JPS64841B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS64841B2 JPS64841B2 JP2210183A JP2210183A JPS64841B2 JP S64841 B2 JPS64841 B2 JP S64841B2 JP 2210183 A JP2210183 A JP 2210183A JP 2210183 A JP2210183 A JP 2210183A JP S64841 B2 JPS64841 B2 JP S64841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variable resistance
- resistance element
- series
- cut
- variable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
- H01P1/227—Strip line attenuators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スロツト線路に挿入された橋絡T形
の定抵抗可変減衰器に関する。
の定抵抗可変減衰器に関する。
定抵抗可変減衰器は、第1図に示すように、2
個の抵抗R0と並列抵抗R2で構成されたT形回路
の入出力間に直列抵抗R1が接続された橋絡T形
回路の直列抵抗R1および並列抵抗R2が可変であ
り、かつ、常にR1R2=R0 2を満足するようにR1,
R2を可変させて減衰量を可変とすることによつ
て構成される。直列および並列抵抗R1,R2を、
例えばPINダイオード等による可変抵抗素子で構
成することによつて実現される。
個の抵抗R0と並列抵抗R2で構成されたT形回路
の入出力間に直列抵抗R1が接続された橋絡T形
回路の直列抵抗R1および並列抵抗R2が可変であ
り、かつ、常にR1R2=R0 2を満足するようにR1,
R2を可変させて減衰量を可変とすることによつ
て構成される。直列および並列抵抗R1,R2を、
例えばPINダイオード等による可変抵抗素子で構
成することによつて実現される。
第2図は、PINダイオードを用いた従来の定抵
抗可変減衰器の一例を示す。すなわち、入力ポー
ト1と出力ポート2間に直列抵抗を構成する第1
の可変抵抗素子3を直列に接続し、コンデンサ5
と固定抵抗R0の直列回路を2個直列に接続して
その両端を第1の可変抵抗素子3に並列に接続
し、2個の固定抵抗R0の接続点を第2の可変抵
抗素子4を通して接地する。上記コンデンサ5は
直流カツト用コンデンサである。第1および第2
の可変抵抗素子3,4はPINダイオードで構成さ
れる。
抗可変減衰器の一例を示す。すなわち、入力ポー
ト1と出力ポート2間に直列抵抗を構成する第1
の可変抵抗素子3を直列に接続し、コンデンサ5
と固定抵抗R0の直列回路を2個直列に接続して
その両端を第1の可変抵抗素子3に並列に接続
し、2個の固定抵抗R0の接続点を第2の可変抵
抗素子4を通して接地する。上記コンデンサ5は
直流カツト用コンデンサである。第1および第2
の可変抵抗素子3,4はPINダイオードで構成さ
れる。
第3図は、入,出力ポート1,2にマイクロス
トリツプ線路6を接続した従来の定抵抗可変減衰
器の一例を示す。この場合、第1の可変抵抗素子
(ダイオード)3の両端は、直流バイアスを供給
するためのコイル8に接続され、かつ直流カツト
用のコンデンサ5を介してマイクロストリツプ線
路6に接続される。マイクロストリツプ線路6の
端部間には2個の固定抵抗R0の直列接続回路が
接続され、直列接続点には第2の可変抵抗素子
(ダイオード)4の一端が接続される。ダイオー
ド4の他端は、基板に穿設されたスルーホール7
を介して短絡導体によつて基板裏面の接地導体に
接続されている。また、ダイオード4の両端には
それぞれコイル9を通して直流バイアスが供給さ
れる。
トリツプ線路6を接続した従来の定抵抗可変減衰
器の一例を示す。この場合、第1の可変抵抗素子
(ダイオード)3の両端は、直流バイアスを供給
するためのコイル8に接続され、かつ直流カツト
用のコンデンサ5を介してマイクロストリツプ線
路6に接続される。マイクロストリツプ線路6の
端部間には2個の固定抵抗R0の直列接続回路が
接続され、直列接続点には第2の可変抵抗素子
(ダイオード)4の一端が接続される。ダイオー
ド4の他端は、基板に穿設されたスルーホール7
を介して短絡導体によつて基板裏面の接地導体に
接続されている。また、ダイオード4の両端には
それぞれコイル9を通して直流バイアスが供給さ
れる。
上述の従来回路は、直列素子が2個のコンデン
サ5とダイオード3の直列接続によつて構成され
るため、直列回路の部分の形状が大きくなり、ま
た寄生インダクタンスが存在するようになる。さ
らに、ダイオード4を接地するために、基板に孔
をあけて短絡導体を埋め込んでいるが、これによ
つて寄生容量が生じる。従つて、これらの寄生イ
