイアス電源端子７側の端子がキャパシタ１３でマイク
ロ波的に短絡されるため、バイアス電源端子７に接続さ
れるバイアス電源のインピーダンスに関係なく常に一定
となる。さらに、バイアス電源端子７から直流バイアス
電圧を印加することにより、電圧降下されることなく、
第１の分布定数線路９を介して入力端子８から広帯域増
幅器へバイアス電圧を供給することもできる。
の分布定数線路１０のバイアス電源端子７側の各端子で
それぞれ全反射され、逆に入力端子８側へ向かって進む
ようになる。しかし、第１の分布定数線路９のバイアス
電源端子７側の端子はキャパシタ１３により短絡され、
第２の分布定数線路１０の端子は開放となっているため
、反射されたマイクロ波はそれぞれ同振幅、逆位相の関
係となる。このため、ａ点とａ′点、ｂ点とｂ′点にお
ける反射されたマイクロ波の位相は１８０ °異なり、
反射されたマイクロ波は抵抗１１．１２に消費され、入
力端子８へはもどらない、従って、入力端子８からバイ
アス電源端子７側を見たインピーダンスは所要周波数帯
で抵抗１１．１２．第１の分布定数線路９および第２の
分布定数線路１０とで決まる等価的な抵抗に等しくなる
。また、このインピーダンスは第１の分布定数線路９の
バイアス電源端子７側の端子がキャパシタ１３でマイク
ロ波的に短絡されるため、バイアス電源端子７に接続さ
れるバイアス電源のインピーダンスに関係なく常に一定
となる。さらに、バイアス電源端子７から直流バイアス
電圧を印加することにより、電圧降下されることなく、
第１の分布定数線路９を介して入力端子８から広帯域増
幅器へバイアス電圧を供給することもできる。
このようにこのバイアス回路では、使用するバイアス電
源の影響を受けることなく、入力端子からバイアス電源
端子側を見たインピーダンスを常に一定とでき、かつ従
来のバイアス回路と同様の働きを行うことができる。
源の影響を受けることなく、入力端子からバイアス電源
端子側を見たインピーダンスを常に一定とでき、かつ従
来のバイアス回路と同様の働きを行うことができる。
第２図はこの発明の第２実施例によるバイアス回路を示
す等価回路図である０本実施例は、長さの異なる第１の
分布定数線路９と第２の分布定数線路１０を用いたもの
であり、入力端子８からｂ点までの電気長とｂ′点まで
の電気長、ａ点までの電気長とａ′点までの電気長とが
それぞれ異なる。
す等価回路図である０本実施例は、長さの異なる第１の
分布定数線路９と第２の分布定数線路１０を用いたもの
であり、入力端子８からｂ点までの電気長とｂ′点まで
の電気長、ａ点までの電気長とａ′点までの電気長とが
それぞれ異なる。
このようなバイアス回路では、入力端子８から入射した
マイクロ波はＴ分岐回路１４で等分され、等分されたマ
イクロ波は第１の分布定数線路９第２の分布定数線路１
０をそれぞれバイアス電源端子７方向へ向かって進む、
これらのマイクロ波はｂ点とｂ′点、ａ点とａ′点で位
相が異なるため、一部が抵抗１１．１２で消費され、残
りが第１の分布定数線路９と第２の分布定数線路１０の
バイアス電源端子７側の端子までそれぞれ進む、そこで
それぞれのマイクロ波は全反射され、再び入力端子８側
へ向かって進む０反射されたそれぞれのマイクロ波は位
相が１８０ °異なるため、抵抗１１゜１２でそれぞれ
消費され、入力端子８へは到達しない。
マイクロ波はＴ分岐回路１４で等分され、等分されたマ
イクロ波は第１の分布定数線路９第２の分布定数線路１
０をそれぞれバイアス電源端子７方向へ向かって進む、
これらのマイクロ波はｂ点とｂ′点、ａ点とａ′点で位
相が異なるため、一部が抵抗１１．１２で消費され、残
りが第１の分布定数線路９と第２の分布定数線路１０の
バイアス電源端子７側の端子までそれぞれ進む、そこで
それぞれのマイクロ波は全反射され、再び入力端子８側
へ向かって進む０反射されたそれぞれのマイクロ波は位
相が１８０ °異なるため、抵抗１１゜１２でそれぞれ
消費され、入力端子８へは到達しない。
このように、入力端子８から入射したマイクロ波はバイ
アス電源端子７へ向かって進む間に一部が抵抗１１．１
２で消費され、さらに第１の分布定数線路９と第２の分
布定数線路１０のバイアス電源端子７側の各端子でそれ
ぞれ反射された残りのマイクロ波は再び抵抗１１．１２
で消費されるので、本実施例回路は、第１図のバイアス
回路と同じ働きをする。
アス電源端子７へ向かって進む間に一部が抵抗１１．１
２で消費され、さらに第１の分布定数線路９と第２の分
布定数線路１０のバイアス電源端子７側の各端子でそれ
ぞれ反射された残りのマイクロ波は再び抵抗１１．１２
で消費されるので、本実施例回路は、第１図のバイアス
回路と同じ働きをする。
第３図はこの発明の第３実施例によるバイアス回路を示
す０本実施例は、第１図に示すバイアス回路にて抵抗１
１にキャパシタ１５を、抵抗１２にキャパシタ１６を、
それぞれ直列に接続した回路構成になっている。
す０本実施例は、第１図に示すバイアス回路にて抵抗１
１にキャパシタ１５を、抵抗１２にキャパシタ１６を、
それぞれ直列に接続した回路構成になっている。
本実施例では、抵抗１１とキャパシタ１５とで構成され
る直列回路のインピーダンスは使用するキャパシタ１５
の値により決まり、また抵抗１２とキャパシタ１６の直
列回路についても同じである。従って、使用するキャパ
シタ１５．１６を適当に選ぶことにより抵抗１１．１２
で消費されるマイクロ波の量を変えることができ、この
ため、入力端子８からバイアス電源端子７側を見たイン
ピーダンスを所定の値に設定することができる。
る直列回路のインピーダンスは使用するキャパシタ１５
の値により決まり、また抵抗１２とキャパシタ１６の直
列回路についても同じである。従って、使用するキャパ
