RU2743940C1 - Фиксированный аттенюатор - Google Patents

Фиксированный аттенюатор Download PDF

Info

Publication number
RU2743940C1
RU2743940C1 RU2020117223A RU2020117223A RU2743940C1 RU 2743940 C1 RU2743940 C1 RU 2743940C1 RU 2020117223 A RU2020117223 A RU 2020117223A RU 2020117223 A RU2020117223 A RU 2020117223A RU 2743940 C1 RU2743940 C1 RU 2743940C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resistors
film microstrip
attenuator
input
transmission line
Prior art date
Application number
RU2020117223A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Сергеевич Митьков
Владимир Павлович Разинкин
Михаил Григорьевич Рубанович
Владимир Александрович Хрусталев
Алексей Юрьевич Каратовский
Олег Анатольевич Коланцов
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет»
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет» filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет»
Priority to RU2020117223A priority Critical patent/RU2743940C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2743940C1 publication Critical patent/RU2743940C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/22Attenuating devices

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к СВЧ-технике. Фиксированный аттенюатор высокого уровня мощности выполнен на основе П-образной согласованной структуры, содержащей шесть пленочных микрополосковых резисторов и три четвертьволновых отрезка линии передачи, волновые сопротивления которых выбраны из условия обеспечения режима согласования по входу и выходу. За счет использования четвертьволновых отрезков линии передачи реализовано пространственное разнесение пленочных микрополосковых резисторов. Для компенсации влияния паразитных емкостей пленочных микрополосковых резисторов на входе и выходе фиксированного аттенюатора применены согласующие цепи в виде чебышевского фильтра нижних частот. Техническим результатом является увеличение уровня входной СВЧ-мощности при сохранении полосы рабочих частот. 4 ил.

