JPH0555813A - マイクロストリツプ線路終端器 - Google Patents
マイクロストリツプ線路終端器Info
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- JPH0555813A JPH0555813A JP20932391A JP20932391A JPH0555813A JP H0555813 A JPH0555813 A JP H0555813A JP 20932391 A JP20932391 A JP 20932391A JP 20932391 A JP20932391 A JP 20932391A JP H0555813 A JPH0555813 A JP H0555813A
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- Japan
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- microstrip line
- ground
- resistors
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- terminal equipment
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はマイクロストリップ線路終端器に関
し、十分に小さい反射レベル及びその帯域幅が広くとれ
るマイクロストリップ線路終端器の提供を目的とする。 【構成】 誘電体基板１と、接地導体２と、特性インピ
ーダンスＺ0 オームの導体ストリップ３とを備えるマイ
クロストリップ線路を無反射終端するためのマイクロス
トリップ線路終端器において、導体ストリップ３の延長
上に並列に設けられて、その合成抵抗値がＺ0 オームと
なる複数の抵抗体５1 〜５n と、各抵抗体５1 〜５n を
接地導体２に実質的に接地する複数の接地回路６1 〜６
n とを備え、マイクロ波信号に対して抵抗体５1 〜５n
が集中定数素子と見なせる範囲で、マイクロ波電力に対
する接地能力を高めると共に、抵抗体５1 〜５n の部分
の寄生容量及びインダクタンス成分を軽減するこで、十
分に小さい反射レベル及びその帯域幅を広くとる。好ま
しくは、接地回路６1 〜６n は各ラジアルスタブよりな
る。
し、十分に小さい反射レベル及びその帯域幅が広くとれ
るマイクロストリップ線路終端器の提供を目的とする。 【構成】 誘電体基板１と、接地導体２と、特性インピ
ーダンスＺ0 オームの導体ストリップ３とを備えるマイ
クロストリップ線路を無反射終端するためのマイクロス
トリップ線路終端器において、導体ストリップ３の延長
上に並列に設けられて、その合成抵抗値がＺ0 オームと
なる複数の抵抗体５1 〜５n と、各抵抗体５1 〜５n を
接地導体２に実質的に接地する複数の接地回路６1 〜６
n とを備え、マイクロ波信号に対して抵抗体５1 〜５n
が集中定数素子と見なせる範囲で、マイクロ波電力に対
する接地能力を高めると共に、抵抗体５1 〜５n の部分
の寄生容量及びインダクタンス成分を軽減するこで、十
分に小さい反射レベル及びその帯域幅を広くとる。好ま
しくは、接地回路６1 〜６n は各ラジアルスタブよりな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロストリップ線路
終端器に関し、更に詳しくは、誘電体基板と、接地導体
と、特性インピーダンスＺ0 オームの導体ストリップと
を備えるマイクロストリップ線路を無反射終端するため
のマイクロストリップ線路終端器に関する。
終端器に関し、更に詳しくは、誘電体基板と、接地導体
と、特性インピーダンスＺ0 オームの導体ストリップと
を備えるマイクロストリップ線路を無反射終端するため
のマイクロストリップ線路終端器に関する。
【０００２】この種の終端器は、ミリ波、マイクロ波帯
のハイブリッド回路や方向性結合器等における無反射終
端用に使用されており、これらのハイブリッド回路や方
向性結合器等の諸特性に悪影響を及ぼさないためにはマ
イクロストリップ線路終端器の反射レベルが低くその帯
域幅が広いことが好ましい。
のハイブリッド回路や方向性結合器等における無反射終
端用に使用されており、これらのハイブリッド回路や方
向性結合器等の諸特性に悪影響を及ぼさないためにはマ
イクロストリップ線路終端器の反射レベルが低くその帯
