JPH0133961B2 - - Google Patents
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- JPH0133961B2 JPH0133961B2 JP2872584A JP2872584A JPH0133961B2 JP H0133961 B2 JPH0133961 B2 JP H0133961B2 JP 2872584 A JP2872584 A JP 2872584A JP 2872584 A JP2872584 A JP 2872584A JP H0133961 B2 JPH0133961 B2 JP H0133961B2
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- Japan
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- diodes
- high frequency
- diode
- strip lines
- bias
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はマイクロ波周波数帯で使用されるダ
イオードを用いた回線切替器に関し、特に、ハイ
ブリツドIC化に適した回線切替器に関する。
イオードを用いた回線切替器に関し、特に、ハイ
ブリツドIC化に適した回線切替器に関する。
マイクロ波の回線切替器としては、従来、ラツ
チングサーキユレータや機械的スイツチング回路
が良く用いられている。しかし、これらはスイツ
チングスピードが遅い。このため、スピードが問
題とされる場合は、従来、ダイオードスイツチン
グ回路によるダイオード回線切替器が用いられ
る。
チングサーキユレータや機械的スイツチング回路
が良く用いられている。しかし、これらはスイツ
チングスピードが遅い。このため、スピードが問
題とされる場合は、従来、ダイオードスイツチン
グ回路によるダイオード回線切替器が用いられ
る。
第１図は従来のダイオードを用いた回線切替器
の例で、特に大電力用として考慮された回線切替
器の例である。ダイオードは従来パツケージで使
用することを主体に考慮されているため、ダイオ
ードが決定されると各々スイツチング素子となる
ダイオードは対地のバイアス方向が同一となつ
た。
の例で、特に大電力用として考慮された回線切替
器の例である。ダイオードは従来パツケージで使
用することを主体に考慮されているため、ダイオ
ードが決定されると各々スイツチング素子となる
ダイオードは対地のバイアス方向が同一となつ
た。
第１図において、１は高周波信号出力端子、２
及び３は高周波信号入力端子、４及び５はダイオ
ードバイアス信号入力端子である。このダイオー
ド回線切替器は、入力端子２及び３のうちの一方
の高周波信号を、入力端子４及び５へのバイアス
信号の制御により出力端子１に導く機能を有す
る。６〜９はそれぞれ使用周波数で実質1/4波長
となるストリツプ線路、１０〜１３はそれぞれ
PINダイオード、１４〜１９はそれぞれコンデン
サ、２０及び２１はそれぞれインダクタンス素子
である。
及び３は高周波信号入力端子、４及び５はダイオ
ードバイアス信号入力端子である。このダイオー
ド回線切替器は、入力端子２及び３のうちの一方
の高周波信号を、入力端子４及び５へのバイアス
信号の制御により出力端子１に導く機能を有す
る。６〜９はそれぞれ使用周波数で実質1/4波長
となるストリツプ線路、１０〜１３はそれぞれ
PINダイオード、１４〜１９はそれぞれコンデン
サ、２０及び２１はそれぞれインダクタンス素子
である。
なお、高周波信号を入力端子２から出力端子１
へ導く場合は、バイアス信号入力端子５にPINダ
イオード１３及び１１が順方向にバイアスされる
ようにバイアス電流を与え、PINダイオード１３
及び１１を短絡状態にすると共に、バイアス信号
入力端子４にPINダイオード１２及び１０が逆方
向にバイアスされるようにバイアス電流を与え、
PINダイオード１２及び１０を開放状態にする。
逆に、高周波信号を入力端子３から出力端子１へ
導く場合は、バイアス信号入力端子４にPINダイ
オード１２及び１０が順方向にバイアスされるよ
うにバイアス電流を与え、PINダイオード１２及
び１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入
力端子５にPINダイオード１３及び１１が逆方向
にバイアスされるようにバイアス電流を与え、
PINダイオード１３及び１１を開放状態にする。
へ導く場合は、バイアス信号入力端子５にPINダ
イオード１３及び１１が順方向にバイアスされる
ようにバイアス電流を与え、PINダイオード１３
及び１１を短絡状態にすると共に、バイアス信号
入力端子４にPINダイオード１２及び１０が逆方
向にバイアスされるようにバイアス電流を与え、
PINダイオード１２及び１０を開放状態にする。
逆に、高周波信号を入力端子３から出力端子１へ
導く場合は、バイアス信号入力端子４にPINダイ
オード１２及び１０が順方向にバイアスされるよ
うにバイアス電流を与え、PINダイオード１２及
び１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入
力端子５にPINダイオード１３及び１１が逆方向
にバイアスされるようにバイアス電流を与え、
PINダイオード１３及び１１を開放状態にする。
この様な回路ではダイオードバイアス信号入力
