JPH0261165B2 - - Google Patents
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- JPH0261165B2 JPH0261165B2 JP8137186A JP8137186A JPH0261165B2 JP H0261165 B2 JPH0261165 B2 JP H0261165B2 JP 8137186 A JP8137186 A JP 8137186A JP 8137186 A JP8137186 A JP 8137186A JP H0261165 B2 JPH0261165 B2 JP H0261165B2
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- Japan
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- transmission line
- resistor
- impedance
- fixed resistance
- frequency
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- Expired
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
固定抵抗減衰器において、第1の伝送線路と第
2の伝送線路及び第2の伝送線路と第3の伝送線
路とをそれぞれ第1及び第2の抵抗器を介して接
続し、第2の伝送線路は第1及び第2の抵抗器を
見たインピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見
える位置の間隔がλg/4(λgは短縮波長)となる
様な電気長を有すると共に、特性インピーダンス
を第1及び第3の伝送線路のそれよりも低くする
ことにより、低価格で比較的良好な周波数特性が
得られる様にしたものである。
2の伝送線路及び第2の伝送線路と第3の伝送線
路とをそれぞれ第1及び第2の抵抗器を介して接
続し、第2の伝送線路は第1及び第2の抵抗器を
見たインピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見
える位置の間隔がλg/4(λgは短縮波長)となる
様な電気長を有すると共に、特性インピーダンス
を第1及び第3の伝送線路のそれよりも低くする
ことにより、低価格で比較的良好な周波数特性が
得られる様にしたものである。
本発明は固定抵抗減衰器、特にマイクロ波帯で
使用される固定抵抗減衰器の改良に関するもので
ある。
使用される固定抵抗減衰器の改良に関するもので
ある。
固定抵抗減衰器は、例えばマイクロ波回路の殆
ど全ての回路に使用されているが、低価格でしか
も比較的良好な周波数特性を持つことが必要であ
る。
ど全ての回路に使用されているが、低価格でしか
も比較的良好な周波数特性を持つことが必要であ
る。
第3図は従来例の構成図、第4図は別の従来例
の構成図、第5図は更に別の従来例の構成図を示
す。以下、第3図〜第5図により固定抵抗減衰器
の従来例の構成等を説明する。
の構成図、第5図は更に別の従来例の構成図を示
す。以下、第3図〜第5図により固定抵抗減衰器
の従来例の構成等を説明する。
第3図aは平面図、第3図bは第3図aのA−
A′断面図を示すが、第3図に示す様に接地導体
5の上に固定されたアルミナ基板4の上に形成さ
れた抵抗膜2でストリツプ線路1が切断され、こ
の抵抗膜の両端は接地金具3,3′を介して接地
される。この様な構成の固定抵抗減衰器は直流か
ら例えば10GHz程度まで使用可能であり、測定
器等にも用られるがアルミナ基板を使用する。
抵抗膜を所定の値に調整しなければならないの
で高価であり接地金具が必要となる。
A′断面図を示すが、第3図に示す様に接地導体
5の上に固定されたアルミナ基板4の上に形成さ
れた抵抗膜2でストリツプ線路1が切断され、こ
の抵抗膜の両端は接地金具3,3′を介して接地
される。この様な構成の固定抵抗減衰器は直流か
ら例えば10GHz程度まで使用可能であり、測定
器等にも用られるがアルミナ基板を使用する。
抵抗膜を所定の値に調整しなければならないの
で高価であり接地金具が必要となる。
第4図はπ形の固定抵抗減衰器で第4図aはア
ルミナ基板上に薄膜抵抗器6,7,8で形成し、
この抵抗器7,8の一端はλg/4オープンスタ
ブ9,10に接続される。この様な構成のものは
抵抗器の一端が短絡と見なされる帯域においては
減衰量、特性インピーダンス等について問題なく
使用可能である。尚、1はストリツプ線路であ
る。
ルミナ基板上に薄膜抵抗器6,7,8で形成し、
この抵抗器7,8の一端はλg/4オープンスタ
ブ9,10に接続される。この様な構成のものは
抵抗器の一端が短絡と見なされる帯域においては
減衰量、特性インピーダンス等について問題なく
使用可能である。尚、1はストリツプ線路であ
る。
第4図bはフローグラス基板又はエポキシ基板
(アルミナ基板よりも低価格)等の上に形成され
たストリツプ線路11,12にチツプ抵抗器1
3,14,15を接続したもので、第4図aと同
じくπ型の固定抵抗減衰器である。尚、チツプ抵
抗器13,15の一端がスルーホール16,1
6′を介して接地されるが、チツプ抵抗器は低価
格で、又半田付け作業で接続が可能なことから数
100MHz〜2GHz程度まで使用可能である。
(アルミナ基板よりも低価格)等の上に形成され
たストリツプ線路11,12にチツプ抵抗器1
3,14,15を接続したもので、第4図aと同
じくπ型の固定抵抗減衰器である。尚、チツプ抵
抗器13,15の一端がスルーホール16,1
6′を介して接地されるが、チツプ抵抗器は低価
格で、又半田付け作業で接続が可能なことから数
100MHz〜2GHz程度まで使用可能である。
第5図a、第5図bは第4図a、第4図bのπ
型の固定抵抗減衰器の代りにT型で構成したもの
で、16″,17,18は薄膜抵抗器、19は
λg/4オープンスタブ、20〜22はストリツ
プ線路、23〜25はチツプ抵抗器で使用可能な
周波数範囲は上記と同じである。第5図cは第5
図bのスルーホール16を介して接地でなく、
λg/4オープンスタブにより高周波的に接地す
る。しかし、使用周波数が4GHz以上になると、
抵抗器の寸法により抵抗分の外に虚数部が現れて
減衰量、特性インピーダンスが所望の値より劣化
する。
型の固定抵抗減衰器の代りにT型で構成したもの
で、16″,17,18は薄膜抵抗器、19は
λg/4オープンスタブ、20〜22はストリツ
プ線路、23〜25はチツプ抵抗器で使用可能な
周波数範囲は上記と同じである。第5図cは第5
図bのスルーホール16を介して接地でなく、
λg/4オープンスタブにより高周波的に接地す
る。しかし、使用周波数が4GHz以上になると、
抵抗器の寸法により抵抗分の外に虚数部が現れて
減衰量、特性インピーダンスが所望の値より劣化
する。
上記で説明した様に、周波数特性が良好な固定
抵抗減衰器は高価で、低価格のものは周波数特性
が悪く、低価格で、比較的周波数特性の良好な固
定抵抗減衰器を得ることが困難であると云う問題
点がある。
抵抗減衰器は高価で、低価格のものは周波数特性
が悪く、低価格で、比較的周波数特性の良好な固
定抵抗減衰器を得ることが困難であると云う問題
点がある。
上記の問題点は第1図に示す如く、第1の伝送
線路31と第2の伝送線路31及び該2の伝送線
路と第3の伝送線路32とを、第1の抵抗器33
及び第2の抵抗器34を介して接続し、該第2の
伝送線路31は、該第1及び第2の抵抗器を見た
インピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλg/4となる様な電気長を有する
と共に、該第1及び第3の伝送線路30,32の
特性インピーダンスより低く設定された特性イン
ピーダンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器により
解決される。
線路31と第2の伝送線路31及び該2の伝送線
路と第3の伝送線路32とを、第1の抵抗器33
及び第2の抵抗器34を介して接続し、該第2の
伝送線路31は、該第1及び第2の抵抗器を見た
インピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλg/4となる様な電気長を有する
と共に、該第1及び第3の伝送線路30,32の
特性インピーダンスより低く設定された特性イン
ピーダンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器により
解決される。
本発明は第2の伝送線路の電気長を抵抗器33
及び34を見たインピーダンスが所要の周波数で
純抵抗と見える位置の間隔がλg/4となる様に
し、抵抗器33の抵抗値R1、第2の伝送線路の
インピーダンスZ1、抵抗器34の抵抗値R2、と
負荷インピーダンスZLとで電圧分配を行う事によ
り減衰特性を得る様にした。
及び34を見たインピーダンスが所要の周波数で
純抵抗と見える位置の間隔がλg/4となる様に
し、抵抗器33の抵抗値R1、第2の伝送線路の
インピーダンスZ1、抵抗器34の抵抗値R2、と
負荷インピーダンスZLとで電圧分配を行う事によ
り減衰特性を得る様にした。
即ち、周波数が高くなるにつれて抵抗器の寸法
による純抵抗と見える位相のずれ(電気長のず
れ)が大きくなり周波数特性が劣化するが、抵抗
器33,34の純抵抗と見える位置をλg離れに
配置することで解決できる。但し、抵抗器33,
34の寸法が合せてλg/4以上の周波数にでは
上記の構成ができないので、以下の周波数に限
る。
による純抵抗と見える位相のずれ(電気長のず
れ)が大きくなり周波数特性が劣化するが、抵抗
器33,34の純抵抗と見える位置をλg離れに
配置することで解決できる。但し、抵抗器33,
34の寸法が合せてλg/4以上の周波数にでは
上記の構成ができないので、以下の周波数に限
る。
これにより、低価格、簡単な構成で比較的周波
数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られる。
数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られる。
第1図は本発明の実施例の構成図、第2図aは
第1図の等価回路、第2図bは反射損失及び挿入
損失の計算値と実測値を示す。
第1図の等価回路、第2図bは反射損失及び挿入
損失の計算値と実測値を示す。
先ず、第1図に示す本発明の実施例の等価回路
を求めると、第2図aに示す様になる。
を求めると、第2図aに示す様になる。
ここで、R1,R2は抵抗器33,34の抵抗値、
Z1は第2の伝送線路のインピーダンス、ZL,ZSは
負荷、信号源インピーダンスをそれぞれ示す。
Z1は第2の伝送線路のインピーダンス、ZL,ZSは
負荷、信号源インピーダンスをそれぞれ示す。
第2図aに示す回路の特性は公知の様にF行列
を用いることにより容易に求めることができる。
を用いることにより容易に求めることができる。
〔F〕=R1/Z1 R1・R2/Z1+Z1
1/Z1 R2/Z1=AC
BD
であり、中心周波数では
挿入損失=20Iog1/2〔A+(B/ZL)+C・ZL+
D〕 反射損失=20IogA+(B/ZL)+CZL+D/A+(B/
ZL)−CZL−Dで求 められる。
D〕 反射損失=20IogA+(B/ZL)+CZL+D/A+(B/
ZL)−CZL−Dで求 められる。
但し、計算値は抵抗分のみとして計算している
が、実際にはチツプ抵抗器の寸法による位相ずれ
及びλgの周波数特性により虚数部が入つてくる
ので、中心周波数から離れるに従つて特性も変化
する。
が、実際にはチツプ抵抗器の寸法による位相ずれ
及びλgの周波数特性により虚数部が入つてくる
ので、中心周波数から離れるに従つて特性も変化
する。
例えば、R1=R2=25Ω、第2の伝送線路のイ
ンピーダンス43.3Ω、信号源インピーダンスZsと
負荷インピーダンスZLが共に50Ωとして挿入損
失、反射損失を計算で求めると第2図bの点線の
様な値が得られ、5GHzでλg/4になる様な間隔
にしてあるので反射損失は非常に大きくなつて反
射される電力は小さく(即ち、通過する電力が大
きく)なるが、周波数がこれよりもずれると虚数
部が生じて反射損失が劣化する。又、挿入損失は
4〜6GHzで約5dBである。
ンピーダンス43.3Ω、信号源インピーダンスZsと
負荷インピーダンスZLが共に50Ωとして挿入損
失、反射損失を計算で求めると第2図bの点線の
様な値が得られ、5GHzでλg/4になる様な間隔
にしてあるので反射損失は非常に大きくなつて反
射される電力は小さく(即ち、通過する電力が大
きく)なるが、周波数がこれよりもずれると虚数
部が生じて反射損失が劣化する。又、挿入損失は
4〜6GHzで約5dBである。
一方、第1図に示す構成で挿入損失、反射損失
を実測すると実線の様な値が得られ、約4〜6G
Hz程度で反射損失約20dB以上、挿入損失約5dB
が得られ、前記の第5図cの4GHz程度よりも高
い6GHz程度でも十分に使用可能であり、抵抗器
としてチツプ抵抗器を、誘電体基板としてフロー
グラス基板を用いるので低価格である。
を実測すると実線の様な値が得られ、約4〜6G
Hz程度で反射損失約20dB以上、挿入損失約5dB
が得られ、前記の第5図cの4GHz程度よりも高
い6GHz程度でも十分に使用可能であり、抵抗器
としてチツプ抵抗器を、誘電体基板としてフロー
グラス基板を用いるので低価格である。
上記で詳細に説明した様に本発明によれば、チ
ツプ抵抗器と例えばフローグラス基板を用いて低
価格で比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器
が得られると云う効果がある。
ツプ抵抗器と例えばフローグラス基板を用いて低
価格で比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器
が得られると云う効果がある。
第1図は本発明の実施例の構成図、第2図は第
1図の減衰特性図、第3図は従来例の構成図、第
4図は別の従来例の構成図、第5図は更に別の従
来例の構成図を示す。 図において、30は第1の伝送線路、31は第
2の伝送線路、32は第3の伝送線路、33は第
1の抵抗器、34は第2の抵抗器を示す。
1図の減衰特性図、第3図は従来例の構成図、第
4図は別の従来例の構成図、第5図は更に別の従
来例の構成図を示す。 図において、30は第1の伝送線路、31は第
2の伝送線路、32は第3の伝送線路、33は第
1の抵抗器、34は第2の抵抗器を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1の伝送線路30と第2の伝送線路31及
び該2の伝送線路と第3の伝送線路32とを、第
1の抵抗器33及び第2の抵抗器34を介して接
続し、 該第2の伝送線路31は、該第1及び第2の抵
抗器を見たインピーダンスが所定の周波数で純抵
抗と見える位置の間隔がλg/4となる様な電気
長を有すると共に、該第1及び第3の伝送線路3
0,32の特性インピーダンスより低く設定され
た特性インピーダンスを持つことを特徴とする固
定抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8137186A JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8137186A JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62247601A JPS62247601A (ja) | 1987-10-28 |
JPH0261165B2 true JPH0261165B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=13744449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8137186A Granted JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62247601A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3702881B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2005-10-05 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路減衰器、終端器および無線装置 |
RU2743940C1 (ru) * | 2020-05-26 | 2021-03-01 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет» | Фиксированный аттенюатор |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8137186A patent/JPS62247601A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62247601A (ja) | 1987-10-28 |
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