域幅が広いことが好ましい。
【０００３】
【従来の技術】図６は従来のマイクロストリップ線路終
端器の構成を示す図で、図において１は誘電体基板、２
は背面の接地導体、３は表面の導体ストリップ、５は無
反射終端用の抵抗体、６は抵抗体を接地導体に接地する
接地回路である。周知の通り、特性インピーダンスＺ0
オームの導体ストリップ３を該Ｚ0 オームの抵抗体５で
接地すれば導体ストリップ３の線路は無反射終端され
る。なお、従来の接地方式には幾つかあり、図６の
（Ａ）は複数の金ワイヤ８をボンディングした場合、図
６の（Ｂ）は金リボン９をボンディングした場合、図６
の（Ｃ）は半径略λ／４電気長の扇形のラジアルスタブ
７によりＳ点の位置を実質的なアースとした場合、を夫
々示している。
端器の構成を示す図で、図において１は誘電体基板、２
は背面の接地導体、３は表面の導体ストリップ、５は無
反射終端用の抵抗体、６は抵抗体を接地導体に接地する
接地回路である。周知の通り、特性インピーダンスＺ0
オームの導体ストリップ３を該Ｚ0 オームの抵抗体５で
接地すれば導体ストリップ３の線路は無反射終端され
る。なお、従来の接地方式には幾つかあり、図６の
（Ａ）は複数の金ワイヤ８をボンディングした場合、図
６の（Ｂ）は金リボン９をボンディングした場合、図６
の（Ｃ）は半径略λ／４電気長の扇形のラジアルスタブ
７によりＳ点の位置を実質的なアースとした場合、を夫
々示している。
【０００４】図７は従来のマイクロストリップ線路終端
器の周波数−反射特性を示す図である。従来のマイクロ
ストリップ線路終端器においては、抵抗体５や接地回路
６の部分にかなりの容量やインダクタンス成分が寄生し
ているので、高い周波数ｆ0 （この例では６ＧＨZ ）を
中心とする無反射終端の帯域幅が広くとれなかった。ま
た、この例では中心周波数ｆ0 における反射が−５０ｄ
Ｂに達していない。従って、このようなマイクロストリ
ップ線路終端器を使用したハイブリッド回路や方向性結
合器等の諸特性に対して反射等に基づく悪影響を及ぼし
ていた。
器の周波数−反射特性を示す図である。従来のマイクロ
ストリップ線路終端器においては、抵抗体５や接地回路
６の部分にかなりの容量やインダクタンス成分が寄生し
ているので、高い周波数ｆ0 （この例では６ＧＨZ ）を
中心とする無反射終端の帯域幅が広くとれなかった。ま
た、この例では中心周波数ｆ0 における反射が−５０ｄ
Ｂに達していない。従って、このようなマイクロストリ
ップ線路終端器を使用したハイブリッド回路や方向性結
合器等の諸特性に対して反射等に基づく悪影響を及ぼし
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のマ
イクロストリップ線路終端器では、十分に小さい反射レ
ベル及びその帯域幅が広くとれないために、これを使用
したハイブリッド回路や方向性結合器等の諸特性に悪影
響を及ぼしていた。本発明の目的は、十分に小さい反射
レベル及びその帯域幅が広くとれるマイクロストリップ
線路終端器を提供することにある。
イクロストリップ線路終端器では、十分に小さい反射レ
ベル及びその帯域幅が広くとれないために、これを使用
したハイブリッド回路や方向性結合器等の諸特性に悪影
響を及ぼしていた。本発明の目的は、十分に小さい反射
レベル及びその帯域幅が広くとれるマイクロストリップ
線路終端器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は図１の構成
により解決される。即ち、本発明のマイクロストリップ
線路終端器は、誘電体基板１と、接地導体２と、特性イ
ンピーダンスＺ0 オームの導体ストリップ３とを備える
マイクロストリップ線路を無反射終端するためのマイク
ロストリップ線路終端器において、導体ストリップ３の
延長上に並列に設けられて、その合成抵抗値がＺ0 オー
ムとなる複数の抵抗体５1 〜５n と、各抵抗体５1 〜５
n を接地導体２に実質的に接地する複数の接地回路６1
〜６n とを備える。
により解決される。即ち、本発明のマイクロストリップ
線路終端器は、誘電体基板１と、接地導体２と、特性イ
ンピーダンスＺ0 オームの導体ストリップ３とを備える
マイクロストリップ線路を無反射終端するためのマイク
ロストリップ線路終端器において、導体ストリップ３の
延長上に並列に設けられて、その合成抵抗値がＺ0 オー
ムとなる複数の抵抗体５1 〜５n と、各抵抗体５1 〜５
n を接地導体２に実質的に接地する複数の接地回路６1
