JPH01117408A - 高周波可変減衰器 - Google Patents
高周波可変減衰器Info
- Publication number
- JPH01117408A JPH01117408A JP27319387A JP27319387A JPH01117408A JP H01117408 A JPH01117408 A JP H01117408A JP 27319387 A JP27319387 A JP 27319387A JP 27319387 A JP27319387 A JP 27319387A JP H01117408 A JPH01117408 A JP H01117408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- pin diode
- circuit
- characteristic
- attenuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する分野
本発明は無線機回路で使用する高周波可変減衰器に関す
るものである。
るものである。
（２）従来技術とその問題点
従来のＰＩＮダイオードすなわち直流電流を流すことに
より高周波抵抗が変わるＰＩＮダイオードを利用した減
衰器は、第１図（ａ）、Φ）に示すような回路構成を有
するものが用いられている。両図中Ｄ＋、Ｄｚはそれぞ
れＰＩＮダイオードを、またＲ、、Ｒ，はそれぞれの抵
抗を、Ｐは特性インピーダンスＺｏで長さλ／４の伝送
線路を、またＺ。
より高周波抵抗が変わるＰＩＮダイオードを利用した減
衰器は、第１図（ａ）、Φ）に示すような回路構成を有
するものが用いられている。両図中Ｄ＋、Ｄｚはそれぞ
れＰＩＮダイオードを、またＲ、、Ｒ，はそれぞれの抵
抗を、Ｐは特性インピーダンスＺｏで長さλ／４の伝送
線路を、またＺ。
は線路の特性インピーダンスを、Ｃは高周波パスおよび
直流阻止用コンデンサを、Ｂはバイアス回路を示す。
直流阻止用コンデンサを、Ｂはバイアス回路を示す。
ところで第１図（ａ）の回路ではその減衰量に対するＰ
ＩＮダイオードの抵抗値Ｒ，，Ｒ，が第２図（ａ）から
明らかなように異なるので、所定の減衰量を得るために
は別々にバイアスを行う必要であり、バイアス回路が複
雑となる欠点がある。またバイアス回路を簡易にすると
、所定の減衰量を得るＰＩＮダイオードＤ＋、Ｄｚの抵
抗値が理想値よりずれて反射特性が悪（なる。ところで
この反射特性は信号人力がどれだけ回路側に吸収できる
かの特性で、これは通常ＶＳＷＲ（反射）で表される。
ＩＮダイオードの抵抗値Ｒ，，Ｒ，が第２図（ａ）から
明らかなように異なるので、所定の減衰量を得るために
は別々にバイアスを行う必要であり、バイアス回路が複
雑となる欠点がある。またバイアス回路を簡易にすると
、所定の減衰量を得るＰＩＮダイオードＤ＋、Ｄｚの抵
抗値が理想値よりずれて反射特性が悪（なる。ところで
この反射特性は信号人力がどれだけ回路側に吸収できる
かの特性で、これは通常ＶＳＷＲ（反射）で表される。
また第１図（ｂ）の回路では第２図（ｂ）のようにＰＩ
ＮダイオードＤ、、Ｄｔの減衰量に対する抵抗値Ｒ１が
同一でよく、図示のような共通のバイアス回路Ｂの電圧
を変化すればよいので、バイアス回路が簡単となる利点
がある。しかし次のような欠点がある。その理由を次に
説明する。
ＮダイオードＤ、、Ｄｔの減衰量に対する抵抗値Ｒ１が
同一でよく、図示のような共通のバイアス回路Ｂの電圧
を変化すればよいので、バイアス回路が簡単となる利点
がある。しかし次のような欠点がある。その理由を次に
説明する。
第１図（ｂ）においてその入力側と出力側のインピーダ
ンスＬ、Ｚｚはそれぞれ次の（１）、 （２）式で表さ
れる。
ンスＬ、Ｚｚはそれぞれ次の（１）、 （２）式で表さ
れる。
Ｒ１＋Ｚ６ Ｚ。
なお第１図（ｂ）における減衰量Ｌｏｓｓは次の（３）
式で示される。
式で示される。
（１）式が示すように入力インピーダンスＺｌはライン
の特性インピーダンスＺ、と等しくなるので入力波は反
射しない、しがし出力側インピーダンスＺ２は（２）式
から明らかなように、ＰＩＮダイオードの抵抗Ｒ１が大
となるに従って２０との差が大となり反射特性が悪くな
る。
の特性インピーダンスＺ、と等しくなるので入力波は反
射しない、しがし出力側インピーダンスＺ２は（２）式
から明らかなように、ＰＩＮダイオードの抵抗Ｒ１が大
となるに従って２０との差が大となり反射特性が悪くな
る。
ところで反射特性の不良な減衰器を用いると次のような
欠点がある。例えば第３図（ａ）（図中■は濾波器、■
は減衰器、■は増幅器）に示すような回路において、入
出力とも特性インピーダンスで終端された場合には、濾
波器■の特性曲線は第３図ら）の実線のように伝送帯域
内では平坦となるが、減衰器■の入力反射特性がよくな
いときは点線で示すように波状となる。また出力反射特
性がよくないときは同様に減衰器■と増幅器■との間で
反射を繰返すと濾波器■の特性曲線は同様に波状となり
、これは伝送帯域内偏差が劣化することを示している。
欠点がある。例えば第３図（ａ）（図中■は濾波器、■
は減衰器、■は増幅器）に示すような回路において、入
出力とも特性インピーダンスで終端された場合には、濾
波器■の特性曲線は第３図ら）の実線のように伝送帯域
内では平坦となるが、減衰器■の入力反射特性がよくな
いときは点線で示すように波状となる。また出力反射特
性がよくないときは同様に減衰器■と増幅器■との間で
反射を繰返すと濾波器■の特性曲線は同様に波状となり
、これは伝送帯域内偏差が劣化することを示している。
（３）発明の目的
本発明は、上記のような従来の減衰器の欠点を除き、し
かも簡単な構成で入出力側とも反射特性のよい減衰器の
提供を目的とするものである。以下本発明について詳細
に説明する。
かも簡単な構成で入出力側とも反射特性のよい減衰器の
提供を目的とするものである。以下本発明について詳細
に説明する。
（４）発明の構成と作用
第４図は本発明の一実施例の回路図でｌは特性インピー
ダンス２で長さλ／４の伝送線路、Ｚｏは入力側及び出
力側の終端インピーダンス、Ｄｌ。
ダンス２で長さλ／４の伝送線路、Ｚｏは入力側及び出
力側の終端インピーダンス、Ｄｌ。
Ｄｔ、ＤｓはＰＩＮダイオードで、これらは直流的に直
列に接続されて同一電流が流れるため同一抵抗Ｒ１とな
る。なお回路に挿入されたコンデンサＣは高周波用パス
コンおよび直流阻止用コンデンサ、Ｂはバイアス回路で
ある。
列に接続されて同一電流が流れるため同一抵抗Ｒ１とな
る。なお回路に挿入されたコンデンサＣは高周波用パス
コンおよび直流阻止用コンデンサ、Ｂはバイアス回路で
ある。
図から明らかなようにバイアス回路ＢからＰＩＮダイオ
ードＤ３．Ｄｔ 、Ｄｚに同一電流を流し、その大きさ
でＰＩＮダイオードの抵抗値を変えることにより可変減
衰器が得られることは説明するまでもない。そしてこの
回路でＤｌが導通したとき、■、■端子からそれぞれの
λ７４線路（１）、（ｎ）を見たインピーダンスはωで
あるから回路は第５図（ａ）となり、またＤｌが不導通
のときは第５図（ｂ）に示すように２となる。そしてＺ
が２０に近い場合には入出力端から見たインピーダンス
は殆ど反射がない状態となる。このときのＶＳＷＲはｚ
／Ｚ０（Ｚ＞Ｚ（１ＣＤ場合）またはＬ／Ｚ （ｚ＜ｚ
、 の場合）で示されるが、Ｒ１の抵抗を４２Ωから６
ｏΩに変化させた場合のＶＳＷＲを計算すると第６図の
ようになり、極めてｓｖｗＲ（反射）の少ない良好な特
性を示す。
ードＤ３．Ｄｔ 、Ｄｚに同一電流を流し、その大きさ
でＰＩＮダイオードの抵抗値を変えることにより可変減
衰器が得られることは説明するまでもない。そしてこの
回路でＤｌが導通したとき、■、■端子からそれぞれの
λ７４線路（１）、（ｎ）を見たインピーダンスはωで
あるから回路は第５図（ａ）となり、またＤｌが不導通
のときは第５図（ｂ）に示すように２となる。そしてＺ
が２０に近い場合には入出力端から見たインピーダンス
は殆ど反射がない状態となる。このときのＶＳＷＲはｚ
／Ｚ０（Ｚ＞Ｚ（１ＣＤ場合）またはＬ／Ｚ （ｚ＜ｚ
、 の場合）で示されるが、Ｒ１の抵抗を４２Ωから６
ｏΩに変化させた場合のＶＳＷＲを計算すると第６図の
ようになり、極めてｓｖｗＲ（反射）の少ない良好な特
性を示す。
なおＶＳＷＲの一般式は次式で示される。
Ｒ１
またこの回路の減衰量は次の（５）式で示される。
（５）発明の効果
上述のように本発明の高周波可変減衰器は、特性インピ
ーダンスＺ０に近いインピーダンスＺで長さλ／４の伝
送線路の終端にインピーダンスＺとＰＩＮダイオードと
の並列回路を接続してなる同一の２つの回路がそれぞれ
の始端がＰＩＮダイオードを介して接続されると共に、
それぞれのＰＩＮダイオードは直列に接続されて共通の
バイアス回路から同一の電流を流しうるように構成され
ており、その共通の電流を調整するだけで極めて反射特
性のよい可変減衰器が得られるのみでな（、その構成は
比較的簡単でバイアス回路も共通のものでよく、実用に
供し大きな効果を発揮するものである。
ーダンスＺ０に近いインピーダンスＺで長さλ／４の伝
送線路の終端にインピーダンスＺとＰＩＮダイオードと
の並列回路を接続してなる同一の２つの回路がそれぞれ
の始端がＰＩＮダイオードを介して接続されると共に、
それぞれのＰＩＮダイオードは直列に接続されて共通の
バイアス回路から同一の電流を流しうるように構成され
ており、その共通の電流を調整するだけで極めて反射特
性のよい可変減衰器が得られるのみでな（、その構成は
比較的簡単でバイアス回路も共通のものでよく、実用に
供し大きな効果を発揮するものである。
第１図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ従来の高周波可変減
衰器の回路図、第２図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ第１
図（ａ）。 （ロ）の回路における減衰量対ＰＩＮダイオード抵抗特
性図、第３図（ａ）、［有］）は減衰器を使用した回路
側図と、この回路の濾波器の特性図、第４図は本発明の
一実施例回路図、第５図（ａ）、（ト））は第４図の回
路の動作説明図、第６図は本発明減衰器のＶＳＷＲ（反
射波）と減衰量の計算値を示す特性図である。 Ｄ＋、Ｄｔ、Ｄｚ・・・ＰＩＮダイオード、Ｂ・・・バ
イアス回路、ｉ・・・長さλ／４の伝送線路、■・・・
濾波器、■・・・減衰器、■・・・増幅器、Ｒ１＊ Ｒ
Ｚ ＋Ｒ１・・・ＰＩＮダイオードの抵抗、２・・・イ
ンピーダンス、Ｚｏ・・・特性インピーダンス。
衰器の回路図、第２図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ第１
図（ａ）。 （ロ）の回路における減衰量対ＰＩＮダイオード抵抗特
性図、第３図（ａ）、［有］）は減衰器を使用した回路
側図と、この回路の濾波器の特性図、第４図は本発明の
一実施例回路図、第５図（ａ）、（ト））は第４図の回
路の動作説明図、第６図は本発明減衰器のＶＳＷＲ（反
射波）と減衰量の計算値を示す特性図である。 Ｄ＋、Ｄｔ、Ｄｚ・・・ＰＩＮダイオード、Ｂ・・・バ
イアス回路、ｉ・・・長さλ／４の伝送線路、■・・・
濾波器、■・・・減衰器、■・・・増幅器、Ｒ１＊ Ｒ
Ｚ ＋Ｒ１・・・ＰＩＮダイオードの抵抗、２・・・イ
ンピーダンス、Ｚｏ・・・特性インピーダンス。
Claims (1)
- 特性インピーダンスＺ＿０に近いインピーダンスＺの
λ／４線路の終端にインピーダンスＺとＰＩＮダイオー
ドを並列に接続した２つの回路のそれぞれのλ／４線路
の始端間をＰＩＮダイオードで接続すると共に、それぞ
れのダイオードが直流的に直列接続された状態になり共
通のバイアス回路から同一の電流を流しうるようにそれ
ぞれの極性が選定された回路で構成され、よい反射特性
が得られることを特徴とする高周波可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27319387A JPH01117408A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 高周波可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27319387A JPH01117408A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 高周波可変減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117408A true JPH01117408A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17524398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27319387A Pending JPH01117408A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 高周波可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117408A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834988A (en) * | 1997-03-12 | 1998-11-10 | Zenith Electronics Corporation | Frequency compensated PIN diode attenuator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744314A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Nec Corp | Variable attenuator |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27319387A patent/JPH01117408A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744314A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Nec Corp | Variable attenuator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834988A (en) * | 1997-03-12 | 1998-11-10 | Zenith Electronics Corporation | Frequency compensated PIN diode attenuator |
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