ンダクタンスおよび寄生容量により定抵抗条件衰
器R1R2=R0を満足することが困難となり、周波
数特性が劣化して所要の減衰量が得られないとい
う欠点がある。
サ5とダイオード3の直列接続によつて構成され
るため、直列回路の部分の形状が大きくなり、ま
た寄生インダクタンスが存在するようになる。さ
らに、ダイオード4を接地するために、基板に孔
をあけて短絡導体を埋め込んでいるが、これによ
つて寄生容量が生じる。従つて、これらの寄生イ
ンダクタンスおよび寄生容量により定抵抗条件衰
器R1R2=R0を満足することが困難となり、周波
数特性が劣化して所要の減衰量が得られないとい
う欠点がある。
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、
ダイオード等の寄生インダクタンス等を減少さ
せ、高周波帯でも良好な周波数特性を実現できる
スロツト線路化された定抵抗可変減衰器を提供す
ることにある。
ダイオード等の寄生インダクタンス等を減少さ
せ、高周波帯でも良好な周波数特性を実現できる
スロツト線路化された定抵抗可変減衰器を提供す
ることにある。
本発明の可変減衰器は、入、出力端子間に直列
に挿入された第1の可変抵抗素子と、該可変抵抗
素子に並列に接続された2個の固定抵抗の直列接
続回路と、該2個の固定抵抗の直列接続点とアー
ス端子間に接続された第2の可変抵抗素子と、前
記第1および第2の可変抵抗素子にそれぞれ直流
を供給する回路とを備えた定抵抗可変減衰器にお
いて、入出力線路を誘電体基板上に形成されたス
ロツト線路で構成し、該スロツト線路の一方の接
地導体を切断し、この切断された接地導体間に前
記第1の可変抵抗素子を直列に接続したことを特
徴とする。
に挿入された第1の可変抵抗素子と、該可変抵抗
素子に並列に接続された2個の固定抵抗の直列接
続回路と、該2個の固定抵抗の直列接続点とアー
ス端子間に接続された第2の可変抵抗素子と、前
記第1および第2の可変抵抗素子にそれぞれ直流
を供給する回路とを備えた定抵抗可変減衰器にお
いて、入出力線路を誘電体基板上に形成されたス
ロツト線路で構成し、該スロツト線路の一方の接
地導体を切断し、この切断された接地導体間に前
記第1の可変抵抗素子を直列に接続したことを特
徴とする。
次に、本発明について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第4図は、本発明の実施例を示す平面図であ
る。すなわち、入出力ポート1,2から入出力用
のスロツト線路10に高周波信号が入出力され
る。スロツト線路は、マイクロストリツプ線路と
異なり、平衡伝送路であるので、線路の片側また
は両側の接地導体を切断し、そのギヤツプに素子
を接続することにより容易に直列素子を挿入する
ことが可能である。本実施例では、スロツト線路
10の片側の接地導体(図中後側の接地導体)が
切断されて左右に分離され、そのギヤツプに直列
抵抗を構成する第1の可変抵抗素子としてダイオ
ード3を接続する。ダイオード3にはコイル8を
通して直流バイアスが供給される。切断された左
右の導体は直流的に分離されているので直流カツ
ト用のコンデンサは不要である。従つて、ダイオ
ード3に対して不要な寄生インダクタンスが付加
されることがない。ダイオード4、2個の固定抵
抗R0等は、スロツト線路10が形成された基板
の裏側に配設される。固定抵抗R0の一端は、基
板裏面に形成された先端解放の4分の1波長マイ
クロストリツプ線路11の入力端に接続されてい
て、設計周波数においては基板表側のダイオード
3の一端に短絡される。従つて、2個の固定抵抗
R0の直列接続回路は特定の設計周波数において
ダイオード3に並列接続されることになる。しか
し、直流的には接続されていないから、2個の固
定抵抗R0の直列接続点は直接ダイオード4に接
続することができる。ダイオード4の他端は基板
裏面に形成された先端解放の4分の1波長マイク
ロストリツプ線路11の入力端に接続する。ダイ
オード3にはコイル8を通して直流バイアスが供
給され、ダイオード4にはコイル9を通して直流
バイアスが供給されるが、直流的には相互に遮断
されているから、それぞれ任意の直流バイアスに
よつて任意の抵抗に制御することが可能である。
本構成は、4分の1波長の線路を用いているた
め、動作周波数は特定の設計周波数近傍に限られ
るが、短絡導体による寄生容量の付加を除去する
ことができる利点がある。また、本発明は、スイ
ツチとしても用いることも可能であり、定抵抗で
あるためサーキユレータ等が不要で簡単な構成の
スイツチを実現することができる。
る。すなわち、入出力ポート1,2から入出力用
のスロツト線路10に高周波信号が入出力され
る。スロツト線路は、マイクロストリツプ線路と
異なり、平衡伝送路であるので、線路の片側また
は両側の接地導体を切断し、そのギヤツプに素子
を接続することにより容易に直列素子を挿入する
ことが可能である。本実施例では、スロツト線路