〜６n とを備える。
【０００７】
【作用】この種の終端器では、抵抗体５として薄膜抵抗
体等が使用されるが、この薄膜抵抗体の寸法は数分の１
ミリオーダと非常に小さいために、通常のマイクロ波信
号に対しては集中定数素子として扱える。そこで、本発
明のマイクロストリップ線路終端器においては、導体ス
トリップ３の延長上に、集中定数素子としての合成抵抗
値がＺ0 オームとなるような複数の抵抗体５1 〜５n を
並列に設け、夫々を接地回路６1 〜６n で接地してい
る。
体等が使用されるが、この薄膜抵抗体の寸法は数分の１
ミリオーダと非常に小さいために、通常のマイクロ波信
号に対しては集中定数素子として扱える。そこで、本発
明のマイクロストリップ線路終端器においては、導体ス
トリップ３の延長上に、集中定数素子としての合成抵抗
値がＺ0 オームとなるような複数の抵抗体５1 〜５n を
並列に設け、夫々を接地回路６1 〜６n で接地してい
る。
【０００８】従って、このマイクロストリップ線路終端
器は全体として特性インピーダンスＺ0 オームの伝送線
と整合しており、反射は生じない。また、各抵抗体５1
〜５ n に接地回路６1 〜６n を設けたことで接地能力が
高くなり、反射レベルが低くなる。また、抵抗体５1 〜
５n が適当な間隔ｄを持って配置される構造であるの
で、この部分に寄生している容量及びインダクタンス成
分は軽減される傾向にあり、無反射終端の帯域幅が広く
とれる。
器は全体として特性インピーダンスＺ0 オームの伝送線
と整合しており、反射は生じない。また、各抵抗体５1
〜５ n に接地回路６1 〜６n を設けたことで接地能力が
高くなり、反射レベルが低くなる。また、抵抗体５1 〜
５n が適当な間隔ｄを持って配置される構造であるの
で、この部分に寄生している容量及びインダクタンス成
分は軽減される傾向にあり、無反射終端の帯域幅が広く
とれる。
【０００９】また好ましくは、接地回路６1 〜６n は各
ラジアルスタブにより構成されており、この構造のもの
はモノリシックＩＣ化に適している。
ラジアルスタブにより構成されており、この構造のもの
はモノリシックＩＣ化に適している。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明による実施例
を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一
又は相当部分を示すものとする。図２は実施例のマイク
ロストリップ線路終端器の構成を示す図で、図において
１は誘電体基板、２は接地導体、３は特性インピーダン
ス５０オームの導体ストリップ、５1 ，５2 は各１００
オームの薄膜抵抗体、７1 ，７2 は各半径が略λ／４電
気長で扇形をしたラジアルスタブである。
を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一
又は相当部分を示すものとする。図２は実施例のマイク
ロストリップ線路終端器の構成を示す図で、図において
１は誘電体基板、２は接地導体、３は特性インピーダン
ス５０オームの導体ストリップ、５1 ，５2 は各１００
オームの薄膜抵抗体、７1 ，７2 は各半径が略λ／４電
気長で扇形をしたラジアルスタブである。
【００１１】実施例の薄膜抵抗体５1 ，５2 のサイズは
夫々幅０．１５ｍｍ、長さ０．３ｍｍ程度のものであ
り、通常のマイクロ波信号に対しては集中定数素子とし
て扱える。従って、その合成抵抗値は５０オームとな
り、特性インピーダンス５０オームの伝送線路と整合す
るから、無反射終端器になる。しかも、各抵抗体５1 ，
５ 2 に対して夫々ラジアルスタブ７1 ，７2 よりなる接
地回路を設けているので、ショート面が広がり、反射レ
ベルが低くなる。
夫々幅０．１５ｍｍ、長さ０．３ｍｍ程度のものであ
り、通常のマイクロ波信号に対しては集中定数素子とし
て扱える。従って、その合成抵抗値は５０オームとな
り、特性インピーダンス５０オームの伝送線路と整合す
るから、無反射終端器になる。しかも、各抵抗体５1 ，
５ 2 に対して夫々ラジアルスタブ７1 ，７2 よりなる接
地回路を設けているので、ショート面が広がり、反射レ
ベルが低くなる。
【００１２】また、抵抗体５1 ，５2 間には適当な間隔
ｄが存在し、これにより接地導体２と向かい合う面積が
減少し、かつ実効比誘電率εeff も減少するから、寄生
容量成分が軽減される。また、従来の終端器では抵抗体