端子４又は５へのRFリークを防ぐため、２０，
１６又は２１，１９のＬ、Ｃの組合せから成るロ
ーパス回路を必ず必要とした。
端子４又は５へのRFリークを防ぐため、２０，
１６又は２１，１９のＬ、Ｃの組合せから成るロ
ーパス回路を必ず必要とした。
この場合、前記ローパス回路は、バイアス信号
入力端子４及び５側に接続されるバイアス供給回
路のRFインピーダンスにより特性が変化し、RF
信号伝送路の通過特性に悪い影響を与えた。
入力端子４及び５側に接続されるバイアス供給回
路のRFインピーダンスにより特性が変化し、RF
信号伝送路の通過特性に悪い影響を与えた。
また。RF信号遮断時には、被切替高周波端子
２又は３に接続される回路の電力モニタ回路等に
反射電力を送出するためにこれら回路が誤動作す
る等の不都合を生じることがあり、その場合には
これら端子にアイソレータを接続しなければなら
ない等の不都合があつた。
２又は３に接続される回路の電力モニタ回路等に
反射電力を送出するためにこれら回路が誤動作す
る等の不都合を生じることがあり、その場合には
これら端子にアイソレータを接続しなければなら
ない等の不都合があつた。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、バイアス
信号入力端子に接続される外部回路の影響を受け
ず、しかも、被切替高周波信号端子に接続される
外部回路に影響を与えない、高周波信号伝送特性
の良好なダイオード回線切替器を提供することに
ある。
信号入力端子に接続される外部回路の影響を受け
ず、しかも、被切替高周波信号端子に接続される
外部回路に影響を与えない、高周波信号伝送特性
の良好なダイオード回線切替器を提供することに
ある。
本発明によれば、それぞれの一端が高周波的に
接地された２個の第１のダイオードのそれぞれの
他端を、それぞれが使用周波数で実質1/4波長と
なる２個の第１のストリツプ線路のそれぞれの一
端に接続することを少なくとも一回行ない、該２
個の第１のストリツプ線路の他端を共通に接続し
て第１の高周波信号端子とし、さらに前記２個の
第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞれ
が使用周波数で実質1/4波長となる２個の第２の
ストリツプ線路のそれぞれの一端に接続し、該２
個の第２のストリツプ線路のそれぞれの他端に、
それぞれの一端が所定のインピーダンスを有する
終端抵抗をそれぞれ介して高周波的に接地された
２個の第２のダイオードのそれぞれの他端を接続
し、該２個の第２のダイオードの該他端をそれぞ
れ第２及び第３の高周波端子とし、また、前記第
２のダイオードと前記第１のダイオードとのペア
の各々のバイアス電流を前記終端抵抗を通して供
給するようにしたことを特徴とするダイオード回
線切替器が得られる。
接地された２個の第１のダイオードのそれぞれの
他端を、それぞれが使用周波数で実質1/4波長と
なる２個の第１のストリツプ線路のそれぞれの一
端に接続することを少なくとも一回行ない、該２
個の第１のストリツプ線路の他端を共通に接続し
て第１の高周波信号端子とし、さらに前記２個の
第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞれ
が使用周波数で実質1/4波長となる２個の第２の
ストリツプ線路のそれぞれの一端に接続し、該２
個の第２のストリツプ線路のそれぞれの他端に、
それぞれの一端が所定のインピーダンスを有する
終端抵抗をそれぞれ介して高周波的に接地された
２個の第２のダイオードのそれぞれの他端を接続
し、該２個の第２のダイオードの該他端をそれぞ
れ第２及び第３の高周波端子とし、また、前記第
２のダイオードと前記第１のダイオードとのペア
の各々のバイアス電流を前記終端抵抗を通して供
給するようにしたことを特徴とするダイオード回
線切替器が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第２図を参照すると、本発明の一実施例による
ダイオード回線切替器は、破線３０の内部が膜回
路基板上に構成されている。PINダイオード１
０，１２及び１１，１３はそれぞれ端子２及び３
のうちの一方の高周波信号を端子１に導くための
PINダイオードである。ダイオード１０及び１２
間と、ダイオード１１及び１３間は、実質1/4波
長のストリツプ線路７及び９でそれぞれ接続され
ている。ダイオード１０及び１１は、実質1/4波
長のストリツプ線路６，８の２本とRFバイパス
コンデンサ１４，１７とを介し実質1/2波長の距
離におかれ、その中点は端子１に接続されてい
る。またダイオード１２，１３は、ストリツプ線
路６〜９と同一基板上に構成された終端抵抗４１
及び４２によつてそれぞれ高周波的に終端されて
いる。終端抵抗４１及び４２の各々は、ストリツ
プ線路７及び９の各々のインピーダンス値からダ
イオード１２及び１３の各々のON時のインピー
ダンス値を減じた値に等しい。
ダイオード回線切替器は、破線３０の内部が膜回
路基板上に構成されている。PINダイオード１
０，１２及び１１，１３はそれぞれ端子２及び３
のうちの一方の高周波信号を端子１に導くための
PINダイオードである。ダイオード１０及び１２
間と、ダイオード１１及び１３間は、実質1/4波
長のストリツプ線路７及び９でそれぞれ接続され
ている。ダイオード１０及び１１は、実質1/4波
長のストリツプ線路６，８の２本とRFバイパス
コンデンサ１４，１７とを介し実質1/2波長の距
離におかれ、その中点は端子１に接続されてい
る。またダイオード１２，１３は、ストリツプ線
路６〜９と同一基板上に構成された終端抵抗４１
及び４２によつてそれぞれ高周波的に終端されて
いる。終端抵抗４１及び４２の各々は、ストリツ
プ線路７及び９の各々のインピーダンス値からダ
イオード１２及び１３の各々のON時のインピー
ダンス値を減じた値に等しい。
なお、高周波信号を入力端子２から出力端子１
へ導く場合、第１図の切替器と同様に、バイアス
信号入力端子５にPINダイオード１３及び１１が
順方向にバイアスされるようにバイアス電流を与
え、PINダイオード１３及び１１を短絡状態にす
ると共に、バイアス信号入力端子４にPINダイオ
ード１２及び１０が逆方向にバイアスされるよう
にバイアス電流を与え、PINダイオード１２及び
１０を開放状態にする。逆に、高周波信号を入力
端子３から出力端子１へ導く場合、第１図の切替
器と同様に、バイアス信号入力端子４にPINダイ
オード１２及び１０が順方向にバイアスさせるよ
うにバイアス電流を与え、PINダイオード１２及
び１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入
力端子５にPINダイオード１３及び１１が逆方向
にバイアスされるようにバイアス電流を与え、
PINダイオード１３及び１１を開放状態にする。
へ導く場合、第１図の切替器と同様に、バイアス
信号入力端子５にPINダイオード１３及び１１が
順方向にバイアスされるようにバイアス電流を与
え、PINダイオード１３及び１１を短絡状態にす
ると共に、バイアス信号入力端子４にPINダイオ
ード１２及び１０が逆方向にバイアスされるよう
にバイアス電流を与え、PINダイオード１２及び
１０を開放状態にする。逆に、高周波信号を入力
端子３から出力端子１へ導く場合、第１図の切替
器と同様に、バイアス信号入力端子４にPINダイ
オード１２及び１０が順方向にバイアスさせるよ
うにバイアス電流を与え、PINダイオード１２及
び１０を短絡状態にすると共に、バイアス信号入
力端子５にPINダイオード１３及び１１が逆方向
にバイアスされるようにバイアス電流を与え、
PINダイオード１３及び１１を開放状態にする。
本実施例はこのように構成されているから、ダ
イオード１０，１１及び１２，１３はそれぞれ抵
抗器４１又は４２を通してバイアス電流を供給さ
れ、ローパス回路２０，１６及び２１，１９以後
のバイアス回路の影響はこれら抵抗４１，４２に
よつて軽減されるのみならず、特にこれら影響の
大きいダイオードがOFFの状態では上述のバイ
アス回路をRF的に切り離すことが出来るためそ
の効果はさらに大きい。またRF的にもこれら抵
抗器４１，４２が終端するため、被切替高周波端
子２及び３に接続される外部回路に与える影響も
少なくなる。このように、簡単な回路構成で高周
波伝送特性を改善したダイオード回線切替器を実
現できる。
イオード１０，１１及び１２，１３はそれぞれ抵
抗器４１又は４２を通してバイアス電流を供給さ
れ、ローパス回路２０，１６及び２１，１９以後
のバイアス回路の影響はこれら抵抗４１，４２に
よつて軽減されるのみならず、特にこれら影響の
大きいダイオードがOFFの状態では上述のバイ
アス回路をRF的に切り離すことが出来るためそ
の効果はさらに大きい。またRF的にもこれら抵
抗器４１，４２が終端するため、被切替高周波端
子２及び３に接続される外部回路に与える影響も
少なくなる。このように、簡単な回路構成で高周
波伝送特性を改善したダイオード回線切替器を実
現できる。
さらに、第２図の破線３０内の部分はダイオー
ドの接地等を除き一枚の膜回路基板上に構成さ
れ、ハイブリツドマイクロ波集積回路として構成
されているから、小形で低コストの切替器とな
る。
ドの接地等を除き一枚の膜回路基板上に構成さ
れ、ハイブリツドマイクロ波集積回路として構成
されているから、小形で低コストの切替器とな
る。
なお、第２図において、ストリツプ線路６と
PINダイオード１０とのペアーの代りに、該ペア
ーを互に直列に接続した複数ペアーに置きかえる
と共に、ストリツプ線路８とPINダイオード１１
とのペアーの代りに、該ペアーを互に直列に接続
した複数ペアーに置きかえることもできる。
PINダイオード１０とのペアーの代りに、該ペア
ーを互に直列に接続した複数ペアーに置きかえる
と共に、ストリツプ線路８とPINダイオード１１
とのペアーの代りに、該ペアーを互に直列に接続
した複数ペアーに置きかえることもできる。
以上説明したように本発明によれば、バイアス
信号入力端子に接続される外部回路の影響を受け
ず、しかも、被切替高周波信号端子に接続される
外部回路に影響を与えない、高周波信号伝送特性
の良好なダイオード回線切替器を簡単な回路構成
で得ることができるという効果がある。
信号入力端子に接続される外部回路の影響を受け
ず、しかも、被切替高周波信号端子に接続される
外部回路に影響を与えない、高周波信号伝送特性
の良好なダイオード回線切替器を簡単な回路構成
で得ることができるという効果がある。
第１図は従来のダイオード回線切替器の回路
図、第２図は本発明の一実施例によるダイオード
回線切替器の回路図である。 １……高周波信号出力端子、２及び３……高周
波信号入力端子（被切替高周波端子）、４及び５
……ダイオードバイアス信号入力端子、６〜９…
…実質1/4波長のストリツプ線回、１０〜１３…
…PINダイオード、１４〜１９……コンデンサ、
２０及び２１……インダクタンス素子、４１及び
４２……終端抵抗。
図、第２図は本発明の一実施例によるダイオード
回線切替器の回路図である。 １……高周波信号出力端子、２及び３……高周
波信号入力端子（被切替高周波端子）、４及び５
……ダイオードバイアス信号入力端子、６〜９…
…実質1/4波長のストリツプ線回、１０〜１３…
…PINダイオード、１４〜１９……コンデンサ、
２０及び２１……インダクタンス素子、４１及び
４２……終端抵抗。
Claims (1)
- １ それぞれの一端が高周波的に接地された２個
の第１のダイオードのそれぞれの他端を、それぞ
れが使用周波数で実質1/4波長となる２個の第１
のストリツプ線路のそれぞれの一端に接続するこ
とを少なくとも一回行ない、該２個の第１のスト
リツプ線路の他端を共通に接続して第１の高周波
信号端子とし、さらに前記２個の第１のダイオー
ドのそれぞれの他端を、それぞれが使用周波数で
実質1/4波長となる２個の第２のストリツプ線路
のそれぞれの一端に接続し、該２個の第２のスト
リツプ線路のそれぞれの他端に、それぞれの一端
が所定のインピーダンスを有する終端抵抗をそれ
ぞれ介して高周波的に接地された２個の第２のダ
イオードのそれぞれの他端を接続し、該２個の第
２のダイオードの該他端をそれぞれ第２及び第３
の高周波端子とし、また、前記第２のダイオード
と前記第１のダイオードとのペアの各々のバイア
ス電流を前記終端抵抗を通して供給するようにし
たことを特徴とするダイオード回線切替器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2872584A JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2872584A JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173901A JPS60173901A (ja) | 1985-09-07 |
| JPH0133961B2 true JPH0133961B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=12256413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2872584A Granted JPS60173901A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ダイオ−ド回線切替器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173901A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8390394B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-03-05 | Soshin Electric Co., Ltd. | High frequency switch |
| US8421552B2 (en) | 2008-06-06 | 2013-04-16 | Soshin Electric Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US8558639B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-10-15 | Soshin Electric Co., Ltd. | High frequency switch |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4810980A (en) * | 1987-06-04 | 1989-03-07 | Texas Instruments, Inc. | Matched variable attenuation switched limiter |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2872584A patent/JPS60173901A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8390394B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-03-05 | Soshin Electric Co., Ltd. | High frequency switch |
| US8421552B2 (en) | 2008-06-06 | 2013-04-16 | Soshin Electric Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US8558639B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-10-15 | Soshin Electric Co., Ltd. | High frequency switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60173901A (ja) | 1985-09-07 |
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