10の片側の接地導体(図中後側の接地導体)が
切断されて左右に分離され、そのギヤツプに直列
抵抗を構成する第1の可変抵抗素子としてダイオ
ード3を接続する。ダイオード3にはコイル8を
通して直流バイアスが供給される。切断された左
右の導体は直流的に分離されているので直流カツ
ト用のコンデンサは不要である。従つて、ダイオ
ード3に対して不要な寄生インダクタンスが付加
されることがない。ダイオード4、2個の固定抵
抗R0等は、スロツト線路10が形成された基板
の裏側に配設される。固定抵抗R0の一端は、基
板裏面に形成された先端解放の4分の1波長マイ
クロストリツプ線路11の入力端に接続されてい
て、設計周波数においては基板表側のダイオード
3の一端に短絡される。従つて、2個の固定抵抗
R0の直列接続回路は特定の設計周波数において
ダイオード3に並列接続されることになる。しか
し、直流的には接続されていないから、2個の固
定抵抗R0の直列接続点は直接ダイオード4に接
続することができる。ダイオード4の他端は基板
裏面に形成された先端解放の4分の1波長マイク
ロストリツプ線路11の入力端に接続する。ダイ
オード3にはコイル8を通して直流バイアスが供
給され、ダイオード4にはコイル9を通して直流
バイアスが供給されるが、直流的には相互に遮断
されているから、それぞれ任意の直流バイアスに
よつて任意の抵抗に制御することが可能である。
本構成は、4分の1波長の線路を用いているた
め、動作周波数は特定の設計周波数近傍に限られ
るが、短絡導体による寄生容量の付加を除去する
ことができる利点がある。また、本発明は、スイ
ツチとしても用いることも可能であり、定抵抗で
あるためサーキユレータ等が不要で簡単な構成の
スイツチを実現することができる。
以上のように、本発明においては、基板上に形
成されたスロツト線路の片側の接地導体を切断し
て、該切断部に第1の可変抵抗素子を直列に接続
した構成としたから、従来第1の可変抵抗素子に
直列に接続されていた直流カツト用のコンデンサ
が不要となる。従つて、従来のように上記コンデ
ンサの寄生インダクタンスが直列素子に付加され
ることがなく、優れた高周波特性の定抵抗可変減
衰器を提供することができるという効果がある。
また、各素子の短絡部が先端解放の4分の1波長
マイクロストリツプ線路で構成されているため短
絡用導体による寄生容量等の発生を回避でき、設
計周波数近傍においては優秀な高周波特性の定抵
抗可変減衰器とすることができる。さらに、サー
キユレータが不要な簡易なスイツチを実現するこ
とが可能である等、多大の効果を有する。
成されたスロツト線路の片側の接地導体を切断し
て、該切断部に第1の可変抵抗素子を直列に接続
した構成としたから、従来第1の可変抵抗素子に
直列に接続されていた直流カツト用のコンデンサ
が不要となる。従つて、従来のように上記コンデ
ンサの寄生インダクタンスが直列素子に付加され
ることがなく、優れた高周波特性の定抵抗可変減
衰器を提供することができるという効果がある。
また、各素子の短絡部が先端解放の4分の1波長
マイクロストリツプ線路で構成されているため短
絡用導体による寄生容量等の発生を回避でき、設
計周波数近傍においては優秀な高周波特性の定抵
抗可変減衰器とすることができる。さらに、サー
キユレータが不要な簡易なスイツチを実現するこ
とが可能である等、多大の効果を有する。
第1図は橋絡T形の定抵抗可変減衰器を示す回
路図、第2図はPINダイオードを使用した従来の
定抵抗可変減衰器を示す回路図、第3図は入出力
線路にマイクロストリツプラインを使用した従来
の定抵抗可変減衰器の一例を示す図、第4図は本
発明の実施例を示す平面図である。 図において、1,2…入出力ポート、3…第1
の可変抵抗素子(ダイオード)、4…第2の可変
抵抗素子(ダイオード)、5…直流カツト用のコ
ンデンサ、6…マイクロストリツプ線路、7…ス
ルーホール、8,9…コイル、10…スロツト線
路、11…先端解放の4分の1波長マイクロスト
リツプ線路、R0…固定抵抗。
路図、第2図はPINダイオードを使用した従来の
定抵抗可変減衰器を示す回路図、第3図は入出力
線路にマイクロストリツプラインを使用した従来
の定抵抗可変減衰器の一例を示す図、第4図は本
発明の実施例を示す平面図である。 図において、1,2…入出力ポート、3…第1
の可変抵抗素子(ダイオード)、4…第2の可変
抵抗素子(ダイオード)、5…直流カツト用のコ
ンデンサ、6…マイクロストリツプ線路、7…ス
ルーホール、8,9…コイル、10…スロツト線
路、11…先端解放の4分の1波長マイクロスト
リツプ線路、R0…固定抵抗。
Claims (1)
- 1 入、出力端子間に直列に挿入された第1の可
変抵抗素子と、該可変抵抗素子に並列に接続され
た2個の固定抵抗の直列接続回路と、該2個の固
定抵抗の直列接続点とアース端子間に接続された
第2の可変抵抗素子と、前記第1および第2の可
変抵抗素子にそれぞれ直流を供給する回路とを備
えた定抵抗可変減衰器において、入出力線路を誘
電体基板上に形成されたスロツト線路で構成し、
該スロツト線路の一方の接地導体を切断し、この
切断された接地導体間に前記第1の可変抵抗素子
を直列に接続し、前記切断された接地導体の裏面
に先端解放の有限長のマイクロストリツプ線路を
形成し、前記第2の可変抵抗素子および前記2個
の固定抵抗を前記誘電体基板の裏面に配置して、
第2個の固定抵抗の一端をそれぞれ前記マイクロ
ストリツプ線路の入力端に、他端を上記第2の可
変抵抗素子に接続し、基板表面の切断されない方
の接地導体の裏面に先端解放の有限長のマイクロ
ストリツプ線路を形成し、第マイクロストリツプ
線路の入力端に前記第2の可変抵抗素子の他端を
接続したことを特徴とするスロツト線路化定抵抗
可変減衰器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2210183A JPS59148403A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | スロツト線路化定抵抗可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2210183A JPS59148403A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | スロツト線路化定抵抗可変減衰器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59148403A JPS59148403A (ja) | 1984-08-25 |
JPS64841B2 true JPS64841B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=12073489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2210183A Granted JPS59148403A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | スロツト線路化定抵抗可変減衰器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59148403A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170218178A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-08-03 | Toray Industries, Inc. | Polyester resin composition and method for producing same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4789840A (en) * | 1986-04-16 | 1988-12-06 | Hewlett-Packard Company | Integrated capacitance structures in microwave finline devices |
EP0245048B1 (en) * | 1986-05-08 | 1993-02-03 | Hewlett-Packard Company | Finline millimeter wave detector |
GB2232303A (en) * | 1989-05-23 | 1990-12-05 | Marconi Gec Ltd | Waveguide switch |
US7599629B2 (en) * | 2003-06-06 | 2009-10-06 | Scientific-Atlanta, Inc. | Optical receiver having an open loop automatic gain control circuit |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP2210183A patent/JPS59148403A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170218178A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-08-03 | Toray Industries, Inc. | Polyester resin composition and method for producing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59148403A (ja) | 1984-08-25 |
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