５の断面のごく近傍を囲むような磁力線が有効に存在す
るが、実施例の抵抗体５1 ，５2 の各断面のごく近傍を
囲むような磁力線は、間隔ｄの部分で打ち消し合って相
殺されるので、寄生インダクタンス成分も軽減される。
従って、無反射終端の帯域幅が広くとれる。
ｄが存在し、これにより接地導体２と向かい合う面積が
減少し、かつ実効比誘電率εeff も減少するから、寄生
容量成分が軽減される。また、従来の終端器では抵抗体
５の断面のごく近傍を囲むような磁力線が有効に存在す
るが、実施例の抵抗体５1 ，５2 の各断面のごく近傍を
囲むような磁力線は、間隔ｄの部分で打ち消し合って相
殺されるので、寄生インダクタンス成分も軽減される。
従って、無反射終端の帯域幅が広くとれる。
【００１３】図３は実施例のマイクロストリップ線路終
端器の周波数−反射特性を示す図である。実施例のマイ
クロストリップ線路終端器では寄生容量及びインダクタ
ンス成分が軽減されているので、周波数ｆ0 （この例で
は６ＧＨZ ）を中心とする反射レベル−２０ｄＢの帯域
幅が従来の終端器に比べて広くとれている。しかも、本
実施例ではショート面が広くとれているので、中心周波
数ｆ0 における反射が−５０ｄＢに達している。
端器の周波数−反射特性を示す図である。実施例のマイ
クロストリップ線路終端器では寄生容量及びインダクタ
ンス成分が軽減されているので、周波数ｆ0 （この例で
は６ＧＨZ ）を中心とする反射レベル−２０ｄＢの帯域
幅が従来の終端器に比べて広くとれている。しかも、本
実施例ではショート面が広くとれているので、中心周波
数ｆ0 における反射が−５０ｄＢに達している。
【００１４】図４は実施例のマイクロストリップ線路終
端器の応用例を示す図で、図４の（Ａ）はハイブリッド
回路の終端器とした応用例、図４の（Ｂ）は方向性結合
器の終端器とした応用例、を夫々示している。図４の
（Ａ）において、１０はハイブリッド回路であり、端子
から入力したマイクロ波信号は端子，には現れる
が、端子に至る２つの経路ａ，ｂではλ／２電気長の
行路差が生じるので、両者の振幅が等しくなるように特
性インピーダンスＺs ，Ｚp を選べば、マイクロ波信号
は端子には現れない。
端器の応用例を示す図で、図４の（Ａ）はハイブリッド
回路の終端器とした応用例、図４の（Ｂ）は方向性結合
器の終端器とした応用例、を夫々示している。図４の
（Ａ）において、１０はハイブリッド回路であり、端子
から入力したマイクロ波信号は端子，には現れる
が、端子に至る２つの経路ａ，ｂではλ／２電気長の
行路差が生じるので、両者の振幅が等しくなるように特
性インピーダンスＺs ，Ｚp を選べば、マイクロ波信号
は端子には現れない。
【００１５】しかし、実際にはマイクロ波信号の帯域、
ハイブリッド回路１０の寸法精度、その他によって端子
のマイクロ波信号は完全にはゼロにならない。そこ
で、端子に現れたマイクロ波信号を実施例のマイクロ
ストリップ線路終端器により略完全に終端し、ハイブリ
ッド回路１０の諸特性を改善している。図４の（Ｂ）に
おいて、１１は方向性結合器であり、端子，の伝送
線は端子，の伝送線に夫々Ｃ結合している。この状
態で、端子から入力したマイクロ波信号は端子，
には現れるが、端子に至る２つの経路ａ，ｂではλ／
２電気長の行路差が生じるので、マイクロ波信号は端子
には現れない。
ハイブリッド回路１０の寸法精度、その他によって端子
のマイクロ波信号は完全にはゼロにならない。そこ
で、端子に現れたマイクロ波信号を実施例のマイクロ
ストリップ線路終端器により略完全に終端し、ハイブリ
ッド回路１０の諸特性を改善している。図４の（Ｂ）に
おいて、１１は方向性結合器であり、端子，の伝送
線は端子，の伝送線に夫々Ｃ結合している。この状
態で、端子から入力したマイクロ波信号は端子，
には現れるが、端子に至る２つの経路ａ，ｂではλ／
２電気長の行路差が生じるので、マイクロ波信号は端子
には現れない。
【００１６】しかし、この場合も、実際にはマイクロ波
信号の帯域、方向性結合器１１の寸法精度、その他によ
って端子のマイクロ波信号は完全にはゼロにならな
い。そこで、端子に現れたマイクロ波信号を実施例の
マイクロストリップ線路終端器により略完全に終端し、
方向性結合器１１の諸特性を改善している。図５は他の
実施例のマイクロストリップ線路終端器の構成を示す図
で、図５の（Ａ）は接地回路に金ワイヤを使用した場
合、図５の（Ｂ）は接地回路に金リボンを使用した場合
を夫々示している。