Description

Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано в телекоммуникациях, радиопередающих устройствах и измерительном оборудовании для уменьшения уровня мощности в линиях передачи и волноведущих трактах.
Известен полосковый фиксированный аттенюатор (см. авторское свидетельство СССР №361491, МПК Н01Р 1/22, опубликовано 01.01.1973, БИ №1), выполненный в виде отрезка симметричной полосковой линии в разрыве внутреннего проводника которой перпендикулярно заземляющим пластинам установлен пластинчатый пленочный резистор. Аттенюатор является широкополосным устройством и имеет полосу рабочих частот от 1,0 до 7,5 ГГц при значении коэффициента стоячей волны (КСВ) по входу не более 1,5. Основным недостатком этого фиксированного аттенюатора является малый уровень рассеиваемой СВЧ мощности, поскольку пластинчатый пленочный резистор только торцом контактирует с заземляющими пластинами. Кроме того, качество согласования вне полосы рабочих частот существенно ухудшается, особенно на частотах менее 1,0 ГГц.
Более высоким уровнем допустимой СВЧ мощности и лучшим качеством согласования обладает устройство, выполненное в виде уравновешенного Т-моста на четырех пленочных микрополосковых резисторах, расположенных параллельно заземляющей пластине (Кисель В.А. Аналоговые и цифровые корректоры: Справочник - М.: Радио и связь, 1986, 184 с, рис. 2.19, стр. 38). Если между смежными плечами уравновешенного Т- моста для пленочных микрополосковых резисторов и сопротивлением нагрузки R выполняются соотношения Rl=R2=R и R3⋅R4=R, то обеспечивается режим согласования по входу и выходу в полосе частот от нуля до максимальной частоты. Такое согласованное устройство можно использовать в качестве фиксированного аттенюатора с практически постоянной величиной вносимого ослабления. В качестве недостатка отметим низкое значение максимальной частоты рабочего диапазона, обусловленное использованием четырех пленочных микрополосковых резисторов, обладающих большими паразитными емкостями.
Известен также фиксированный аттенюатор, являющийся прототипом предлагаемого изобретения и содержащий три пленочных микрополосковых резистора, включенных в виде П-образной согласованной структуры (Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств -под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982, 328 с., рис. 4.42, стр. 193).
В П-образной согласованной структуре номинальные значения пленочных микрополосковых резисторов выбраны в соответствии со следующими соотношениями:
Figure 00000001
Figure 00000002
где R1, R3 - значение сопротивления пленочных микрополосковых крайних резисторов П-образной согласованной структуры, подключенных соответственно ко входу и выходу аттенюатора;
R3 - значение сопротивления среднего пленочного микрополоскового резистора П-образной согласованной структуры;
R - сопротивление нагрузки для фиксированного аттенюатора;
KU - коэффициент передачи аттенюатора по напряжению;
А=1/KU - вносимого ослабления (затухания) по напряжению.
Рассматриваемый фиксированный аттенюатор обеспечивает заданные значения вносимого ослабления и имеет достаточно хорошее качество согласования в диапазоне частот от 0 до 500 МГц. Необходимо отметить, что использование пленочных микрополосковых резисторов с большой площадью приводит к уменьшению полосы рабочих частот. Это связано с тем, что в этом случае пленочные микрополосковые резисторы имеют большие паразитные емкости. В соответствии с теорией согласования комплексных импедансов полоса частот качественного согласования фиксированного аттенюатора на пленочных микрополосковых резисторах определяется следующим известным соотношением
Figure 00000003
где Δf - полоса рабочих частот СВЧ аттенюатора;
С - паразитная емкость пленочного микрополоскового резистора;
Г - допустимый коэффициент отражения по входу фиксированного аттенюатора.
Из соотношения (3) следует, что с увеличением полоса рабочих частот Δf обратно пропорциональна паразитной емкости пленочного микрополоскового резистора.
Существенным недостатком прототипа является ограниченная величина уровня входной СВЧ мощности, которая пропорциональна площади пленочных микрополосковых резисторов и при использовании принудительного воздушного охлаждения и диэлектрических подложек с высокой теплопроводностью, например, бериллиевой керамики, как правило, не превышает 100-150 Вт.
Задачей (техническим результатом) предлагаемого изобретения является увеличение уровня входной допустимой СВЧ мощности при сохранении полосы рабочих частот.
Поставленная задача достигается тем, что в фиксированном аттенюаторе, содержащем три пленочных микрополосковых резистора R1, R2 и R3, включенных в виде П-образной согласованной структуры, у которой величины крайних резисторов R1 и R3 равны друг другу, введено три отрезка линии передачи, длина которых одинакова и равна четверти длины волны на средней рабочей частоте рабочего диапазона, при этом крайние пленочные микрополосковые резисторы П-образной согласованной структуры выполнены в виде двух одинаковых пленочных микрополосковых резисторов с уменьшенным в 2 раза сопротивлением, между которыми соответственно включены первый и третий отрезок линии передачи, волновое сопротивление каждого из которых равно
Figure 00000004
где:
Figure 00000005
- сопротивление крайних пленочных микрополосковых резисторов П-образной согласованной структуры;
R - сопротивление нагрузки фиксированного аттенюатора;
А=1/KU - вносимое ослабление по напряжению (затухание);
KU - коэффициент передачи фиксированного аттенюатора по напряжению,
кроме того, средний пленочный микрополосковый резистор П-образной согласованной структуры также выполнен виде двух одинаковых пленочных микрополосковых резисторов с уменьшенным в два раза сопротивлением, между которыми включен второй отрезок линии передачи, волновое сопротивление которого равно
Figure 00000006
где
Figure 00000007
- сопротивление среднего пленочного микрополоскового резистора П-образной согласованной структуры.
На фиг. 1 представлена схема предлагаемого фиксированного аттенюатора. На фиг. 2 приведена схема предлагаемого фиксированного аттенюатора с согласующими цепями на входе и выходе. На фиг. 3 приведены частотные зависимости КСВ. На фиг. 4 приведена частотная зависимость коэффициента передачи по напряжению.
Фиксированный аттенюатор содержит пленочные микрополосковые резисторы 1, 2, 3, 4, 5, 6 и отрезки линии передачи 7, 8, 9. Ко входу фиксированного аттенюатора подключены последовательно соединенные пленочный микрополосковый резистор 2, отрезок линии передачи 7 и пленочный микрополосковый резистор 1, один из выводов которого соединен с общим корпусом. К выходу фиксированного аттенюатора подключены последовательно соединенные пленочный микрополосковый резистор 5, отрезок линии передачи 9 и пленочный микрополосковый резистор 6, один из выводов которого соединен с общим корпусом. Между входом и выходом аттенюатора включены последовательно соединенные пленочный микрополосковый резистор 3, отрезок линии передачи 8 и пленочный микрополосковый резистор 4.
Предлагаемый фиксированный аттенюатор работает следующим образом. Для нахождения коэффициента отражения по входу Г и коэффициента передачи по напряжению KU воспользуемся методом четного и нечетного возбуждения. Корректность использования данного метода обусловлена симметрией конструкции фиксированного аттенюатора. Ось симметрии па схеме фиг. 1 показана пунктирной линией. В соответствии с теорией электрических цепей фиксированный аттенюатор представляет собой четырехполюсник. Метод четного и нечетного возбуждения сводит анализ четырехполюсника к анализу двух двухполюсников.
При четном возбуждении по оси симметрии образуется режим холостого хода. Входная проводимость (Y++) в этом случае будет равна
Figure 00000008
где f - частота входного сигнала;
f 0 - средняя частота рабочего диапазона;
Figure 00000009
- волновое сопротивление четвертьволнового отрезка линии передачи 8;
Figure 00000010
Отметим, что соотношение (4) получено с учетом того, что волновое сопротивление четвертьволнового отрезка линии передачи 7 равно ρ1=0,5R1.
При нечетном возбуждении вдоль оси симметрии возникает режим короткого замыкания. В том режиме в соответствии со схемой фиг. 1 входная проводимость (Y+-) определяется соотношением
Figure 00000011
Далее в соответствии с известным методом четного и нечетного возбуждения запишем выражения для коэффициента отражения в режиме четного (Г++) и нечетного (Г+-) возбуждения:
Figure 00000012
На основе соотношений (6) составим выражения для коэффициента отражения по входу (Г) и коэффициента передачи по напряжению (KU) предлагаемого фиксированного аттенюатора:
Figure 00000013
Исходя из соотношений (4)-(7), приходим к следующему результату:
Figure 00000014
Figure 00000015
Из анализа соотношений (8) и (9) следует, что введение отрезков линий передачи 7, 8 и 9 не повлияло на частотные свойства идеализированной П-образной согласованной структуры, в которой паразитными емкостями микрополосковых пленочных резисторов 1, 2, 3, 4, 5 и 6 можно пренебречь. В этом случае полоса рабочих частот может быть сколь угодно большой. Данное приближение справедливо для маломощных фиксированных аттенюаторов. При использовании мощных пленочных микрополосковых резисторов с рассеиваемой СВЧ мощностью до 50 Вт паразитные емкости составляют порядка 1 пФ. Влиянием паразитной индуктивности мощных пленочных микроплосковых резисторов с большой шириной в дециметровом диапазоне можно пренебречь. С учетом этого была составлена эквивалентная схема фиксированного аттенюатора, приведенная на фиг. 2. В соответствии с этой эквивалентной схемой на входе и выходе фиксированного аттенюатора для компенсации влияния паразитных емкостей мощных пленочных микрополосковых резисторов были использованы одинаковые согласующие цепи в виде чебышевского фильтра нижних частот (ФНЧ) третьего порядка. При этом один из емкостных элементов чебышевского ФНЧ замещен паразитной емкостью пленочного микрополоскового резистора. При при значении паразитной емкости 1 пФ значение индуктивности чебышевского ФНЧ равно 4,4 нГ. Для аттенюатора с вносимым ослаблением 6 дБ значения волновых сопротивлений отрезков линий передачи 7, 9 и 8 в соответствии с формулой изобретения соответственно равны: ρ13=75 Ом; ρ2=56 Ом.
Результаты расчета частотной зависимости коэффициента стоячей волны (КСВ) и коэффициента передачи по напряжению KU (дБ) приведены на фиг. 3 и фиг. 4. Как видно из данных графиков, предлагаемый фиксированный аттенюатор имеет полосу рабочих частот 0-1,7 ГГц, уровень входного КСВ не более 1,1. При этом неравномерность АЧХ не превышает ±1 дБ. Необходимо отметить, что полоса рабочих частот практически совпадает с полосой рабочих частот прототипа (Δf=1,67 ГГц), определяемой по соотношению (3). При расчете по соотношению (3) паразитная емкость была принята равной 2 пФ, так в предлагаемом устройстве каждый пленочный микрополосковый резистор исходной П-образной согласованной структуры был представлен в виде двух резисторов, между которыми включены отрезки линий передачи. Данный результат означает, что в предлагаемом фиксированном аттенюаторе полоса рабочих частот сохраняется, то есть оказывается такой же, как в прототипе. При этом разнесение пленочных микрополосковых резисторов друг от друга на четверть длины волны обеспечивает увеличение в 1,5-2 раза уровня входной СВЧ мощности. Кроме того, в предлагаемом фиксированном аттенюаторе пленочные микрополосковые резисторы могут быть расположены на нескольких диэлектрических подложках, а не виде одной гибридной СВЧ микросхемы. Это снижает температуру их нагрева и дополнительно увеличивает уровень входной СВЧ мощности.