シタ１５．１６を適当に選ぶことにより抵抗１１．１２
で消費されるマイクロ波の量を変えることができ、この
ため、入力端子８からバイアス電源端子７側を見たイン
ピーダンスを所定の値に設定することができる。
第４図はこの発明の第４実施例によるバイアス回路を示
す０本実施例は第１図のバイアス回路にて第１の分布定
数線路９をインダクタ１７とキャパシタ１８とで、第２
の分布定数線路１０をインダクタ１９とキャパシタ２０
とで、それセれ構成したものである。このように第１の
分布定数線路９、第２の分布定数線路１０をインダクタ
１７゜１９およびキャパシタ１８．２０を用いて集中定
数回路で構成することにより、バイアス回路の小形化を
図ることができる。
す０本実施例は第１図のバイアス回路にて第１の分布定
数線路９をインダクタ１７とキャパシタ１８とで、第２
の分布定数線路１０をインダクタ１９とキャパシタ２０
とで、それセれ構成したものである。このように第１の
分布定数線路９、第２の分布定数線路１０をインダクタ
１７゜１９およびキャパシタ１８．２０を用いて集中定
数回路で構成することにより、バイアス回路の小形化を
図ることができる。
なお、上記実施例では、分布定数線路間の接続に２個の
抵抗を用いた場合について説明したが、１個あるいは３
個以上の抵抗を用いてもよく、同様の効果を奏する。
抵抗を用いた場合について説明したが、１個あるいは３
個以上の抵抗を用いてもよく、同様の効果を奏する。
また、本発明は広帯域増幅器のみでなく、高出力増幅器
９発振器等のバイアス回路として用いてもよい。
９発振器等のバイアス回路として用いてもよい。
以上のように、この発明のバイアス回路によれば、一方
の端子がキャパシタを介して接地され、かつバイアス電
源端子に接続された第１の分布定数線路と、一方の端子
が開放され、他方の端子が上記第１の分布定数線路の他
方の端子と接続され、かつ上記入力端子に接続された第
２の分布定数線路とを、−箇所又は数箇所で抵抗を含む
回路を介して接続して構成したので、使用するバイアス
電源のインピーダンスに関係なく、入力端子からバイア
ス電源側を見たインピーダンスを常に一定とすることが
でき、バイアス電源により増幅器特性が変化してしまう
のを防止して増幅器の安定化を図ることができる効果が
ある。
の端子がキャパシタを介して接地され、かつバイアス電
源端子に接続された第１の分布定数線路と、一方の端子
が開放され、他方の端子が上記第１の分布定数線路の他
方の端子と接続され、かつ上記入力端子に接続された第
２の分布定数線路とを、−箇所又は数箇所で抵抗を含む
回路を介して接続して構成したので、使用するバイアス
電源のインピーダンスに関係なく、入力端子からバイア
ス電源側を見たインピーダンスを常に一定とすることが
でき、バイアス電源により増幅器特性が変化してしまう
のを防止して増幅器の安定化を図ることができる効果が
ある。
第１図はこの発明の第１実施例によるバイアス回路を示
す等価回路図、第２図はこの発明の第２実施例によるバ
イアス回路を示す等価回路図、第３図はこの発明の第３
実施例によるバイアス回路を示す等価回路図、第４図は
この発明の第４実施例によるバイアス回路を示す等価回
路図、第５図は従来のバイアス回路を示す等価回路図で
ある。 図において、７はバイアス電源端子、８は入力端子、９
及び１０は第１及び第２の分布定数線路、１１．１２は
抵抗、１３，１５．１６．１８．２０はキャパシタ、１
４はＴ分岐回路、１７．１９はインダクタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す等価回路図、第２図はこの発明の第２実施例によるバ
イアス回路を示す等価回路図、第３図はこの発明の第３
実施例によるバイアス回路を示す等価回路図、第４図は
この発明の第４実施例によるバイアス回路を示す等価回
路図、第５図は従来のバイアス回路を示す等価回路図で
ある。 図において、７はバイアス電源端子、８は入力端子、９
及び１０は第１及び第２の分布定数線路、１１．１２は
抵抗、１３，１５．１６．１８．２０はキャパシタ、１
４はＴ分岐回路、１７．１９はインダクタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）バイアス電源端子からバイアス電圧が印加され、
入力端子から増幅器等に所望のバイアス電圧を供給する
バイアス回路において、 一方の端子がキャパシタを介して接地され、かつ上記バ
イアス電源端子に接続された第１の分布定数線路と、 一方の端子が開放され、他方の端子が上記第１の分布定
数線路の他方の端子と接続され、かつ上記入力端子に接
続された第２の分布定数線路とを備え、 上記第１、第２の分布定数線路は一箇所又は数箇所で抵
抗を含む回路を介して接続されていることを特徴とする
バイアス回路。 - （２）上記第１、第２の分布定数線路は、同じ長さを有
し、上記入力端子から同じ電気長の位置にて接続されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイ
アス回路。 - （３）上記抵抗を含む回路は、抵抗にキャパシタを直列
接続したものであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載のバイアス回路。 - （４）上記第１、第２の分布定数線路は、インダクタと
キャパシタとからなる集中定数回路で構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
ずれかに記載のバイアス回路。
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