信号の帯域、方向性結合器１１の寸法精度、その他によ
って端子のマイクロ波信号は完全にはゼロにならな
い。そこで、端子に現れたマイクロ波信号を実施例の
マイクロストリップ線路終端器により略完全に終端し、
方向性結合器１１の諸特性を改善している。図５は他の
実施例のマイクロストリップ線路終端器の構成を示す図
で、図５の（Ａ）は接地回路に金ワイヤを使用した場
合、図５の（Ｂ）は接地回路に金リボンを使用した場合
を夫々示している。
【００１７】図５の（Ａ）において、６1 ，６2 は接地
回路であり、各接地回路６1 ，６2 は各２本の金ワイヤ
８で接地導体２にアースされている。図５の（Ｂ）にお
いて、６1 ，６2 は接地回路であり、各接地回路６1 ，
６2 は夫々は金リボン９により接地導体２にアースされ
ている。これらの接地方法でも図２の実施例の場合と略
同等の効果が得られる。
回路であり、各接地回路６1 ，６2 は各２本の金ワイヤ
８で接地導体２にアースされている。図５の（Ｂ）にお
いて、６1 ，６2 は接地回路であり、各接地回路６1 ，
６2 は夫々は金リボン９により接地導体２にアースされ
ている。これらの接地方法でも図２の実施例の場合と略
同等の効果が得られる。
【００１８】なお、上記実施例では誘電体基板１と、背
面の接地導体２と、表面の導体ストリップ３とを備える
マイクロストリップ線路について述べたが、本発明は他
の種類のマイクロストリップ線路、例えば、誘電体基板
と背面接地導体との間に空間層を有するようなサスペン
デッドマイクロストリップ（suspended microstrip）線
路、または誘電体基板と導体ストリップとの接合面を逆
さまにして接地導体に対向させ、その間に空間層を有す
るような逆形マイクロストリップ（inverted microstri
p ）線路等にも適用可能である。
面の接地導体２と、表面の導体ストリップ３とを備える
マイクロストリップ線路について述べたが、本発明は他
の種類のマイクロストリップ線路、例えば、誘電体基板
と背面接地導体との間に空間層を有するようなサスペン
デッドマイクロストリップ（suspended microstrip）線
路、または誘電体基板と導体ストリップとの接合面を逆
さまにして接地導体に対向させ、その間に空間層を有す
るような逆形マイクロストリップ（inverted microstri
p ）線路等にも適用可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によば、マイクロ
ストリップ線路終端器は、導体ストリップ３の延長上に
並列に設けられて、その合成抵抗値がＺ0 オームとなる
複数の抵抗体５1 〜５n と、各抵抗体５1 〜５n を接地
導体２に実質的に接地する複数の接地回路６1 〜６n と
を備えるので、従来のマイクロストリップ線路終端器に
比べて反射レベルが小さく、かつその帯域幅が広くとれ
る。
ストリップ線路終端器は、導体ストリップ３の延長上に
並列に設けられて、その合成抵抗値がＺ0 オームとなる
複数の抵抗体５1 〜５n と、各抵抗体５1 〜５n を接地
導体２に実質的に接地する複数の接地回路６1 〜６n と
を備えるので、従来のマイクロストリップ線路終端器に
比べて反射レベルが小さく、かつその帯域幅が広くとれ
る。
【図１】図１は本発明の原理的構成図である。
【図２】図２は実施例のマイクロストリップ線路終端器
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】図３は実施例のマイクロストリップ線路終端器
の周波数−反射特性を示す図である。
の周波数−反射特性を示す図である。
【図４】図４は実施例のマイクロストリップ線路終端器
の応用例を示す図である。
の応用例を示す図である。
【図５】図５は他の実施例のマイクロストリップ線路終
端器の構成を示す図である。
端器の構成を示す図である。
【図６】図６は従来のマイクロストリップ線路終端器の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図７】図７は従来のマイクロストリップ線路終端器の
周波数−反射特性を示す図である。
周波数−反射特性を示す図である。
１ 誘電体基板 ２ 接地導体 ３ 導体ストリップ ５1 〜５n 抵抗体 ６1 〜６n 接地回路
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板（１）と、接地導体（２）
