JPH0261165B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0261165B2 JPH0261165B2 JP8137186A JP8137186A JPH0261165B2 JP H0261165 B2 JPH0261165 B2 JP H0261165B2 JP 8137186 A JP8137186 A JP 8137186A JP 8137186 A JP8137186 A JP 8137186A JP H0261165 B2 JPH0261165 B2 JP H0261165B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- resistor
- impedance
- fixed resistance
- frequency
- Prior art date
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- Expired
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
固定抵抗減衰器において、第１の伝送線路と第
２の伝送線路及び第２の伝送線路と第３の伝送線
路とをそれぞれ第１及び第２の抵抗器を介して接
続し、第２の伝送線路は第１及び第２の抵抗器を
見たインピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見
える位置の間隔がλg／４（λgは短縮波長）となる
様な電気長を有すると共に、特性インピーダンス
を第１及び第３の伝送線路のそれよりも低くする
ことにより、低価格で比較的良好な周波数特性が
得られる様にしたものである。
２の伝送線路及び第２の伝送線路と第３の伝送線
路とをそれぞれ第１及び第２の抵抗器を介して接
続し、第２の伝送線路は第１及び第２の抵抗器を
見たインピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見
える位置の間隔がλg／４（λgは短縮波長）となる
様な電気長を有すると共に、特性インピーダンス
を第１及び第３の伝送線路のそれよりも低くする
ことにより、低価格で比較的良好な周波数特性が
得られる様にしたものである。
本発明は固定抵抗減衰器、特にマイクロ波帯で
使用される固定抵抗減衰器の改良に関するもので
ある。
使用される固定抵抗減衰器の改良に関するもので
ある。
固定抵抗減衰器は、例えばマイクロ波回路の殆
ど全ての回路に使用されているが、低価格でしか
も比較的良好な周波数特性を持つことが必要であ
る。
ど全ての回路に使用されているが、低価格でしか
も比較的良好な周波数特性を持つことが必要であ
る。
第３図は従来例の構成図、第４図は別の従来例
の構成図、第５図は更に別の従来例の構成図を示
す。以下、第３図〜第５図により固定抵抗減衰器
の従来例の構成等を説明する。
の構成図、第５図は更に別の従来例の構成図を示
す。以下、第３図〜第５図により固定抵抗減衰器
の従来例の構成等を説明する。
第３図ａは平面図、第３図ｂは第３図ａのＡ−
A′断面図を示すが、第３図に示す様に接地導体
５の上に固定されたアルミナ基板４の上に形成さ
れた抵抗膜２でストリツプ線路１が切断され、こ
の抵抗膜の両端は接地金具３，３′を介して接地
される。この様な構成の固定抵抗減衰器は直流か
ら例えば10GHz程度まで使用可能であり、測定
器等にも用られるがアルミナ基板を使用する。
抵抗膜を所定の値に調整しなければならないの
で高価であり接地金具が必要となる。
A′断面図を示すが、第３図に示す様に接地導体
５の上に固定されたアルミナ基板４の上に形成さ
れた抵抗膜２でストリツプ線路１が切断され、こ
の抵抗膜の両端は接地金具３，３′を介して接地
される。この様な構成の固定抵抗減衰器は直流か
ら例えば10GHz程度まで使用可能であり、測定
器等にも用られるがアルミナ基板を使用する。
抵抗膜を所定の値に調整しなければならないの
で高価であり接地金具が必要となる。
第４図はπ形の固定抵抗減衰器で第４図ａはア
ルミナ基板上に薄膜抵抗器６，７，８で形成し、
この抵抗器７，８の一端はλg／４オープンスタ
ブ９，１０に接続される。この様な構成のものは
抵抗器の一端が短絡と見なされる帯域においては
減衰量、特性インピーダンス等について問題なく
使用可能である。尚、１はストリツプ線路であ
る。
ルミナ基板上に薄膜抵抗器６，７，８で形成し、
この抵抗器７，８の一端はλg／４オープンスタ
ブ９，１０に接続される。この様な構成のものは
抵抗器の一端が短絡と見なされる帯域においては
減衰量、特性インピーダンス等について問題なく
使用可能である。尚、１はストリツプ線路であ
る。
第４図ｂはフローグラス基板又はエポキシ基板
（アルミナ基板よりも低価格）等の上に形成され
たストリツプ線路１１，１２にチツプ抵抗器１
３，１４，１５を接続したもので、第４図ａと同
じくπ型の固定抵抗減衰器である。尚、チツプ抵
抗器１３，１５の一端がスルーホール１６，１
６′を介して接地されるが、チツプ抵抗器は低価
格で、又半田付け作業で接続が可能なことから数
100MHz〜2GHz程度まで使用可能である。
（アルミナ基板よりも低価格）等の上に形成され
たストリツプ線路１１，１２にチツプ抵抗器１
３，１４，１５を接続したもので、第４図ａと同
じくπ型の固定抵抗減衰器である。尚、チツプ抵
抗器１３，１５の一端がスルーホール１６，１
６′を介して接地されるが、チツプ抵抗器は低価
格で、又半田付け作業で接続が可能なことから数
100MHz〜2GHz程度まで使用可能である。
第５図ａ、第５図ｂは第４図ａ、第４図ｂのπ
型の固定抵抗減衰器の代りにＴ型で構成したもの
で、１６″，１７，１８は薄膜抵抗器、１９は
λg／４オープンスタブ、２０〜２２はストリツ
プ線路、２３〜２５はチツプ抵抗器で使用可能な
周波数範囲は上記と同じである。第５図ｃは第５
図ｂのスルーホール１６を介して接地でなく、
λg／４オープンスタブにより高周波的に接地す
る。しかし、使用周波数が4GHz以上になると、
抵抗器の寸法により抵抗分の外に虚数部が現れて
減衰量、特性インピーダンスが所望の値より劣化
する。
型の固定抵抗減衰器の代りにＴ型で構成したもの
で、１６″，１７，１８は薄膜抵抗器、１９は
λg／４オープンスタブ、２０〜２２はストリツ
プ線路、２３〜２５はチツプ抵抗器で使用可能な
周波数範囲は上記と同じである。第５図ｃは第５
図ｂのスルーホール１６を介して接地でなく、
λg／４オープンスタブにより高周波的に接地す
る。しかし、使用周波数が4GHz以上になると、
抵抗器の寸法により抵抗分の外に虚数部が現れて
減衰量、特性インピーダンスが所望の値より劣化
する。
上記で説明した様に、周波数特性が良好な固定
抵抗減衰器は高価で、低価格のものは周波数特性
が悪く、低価格で、比較的周波数特性の良好な固
定抵抗減衰器を得ることが困難であると云う問題
点がある。
抵抗減衰器は高価で、低価格のものは周波数特性
が悪く、低価格で、比較的周波数特性の良好な固
定抵抗減衰器を得ることが困難であると云う問題
点がある。
上記の問題点は第１図に示す如く、第１の伝送
線路３１と第２の伝送線路３１及び該２の伝送線
路と第３の伝送線路３２とを、第１の抵抗器３３
及び第２の抵抗器３４を介して接続し、該第２の
伝送線路３１は、該第１及び第２の抵抗器を見た
インピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλg／４となる様な電気長を有する
と共に、該第１及び第３の伝送線路３０，３２の
特性インピーダンスより低く設定された特性イン
ピーダンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器により
解決される。
線路３１と第２の伝送線路３１及び該２の伝送線
路と第３の伝送線路３２とを、第１の抵抗器３３
及び第２の抵抗器３４を介して接続し、該第２の
伝送線路３１は、該第１及び第２の抵抗器を見た
インピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλg／４となる様な電気長を有する
と共に、該第１及び第３の伝送線路３０，３２の
特性インピーダンスより低く設定された特性イン
ピーダンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器により
解決される。
本発明は第２の伝送線路の電気長を抵抗器３３
及び３４を見たインピーダンスが所要の周波数で
純抵抗と見える位置の間隔がλg／４となる様に
し、抵抗器３３の抵抗値R1、第２の伝送線路の
インピーダンスZ1、抵抗器３４の抵抗値R2、と
負荷インピーダンスZLとで電圧分配を行う事によ
り減衰特性を得る様にした。
及び３４を見たインピーダンスが所要の周波数で
純抵抗と見える位置の間隔がλg／４となる様に
し、抵抗器３３の抵抗値R1、第２の伝送線路の
インピーダンスZ1、抵抗器３４の抵抗値R2、と
負荷インピーダンスZLとで電圧分配を行う事によ
り減衰特性を得る様にした。
即ち、周波数が高くなるにつれて抵抗器の寸法
による純抵抗と見える位相のずれ（電気長のず
れ）が大きくなり周波数特性が劣化するが、抵抗
器３３，３４の純抵抗と見える位置をλg離れに
配置することで解決できる。但し、抵抗器３３，
３４の寸法が合せてλg／４以上の周波数にでは
上記の構成ができないので、以下の周波数に限
る。
による純抵抗と見える位相のずれ（電気長のず
れ）が大きくなり周波数特性が劣化するが、抵抗
器３３，３４の純抵抗と見える位置をλg離れに
配置することで解決できる。但し、抵抗器３３，
３４の寸法が合せてλg／４以上の周波数にでは
上記の構成ができないので、以下の周波数に限
る。
これにより、低価格、簡単な構成で比較的周波
数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られる。
数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られる。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図ａは
第１図の等価回路、第２図ｂは反射損失及び挿入
損失の計算値と実測値を示す。
第１図の等価回路、第２図ｂは反射損失及び挿入
損失の計算値と実測値を示す。
先ず、第１図に示す本発明の実施例の等価回路
を求めると、第２図ａに示す様になる。
を求めると、第２図ａに示す様になる。
ここで、R1，R2は抵抗器３３，３４の抵抗値、
Z1は第２の伝送線路のインピーダンス、ZL，ZSは
負荷、信号源インピーダンスをそれぞれ示す。
Z1は第２の伝送線路のインピーダンス、ZL，ZSは
負荷、信号源インピーダンスをそれぞれ示す。
第２図ａに示す回路の特性は公知の様にＦ行列
を用いることにより容易に求めることができる。
を用いることにより容易に求めることができる。
〔Ｆ〕＝R1／Z1 R1・R2／Z1＋Z1
１／Z1 R2／Z1＝AC
BD
であり、中心周波数では
挿入損失＝20Iog1/2〔Ａ＋（Ｂ／ZL）＋Ｃ・ZL＋
Ｄ〕 反射損失＝20IogＡ＋（Ｂ／ZL）＋CZL＋Ｄ／Ａ＋（Ｂ／
ZL）−CZL−Ｄで求 められる。
Ｄ〕 反射損失＝20IogＡ＋（Ｂ／ZL）＋CZL＋Ｄ／Ａ＋（Ｂ／
ZL）−CZL−Ｄで求 められる。
但し、計算値は抵抗分のみとして計算している
が、実際にはチツプ抵抗器の寸法による位相ずれ
及びλgの周波数特性により虚数部が入つてくる
ので、中心周波数から離れるに従つて特性も変化
する。
が、実際にはチツプ抵抗器の寸法による位相ずれ
及びλgの周波数特性により虚数部が入つてくる
ので、中心周波数から離れるに従つて特性も変化
する。
例えば、R1＝R2＝25Ω、第２の伝送線路のイ
ンピーダンス43.3Ω、信号源インピーダンスZsと
負荷インピーダンスZLが共に50Ωとして挿入損
失、反射損失を計算で求めると第２図ｂの点線の
様な値が得られ、5GHzでλg／４になる様な間隔
にしてあるので反射損失は非常に大きくなつて反
射される電力は小さく（即ち、通過する電力が大
きく）なるが、周波数がこれよりもずれると虚数
部が生じて反射損失が劣化する。又、挿入損失は
４〜6GHzで約5dBである。
ンピーダンス43.3Ω、信号源インピーダンスZsと
負荷インピーダンスZLが共に50Ωとして挿入損
失、反射損失を計算で求めると第２図ｂの点線の
様な値が得られ、5GHzでλg／４になる様な間隔
にしてあるので反射損失は非常に大きくなつて反
射される電力は小さく（即ち、通過する電力が大
きく）なるが、周波数がこれよりもずれると虚数
部が生じて反射損失が劣化する。又、挿入損失は
４〜6GHzで約5dBである。
一方、第１図に示す構成で挿入損失、反射損失
を実測すると実線の様な値が得られ、約４〜6G
Hz程度で反射損失約20dB以上、挿入損失約5dB
が得られ、前記の第５図ｃの4GHz程度よりも高
い6GHz程度でも十分に使用可能であり、抵抗器
としてチツプ抵抗器を、誘電体基板としてフロー
グラス基板を用いるので低価格である。
を実測すると実線の様な値が得られ、約４〜6G
Hz程度で反射損失約20dB以上、挿入損失約5dB
が得られ、前記の第５図ｃの4GHz程度よりも高
い6GHz程度でも十分に使用可能であり、抵抗器
としてチツプ抵抗器を、誘電体基板としてフロー
グラス基板を用いるので低価格である。
上記で詳細に説明した様に本発明によれば、チ
ツプ抵抗器と例えばフローグラス基板を用いて低
価格で比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器
が得られると云う効果がある。
ツプ抵抗器と例えばフローグラス基板を用いて低
価格で比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器
が得られると云う効果がある。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図は第
１図の減衰特性図、第３図は従来例の構成図、第
４図は別の従来例の構成図、第５図は更に別の従
来例の構成図を示す。 図において、３０は第１の伝送線路、３１は第
２の伝送線路、３２は第３の伝送線路、３３は第
１の抵抗器、３４は第２の抵抗器を示す。
１図の減衰特性図、第３図は従来例の構成図、第
４図は別の従来例の構成図、第５図は更に別の従
来例の構成図を示す。 図において、３０は第１の伝送線路、３１は第
２の伝送線路、３２は第３の伝送線路、３３は第
１の抵抗器、３４は第２の抵抗器を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の伝送線路３０と第２の伝送線路３１及
び該２の伝送線路と第３の伝送線路３２とを、第
１の抵抗器３３及び第２の抵抗器３４を介して接
続し、 該第２の伝送線路３１は、該第１及び第２の抵
抗器を見たインピーダンスが所定の周波数で純抵
抗と見える位置の間隔がλg／４となる様な電気
長を有すると共に、該第１及び第３の伝送線路３
０，３２の特性インピーダンスより低く設定され
た特性インピーダンスを持つことを特徴とする固
定抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137186A JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137186A JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247601A JPS62247601A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0261165B2 true JPH0261165B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=13744449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8137186A Granted JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247601A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3702881B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2005-10-05 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路減衰器、終端器および無線装置 |
| RU2743940C1 (ru) * | 2020-05-26 | 2021-03-01 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет» | Фиксированный аттенюатор |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8137186A patent/JPS62247601A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62247601A (ja) | 1987-10-28 |
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