Claims (9)

  1. Фиксированный аттенюатор, содержащий три пленочных микрополосковых резистора
    Figure 00000016
    ,
    Figure 00000017
    и
    Figure 00000018
    , включённых в виде П-образной согласованной структуры, у которой величины крайних резисторов
    Figure 00000016
    и
    Figure 00000018
    равны друг другу, отличающийся тем, что в него введено три отрезка линии передачи, длина которых одинакова и равна четверти длины волны на средней частоте рабочего диапазона, при этом крайние пленочные микрополосковые резисторы П-образной согласованной структуры выполнены в виде двух одинаковых пленочных микрополосковых резисторов с уменьшенным в 2 раза сопротивлением, между которыми соответственно включены первый и третий отрезок линии передачи, волновое сопротивление каждого из которых равно
  2. Figure 00000019
    ,
  3. где:
    Figure 00000020
    - сопротивление крайних пленочных микрополосковых резисторов П-образной согласованной структуры;
  4. R - сопротивление нагрузки фиксированного аттенюатора;
  5. Figure 00000021
    - коэффициент вносимого ослабления по напряжению (затухания);
  6. Figure 00000022
    - коэффициент передачи фиксированного аттенюатора по напряжению,
  7. кроме того, средний пленочный микрополосковый резистор П-образной согласованной структуры также выполнен виде двух одинаковых пленочных микрополосковых резисторов с уменьшенным в два раза сопротивлением, между которыми включен второй отрезок линии передачи с волновым сопротивлением
  8. Figure 00000023
    ,
  9. где
    Figure 00000024
    - сопротивление среднего пленочного микрополоскового резистора П-образной согласованной структуры.
RU2020117223A 2020-05-26 2020-05-26 Фиксированный аттенюатор RU2743940C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020117223A RU2743940C1 (ru) 2020-05-26 2020-05-26 Фиксированный аттенюатор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020117223A RU2743940C1 (ru) 2020-05-26 2020-05-26 Фиксированный аттенюатор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2743940C1 true RU2743940C1 (ru) 2021-03-01

Family

ID=74857488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020117223A RU2743940C1 (ru) 2020-05-26 2020-05-26 Фиксированный аттенюатор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2743940C1 (ru)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4310812A (en) * 1980-08-18 1982-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High power attenuator and termination having a plurality of cascaded tee sections
JPS62247601A (ja) * 1986-04-09 1987-10-28 Fujitsu Ltd 固定抵抗減衰器
JPH04159801A (ja) * 1990-10-24 1992-06-03 New Japan Radio Co Ltd 高周波アッテネータ回路
RU63604U1 (ru) * 2007-01-09 2007-05-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт импульсной техники" (ФГУП НИИИТ) Высоковольтный широкополосный аттенюатор с защитой от перегрузок
JP4159801B2 (ja) * 2002-05-17 2008-10-01 株式会社ブリヂストン タイヤ部材の成型装置および成型方法
RU2542877C2 (ru) * 2013-05-30 2015-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" Свч аттенюатор
RU2599915C1 (ru) * 2015-04-29 2016-10-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" Свч аттенюатор
RU2641625C1 (ru) * 2016-07-19 2018-01-18 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" Свч аттенюатор

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4310812A (en) * 1980-08-18 1982-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High power attenuator and termination having a plurality of cascaded tee sections
JPS62247601A (ja) * 1986-04-09 1987-10-28 Fujitsu Ltd 固定抵抗減衰器
JPH04159801A (ja) * 1990-10-24 1992-06-03 New Japan Radio Co Ltd 高周波アッテネータ回路
JP4159801B2 (ja) * 2002-05-17 2008-10-01 株式会社ブリヂストン タイヤ部材の成型装置および成型方法
RU63604U1 (ru) * 2007-01-09 2007-05-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт импульсной техники" (ФГУП НИИИТ) Высоковольтный широкополосный аттенюатор с защитой от перегрузок
RU2542877C2 (ru) * 2013-05-30 2015-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" Свч аттенюатор
RU2599915C1 (ru) * 2015-04-29 2016-10-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" Свч аттенюатор
RU2641625C1 (ru) * 2016-07-19 2018-01-18 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" Свч аттенюатор

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
V. I. Volman. Handbook on the calculation and design of microwave stripline devices // M .: Radio and Communication, 1982, pp. 192-193, Fig. 4.42a, b. *
В. И.Вольман. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств // М.: Радио и связь, 1982, с.192-193, рис. 4.42а, б. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sun et al. Modified Gysel power divider for dual-band applications
CN113193316B (zh) 一种基于双面平行带线的无反射带通滤波器
CN115333500A (zh) 一种带内平坦、频率选择性高的无反射宽带带通滤波器
CN112448113A (zh) 一种蝶形微带滤波功分器
KR20150126493A (ko) 음의 군지연 여파기
US10079420B2 (en) Broadband high power microwave combiner/divider
Wu et al. Compact ultra-wideband microstrip 3db branch-line coupler using coupled-lines
Chen et al. A resistor-free $ N $-way power divider with simultaneous output matching and isolation
Al-Majdi et al. Microstrip diplexer for recent wireless communities
RU2743940C1 (ru) Фиксированный аттенюатор
Zakharov et al. Coupling coefficients of step-impedance resonators in stripeline band-pass filters of array type
Chen et al. Novel Gysel power dividers based on half-mode substrate integrated waveguide (HMSIW)
CN114497952B (zh) 一种具有高次谐波抑制特性的功率分配器及其设计方法
RU2601533C1 (ru) Делитель мощности
Mandal et al. Low insertion loss, wideband bandpass filters with sharp rejection characteristics
RU2733483C1 (ru) Широкополосный сумматор свч-сигналов
RU2786505C1 (ru) Свч аттенюатор
RU2599915C1 (ru) Свч аттенюатор
TW202046554A (zh) 功率分配器
Elftouh et al. The Unequal Wilkinson Power Divider 2: 1 for WLAN Application
RU2805010C1 (ru) Делитель высокочастотных сигналов
RU2138887C1 (ru) Полосковый неотражающий полосно-заграждающий фильтр (его варианты)
RU2743248C1 (ru) Микрополосковый тандемный направленный ответвитель
Dora et al. Design and development of Interdigital Band pass filter for L-Band Wireless Communication Applications
KR102365761B1 (ko) 고주파 고전력 종단기