と、特性インピーダンスＺ0 オームの導体ストリップ
（３）とを備えるマイクロストリップ線路を無反射終端
するためのマイクロストリップ線路終端器において、 導体ストリップ（３）の延長上に並列に設けられて、そ
の合成抵抗値がＺ0オームとなる複数の抵抗体（５1 〜
５n ）と、 各抵抗体（５1 〜５n ）を接地導体（２）に実質的に接
地する複数の接地回路（６1 〜６n ）とを備えることを
特徴とするマイクロストリップ線路終端器。 - 【請求項２】 接地回路（６1 〜６n ）は各ラジアルス
タブよりなることを特徴とする請求項１のマイクロスト
リップ線路終端器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20932391A JPH0555813A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | マイクロストリツプ線路終端器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20932391A JPH0555813A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | マイクロストリツプ線路終端器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555813A true JPH0555813A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16571048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20932391A Withdrawn JPH0555813A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | マイクロストリツプ線路終端器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555813A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104258A (en) * | 1998-05-19 | 2000-08-15 | Sun Microsystems, Inc. | System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus |
| JP2008048445A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送線路基板および半導体パッケージ |
| WO2008146535A1 (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Kyocera Corporation | 終端器 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20932391A patent/JPH0555813A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104258A (en) * | 1998-05-19 | 2000-08-15 | Sun Microsystems, Inc. | System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus |
| WO2008146535A1 (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Kyocera Corporation | 終端器 |
| JP5153771B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-02-27 | 京セラ株式会社 | 終端器 |
| JP2008048445A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送線路基板および半導体パッケージ |
| JP4516101B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 伝送線路基板および半導体パッケージ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |